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半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
第五章 FET三极管及其放大管一、判断题结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
（）。
√场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。
（）×开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
（）×I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS=0时的漏极电流。
（）×若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）前往×互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )√开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
( )×I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS=0时的漏极电流。
( )×结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
( )√与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。
（）√场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。
（）×二、填空题场效应管放大电路中，共＿＿极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相；共＿＿极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。
源，栅场效应管是利用＿＿电压来控制＿＿电流大小的半导体器件。
V GS（栅源电压），I D（漏极）场效应管是＿＿＿＿控制半导体器件，参与导电的载流子有＿＿＿＿种。
电压，1当u gs=0时，漏源间存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管。
耗尽型，增强型场效应管具有输入电阻很＿＿＿＿、抗干扰能力＿＿＿＿等特点。
大，强输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是＿＿＿＿。
共射（共源）共源极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。
共射共漏极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。
共集图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是＿＿＿＿沟道＿＿＿＿MOS管。
三极管试题及答案一、选择题1. 三极管的三个主要极是发射极、基极和______。
A. 集电极B. 栅极C. 门极D. 源极答案：A2. 在NPN型三极管中，基极电流增加时，集电极电流的变化趋势是______。
A. 减少B. 增加C. 不变D. 先增加后减少答案：B3. 三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对______电流的控制。
A. 基极B. 发射极C. 集电极D. 栅极答案：C二、填空题4. 三极管的工作原理是基于______效应。
答案：PN结5. 在三极管放大电路中，基极与发射极之间的电压称为______电压。
答案：正向偏置三、判断题6. 三极管可以工作在截止、饱和和放大三种状态。
（）答案：正确7. 所有的三极管都可以用作开关。
（）答案：错误四、简答题8. 简述三极管放大电路的基本工作原理。
答案：三极管放大电路的基本工作原理是利用三极管的电流放大作用，通过控制基极电流，实现对集电极电流的放大。
当基极电流增加时，由于基极与集电极之间的电流放大倍数（β值），集电极电流也会相应增加，从而达到放大信号的目的。
9. 什么是三极管的饱和状态？答案：三极管的饱和状态是指在三极管的集电极与发射极之间电压达到最大值，使得集电极电流达到最大，此时三极管的放大作用达到极限，无法进一步放大信号。
五、计算题10. 已知NPN型三极管的β值为100，基极电流为20μA，求集电极电流。
答案：根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，集电极电流IC = 100 * 20μA = 2mA。
六、分析题11. 某三极管放大电路的基极电流为50μA，若要使集电极电流增加到5mA，需要调整基极电流到多少？答案：首先，根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，可以求出基极电流IB = IC / β。
已知IC为5mA，β值未知，设β值为X，则有5mA = 50μA * X。
解得X = 100。
因此，基极电流需要增加到50μA * 100 = 5mA。
三极管复习题及答案三极管是电子技术中常用的一种器件，广泛应用于放大、开关和稳压等电路中。
它由三个掺杂不同材料的半导体区域组成，分别是基区、发射区和集电区。
三极管的工作原理是基于PN结的导电特性，通过控制基区的电流来控制发射区和集电区之间的电流。
在学习三极管的过程中，我们需要通过复习题来巩固所学的知识。
下面是一些常见的三极管复习题及其答案，希望对大家的学习有所帮助。
1. 什么是三极管的放大倍数？答：三极管的放大倍数是指集电极电流变化与基极电流变化之间的比值。
一般用β表示，也叫做电流放大倍数或直流放大倍数。
2. 三极管的三个区域分别是什么？答：三极管的三个区域分别是基区、发射区和集电区。
