24晶振参数

晶振的尝试报告之阳早格格创做晶振的等效电器模型C0，是指以火晶为介量，由二个电极产死的电容.也称为石英谐振器的并联电容，它相称于以石英片为介量、以二电极为极板的仄板电容器的电容量战收架电容、引线电容的总战.几~几十pF.R1等效石英片爆收板滞形变时资料的能耗；几百欧C1反映其资料的刚刚性,10^(-3)~ 10^(-4)pFL1大概反映石英片的品量.mH~H晶振百般参数晶振的一些参数本去没有是牢固的大部分是会随温度、频次、背载电容、激励功率变更的RR 谐振电阻越小越佳效率：过大制成没有简单起振、电路没有宁静阻抗RR 越小越简单起振，反之若ESR 值較下則較没有简单起振.所以佳的Crystal 設計應正在ESR 與Co 值間博得仄稳.C1动向电容L1动向电感C0静电容效率：没有克没有及太下，可則易爆收较大的副波，效率频次宁静性LRC效率：LRC电路的Q值等于(L/C)^0.5 /R 果为而L较大，C与R很小，石英晶振的Q值可达几万到几百万.Q值越大位于晶振的感性区间，电抗直线陡峭，稳频本能极佳.FL特定背载电容以及激励功率下频偏偏越小越佳DLD2分歧启动功率下：阻抗最大-阻抗最小越小越佳效率：引导时振时没有振，制成睡眠晶机制制传染没有良DLD2（Drive Level Dependency 2）：正在分歧的功率驅動Crystal 時，所得之最大阻抗與最小阻抗之好.DLD2越小越佳，當Crystal 製程受传染時，則DLD2值會偏偏下，導致時振與時没有振現象，即（”Crystal Sleeping”）.佳的Crystal 没有果驅動功率變化，而產死較下的阻抗好異，制废品質異常.暂时，許多火晶製制礙於製程管制统制及良率短安，並没有主動提供此要害指標參數給客戶.备注：测出去很佳没有代表此参数很佳，果为是与面法尝试的.RLD2分歧启动功率下：阻抗最大与DLD闭系稀切正在指定的变更功率范畴内所量测到的最大阻抗Drive Level Dependency (maximum resistance – RR).FDLD2分歧启动功率下：F最大-F最小越小越佳制制传染没有良效率：引导时振时没有振，制成睡眠晶体正在分歧的功率驅動Crystal 時，所得之最大頻率與最小頻率之好，稱為FLD2.FLD2 越小越佳.當Crystal 製程受传染，則FLD2 值會偏偏下，導致時振與時没有振現像，即「Crystal Sleeping」.佳的Crystal 没有果驅動功率變化，而產死較下的頻率好異，制废品質異常.暂时，許多火晶製制礙於製程管制统制及良率短安，並没有主動提供此要害指標參數給客戶.SPDB寄死旗号强度与主旗号强度比值效率：如果太大了便有大概制成直交开机频偏偏，而且建改背载电容没有克没有及革新.大概者烤机之后温度变更之后频偏偏，热却大概者沉开又仄常了. 千万于值越大越佳制制传染没有良那个参数名字不妨明白为SP DB 其简直含意如下听尔细细讲去SPDB（Difference in dB between Amplitude of FR and Highest Spur）：Spurious 以dB 為單位時，SPDB 的絕對值越大越佳.-3dB 為最矮的央供，以预防振盪出没有念要的副波（Spur）頻率，制成系統頻率没有正確.“下图隐现了石英谐振器的模态谱，包罗基模，三阶泛音，5 阶泛音战一些治真旗号赞同，即寄死模.正在振荡器应用上，振荡器经常采用最强的模式处事.一些搞扰模式有慢遽降落的频次—温度个性.偶尔间，当温度爆收改变，正在一定温度下，寄死模的频次与振荡频次普遍，那引导了“活动性下落”.正在活动性下落时，寄死模的激励引起谐振器的特殊能量的消耗，引导Q 值的减小，等效串联电阻删大及振荡器频次的改变.当阻抗减少到相称大的时间，振荡器便会停止，即振荡器做废.当温度改变近离活动性下落的温度时，振荡器又会沉新处事.寄死模能有适合的安排战启拆要领统制.没有竭建正电极与晶片的尺寸闭系（即应用能陷准则），并脆持晶片主仄里仄止，那样便能把寄死模最小化”上头那段话瞅了是没有是有面晕，道真话尔也有面晕.然而是从上头咱们不妨归纳出如下几个论断：1.泛音晶振石英谐振器的模态谱，包罗基模，三阶泛音，5 阶泛音战一些治真旗号赞同，即寄死模. 寄死模的存留.2.正在振荡器应用上，振荡器经常采用最强的模式处事.一些搞扰模式有慢遽降落的频次—温度个性.寄死模会随温度频次变更，而且效率振荡.3.寄死模的缺陷是由于晶振的制制工艺制成.下去便很精确了，SPDB是一个衡量主频强度与寄死模强度好值的量（主频幅度/寄死频次与对于数吧）.那个值越小越佳，代表寄死模越小.TS背载电容变更对于频次的效率率效率频偏偏对于背载电容变更敏感制成电路没有宁静越小越佳TS（Trim Sensitivity of Load Measurement）：負載電容變化時，對晶體頻率變化量的影響，單位為ppm / pF. 效率：此值過大時，很简单正在分歧的負載電容效率下，產死極大的頻率飄移.温度频好制制工艺分歧格会使直线宽沉偏偏离超出图二阳影部分效率：频次随温度变更分歧切割角度对于直线的效率石英晶体结构真例问题：加进纯量大概者有银屑、镀银偏偏了、镀银里里裂痕微调银镀偏偏灰尘、银屑、晶片缺角。

