下载文档原格式
光刻设备工程师面试题及答案1.解释一下光刻技术在半导体制造中的作用，并举例说明你在以往项目中如何应用光刻技术来提高工艺性能。
在半导体制造中，光刻技术是一项关键的工艺步骤，用于将电路图案转移到硅片表面。
例如，在我的上一个项目中，我们成功应用了多重光刻步骤，以实现更高的分辨率和更小的器件尺寸，从而提高了芯片性能。
2.请详细解释一下硅片表面的图案转移过程中可能出现的影像问题，并提出解决方案。
在图案转移过程中，影像问题可能导致芯片质量下降。
例如，晶圆上可能出现残留的光刻胶或形状不准确的图案。
通过优化光刻胶的选择、光刻曝光参数的调整和使用先进的光刻机设备，我成功地解决了这些问题。
3.在光刻设备维护方面，你是如何进行故障诊断和修复的？请提供一个具体的案例。
在上一个项目中，我们遇到了一个光刻机械部件的故障，导致光刻图案偏移。
通过仔细的设备检查和与厂商的紧密合作，我迅速定位并更换了故障部件，最大程度减少了生产停滞时间。
4.请说明在工艺改进方面的经验，特别是通过修改光刻工艺参数来优化芯片性能的例子。
在前一份工作中，我领导了一个团队，通过调整光刻曝光时间、光刻胶厚度等参数，成功实现了芯片器件的性能提升，同时确保了制程的可控性和稳定性。
5.光刻工艺中，控制深紫外曝光机的曝光光源对芯片质量有着重要影响，你如何选择和优化曝光光源？在我的职业生涯中，我经常与供应商紧密合作，通过充分了解光源的性能参数，选择适合特定工艺的曝光光源。
通过优化光源的波长、光强度和曝光时间等参数，我确保了最佳的光刻结果。
6.请谈谈在光刻工艺中使用的掩膜设计原则，以确保图案的准确传递。
光刻掩膜设计是确保芯片质量的关键因素。
我注重设计掩膜时的分辨率、对准精度和材料选择，以最大程度地减小光刻误差。
在之前的项目中，我们成功应用了多层掩膜设计，提高了图案的清晰度和精度。
7.光刻工艺中，如何应对不同层次的图案对准要求？请分享你的经验。
不同层次的对准要求可能不同，需要细致入微的处理。
光刻光刻基本知识光刻工艺的定义判断题1.光刻工艺是一种光复制图像和材料刻蚀相结合的微电子基片表面微细加工技术。
（）2.光刻工艺仅仅是一种材料刻蚀的微电子基片表面微细加工技术。
（）3.超大规模集成电路需要光刻工艺具备高分辨率、高灵敏度、精密的套刻对准、大尺寸、低缺陷这几方面的要求。
（）单选题在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
（A）刻蚀（B）氧化（C）淀积（D）光刻多选题超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
（A）高分辨率（B）高灵敏度（C）精密的套刻对准（D）大尺寸（E）低缺陷光刻工艺流程判断题光刻的主要工艺流程的操作顺序是涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶。
（）光刻工艺流程的操作顺序是涂胶、前烘、曝光、显影、烘烤、坚膜、刻蚀、去胶。
（）单选题光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
（A）涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶（B）涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶（C）涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶（D）前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶常用光刻技术判断题光刻工艺所需要的三要素为：光刻胶、掩模版和光刻机。
（）光刻工艺所需要的三要素为：光刻胶、掩模版和光刻机；随着曝光技术的进步，可以不用掩模在晶片上就能够生成特征尺寸在亚微米范围内的图案。
（）光刻胶的种类判断题光刻胶通常可分为正胶和负胶两类。
（）光刻胶通常可分为正胶和负胶两类,不论正胶还是负胶，它们所形成的图形结构是相同的。
（）光刻胶通常可分为正胶和负胶两类,它们所形成的图形结构是互补的。
（）通常，光刻胶对湿法刻蚀有比较好的抗刻蚀能力。
（）单选题用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。
（A）ARC （B）HMDS （C）正胶（D）负胶光刻胶的成分判断题光刻胶主要由树脂、感光剂、溶剂等不同材料混合而成的。
（）光刻胶主要由树脂、感光剂、溶剂等不同材料混合而成的；其中树脂是粘合剂，感光剂是一种光活性极强的化合物，两者同时溶解在溶剂中，以液态的形式保存以便于使用。
《集成电路制造工艺》习题库
10 光刻工艺的流程
一、填空题
1、常用的光学曝光方式有、、。
2、常规光学光刻采用的光源是，产生此光源的有
和。
3、曝光能量，或称曝光剂量，是曝光光源提供。
4、光刻工艺的基本工序流程为：、、、、
、、和。
5、硅片预处理主要包括和两个步骤，预处理的主要目的是。
6、旋转涂胶的目的主要是在硅片表面得到。
7、显影技术中需要利用将经过曝光后的溶解掉，从而在
上显示出与掩膜版对应的图形。
