半导体技术参数-符号含义(精)

半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压V F下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

电子元器件基础知识（4）——半导体器件一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法二、日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

半导体技术参数 -符号含义来源:生利达成时间:2008-10-30一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结(极间电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下, 稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流 (正向测试电流。

锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下, 通过极间的电流; 硅整流管、硅堆在规定的使用条件下, 在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流 (平均值 , 硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流; 测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF (AV ---正向平均电流IFM (IM ---正向峰值电流(正向最大电流。

在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR (AV ---反向平均电流IR (In ---反向直流电流(反向漏电流。

在测反向特性时, 给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中, 加反向电压规定值时, 所通过的电流; 硅开关二极管两端加反向工作电压 VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下, 产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

半导体（Semiconductor）术语字母索引中英文解析（o、P、Q、R、S、T篇）hdragonf 发表于: 2011-3-17 10:20 来源: 半导体技术天地OOOxygen --氧O&MOperations & Maintenance --操作和维修OAOffice Automation --办公自动化OCOpen Collector --开路集电极OCAP1. Open Cable Specification --开放式电缆说明书2.Out of Control Action --控制失灵应急计划计划单上的动作是在无法控制的情况下执行的，由SPC探测。

通常在检查表单中定义。

OCR1) Optical Character Recognition --光学字符识别2) Operator Certification Rate --运算验证速率ODCOzone Depleting Chemicals --臭氧耗尽化学制品ODMOriginal Design Manufacturer -- 原始设备制造商ODPOzone Depleting Potential --臭氧层微耗潜能值ODSOzone Depleting Substances --臭氧耗尽物质是一个表示那些由于人类活动而产生的物质的术语，它们起反应，并且破坏臭氧层最上层的臭氧分子。

主要的臭氧耗尽物质是氯氟化碳(CFC)和Halons，两者都是化学物质，在对流层中非常稳定，典型的寿命是60至100年。

一但CFC或是Halons进入臭氧层，那里的紫外线辐射会非常强，足以使分子分裂，释放出氯原子(CFC)或是溴原子(Halons)，这些物质相至反应并且破坏臭氧层。

OECDOrganization of Economic Cooperation and Development --经济合作与发展组织OED1) Order Entry Date --定单登录日期2) Oxford English Dictionary --牛津英文字典OELOccupational Exposure Limit --占用的曝光限制OEMOriginal Equipment Manufacturer --原始设备制造商OFDMOccupational Health & Safety Assessment Series --正交频分多路用于数字传输中载波调制的方法。

在芯片中，晶体管的符号表示方式取决于所使用的技术或设计工具。

通常，在集成电路设计中，晶体管会以特定的图形符号来表示。

对于双极性晶体管（如NPN或PNP），符号通常包括三个条形：一个发射极（E），一个基极（B）和一个集电极（C）。

NPN和PNP的区别在于条形的连接方式。

对于场效应晶体管（如NMOS或PMOS），符号通常包括一个箭头，指示电流的方向，以及两个条形，分别表示源极（S）和漏极（D）。

NMOS和PMOS的区别在于箭头和条形的颜色或形状。

这些符号可以表示单个晶体管，也可以表示多个晶体管的组合。

此外，不同的设计工具可能使用不同的符号表示方式，因此在实际使用中需要参考具体的设计规范或技术手册。

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法(1)精密金属膜电阻器R J7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。

电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。

不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。

(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。

根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。

E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。

(3) 允许误差等级3．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。

符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。

如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。

(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。

色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。

其含义如图1和图2所示。

三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。

例如，色环为棕黑红，表示10⨯102＝1.0kΩ±20%的电阻器。

现代电子学中，用的最多的半导 体是硅和锗，它们的最外层电子 （价电子）都是四个。
Ge
Si
电子器件所用的半导体具有晶体结构，因 此把半导体也称为晶体。
2、半导体的导电特性
1）热敏性 与温度有关。温度升高，导电能力增强。 2）光敏性 与光照强弱有关。光照强，导电能力增强 3）掺杂性 加入适当杂质，导电能力显著增强。
图 二极管的结构示意图 (a)点接触型
(2) 面接触型二极管—
PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。
往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。
(b)面接触型
(3) 平面型二极管—
(c)平面型 图 二极管的结构示意图
2、分类
1）按材料分：硅管和锗管 2）按结构分：点接触和面接触 3）按用途分：检波、整流…… 4）按频率分：高频和低频
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
空间电荷区
扩散运动 (浓度差产生)
阻挡多子扩散
2）内电场的形成及其作用{ 促进少子漂移 漂移运动
P型半导体
、所以扩散和 移这一对相反－ － － － － － 运动最终达到 衡，相当于两－ － － － － － 区之间没有电－ － － － － － 运动，空间电 区的厚度固定－ － － － － － 变。
在常温下，由于热激发，使一些价电子 获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成 为自由电子，同时共价键上留下一个空位， 称为空穴。

