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场效应管怎么测量好坏
场效应管测量好坏有以下方法：
方法一将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。
场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S （源极）。
将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。
用指针万用表测，G极，与其余两个极之间，无论是两个表笔怎样对调测，万用表指针均应不动。
方法二将数字万用表拨至“二极管”档，也就是，蜂鸣器档。
黑表笔接D极，红表笔接S极，此时，应显示一个数值，一般情况下为400多Ω到500Ω多之间。
然后，再对换表笔，应无显示，为“1”。
然后，黑表笔接D极，红表笔先去触碰一下G极，然后红表笔再接到S极上，此时，会发现显示的数值与原来相比，变小了许多，一般为100多Ω到几十Ω之间。
这说明，此场效应管已被触发导通了。
在这个时候，黑表笔接S极，红表笔接D极，会发现，有数值显示了。
这说明，此场效应管是完好的。
如果所测的结果与上述两种方法均不符，则这个场效应管就是坏的。
一般情况下，D极和S极击穿的比较常见。
用数字万用表的“二极管”档测，会听到蜂鸣器的响声。
场效应管的主要参数意义及其测试方法场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种三端器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。
场效应管的主要参数包括漏极-源极电流（IDSS）、漏极-源极截止电压（VGS(Off)）、漏极电阻（RDS(On)）和跨导（Transconductance），其测试方法主要包括IDSS测试、VGS截止测试、RDS测试和跨导测试。
1.漏极-源极电流（IDSS）：IDSS是指在给定源极-栅极电压下，场效应管的漏极电流。
它反映了场效应管的导通能力，通常单位为毫安（mA）。
IDSS测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，将源极-漏极电压保持为0V，测量漏极电流。
2. 漏极-源极截止电压（VGS(Off)）：VGS(Off)是指在给定漏极电流下，场效应管的截止电压。
它反映了场效应管在关闭状态下的电压阈值，通常单位为伏特（V）。
VGS(Off)测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，并将漏极电流维持在预定值，测量栅极-源极电压。
3.漏极电阻（RDS(On)）：RDS(On)是指在给定栅极-源极电压下，场效应管的漏极电阻。
它反映了场效应管的导通状态下的电阻情况，通常单位为欧姆（Ω）。
RDS测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，并将栅极-源极电压维持在预定值，测量漏极电阻。
4. 跨导（Transconductance）：跨导是指在给定栅极-源极电压下，场效应管的斜率。
它反映了场效应管的输入导通能力，通常单位为毫安/伏特（mA/V）。
跨导测试方法为：将场效应管的源极和漏极短接，连接好栅极回路，并将栅极-源极电压维持在预定值，测量漏极电流对应的变化。
场效应管的测量方法场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常见的半导体器件，用于放大电信号和控制电流流动。
它是现代电子技术中至关重要的组成部分，广泛应用于通信、计算机、电力、医疗设备等领域。
本文将从测量方法的角度对场效应管进行全面评估，并探讨其在实际应用中的价值和意义。
一、场效应管的基本原理1.1 堆叠型场效应管堆叠型场效应管是一种常见的结构，由源极、栅极和漏极组成。
其中，栅极是控制电流流动的关键部分，通过改变栅极电压来控制电流的大小。
当栅极电压为正时，沟道中的电子流可以被栅极电场引导，从而形成导电通路；当栅极电压为负时，电子流被屏蔽，无法通过沟道，电流几乎为零。