8、坚膜烘培的主要目的是改善，增强。
二、判断题
1、涂胶之前，要对硅片表面进行预处理，包括清洗硅片、脱水烘烤及涂抹增粘剂。
（）
2、涂胶时，为了得到均匀性较好的光刻胶，必须严格控制环境的温度和湿度。
（）
3、曝光之前第一步要将掩膜版上的对准几号与硅片上的对准记号对准。
（）
4、由于光刻工艺所在区域一般采用黄光照明，所以传统的光学曝光光源也是黄光。
（）
5、正胶的显影液一般是二甲苯，负胶的显影液一般是碱性试剂。
（）
6、负性光刻胶对温度变化非常敏感，显影时必须精确控制显影温度，否则会影响光刻的线宽。
（）
7、光刻工艺后如果检测发现有线宽尺寸异常或对位控制异常，硅片只能报废处理，很难纠正错误。
（）
三、简答题
1、简述光刻工艺基本流程的工艺步骤，并按照先后顺序，说明其主要的作用？
1。
半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考点模拟测试测试时间：120分钟测试总分：100分遵守考场纪律,维护知识尊严,杜绝违纪行为,保证测试结果公正.1、问做题简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？此题答案：1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆外表薄膜的特定局部除此题解封析：1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆外表薄膜的特定局部除去并得到所需I 图形的工艺.I 2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何I 图形,从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中央，I为后面的刻蚀和离子注入做准备.决定了芯片的性能,成品率,可靠性.I 2、填空题⅛铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接,甚至根本无法实现焊接的原因是铝的外表在空气中极易生成一层〔〕，它们阻挡了铝原子之间的紧密接触,达不到原子之间引力范围的间距.此题答案：氧化物此题解析：氧化物3、单项选择题金属封装主要用于混合集成电路封装,外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成.底盘、管帽和引线的材料常常是1〕∙A.合金A-42B.4J29可伐C.4J34可伐4、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛限制、温度限制和密封腔体内〔J控制.此题答案：湿度此题解析：湿度5、单项选择题双极晶体管的lc7r噪声与〔〕有关.A.基区宽度B.外延层厚度C.外表界面状态此题答案：C此题解析：暂无解析6、问做题什么叫晶体缺陷？此题答案：晶体机构中质点排列的某种不规那么性或不完善性.又称晶格缺此题解析：晶体机构中质点排列的某种不规那么性或不完善性.又称晶格缺陷.7、填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是〔〕和〔〕.此题答案：平均投影射程；平均投影标准差此题解析：平均投影射程；平均投影标准差8、填空题禁带宽度的大小决定着〔〕的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化.此题答案：电子从价带跳到导带此题解析：电子从价带跳到导带9、单项选择题变容二极管的电容量随〔〕变化∙A.正偏电流B.反偏电压C结温此题答案：B10、填空题半导体集成电路生产中，元件之间隔离有〔〕〔〕〔〕隔离等三种基本方法.此题答案：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合此题解析：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合11、问做题洁净区工作人员应注意些什么？此题答案：保持部件与工具洁净,保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来此题解析：保持部件与工具洁净,保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来提去，人员不能触摸或翻动洁净服.禁止吃喝,禁止用手表,首饰,指甲油，吸烟,化妆,工作只能在洁净面上进行.12、单项选择题塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有〔J、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间∙A.准备工具B.准备模塑料C.模塑料预热此题答案：C此题解析：暂无解析13、问做题简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？