晶振与晶体的参数详解晶振和晶体是电子器件中常见的元器件，被广泛应用于各种电子设备中。

下面将详细解释晶振和晶体的参数及其作用。

首先，我们来解释一些晶振的参数：1.频率：晶振频率是指晶振器产生的振荡信号的频率。

晶振的频率通常通过外部电路进行调节，可以根据需要选择不同的频率值。

2.稳定度：晶振的稳定度是指晶振器在一段时间内产生的频率变化范围。

晶振的稳定度越高，产生的频率变化越小，可以提供更稳定、可靠的时钟信号。

3.温度系数：晶振的温度系数是指晶振器频率随温度变化的比例。

温度系数越小，晶振器的频率随温度变化的影响越小。

4.驱动能力：晶振的驱动能力是指晶振器输出信号的电流或电压幅度。

不同的应用场景需要不同幅度的驱动能力。

5.电源电压：晶振器需要一定的电源电压才能正常工作，通常以工作电压范围表示。

接下来，我们来解释一些晶体的参数：1.晶体结构：晶体的结构是指晶体的原子排列方式。

晶体结构可以分为立方晶体、六方晶体、斜方晶体等。

2.晶体尺寸：晶体尺寸是指晶体的长度、宽度和厚度。

晶体的尺寸可以影响晶体的振荡频率和稳定度。

3.谐振频率：晶体的谐振频率是指晶体在特定尺寸和结构下能够实现最佳振荡的频率。

4.谐振模式：晶体的谐振模式是指晶体在振荡时所产生的振动模式，可以分为纵向谐振模式、横向谐振模式等。

5.振荡电路：晶体需要通过外部的振荡电路来产生振荡信号。

振荡电路的设计和参数设置可以影响晶体的性能和稳定度。

晶振和晶体在电子设备中具有重要的作用，主要用于提供稳定的时钟信号和振荡信号。

晶振器通过晶体的振荡产生稳定的信号，可以被用作时钟信号源，用于同步控制电路的工作。

晶振器通常被广泛应用于各种电子设备中，例如计算机、通信设备、汽车电子等。

总结起来，晶振和晶体在电子器件中扮演重要角色，他们的参数和性能直接影响着整个电子设备的稳定性和可靠性。

只有合理选择和使用晶振和晶体，才能确保电子设备的正常工作和性能表现。

石英晶体振荡器的主要参数
晶振的主要参数有标称频率，负载电容、频率精度、频率稳定度等。

不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标明在晶振外壳上。

如常用一般晶振标称频率有：48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz～40.50 MHz等，对于特别要求的晶振频率可达到1000 MHz以上，也有的没有标称频率，如CRB、ZTB、Ja等系列。