这种控制电流的特性使得场效应管成为一种理想的放大器和开关。
1.2 压敏型场效应管压敏型场效应管则是利用栅极与源极之间的电场形成PN结，具有较高的电压稳定性。
这种结构特点使得压敏型场效应管在防火、防雷等领域得到广泛应用。
二、场效应管的测量方法2.1 静态参数测量静态参数测量主要是通过电流-电压（I-V）特性曲线来评估场效应管的性能。
通过改变栅极电压和漏极电压，测量器件的电流变化，以确定其工作状态和性能指标。
常见的静态参数包括：- 零漏极电流（IDSS）：在源极和栅极间施加零电压时，测量的漏极电流；- 转移特性曲线：以栅极电压为横轴，漏极电流为纵轴，绘制的特性曲线；- 漏极截止电压（VDS(off)）：当栅极电压为零时，测量的漏极电压。
2.2 动态参数测量动态参数测量主要是评估场效应管的响应速度和频率特性。
常见的动态参数包括：- 开关时间：指场效应管从开关状态到导通状态所需的时间；- 内部电容：用于描述电荷移动的速度，在高频应用中尤为重要；- 过载能力：指器件在负载变化时的电流变化能力。
三、场效应管在实际应用中的价值3.1 放大器场效应管作为一种理想的放大器，具有高增益、低噪声和低失真等特点，被广泛应用于音频放大、射频放大等领域。
场效应管怎样测量好坏?1.结型场效管的判别将万用表置于RXlk档，用黑表笔接触假定为栅极G管脚，然后用红表笔分别接触另两个管脚。
若阻值均比较小(约5'--10欧)，再将红、黑表笔交换测量一次。
如阻值均很大，属N沟道管，且黑表接触的管脚为栅极G，说明原先的假定是正确的。
同样也可以判别出P沟道的结型场效应管。
2.金属氧化物场效应管的判别(1)栅极G的判定用万用表Rxl00挡，测量功率场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值，其中一次测量中两引脚电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚是D极与S极，则另一引脚未接表笔为G极。
(2)漏极D、源极S及类型的判定用万用表RxlokD,挡测量D极与S极之间正、反向电阻值，正向电阻值约为0.2x10kfl，反向电阻值在(5—∞)x10kfl。
在测反向电阻时，红表笔所接引脚不变，黑表笔脱离所接引脚后，与G极触碰一下，然后黑表笔去接原引脚，此时会出现两种可能：若万用表读数由原来较大阻值变为零，则此时红表笔所接为S极，黑表笔所接为D极。
用黑表笔触发G极有效(使功率场效应管D极与S极之间正、反向电阻值均为012)，则该场效应管为N沟道型。
若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚不变，改用红表笔去触碰G极，然后红表笔接回原引脚，此时万用表读数由原采阻值较大变为0，则此时黑表笔所接为S极，红表笔所接为D极。
用红表笔触发G，极有效，该场效应管为P沟道型。
(3)金属氧化物场效应管的好坏判别用万用表Rxlkll挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阻值。
如果出现两次及两次以上电阻值较小(几乎为0xkll)，则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阻值较小(一般为数百欧姆)，其余各次测量电阻值均为无穷大，还需作进一步判断。
用万用表Rxlkfl挡测量D 极与S极之间的正、反电阻值。
对于N沟道管，红表笔接S极，黑表笔先触碰G极后，然后测量D极与S极之间的正、反向电阻值。
若测得正、反向电阻值均为0fl，该管为好的，对于P沟道管，黑表笔接S极，红表笔先触碰G极后，然后测量D极与S极之间的正、反向电阻值，若测得正、反向电阻值均为01l，则该管是好的。
场效应管的测量方法
场效应管的测量方法一般包括以下几个步骤：
1. 确定引脚：首先要确认场效应管的引脚布置，一般有栅极（G）、源极（S）和漏极（D）三个引脚。
2. 确定测试电路：选择适当的测试电路来测量场效应管的性能。
常见的测试电路包括单端共源（Common Source）、单端共漏（Common Drain）和单端共栅（Common Gate）等。