此题答案：1、能很好的阻挡材料扩散；2、高电导率,低此题解析：1、能很好的阻挡材料扩散；2、高电导率,低欧姆接触电阻；3、在半导体和金属之间有很好的附着水平；4、抗电迁水平强；5、在很薄和高温下具有很好的稳定性；6、抗侵蚀和抗氧化性好.7、具有高的导电率和纯度.8、与下层存底〔通常是二氧化硅或氮化硅〕具有良好的粘附性.9、与半导体材料连接时接触电阻低.10、能够淀积出均匀而且没有空洞的薄膜,易于填充通孔.Ilv易于光刻和刻蚀,容易制备出精细图形.12、很好的耐腐蚀性.13、在处理和应用过程中具有长期的稳定性.14、单项选择题在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2%（质量比〕的硝化纤维素溶解于98%（质量比〕的醋酸异戊酯或松油醇中制得,再将20%的运载剂与〔J的玻璃料均匀混合,配成印刷浆料.A.80%~90%B.10%~20%C.40%-50%此题答案：A此题解析：暂无解析15、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请,经党支部委员会同意,可以少交或免交.此题答案：对此题解析：暂无解析16、单项选择题溅射法是由〔〕轰击靶材外表,使靶原子从靶外表飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜∙A.电子B.中性粒子C.带能离子此题答案：C此题解析：暂无解析17、填空题延生长方法比拟多,其中主要的有〔J外延、〔〕外延、金属有机化学气相外延、外延、原子束外延、固相外延等.此题答案：化学气相；液相；分子束此题解析：化学气相；液相；分子束18、单项选择题恒定外表源扩散的杂质分布在数学上称为〔〕分布.A.高斯B.余误差C指数此题答案：B此题解析：暂无解析19、单项选择题超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接,焊接处依靠〔〕封接,因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素.A.管帽变形B.镀金层的变形C.底座变形此题答案：B此题解析：暂无解析20、填空题最常用的金属膜制备方法有〔J加热蒸发、〔〕蒸发、C〕.此题答案：电阻；电子束；溅射此题解析：电阻；电子束；溅射21、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线，〔〕做绝缘和密封.A.塑料B.玻璃C金属此题答案：B此题解析：暂无解析22、单项选择题非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间有一定的距离,称为间隙,通常为（〕∙A.小于0.1mmB.0.5"2.0mm匚大于2.0mm此题解析：暂无解析23、单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价〔J的重要标志.A.扩散层质量B.设计C.光刻此题答案：A此题解析：暂无解析24、填空题硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液.碑化像片用〔J系、氢氧化氨系蚀腐蚀液. 此题答案：硫酸此题解析：硫酸25、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类.半导体器件的粘封工艺一般选用〔〕∙A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂此题答案：B此题解析：暂无解析26、单项选择题双极晶体管的高频参数是[].A.hFEVcesB.BVceC.ftfm此题答案：C此题解析：暂无解析27、填空题二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温〔〕、〔J淀积、PECVD淀积.此题答案：氧化；气相此题解析：氧化；气相28、填空题钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为〔〕、〔〕等.此题答案：导电胶粘接；银浆烧结此题解析：导电胶粘接；银浆烧结29、填空题如果热压楔形键合小于引线直径L5倍或大于3.。
1.匀胶机单次吐胶胶量约为（）ml。
A.0.5B.1.0C.1.5D.2.02.匀胶机背喷标准时间约为（）S。
A.1B.2C.3D.43.热盘最高温度约为（）度。
A.120B.150C.180D.2104.下面工艺流程正确的一组是（）。
A.去水烘烤——预处理——匀胶——前烘——显影——光刻——后烘B.去水烘烤——匀胶——后烘——预处理——光刻——显影——后烘C.预处理——去水烘烤——匀胶——前烘——光刻——显影——后烘D.去水烘烤——预处理——匀胶——前烘——光刻——显影——后烘5.匀胶机器KS—L50C中L所代表的含义为（）。
A.匀胶设备B.线性C.芯片缩写D.厂方缩写6.光刻机汞灯使用时间约为（）h。
A.1200B.1500C.1800D.21007.光刻机汞灯均匀性Lamp ihumination Eniformity (+/—）调为多少为最佳（）。
A.小于2%B.小于3%C.小于4% 小于5%8.背喷液主要成分是（）。
A.水B.酒精C.丙酮D.异丙醇9.光刻间要求洁净等级为（）。