其中，基区位于发射区和集电区之间，发射区连接基区和集电区。
3. 三极管的工作原理是什么？答：三极管的工作原理是基于PN结的导电特性。
当基极电流为零时，三极管处于截止状态，没有集电极电流。
当基极电流大于零时，三极管处于饱和状态，有较大的集电极电流。
4. 什么是共射放大电路？答：共射放大电路是一种常见的三极管放大电路，也是最常用的一种。
在共射放大电路中，输入信号与基极之间串联，输出信号与集电极之间并联。
5. 三极管的工作状态有哪些？答：三极管的工作状态分为截止状态、饱和状态和放大状态。
截止状态下，三极管的集电极电流为零；饱和状态下，三极管的集电极电流较大；放大状态下，三极管的集电极电流受到基极电流的控制。
6. 三极管的常见应用有哪些？答：三极管在电子技术中有广泛的应用。
它可以用于放大电路、开关电路、振荡电路、稳压电路等。
例如，三极管可以用于放大音频信号，使得声音更加清晰；它还可以用于开关电路，控制其他器件的开关状态。
通过对这些复习题的学习，我们可以更好地理解和掌握三极管的工作原理和应用。
同时，我们也要多做一些实际的电路设计和调试，加深对三极管的理解。
当然，除了以上的复习题，还有很多其他的问题和知识点需要我们去学习和掌握。
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
![[模拟电子技术]-第五章自我检测题参考答案](https://img.taocdn.com/s1/m/064811c3370cba1aa8114431b90d6c85ec3a8801.png)
第五章自我检测题参考答案一、填空题1.乙类互补对称功放的效率比甲类功放高得多，其关键是静态工作点低。
2.由于功放电路中功放管常常处于极限工作状态，因此选择功放管时要特别注意P CM ， I CM 和U (BR)C EO 三个参数。
3.设计一个输出功率为20W 的扩音机电路，若用乙类OCL 互补对称功放电路，则应选P cm 至少为4W 的功放管两只。
二、判断题1.乙类互补对称功放电路在输出功率最大时，管子的管耗最大。
(×)2.功放电路的效率是拷输出功率与输入功率之比。
(×)3. 乙类互补对称功放电路在输入信号为零时，静态功耗几乎为零。
(√)4只有当两只三极管的类型相同时才能组成复合管。
(×)5.OCL 电路中输入信号越大，交越失真也越大。
(×)6.复合管的β值近似等于组成它的各三极管β值的乘积。
(√)三、选择题1.功率放大器的输出功率大是(C )。
A.电压放大倍数大或电流放大倍数大B.输出电压高且输出电流大C.输出电压变化幅值大且输出电流变化幅值大2.单电源(＋12)供电的OTL 功放电路在静态时，输出耦合电容两端的直流电压为(C )。
A.0VB.+6VC.+12V3.复合管的导电类型(NPN 或PNP)与组成它的(A )的类型相同。
A.最前面的管子B.最后面的管子C.不确定4. 互补对称功放电路从放大作用来看，(B )。
A.既有电压放大作用，又有电流放大作用B.只有电流放大作用，没有电压放大作用C.只有电压放大作用，没有电流放大作用5.甲乙类OCL 电路可以克服乙类OCL 电路产生的(A )。
A.交越失真B.饱和失真C. 截止失真D.零点漂移四、一单电源供电的OTL 功放电路，已知V CC =20V ，R L =8Ω，U CE(sat)忽略不计，估算电路的最大输出功率，并指出功率管的极限参数P CM 、 I CM 、U (BR)CEO 应满足什么条件？解：OTL 功放电路W 25.6W 8102121212L 2om =∙=⎪⎭⎫ ⎝⎛∙=R V P CC W 25.1W 25.62.02.0om CM =⨯=≥P PV 20V 20CC (BR)CEO ＝＝V U ≥A 25.1A 82202L CC CM =⨯=≥R V I第五章 习题参考答案5.1判断题1.功率放大倍数A P ＞1，即A u 和A i 都大于1。
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA 和3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V 、-8V 、-2.2V ，则该管为_________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V 、6V 、-2.2V ，则该管_________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是_________ 放大电路。
三极管放大电路试题1. 下列说法正确的是( )放大器的输入电阻越小越好(正确答案)放大器的输入电阻越大越好放大器的输出电阻和输人电阻相等放大器的输出电阻越大越好2. 有些放大电路在发射极电阻旁并上个电容Ce,则Ce的作用是（）A.稳定静态工作点B.交流旁路，减少信号在Re上的损失(正确答案)C.改善输出波形D.减小信号失真3.在固定偏置放大电路中，若静态工作点比较高，则输入信号较大时，电路将首先出现（）失真。
A.交越失真B.双重失真C.截止失真D饱和失真(正确答案)4. 分压式偏置电路与固定式偏置电路相比较，能够（）A.确保电路工作在放大区B.提高电压放大倍数C.提高输入电阻D.稳定静态工作点(正确答案)5. 在分压式偏置电路中若将下偏置电阻阻值减小，电路中的静态工作点（）A.ICQ增大B.VCEQ增大(正确答案)C.VCEQ减小D.VCEQ、ICQ不变6. 多级放大器的上、下限截止频率变化情况是（）A.上限频率变大B.下限频率变大(正确答案)C.下限频率变小D.上限频率不变7. 多级放大器中具有阻抗变换功能的耦合方式是（）A.阻容耦合B.变压器耦合(正确答案)C.直接耦合D.光电耦合8. 已知Ai=1000,则Gi=（）A.30dBB.90dBC.40dBD.60 dB(正确答案)9. 放大器的输出电路Ro越小，则（）A.带负载能力越强(正确答案)B.带负载能力越弱C.放大倍数越低D.通频带越宽10. 在晶体管放大电路中，若电路的静态工作点太低，将会产生（）A.饱和失真B.截止失真(正确答案)C.