3. 测量电流和电压：在选定的测试电路上，通过恰当的电压源和电流源，分别在引脚上施加适当的电压和电流进行测量。
常用的测量参数有栅极-源极电压（Vgs）、漏极-源极电压（Vds）和漏极电流（Ids）等。
4. 测量曲线：根据测量电流和电压的数据,绘制出I-V特性曲线。
常见的曲线有输入特性曲线和输出特性曲线等。
5. 性能分析：根据测得的曲线数据对场效应管进行性能分析，如确定场效应管的增益、截止频率以及最大功率等。
需要注意的是，在测量场效应管时，要特别注意避免超过场效应管的最大电压和电流规格，以防止损坏设备。
同时，在测量之前也需要对测量电路进行合理的连
接和参数设置。
场效应管测量方法
场效应管（Field Effect Transistor，FET）的测量方法包括静态参数测试和动态参数测试。
静态参数测试是指测量场效应管的静态电气参数，主要包括栅极漏电流、栅极截止电压、输出导通电流等。
其中，栅极漏电流可以通过将栅源端短路，然后测量栅极到源极之间的电流来测量；栅极截止电压可以通过将栅源端短路，然后在栅极和源极之间施加一系列电压并测量对应的输出电压来测量；输出导通电流可以通过在栅极和源极之间施加一定的栅极电压，同时测量输出电流来测量。
动态参数测试是指测量场效应管的动态电性能，主要包括开关时间、开关损耗、放大增益等。
其中，开关时间可以通过在输入端施加一个快速的信号，然后测量输出端的响应时间来测量；开关损耗可以通过测量在开关过程中的功率消耗来测量；放大增益可以通过在输入端施加一个小信号，然后测量输出端的变化来测量。
总之，场效应管的测量方法涉及到静态参数测试和动态参数测试，通过测量这些参数可以评估场效应管的性能和可靠性。
场效应管的检测方法
嘿，大家知道不，场效应管这玩意儿在电子领域里可是很重要的角色呢！那咱今天就来聊聊怎么检测它。
记得有一次，我在摆弄一个电子小制作，突然发现有个地方不太对劲，怀疑是场效应管出了问题。
我就开始了我的检测之旅。
先来说说第一种方法，用万用表来测。
把万用表调到合适的挡位，然后去测它的引脚电阻啥的。
就像医生给病人看病，量量这儿，测测那儿，看看有没有啥不正常的。
要是电阻值不对，那可能就有问题啦。
还有一种方法呢，就是给它加个电压，看看它的反应。
就好像逗逗小猫小狗，看看它们会不会欢快地回应。
如果它没反应或者反应很奇怪，那可能就有毛病咯。
再就是可以通过观察它的外观，有没有损坏、烧焦的痕迹。
这就像我们看一个人脸上有没有伤疤一样明显。
要是有这些情况，那肯定不太正常呀。
总之，检测场效应管就像是给它做一次全面的体检，各种方法都用上，才能准确判断它是不是健康。
所以呀，咱可得好好掌握这些检测方法，不然电子设备出了问题都不知道咋解决呢！这不就是在说场效应管的检测方法嘛！哈哈！。
场效应管的测量方法场效应管检测方法与经验MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试h，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
用万用表测量场效应管用万用表测量（试）vmos功率场效应管1、判断引脚极性（电极）万用表复置r×1k档，分别测试三个电极间的阻值，如果其中—脚与另两脚间的电阻为无穷大，且互换表笔测试仍—样．表明这—脚为栅极g。
由图1(b)可以窥见，源、漏极之间相等于一个pn结，测量其正、逆向电阻，以阻值较小(约几千欧)的那次为依据，白表笔接的是源极(p型)s，白表笔直奔的就是漏极(n型)d，对n导线vmos管推论恰好相反。
通常vmos管曲面极d与外壳(或散热片)就是连在一起的，这就是更容易区分凿、源两电极了。
图1vmos功率场效应管外形及内部结构示意图①万Weinreb复置r×1k档，先短路一下栅－源极，泄压下栅极上感应器的电荷，然后用黑表笔接s，白表笔接d，例如测到的阻值在几千欧，再短接—之下g、s后互换表笔测得阻值为无穷大，表明管子凿、源极间pn结是不好的。
②用导线将g、s短路起来，万用表置r×1档，黑表笔接s，红表笔接d，如测得的阻值在几欧姆，说明管子是好的，并且阻值越小，还说明管子的放大能力越强。
其判断理由是：将g、s极短路并用黑表笔接源极s时，就相当于给栅极加上了正偏压，这个正电压产生的电场会把源极n+型和p沟道区内的电子吸附到氧化膜的表面，从而分离出大量的空穴参予导电，使电流剧增，电阻减小。