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号一．电阻器、电容器、电感器和变压器二．半导体管三．其它电气图形符号第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法表1 电阻器型号命名方法示例：(1)精密金属膜电阻器R J 7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。

电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。

不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。

表2 电阻器的功率等级(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。

根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。

E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。

表3 标称值系列表中数值再乘以10，其中n为正整数或负整数。

(3) 允许误差等级表4 电阻的精度等级3．电阻器的标志容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。

符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。

如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，表５RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。

(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。

半导体标准术语
半导体是指电导率介于导体和绝缘体之间的材料。

标准术语是指在半导体领域中被广泛接受和使用的术语和定义。

以下是一些半导体领域常见的标准术语：
1. PN结：由p型半导体和n型半导体构成的结，具有整流性质。

2. 硅：半导体材料中最常用的元素之一，常用符号为Si。

3. 锗：半导体材料中常用的元素之一，常用符号为Ge。

4. 掺杂：向半导体材料中引入少量杂质，改变其电导性质的过程。

5. 芯片：由半导体材料制成的微小电子器件，常用于集成电路中。

6. 导带：半导体中的能带，带有自由电子，可导电。

7. 价带：半导体中的能带，带有能够容纳电子的轨道。

8. 势垒：在PN结中形成的电势差，阻止电流的流动。

9. 禁带宽度：导带和价带之间的能量差，决定了半导体的导电性质。

10. 整流器：利用PN结的整流性质将交流电转换为直流电的
器件。

这些是半导体领域中常见的一些标准术语，但并不包括全部。

半导体科学和技术的发展不断涌现出新的术语和概念，因此标准术语也在不断更新和发展。

半导体分立器件主要参数
半导体分立器件是一种在电路中独立使用的电子器件，主要包括二极管、晶体管、场效应管（FET）、双极性晶体管（BJT）、光电二极管等。

这些器件有许多主要参数，下面我将从多个角度来详细介绍这些参数。

1. 电压参数，包括正向导通压降、反向击穿电压等。

正向导通压降是指在正向工作状态下，器件导通时的电压降，反向击穿电压则是指在反向工作状态下，器件发生击穿时的电压值。

2. 电流参数，包括最大正向电流、最大反向电流等。

最大正向电流是指器件在正向工作状态下能够承受的最大电流值，最大反向电流是指在反向工作状态下器件能够承受的最大电流值。

3. 频率参数，包括最高工作频率等。

最高工作频率是指器件能够正常工作的最高频率，这对于高频电路设计非常重要。

4. 功率参数，包括最大耗散功率、最大耐压等。

最大耗散功率是指器件能够承受的最大功率，最大耐压是指器件能够承受的最大电压。

5. 噪声参数，包括噪声系数、噪声指数等。

噪声参数对于一些对信号质量要求较高的应用非常重要。

6. 温度参数，包括工作温度范围、温度特性等。

工作温度范围是指器件能够正常工作的温度范围，温度特性则是指器件在不同温度下的性能变化情况。

以上是半导体分立器件的一些主要参数，这些参数对于选择合适的器件、设计电路以及保证电路稳定可靠都非常重要。

希望以上回答能够满足你的要求。

《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题（二）姓名：单位：职务：得分：一、填空题（每题1分，共20分）：1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。

2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规，内容极为丰富，共有章条。

3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。

4、，按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责，负责《条例》的组织实施。

5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。

6、民主推荐部门领导，本部门人数较少的，可以由全体人员参加。

7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名，按照RE---政协章程和有关规定办理。

Rs(rs----串联电阻Rth----热阻结到环境的热阻动态电阻本机关单位或本系统rδ---衰减电阻r(th---Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间、对决定任用的干部，由党委（党组）指定专人同本人tg---电路换向关断时间12Tj---和不同领导职务的职责要求，全面考察其德能勤绩廉toff---。

tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度p---发光峰值波长△λη---15、考察中了解到的考察对象的表现情况，一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降（正向峰值电压）、正向压降（正向直流电压）△政府、断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员，应当认真贯彻党委推荐意见VGRM---门极反向峰值电压，带头（AV履行职责交流输入电压最大输出平均电压C 和国家有关法律、法规制定的。