负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部全部有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。

负载频率不同打算振荡器的振荡频率不同。

标称频率相同的晶振，负载电容不肯定相同。

由于石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。

所以，标称频率相同的晶振互换时还必需要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。

频率精度和频率稳定度：由于一般晶振的性能基本都能达到一般电器的要求，对于高档设备还需要有肯定的频率精度和频率稳定度。

频率精度从10^(-4)量级到10^(-10)量级不等。

稳定度从±1到±100ppm不等。

这要依据详细的设备需要而选择合适的晶振，如通信网络，无线数据传输等系统就需要更高要求的石英晶体振荡器。

因此，晶振的参数打算了晶振的品质和性能。

在实际应用中要依据详细要求选择适当的晶振，因不同性能的晶振其价格不同，要求越高价格也越贵，一般选择只要满意要求即可。

1。

晶振等效电路中的各个参数
在晶振的等效电路中，有几个重要的参数，包括：
1. 谐振频率（Resonance Frequency）：晶振的谐振频率是指在晶体的压电效应下，电路中产生的机械振动的频率。

这个频率是晶振的主要特性，通常以 MHz 或 kHz 为单位表示。

2. 负载电容（Load Capacitance）：负载电容是指与晶振并联的电容，它会影响晶振的谐振频率和工作稳定性。

负载电容的大小需要根据具体的晶振规格和应用要求来选择。

3. 动态电阻（Dynamic Resistance）：动态电阻是指晶振在谐振频率下的等效电阻。

它反映了晶体在振动过程中的能量损耗，动态电阻的值越小，晶振的能量损耗就越小，效率就越高。

4. 激励电平（Excitation Level）：激励电平是指晶振所需的最小驱动功率。

晶振需要一定的激励电平时才能正常工作，如果激励电平过低，晶振可能无法起振或工作不稳定。

5. 品质因数（Quality Factor）：品质因数是衡量晶振谐振特性的参数，它反映了晶振的频率选择性和能量损耗。

品质因数越高，晶振的频率稳定性和抗干扰能力就越强。

这些参数对于晶振的设计、选择和应用非常重要。

在实际使用中，需要根据具体的应用需求和晶振规格来确定合适的参数值，以确保晶振能够正常工作并满足性能要求。

如果你需要更详细的关于晶振等效电路中各个参数的信息，建议查阅相关的技术资料或咨询专业的工程师。

晶振电路周期性输出信号的标称频率（Normal Frequency），就是晶体元件规格书中所指定的频率，也是工程师在电路设计和元件选购时首要关注的参数。

晶振常用标称频率在1～200MHz之间，比如32768Hz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，更高的输出频率也常用PLL（锁相环）将低频进行倍频至1GHz以上。

输出信号的频率不可避免会有一定的偏差，我们用频率误差（Frequency Tolerance）或频率稳定度（Frequency Stability）来表示，单位是ppm，即百万分之一（parts per million）（1/106），是相对标称频率的变化量，此值越小表示精度越高。

比如，12MHz晶振偏差为±20ppm，表示它的频率偏差为12×±20Hz=±240Hz，即频率范围是（11999760～12000240Hz）。

另外，还有一个温度频差（Frequency Stability vs Temp），表示在特定温度范围内，工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离，它的单位也是ppm。

我们经常还看到其它的一些参数，比如负载电容、谐振电阻、静电容等参数，这些与晶体的物理特性有关。

石英晶体有一种特性，如果在晶片某轴向上施加压力时，相应施力的方向会产生一定的电位。

相反的，在晶体的某轴向施加电场时，会使晶体产生机械变形；如果在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振动，机械形变振动又会产生交变电场，尽管这种交变电场的电压极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。