③万用表复置r×10档，分别测量g－s、g－d极间的两极向电阻，如果都为无穷大，表明管于是不好的，否则表明栅极与漏、源极间存有漏电或者打穿损毁。
对于n导线管互换表笔测试即可。
3、放大能力（跨导）的测量vmos管及的压缩能力(跨导)的测量可以参照《绝缘栅场效应管的测量》一文中关于mos管压缩能力的测试方法。
场效应管的测试方法
场效应管那可是电子世界的小明星啊！咱先说说咋测试它吧。
嘿，你想知道不？把万用表拨到合适的档位，先测一下各个引脚之间的电阻值。
这就像给场效应管做个体检，看看它有没有啥毛病。
要是电阻值不对头，那可就有问题啦！接着呢，可以给场效应管加个电压，看看它的反应。
这就好比给它点动力，看它能不能跑起来。
在测试的时候可得小心哦，别弄短路了，不然那可就悲剧啦！那安全性和稳定性咋保证呢？你想想，要是不小心把场效应管弄坏了，那多心疼啊！所以一定要仔细操作，按照正确的方法来。
场效应管的应用场景那可多了去了。
就像一个万能小助手，在各种电子设备里都能发挥大作用。
比如在电源电路里，它可以高效地控制电流，让设备稳定运行。
在放大器里呢，它能把小信号放大得超级厉害。
它的优势也很明显啊！功耗低，速度快，这多牛啊！就像一个短跑冠军，跑得又快又省力。
给你举个实际案例吧。
我有个朋友修一台电脑，发现主板上的场效应管坏了。
他按照正确的方法测试了一下，确定是哪个坏了，然后换了一个新的。
嘿，电脑马上就好啦！这效果，杠杠的。
所以啊，场效应管真是个好东西，测试方法也不难，只要小心操作，就能让它发挥大作用。
场效应管各个参数符号Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数场效应管的特征参数1．直流参数饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP 它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS开启电压UT 它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS2.交流参数低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
3.极限参数漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。
栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
场效应管的测试方案场效应管除了放大能力稍弱，在导通电阻、开关速度、噪声及抗干扰能力等方面较双极型三极管均有着明显的优势。
由于输入阻抗极高，MOSFET管栅极微量感应电荷产生的电势足以击穿绝缘层而损坏器件。
过去许多介绍绝缘栅型场效应管的资料中，一般都需要用捆扎(短接)器件的三只管脚，待MOS管焊接到电路板之后再剪去捆扎线如图1所示，使用非常烦琐。
一、基本类型MOS管测试MOS管内部的保护环节有多种类型，这就决定了测量过程存在着多样性，常见的NMOS管内部结构如图3、图4所示。
图3、图4所示NMOS管的D-S间均并联有一只寄生二极管(InternalDiode)。
与图3稍有不同，图4所示NMOS管的G-S之间还设计了一只类似于双向稳压管的元件"保护二极管"，由于保护二极管的开启电压较高，用万用表一般无法测量出该二极管的单向导电性。
因此，这两种管子的测量方法基本类似，具体测试步骤如下：1．MOS管栅极与漏、源两极之间绝缘阻值很高，因此在测试过程中G-D、G-S之间均表现出很高的电阻值。
而寄生二极管的存在将使D、S两只管脚间表现出正反向阻值差异很大的现象。
选择指针万用表的R×1kΩ挡，轮流测试任意两只管脚之间的电阻值。
当指针出现较大幅度偏转时，与黑笔相接的管脚即为NMOS管的S极，与红笔相接的管脚为漏极D，剩余第3脚则为栅极G，如图5所示。
2．短接G、D、S三只电极，泄放掉G-S极间等效结电容在前面测试过程中临时存储电荷所建立起的电压UGS。
图4所示MOS管的G-s极间接有双向保护二极管，可跳过这一步。