A.十级B.百级C.千级D.万级10.对于光刻机掩膜板操作正确的是（）（多选题）。
A.操作前用氮气对掩膜板进行冲洗B.可以触摸掩膜板上透明部分C..不可以触摸掩膜板上透明部分D.银色的一面朝上摆放E.棕色的一面朝上摆放11.定影液的主要成分是（）。
A.纯水B.酒精C.异丙醇D.酒精与水混合物12.光刻机曝光时选取基片是从上往下选取。
（）A.是B.否13.预处理后的基片是否能用氮气直接吹洗。
（）A.能B.不能14.烘箱前烘时候是否能使用冷片盒直接烘烤。
（）A能 B.不能15.光刻机设备正常保养周期约为（）。
A.1个月B.2个月C.3个月D.4个月简答题1.简述匀胶机甩胶盒清洗步骤。
2.简述光刻机关机步骤。
3.现有一片基片在曝光过程中出现真空异常报警，现判定为机械手上有颗粒影响真空，请简述处理步骤。
4.简述每天进入光刻间生产准备工作。
理论部分填空题1、光刻中使用的两种主要的光刻胶分别为正光刻胶和负光刻胶2、在硅片表面上涂上液体光刻胶来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶。
有四个步骤：分滴，旋转分开，旋转甩掉，溶剂挥发。
3、曝光的方式有接触式、接近式曝光和投影式曝光。
4、光刻中有使用不同紫外光波长，波长在436纳米和157纳米之间的每种波长都有各自的波名称。
其中波长为436nm的波名称是g光线，波长为405nm的波名称是h光线，波长为365nm的波名称是i光线，波长为248nm的波名称是深紫外(DUV) ，波长为157nm的波名称是真空紫外(VUV)1、曝光的方式有接触式曝光、接近式曝光和投影式曝光2.光刻工艺一般都要经过涂胶，前烘、曝光、显影，坚膜、腐蚀、去胶等步骤。
3.正性光刻胶和负性光刻胶是两种主要的光刻胶。
对于负性光刻胶，曝光部分不会溶解，在光刻胶中形成的图形与掩膜板的图形相反对于正性光刻胶，曝光部分容易溶解，在光刻胶中形成的图形与掩膜板的图形相同。
4.刻蚀的方法主要有湿法刻蚀、干法刻蚀和和等离子体。
5、光刻工艺一般都要经过涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等步骤。
一、判断题1．最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
（F ）2．步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
（F ）3．光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
（T ）4．曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
（T ）5．对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
（T ）6．芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸，即CD。
（T ）7．光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
（T ）8．有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
（T ）1．最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
（F ）2．步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
（F ）3．光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
（T ）4．曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
（T ）5．对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
（T ）6．芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸，即CD。
（T ）7．光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
（T ）8．有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
（T ）简答题1、给出光刻胶在晶圆制造中的两个用途答：(1) 将掩模板图案转移到晶圆表面顶层的光刻胶中。
(2) 在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入阻挡层）。
2、列出并描述两种主要的光刻胶。
答：两种主要的光刻胶是负性光刻胶和正性光刻胶。
这是按照胶体物质对紫外线的反应分类的。
对于负性光刻胶来说，受到紫外照射的区域的光刻胶会产生交联而变得坚固。
这使得受光照的光刻胶在显影液中不容易被溶解，在显影剂中也不会被除去。
光刻胶形成一个与图形互补的掩模图形。
而对于正性光刻胶来说，受紫外线照射的区域的光刻胶会变得更易被溶解，并且形成一个与所需图形一致的掩模图形。