当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（与切割后的晶片尺寸有关，晶体愈薄，切割难度越大，谐振频率越高）相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为“压电谐振”。

将石英晶片按一定的形状进行切割后，再用两个电极板夹住就形成了无源晶振，其符号图如下所示：下图是一个在谐振频率附近有与晶体谐振器具有相同阻抗特性的简化电路。

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⽬目录..............................................................................................1.ESP8266 Phy Init Bin 结构说明 1.................................................................................................2.ESP8266 Phy Init Bin 校验位 2..............................................................................................3.ESP8266 Phy Init Bin 版本信息 3.................................................................................................................................4.晶振选择 4................................................................................................................5.6 档 TX Power 设置 5.....................................................................................................6.不不同速率配置的 TX Power 6................................................................................................................7.TX Power 限制设置7......................................................................................................7.1.TX Power 可配的限制值范围 77.2.TX Power 限制参数说明 7............................................................................................................................................................................................................................................8.RF ⾃自校准91. ESP8266 Phy Init Bin 结构说明 1.ESP8266 Phy Init Bin结构说明ESP8266 phy init bin 由 128-byte 的phy init data 构成，如表1-1所示：表 1-1. ESP8266 Phy Init Bin 结构说明名称⼤大⼩小phy init data128 bytes2. ESP8266 Phy Init Bin 校验位 2.ESP8266 Phy Init Bin 校验位ESP8266phy init bin 校验位存于phy init data的 byte 0 中，参数为Init_bin_magic，默认值为 0x5。

24L01+超低功耗高性能 2.4GHz GFSK 无线收发芯片主要特性„ „ „ „ „ „ „ „ „ „ „ „ „ „ „ „ „ „ „ „ 工作在 2.4GHz ISM 频段 调制方式：GFSK/FSK 数据速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps 超低关断功耗：<0.7uA 超低待机功耗：<15uA 快速启动时间： <130uS 内部集成高 PSRR LDO 宽电源电压范围：1.9-3.6V 数字 IO 电压: 3.3V/5V 低成本晶振：16MHz±60ppm 接收灵敏度：<-83dBm @2MHz 最高发射功率：7dBm 接收电流（2Mbps） ：<15mA 发射电流(2Mbps):<12mA（0dBm) 10MHz 四线 SPI 模块 内部集成智能 ARQ 基带协议引擎 收发数据硬件中断输出 支持 1bit RSSI 输出 极少外围器件,降低系统应用成本 QFN20 封装或 COB 封装应用范围‹ 无线鼠标、键盘 ‹ 无线遥控、体感设备 ‹ 有源 RFID、NFC ‹ 智能电网、智能家居 ‹ 无线音频 ‹ 无线数据传输模块 ‹ 低功耗自组网无线传感网节点封装图结构框图24L01+术语缩写术语 ARQ ART ARD BER CE CRC CSN DPL GFSK IRQ ISM LSB Mbps MCU MHz MISO MOSI MSB PA PID PLD RX TX PWR_DWN PWR_UP RF_CH RSSI RX RX_DR SCK SPI TX TX_DS XTAL 描述 Auto Repeat-reQuest Auto ReTransmission Auto Retransmission Delay Bit Error Rate Chip Enable Cyclic Redundancy Check Chip Select Dynamic Payload Length Gaussian Frequency Shift Keying Interrupt Request Industrial-Scientific-Medical Least Significant Bit Megabit per second Micro Controller Unit Mega Hertz Master In Slave Out Master Out Slave In Most Significant Bit Power Amplifier Packet Identity Payload RX TX Power Down Power UP Radio Frequency Channel Received Signal Strength Indicator Receiver Receive Data Ready SPI Clock Serial Peripheral Interface Transmitter Transmit Data Sent Crystal 中文描述 自动重传请求 自动重发 自动重传延迟 误码率 芯片使能 循环冗余校验 片选 动态载波长度 高斯频移键控 中断请求 工业-科学-医学 最低有效位 兆位每秒 微控制器 兆赫兹 主机输入从机输出 主机输出从机输入 最高有效位 功率放大器 数据包识别位 载波 接收端 发射端 掉电 上电 射频通道 信号强度指示器 接收机 接收数据准备就绪 SPI 时钟 串行外设接口 发射机 已发数据 晶体振荡器24L01+目 录1、简介.................................................. 4 2、引脚信息 .............................................. 5 3、工作模式 .............................................. 6 4、寄存器映射表 .......................................... 9 5、主要参数指标 ......................................... 10 6、封装................................................. 12 7、典型应用原理图 ....................................... 14 8、订单信息 ............................................. 17附： 典型配置方案 ....................................... 1924L01+1、简介24L01 是一颗工作在2.4GHz ISM频段，专为低功耗无线场合设计，集成嵌 入式 ARQ 基带协议引擎的无线收发器芯片。