3．万用表电阻挡切换到的R×10kΩ挡(内置9V电池)后调零。
将黑笔接漏极D、红笔接源极S，经过上一步的短接放电后，UGS降为0V，MOS管尚未导通，其D-S间电阻RDS为∞，故指针不会发生偏转，如图6所示。
4．有以下两种方法能够对MOS管的质量与性能作出准确的判断：第一种方法：①用手指碰触G-D极，此时指针向右发生偏转，如图7所示。
手指松开后，指针略微有一些摆动。
②用手指捏住G-S极，形成放电通道，此时指针缓慢回转至电阻∞的位置，如图8所示。
图4所示MOS管的G-S间接有保护二极管，手指撤离G-D极后即使不去接触G-S极，指针也将自动回到电阻∞的位置。
值得注意的是，测试过程中手指不要接触与测试步骤不相关的管脚，包括与漏极D相连的散热片，避免后续测量过程中因万用表指针偏转异常而造成误判。
第二种方法：①用红笔接源极S，黑笔接栅极G，对G-S之间的等效结电容进行充电，此时可以忽略万用表指针的轻微偏转，如图9所示。
②切换到R×1Ω挡，换挡后须及时对挡位进行调零。
将红笔接到源极S，黑笔移到漏极D，此时MOS管的D-S极导通。
根据MOS管类型的不同，万用表指针停留在十几欧姆至零点几欧姆不等的位置，如图10所示。
③交换黑笔与红笔的位置，万用表所指示的电阻值基本不变，说明此时MOS管的D-S 极已经导通。
当前万用表所指示的电阻值近似为D-S极导通电阻RDS(on)。
因测试条件所限，这里得到的RDS(on)值往往比手册中给出的典型值偏大。
对于图4所示的。
MOS管，因G-S间保护二极管的存在，万用表指针在接近零刻度位置后，将自动回复到电阻∞位置。
5．放大能力(跨导)的估测判断NMOS管跨导性能时，选择万用表的R×10kΩ电阻挡，此时表内电压较高。
对于垂直沟道的VMOS管(如2SJ353)，用R×1kΩ挡即可完成所有的测试功能。
将万用表红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，相当于在D-S之间加上一个9V的电压。
此时栅极开路，当用手指或镊子接触栅极G并停顿几秒时，指针会缓慢地偏转到满刻度的1／3～1／2处。
指针偏转角度越大，MOS管的跨导值越高。
如果被测管的跨导很小，用此法测试时指针偏转幅度很小。
二、特殊小功率MOS管的测试图3所示MOS管在目前使用较广，典型器件如NMOS型的IRF740、IRF830、PMOS 型的IRF9630等。
图4所示的MOS管以NMOS型居多，2SKl548、FS3KMl6A为这类MOS器件的典型代表。
此外，还有一类比较特殊的MOS管，这类MOS管的栅极G在并联保护二极管的同时还集成有一只电阻，结构如图11所示。
图11所示的MOS管在小功率器件中采用较多，如常见的2SK1825。
这类NMOS管与前述两种MOS管的测试方法区别较大，正确的测试步骤如下。
1．切换到万用表的R×1kΩ挡，将黑笔与某只引脚相接，红笔分别与其余两只引脚相接进行阻值测量，若两次测试过程中指针均出现较大幅度的偏转，则与黑笔相连的管脚即为源极S。
这主要是由于MOS管内部集成有两只保护二极管的缘故。
2．为了区分漏极D与栅极G，接下来可参考NPN三极管集电极C与发射极E的识别程序进行测试：①假设剩余管脚中的某一只为漏极D并将其与黑笔相接，红笔则接假设的栅极G；②用手指捏住假设的栅极G与漏极D，观察指针的偏转情况。
若指针偏转幅度较大，则与黑笔相接的管脚即为漏极D，与红笔相接的则为栅极，测试原理如图12所示。
三、型号不明的MOS管的测量PMOS管的测量原则和方法与NMOS管类似，在测量过程中应注意将表笔的顺序颠倒。
但是，对于型号不明的MOS管，通过检测单向导电性往往只能判断出其中哪一只管脚为栅极，而不能直接识别管子的极性和D、S极。
对此，合理的测试方法如下：1．万用表取R×1kΩ挡，在观察到单向导电性之后，交换两只表笔的位置；2．将万用表切换至R×10kΩ挡，保持黑笔不动，将红笔移到栅极G停留几秒后再回到原位，若指针出现满偏，则该元件为PMOS管，且黑笔所接管脚为源极S、红笔所接为漏极D；3．若第2步指针没有发生大幅度偏转，则保持红笔位置不变，将黑笔移到栅极G停留几秒后回到原位，若指针满偏则管子类型为NMOS，黑笔所接管脚为漏极D、红笔所接为源极S。