中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压（反向直流电压）反向峰值电压（最高测试电压）V2、参照执行《党政领导干部选拔任用工作条例》有关规定的单位有击穿电压CD Vth---阀电压（门限电压）反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压社团组织V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量3、在年度考核、干部考察中，民主测评不称职票超过（A）二、双极型晶体管参数符号及其意义Cc---集电极电容Ccb---集电极与基极间电容发射极接地输出电容Ci---输入电容共基极输入电容Cie--- B考察材料 C证明材料共发射极开路输入电容Cn---中和电容（外电路参数）输出电容Cob---共基极输出电容。

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法(1)精密金属膜电阻器R J7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。

电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。

不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。

(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。

根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。

E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。

(3) 允许误差等级3．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。

符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。

如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。

(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。

色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。

其含义如图1和图2所示。

三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。

例如，色环为棕黑红，表示10⨯102＝1.0kΩ±20%的电阻器。

常用电子元器件参考资料部分电气图形符号一．电阻器、电容器、电感器和变压器二．半导体管三．其它电气图形符号常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法示例：(1)精密金属膜电阻器R J7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。

电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。

不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。

(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。

根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。

E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。

(3) 允许误差等级3．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。

符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。

如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，表５例如：RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。

(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。

色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。

其含义如图1和图2所示。

标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后0的个数允许误差图1 两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。

Po
输出功率
PR
反向浪涌功率
Ptot
总耗散功率
Pomax
最大输出功率
Psc
连续输出功率
PSM
不重复浪涌功率
PZM
最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
RF（r）
正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
IL
光电流或稳流二极管极限电流
ID
暗电流
IB2
单结晶体管中的基极调制电流
IEM
发射极峰值电流
IEB10
双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20
双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM
最大输出平均电流
IFMP
正向脉冲电流
IP
峰点电流
IV
谷点电流
IGT
晶闸管控制极触发电流
IGD
晶闸管控制极不触发电流
VF
正向压降（正向直流电压）
△VF
正向压降差
VDRM
断态重复峰值电压
VGT
门极触发电压
VGD
门极不触发电压
VGFM
门极正向峰值电压
VGRM
门极反向峰值电压
VF（AV）
正向平均电压
Vo
交流输入电压
VOM
最大输出平均电压
Vop
工作电压
Vn
中心电压
Vp
峰点电压
VR
反向工作电压（反向直流电压）
VRM
反向峰值电压（最高测试电压）
IGFM
控制极正向峰值电流
IR（AV）