25mhz晶振频率范围
晶振，又称晶体振荡器，是一种产生稳定振荡信号的电子元器件。

它主要由晶体谐振器、振荡电路和放大器等部分组成。

晶振在我国的科研、生产、生活中有着广泛的应用，其中25MHz晶振是其中一种较为常见的频率。

25MHz晶振的应用领域十分广泛，主要包括：
1.通信领域：25MHz晶振在通信设备中扮演着重要角色，如无线通信、光纤通信等，其稳定的振荡信号为通信系统提供了精确的时钟信号。

2.计算机领域：25MHz晶振在计算机系统中用于计时、数据传输等，保证计算机系统的正常运行。

3.测量仪器：25MHz晶振应用于各种测量仪器，如示波器、频谱分析仪等，为仪器提供准确的时间基准。

4.航空航天领域：25MHz晶振在航空航天器上用于导航、定位等关键系统，确保飞行安全。

在选购25MHz晶振时，应注意以下几点：
1.品质因素（Q）：高品质的晶振具有较高的Q值，能产生更稳定的振荡信号。

2.频率精度：选购时应根据实际需求选择合适的频率精度，一般有
±50ppm、±10ppm等不同精度等级。

3.环境适应性：考虑晶振在不同环境下的稳定性，如温度、湿度等环境参数。

使用25MHz晶振时，应注意以下几点：
1.避免振动：晶振在振动环境下易产生频率漂移，影响其稳定性。

2.正确连接：确保晶振与电路的连接正确，避免损坏晶振。

3.电源稳定：保证供电稳定，避免电压波动对晶振产生影响。

总之，25MHz晶振在我国的各个领域具有广泛的应用，正确选购和使用25MHz晶振，能确保相关电子设备的稳定运行。

32.786晶振参数一、晶振参数概述晶体振荡器，或简称晶振，是一个重要的电子元件，主要用于产生振荡频率。

其工作原理基于晶体在受到物理冲击或电场变化时，会产生机械振动，这种振动又会产生电场变化，进而形成电压输出。

晶振的参数是描述其性能和特性的重要指标，对于其应用和选择具有重要意义。

二、晶振的主要参数1.频率范围：指晶振所能产生的振荡频率范围。

不同的晶振有不同的频率范围，根据应用需求选择合适的频率范围是关键。

2.精度：指晶振的输出频率的准确性。

一般来说，晶振的频率精度越高，其性能越好。

3.温度稳定性：指晶振在温度变化下的频率稳定性。

温度稳定性是衡量晶振性能的重要指标，对于需要高精度频率源的应用尤为重要。

4.负载电容：指晶振在实际应用中所需的最小电容值。

负载电容会影响晶振的输出频率，因此在实际应用中需要特别注意。

5.激励电平：指驱动晶振的电压或电流大小。

过大的激励电平可能会损坏晶振，过小的激励电平则可能导致晶振无法正常工作。

6.输出波形：指晶振输出的信号波形。

一般来说，晶振输出的波形为正弦波或方波。

三、晶振的测试与验证为了确保晶振的性能和可靠性，需要进行一系列的测试与验证。

这些测试包括但不限于：1.频率精度测试：通过专用测试设备对晶振的输出频率进行测量，以评估其精度。

2.温度稳定性测试：在不同的温度环境下测试晶振的频率变化情况，以评估其在不同温度下的性能。

3.负载电容测试：测量晶振在不同负载电容下的输出频率，以确定其最佳工作条件。

4.激励电平测试：测量晶振在不同激励电平下的性能表现，以确定其正常工作范围。

5.长期老化测试：长时间运行晶振以评估其性能随时间的退化程度，这是确保晶振可靠性必不可少的环节。

通过以上测试与验证，可以对晶振的性能有一个全面、深入的了解，从而为其应用和选择提供可靠的依据。

四、晶振的应用与选择晶振的应用非常广泛，如通信、导航、电子测量、自动控制等领域。

在选择晶振时，需要考虑以下因素：1.应用需求：不同的应用对晶振的性能要求不同，应根据实际需求进行选择。

无论什么型号的晶振都会有他相对于的参数规格,然而这些参数代表什么样的意义呢?关于这个问题,我想很多从事晶振行业多年的人都有很多回答不上来,下面我将相关参数的解释简单例举出来和大家分享.1、工作温度范围技术条件中规定的一种环境温度范围，在该温度范围内晶体振荡器性能应满足技术要求。