交越失真D.不产生失真11. 放大电路在未输人交流信号时，电路所处于工作状态是（）A.静态(正确答案)B.动态C.放大状态D.截止状态12. 放大器的通频带指的是（）A.上限频率以下的频率范围B.下限频率以上的频率范围C.下限频率以下的频率范围D.上下限频率之间的频率范围(正确答案)一个多级放大器由两个相同的放大器组成，已知每级的通频带为15KHZ,放大器总通频带为（）A.15KHZB.30KHZC.大于15KHZD.小于15KHZ(正确答案)14. 放大器的功率增益定义式为（）A.AP=Po/PIB.GP=20LgAPC.GP=20Lg(Po/PI)D.GP=10LgAP(正确答案)15. 在分压式偏置放大电路中，当三极管的β值增大时，电路中的静态工作点（）A.IBQ增大B.IBQ减小(正确答案)C.VBEQ增大D.IEQ减小16.两级放大器的放大倍数AV1=30,AV2=50,输人信号有效值Vi=1mV,输出端信号有效值应为（）A.80mVB.1.5V(正确答案)C.0.15VD.150V17.某三极管的极限参数为VBR=25V,ICM=13mA,PCM=130mW,在以下工作条件哪个是允许的？（）A.Ic=12mA,VCE=10V(正确答案)B.Ic=20mA,VCE=10VC.Ic=120mA,VCE=3VD.Ic=40mA.VCE=50V18. 画交流通路时（）A.把电容视为开路，电源视为短路B.把电源和电容都视为开路C.把电容视为短路，电源视为开路D.把电源和电容都视为短路(正确答案)19. 放大器设置合适的静态工作点，以保证晶体管放大信号时，始终工作在（）A.饱和区B.截止区C.放大区(正确答案)D.击穿区20. 在基本放大电路中，描述放静态工作点的参数正确的是（）A.Ib,Ic,VceB.IB,IC,VCE(正确答案)C.iB,iC,VCED.ib,ic.,vce21. 在放大电路中，交直流电压电流用（）表示。
三极管试题及答案一、填空题1. 三极管是一种______控制型半导体器件，它由两个PN结组成，分为______极、______极和______极。
答案：电流；发射；基；集2. 三极管的放大作用是通过改变______极电流的大小来控制______极电流的大小。
答案：基；集3. 三极管的三种工作状态分别是______、______和______。
答案：放大区；饱和区；截止区4. 三极管的静态工作点设置在放大区的目的是为了保证三极管的______和______。
答案：稳定性；线性5. 三极管的截止频率是指三极管的放大倍数下降到1倍时的频率，它反映了三极管的______特性。
答案：高频二、选择题1. 三极管的电流放大系数β的物理意义是（）。
A. 集电极电流与基极电流之比B. 发射极电流与基极电流之比C. 集电极电流与发射极电流之比D. 基极电流与集电极电流之比2. 在三极管放大电路中，若要使三极管工作在放大区，应满足的条件是（）。
A. U_B > U_BEB. U_B < U_BEC. U_B = U_BED. U_B ≈ U_BE答案：A3. 三极管的饱和区是指（）。
A. I_C = βI_BB. I_C = I_BC. I_C ≈ βI_BD. I_C ≈ I_B4. 三极管的截止区是指（）。
A. I_C = βI_BB. I_C = I_BC. I_C ≈ βI_BD. I_C ≈ 0答案：D5. 三极管的截止频率是指（）。
A. 三极管的放大倍数下降到1倍时的频率B. 三极管的放大倍数下降到0.707倍时的频率C. 三极管的放大倍数下降到0.5倍时的频率D. 三极管的放大倍数下降到0.1倍时的频率三、判断题1. 三极管的放大作用是通过改变集电极电流的大小来控制基极电流的大小。
（ ×）2. 三极管的三种工作状态分别是放大区、饱和区和截止区。
（√ ）3. 三极管的截止频率是指三极管的放大倍数下降到0.707倍时的频率。
、三极管及放大电路测试卷一、选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D1．已知图示电路中晶体管的100β，k 1be r ，在输入电压为有效值等于10mV 的1kHz 正弦信号时，估计输出电压有效值为____过____。
（ A ．0.5V ， B ．1V ， C ．2V ， D ．5V ）。
+V CC C 2C 1R b 300k 2k(+12V)10F10F 2kR L R c u iu o？？？2.放大电路如图所示，已知硅三极管的50，则该电路中三极管的工作状态为（）。
3.放大电路如图所示，已知三极管的05，则该电路中三极管的工作状态为（）。
？？4.放大电路A 、B 的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A 的输出电压小，这说明A 的（）。
A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小答： B答：BA. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定答： CA. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定答： B5.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(D. CBOBR CEO BR EBO BR U U U )()()(答： B6.在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（）。
A.C BEI I I B. ?BC I βI C. CEO CBOI I )1( D.答： C7.图示电路中，欲增大U CEQ ，可以（）。
A. 增大RcB. 增大R LC. 增大R B1D. 增大？？？8、射极输出电路如图所示，分析在下列情况中L R 对输出电压幅度的影响，选择：2（1）．保持i U 不变，将L R 减小一半，这时o U 将____；（2）．保持s U 不变，将L R 减小一半，这时o U 将____。