场效应管参数符号意义T a---环境温度C du---漏-衬底电容T c---管壳温度C gd---栅-源电容T j---结温C ds---漏-源电容T jm---最大允许结温C iss---栅短路共源输入电容T stg---贮成温度C oss---栅短路共源输出电容V DSS---漏源击穿电压C rss---栅短路共源反向传输电容I D(I D25---漏极电流(T c=25℃,直流di/dt---电流上升率(外电路参数R DS(on---通态漏源电阻dv/dt---电压上升率(外电路参数P D---漏极耗散功率I DQ---静态漏极电流(射频功率管t rr---反向恢复时间I DSM---最大漏源电流V(BRGSS---漏源短路时栅源击穿电压I DSS---栅-源短路时,漏极电流V GSF--正向栅源电压(直流I DS(sat---沟道饱和电流(漏源饱和电流V GSR---反向栅源电压(直流I G---栅极电流(直流V GS(th---开启电压或阀电压I GDO---源极开路时,截止栅电流C gs---漏-源电容I GSO---漏极开路时,截止栅电流I DM---漏极脉冲电流I GSS---漏极短路时截止栅电流V DS---漏源电压(直流I DSS1---对管第一管漏源饱和电流V GS---栅源电压(直流I DSS2---对管第二管漏源饱和电流P DM---漏极最大允许耗散功率I u---衬底电流I D(on---通态漏极电流I pr---电流脉冲峰值(外电路参数t on---开通时间,T on=T d(on+T r g fs---正向跨导t d(on---开通延迟时间G p---功率增益t r---上升时间G ps---共源极中和高频功率增益t off---关断时间,T off=T d(off+T f G pG---共栅极中和高频功率增益t d(off---关断延迟时间G PD---共漏极中和高频功率增益t f---下降时间g gd---栅漏电导I GM---栅极脉冲电流g ds---漏源电导I GP---栅极峰值电流K---失调电压温度系数I F---二极管正向电流K u---传输系数R DS(on---漏源通态电阻L---负载电感(外电路参数R DS(of---漏源断态电阻L D---漏极电感R(thjc---结壳热阻L s---源极电感R(thja---结环热阻R GD---栅漏电阻V DD---漏极(直流电源电压(外电路参数R GS---栅源电阻V GG---栅极(直流电源电压(外电路参数R g---栅极外接电阻(外电路参数V ss---源极(直流电源电压(外电路参数R L---负载电阻(外电路参数V DS(on---漏源通态电压P IN--输入功率V GD---栅漏电压(直流P OUT---输出功率D---占空比(占空系数,外电路参数V su---源衬底电压(直流P PK---脉冲功率峰值(外电路参数V Du---漏衬底电压(直流I DS---漏源电流V Gu---栅衬底电压(直流I GF---正向栅电流Z o---驱动源内阻I GR---反向栅电流η---漏极效率(射频功率管V DS(sat---漏源饱和电压V n---噪声电压T L---晶格温度(Lattice temp/或指下限温度与T H相对a ID---漏极电流温度系数T e---电子温度(Electron tempT e=T L a rds---漏源电阻温度系数I AR(I A---雪崩电流(Avalanche CurrentE AR---重复雪崩电压(Repetitive Avalanche Energy半导体二极管参数符号及其意义T a---环境温度T c---壳温T j(T VJ---结温T jM(T VJM---最高结温T stg---温度补偿二极管的贮成温度V RRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压I F(AV---正向平均电流I F---正向直流电流(正向测试电流。

半导体符号(中英)对照表表示符号CJ : Junction Capacitance.结电容.IF : Max. Instantaneous Current.顺方向电流.IFM : Forward Contiuous Curreent.最大正向平均电流.IFSM : Non-Repetitive Peak Forward Surge Current. 正向(不重复)浪涌电流.IO : Average Rectified Output Current. 平均整流输出电流.IR : Reveries Lenkange Current.逆方向电流.IRM : Max. Revers current.反向电流.IZK :膝点测试电流.IZT : Zener Diode working voltage teat current 齐纳二极管穏压工作电压测试电流. PD : Max. Steady Power Dissipation.最大容许功率消耗.Pd : Max. Steady Power Dissipation.功率消耗.RθJA : Therma Resistance Junction Ambient. 典型热阻.TI : TSTGO perating Juntion and storage temperature renge. 工作结和存储温度.TJ : Max. Operation Temperature Range. 最大容许操作温度.TRR : Reverse Recovert time.反向恢复时间.TSTG : Storage Temperature.最大容许储存温度.VF: Max. Instantaneous V oltage顺方向压降.VFM : Max. Forward voltage.正向电压.VR : Reveries Lenkange V oltage.逆方向电压.VRM : Non-repetitive Peak Revers V oltage. 不重复锋值反向电压.VRRM : Non-repetitive Revers Voltage.反向峰值电压.VZ : Zener Diode working voltage齐纳二极管穏压工作电压. ZZK :膝点斜率.ZZT :齐纳二极管穏压工作电压点斜率.。

半导体三极管参数符号及其意义一。

晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。

正向偏置的EB结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流IC。

在共发射极晶体管电路中，发射结在基极电路中正向偏置，其电压降很校绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。

由于VBE很小，所以基极电流约为IB=5V/50kΩ=0.1mA。

700)this.width=700" border=0>700)this.width=700" border=0>700)this.width=700" border=0>如果晶体管的共发射极电流放大系数β=IC/IB=100,集电极电流IC=β*IB=10mA。

在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。

金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。

当栅G电压VG增大时，p型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少。

耗尽，而电子逐渐积累到反型。

当表面达到反型时，电子积累层将在n+源区S和n+漏区D之间形成导电沟道。

当VDS≠0时，源漏电极之间有较大的电流IDS流过。

使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压VT。

当VGS;VT并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的VDS下也将产生不同的IDS,实现栅源电压VGS对源漏电流IDS的控制。

二。

晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。

三极管以符号BG(旧)或(T)表示，二极管以D表示。

按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。