2、基准温度测量晶体振荡器电参数所指定的环境温度，通常规定为+25℃±2℃。

3、标称频率技术条件所指定的频率，通常也就是晶体振荡器铭牌上标志的频率。

系指晶体振荡器输出频率的名义值。

4、频率允许偏差4.1 频率准确度（初始频率-温度精度）在标称电源电压、标称负载阻抗、基准温度以及其他条件下晶体振荡器稳定输出频率相对于标称频率的最大频偏。

对于非频率可调（制造厂校准）振荡器，初始频率-温度精度在制造时和发货后的规定时间内适用。

对于频率可调（制造厂和用户校准）振荡器，初始频率-温度精度经制造厂和用户校准后就适用。

4.2 频率温度稳定度在标称电源和标称负载及其他条件不变的情况下，工作在规定温度范围内的频率最大允许频偏。

通常有三种定义：不带隐含基准温度的频率稳定度fT；带隐含基准温度的频率稳定度fTref；初始频率温度精度的频率稳定度fT0。

采用fTref指标的晶体振荡器性能优于采用fT指标的晶体振荡器。

4.3 电压频差在其他条件均保持不变的情况下，由于电源电压在规定范围内（±5%）变化，振荡器与规定标称电源电压下的频率的最大允许频偏。

4.4 负载频差在其他条件均保持不变的情况下，由于负载阻抗在规定范围内（±5%）变化，振荡器与规定标称负载阻抗下的频率的最大允许频偏。

4.5 老化频差在其他条件均保持不变的情况下，石英晶体振荡器经规定稳定时间后，在规定时间范围内输出频率相对于初始频率的允许频偏。

4.6 环境频差任一和全部规定标准环境影响引起的振荡器频率对初始基准频率的最大允许频差。

如冲击后要求的频率变化值。

25mhz无源晶振重要参数25MHz无源晶振是一种常用的无源元器件，广泛应用于电子设备中。

它的重要参数包括频率稳定度、温度特性、工作温度范围、启动时间和电源电压等。

频率稳定度是25MHz无源晶振的一个重要参数。

频率稳定度指的是晶振在一定工作条件下输出的频率的稳定性。

对于25MHz无源晶振来说，频率稳定度越高，输出频率的波动范围就越小，能够更准确地提供稳定的时钟信号。

这对于要求高精度时钟信号的电子设备非常重要，例如无线通信设备、计算机系统等。

温度特性也是25MHz无源晶振的重要参数之一。

温度特性描述了晶振输出频率随温度变化的情况。

对于温度敏感的电子设备来说，温度特性好的晶振能够在不同温度下提供稳定的时钟信号，有助于保持设备的正常运行。

因此，25MHz无源晶振的温度特性要求较高，通常要求在较大的温度范围内，输出频率的变化较小。

25MHz无源晶振的工作温度范围也是一个重要参数。

工作温度范围指的是晶振能够正常工作的温度范围。

对于一些特殊应用场景，如高温或低温环境下的电子设备，晶振需要能够在极端温度条件下正常工作。

因此，25MHz无源晶振的工作温度范围要满足设备的工作要求，以确保设备的可靠性和稳定性。

25MHz无源晶振的启动时间也是一个重要参数。

启动时间是指晶振从断电到开始稳定输出时钟信号所需的时间。

对于一些对时钟信号要求较高的设备来说，启动时间较短的晶振可以更快地提供稳定的时钟信号，从而加快设备的启动速度和响应速度。

电源电压是25MHz无源晶振的另一个重要参数。

电源电压是指晶振正常工作所需要的电源电压范围。

对于不同的电子设备来说，电源电压有所差异，因此25MHz无源晶振的电源电压要满足设备的电源要求，以确保晶振能够正常工作。

总结一下，25MHz无源晶振的重要参数包括频率稳定度、温度特性、工作温度范围、启动时间和电源电压等。

这些参数对于电子设备的正常运行和性能表现起着重要作用。

在选择和应用25MHz无源晶振时，需要根据具体的需求和要求来确定相应的参数范围，以确保设备的稳定性和可靠性。

晶振的主要参数及其对电路的影响晶振的测试报告Crystal First Failure FL RR DLD2 RLD2 SPDB C0 C0/C1 C1 L ppm Ohms Ohms Ohms dB pF fF mHHigh Limit 20.0 80.0 8.0 80.0 -2.0 7.0Low Limit -20.0 1.01 PASS 3.45 50.57 2.24 54.39 -4.66 3.83 3,744.84 1.02 10.752 PASS -5.84 32.05 4.18 36.30 -6.96 3.86 4,113.29 0.94 11.703 Fail DLD2High0.44 73.86 27.81 108.17 -3.59 3.74 3,613.27 1.03 10.634 Fail SPDBHigh-8.97 33.67 2.06 37.55 -0.44 3.92 5,538.01 0.71 15.545 PASS -1.27 40.11 1.65 42.75 -7.86 3.89 3,955.09 0.98 11.176 PASS -6.74 30.12 4.38 34.23 -9.58 3.81 3,608.85 1.06 10.427 PASS -3.52 41.97 1.52 42.86 -6.95 3.85 4,670.19 0.82 13.358 PASS 1.13 38.34 2.07 40.46 -4.15 3.88 5,017.95 0.77 14.239 PASS -7.01 21.31 0.73 21.80 -9.89 3.83 3,018.17 1.27 8.6710 Fail DLD2High-3.62 24.75 52.36 78.55 -10.30 3.86 2,943.39 1.31 8.37晶振的等效电器模型C0 ，是指以水晶为介质，由两个电极形成的电容。

晶振的测试陈述之宇文皓月创作晶振的等效电器模型C0，是指以水晶为介质，由两个电极形成的电容。

也称为石英谐振器的并联电容，它相当于以石英片为介质、以两电极为极板的平板电容器的电容量和支架电容、引线电容的总和。

几~几十pF。

R1等效石英片发生机械形变时资料的能耗；几百欧C1反映其资料的刚性,10^(-3)~ 10^(-4)pFL1大体反映石英片的质量.mH~H晶振各种参数晶振的一些参数其实不是固定的大部分是会随温度、频率、负载电容、激励功率变更的RR 谐振电阻越小越好影响：过大造成不容易起振、电路不稳定阻抗 RR 越小越容易起振，反之若 ESR 值較高則較不容易起振。

所以好的 Crystal 設計應在 ESR 與Co 值間取得平衡。

C1动态电容L1动态电感C0静电容影响：不克不及太高，否則易发生较大的副波，影响频率稳定性LRC影响：L RC电路的Q值等于 (L/C)^0.5 /R 因为而L较大，C与R很小，石英晶振的Q值可达几万到几百万。

Q值越大位于晶振的感性区间，电抗曲线陡峭，稳频性能极好。

FL特定负载电容以及激励功率下频偏越小越好DLD2分歧驱动功率下：阻抗最大-阻抗最小越小越好影响：导致时振时不振，造成睡眠晶体制造污染不良DLD2（Drive Level Dependency 2）：在分歧的功率驅動 Crystal 時，所得之最大阻抗與最小阻抗之差。

DLD2越小越好，當 Crystal 製程受污染時，則DLD2值會偏高，導致時振與時不振現象，即（”Crystal Sleeping”）。

好的 Crystal 不因驅動功率變化，而產生較高的阻抗差異，造成品質異常。

目前，許多水晶製造礙於製程管理控制及良率欠安，並不主動提供此重要指標參數給客戶。

备注：测出来很好不代表此参数很好，因为是取点法测试的。

RLD2分歧驱动功率下：阻抗最大与DLD关系紧密在指定的变更功率范围内所量测到的最大阻抗 Drive Level Dependency (maximum resistance – RR).FDLD2分歧驱动功率下：F最大-F最小越小越好制造污染不良影响：导致时振时不振，造成睡眠晶体在分歧的功率驅動 Crystal 時，所得之最大頻率與最小頻率之差，稱為 FLD2。

湖南科技大学单片机课程设计题目基于单片机的超声信号源的设计姓名学院机电工程学院专业测控技术与仪器学号指导教师成绩二〇一一年五月二十九日单片机课程设计任务书一、设计题目：基于单片机的超声信号源设计二、引言超声波就是频率超过声波频率的机械波，一般频率在20KHz—40KHz的范围内[1]。

由于超声波的速度较光速小，其传播时间容易检测，且其传播方向性及强度均好，易于控制等，使得超声波检测技术在物体位置测量、物体识别、空间导航等方面应用越来越广泛。

因此，这是一个正在蓬勃发展而又有无限前景的技术及产业领域。

展望未来，超声波作为一种新型的非常重要有用的机械波在各方面都将有很大的发展空间，它将朝着更加高实用高精度的方向发展，以满足日益发展的社会需求。

随着科技的发展，人们生活水平的提高，城市发展建设加快，城市各类大型系统也有较大发展，其状况不断改善。

国家或个人对各类实用系统的需求也在加大，而超声波能在很多领域为人们的生活带来方便。

例如：超声波测距仪，超声波驱鼠，超声波驱蚊等各种应用也越来越广。

因此，一种简单实用的超声波发射装置将越来越得到广泛应用。

三、设计要求：1、设计一种能够发射超声波的信号源。

2、利用89C51单片机控制脉冲波的发射。

3、通过脉冲波信号的变化控制由反相器和超声波发生器构成的超声波产生电路生产超声波。

4、要清楚了解单片机的循环控制程序的编写。

四、摘要本超声波信号源是由单片机控制发射超声波。

由单片机芯片89C51为主的计时及控制系统和由反向器74LS04和超声波发射换能器T构成的发射系统组成。

采用AT89C51单片机作为计时及主控制器、用TCT40—l0Fl作超声波发射器。

采用硬件电路和软件控制相结合，电路结构简单，低成本，操作方便，工作稳定。

其设计思想可以应用于超声波杀蚊虫等。

因此，我的题目是基于单片机的超声信号源设计。

关键词：超声波；单片机；信号源；控制目录一、功能要求 (1)二、方案论证 (1)三、系统硬件电路的设计 (1)3.1超声波信号源硬件电路设计 (1)3.2超声波发射电路设计 (4)3.3电源电路设计 (6)3.4总体硬件结构与工作原理 (7)四、系统程序的设计 (7)4.1系统的主控制程序设计 (7)4.2超声波发生子程序设计 (7)五、调试及性能分析 (8)六、结束语 (8)七、参考文献 (9)八、附录一元件清单 (10)九、附录二电路总原理图 (12)十、附录三电路PROTUES仿真图 (13)十一、附录四超声波信号源源程序清单 (14)正文一、功能要求1、设计一种能够发射超声波的信号源。