正性胶在受光照后会分解，受照射的区域在显影液中很容易别洗去。
3、什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？答：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。
1、为什么抗腐蚀性是光刻胶的重要特性？答：抗腐蚀性。
光刻胶膜必须在随后的干湿法刻蚀过程中保持其黏附性并保护衬底的表面。
这种特性就被称为抗腐蚀性。
有的干法刻蚀过程在较高的温度（例如1500C）下进行，这就需要光刻胶具有能够保持其形状的热稳定性。
2、光刻胶是如何被涂在硅片的？答：在硅片表面上涂上液体光刻胶来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶。
有四个步骤：分滴，旋转分开，旋转甩掉，溶剂挥发。
3、简述几种主流的光刻技术答：（1）甚远紫外线(EUV)光刻，属于光学光刻，仍采用分步投影光刻系统，可以实现亚0.1μm的细线条。
但难以找到合适的掩模板材料和光学系统的设计。
（2）电子束光刻，由于电子束的直径很小，所以光刻分辨率很高。
采用电子束直写方式，效率低，不适于大规模生产，目前仅限于制备光刻掩模板。
（3）X射线，采用波长更短X射线作为光源，可以用于制作小于70nm的线条。
但作为X射线源的同步辐射装置非常庞大且价格昂贵。
（4）离子束光刻，与电子束光刻的机理相似，采用掩膜或直写方式。
离子轰击光刻胶时没有散射作用，曝光视场较大，有利于大规模生产。
论述题1、论述湿法腐蚀、物理干法刻蚀、化学干法刻蚀、物理和化学方法相结合的干法刻蚀工作原理、应用范围和优缺点答：（1）湿法腐蚀利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。
优点：选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低缺点：钻蚀严重、对图形的控制性较差应用：在半导体工艺中有着广泛应用，如磨片、抛光、清洗、图形或窗口的形成等。
（2）物理干法刻蚀，通过高能惰性气体离子的物理轰击作用进行刻蚀的，如溅射与离子束铣蚀。
特点：各向异性性好，但选择性较差。
（3）化学干法刻蚀利用放电产生的游离基与被刻蚀材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀，如等离子刻蚀。
特点：选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差。
（4）物理和化学方法相结合的干法刻蚀通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用进行刻蚀的，如反应离子刻蚀（RIE）。
特点：具有溅射刻蚀和等离子刻蚀的优点，各向异性和选择性好。
RIE已成为VLSI工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术。
2.论述接触式曝光、接近式曝光和投影式曝光的工作原理、应用范围和优缺点答：①接触式曝光光刻胶膜与掩模板直接接触，中间没有间隙，光线不会发生衍射。
可以得到较高的分辨率。
但硅片或掩模板上的污染物等，可能会对掩模板和光刻胶膜产生损伤，影响光刻胶图形的完整性。
一般只适用于中小规模集成电路。
②接近式曝光光刻胶膜与掩模板不直接接触光线在此间隙中会发生衍射，影响光刻的分辨率。
但另一方面，此间隙可以大大减少硅片或掩模板上的微粒等对掩模板和光刻胶膜的损伤，提高芯片的成品率。
适用于特征尺寸较大的集成电路生产工艺。
③投影式曝光利用专门的光学系统将掩模板上的图形投射到硅片上。
掩模板与硅片之间相隔较远，不存在污染物等对掩模板和光刻胶膜的损伤。
每次只对硅片的一小部分进行曝光，且掩模板图形大于实际成像图形，光刻分辨率高。
是超大规模集成电路的主流技术。
3.列出光刻的八个步骤，并对每个步骤作简短的说明。
步骤一：打底膜光刻的第一步是去除水分，并且在晶圆表面涂底层。
这些步的目的是提高光刻胶和硅片表面的粘结。
步骤二：旋涂光刻胶打完底膜后，用旋涂的方法在晶圆上涂一层液体的光刻胶。
晶圆被固定在真空腔上。
精确数量的液态光刻胶被滴在晶圆上然后让晶圆高速旋转使其表面涂有均匀的光刻胶。
步骤三：软烘光刻胶被涂在晶圆表面后，必须要经过软烘。
这个烘烤的目的是去除胶里大部分的溶剂。
步骤四：对准和暴光掩膜板要涂好光刻胶的硅片上的正确位置。
一旦对准后，掩膜板和硅片被暴光于紫外光从而将掩膜板上的图形转移到涂过胶的晶圆上。
步骤五：暴光后烘烤对于深紫外光刻暴光后在一个有100到110℃的热盘上烘烤是必要的。
这个烘烤是紧跟着光刻胶暴光后进行的。
步骤六：显影显影对于在晶圆表面上的光刻胶上形成图形是至关重要的一步。
光刻胶的可溶区域被显影液溶解，在晶圆表面留下可见的图案。
步骤七：硬烘显影后的热烘也被称作硬烘目的是蒸发掉多余的光刻胶溶剂和提高光刻胶与晶圆表面的粘结。
步骤八：检测一旦光刻胶在晶圆上形成图形，要进行一个检测来检验光刻图案的质量。
这是光刻工的复习题，这里是两份理论卷子的，会考任意一份，大家把它都背上，就没问题了。
（理论部分：填空5题，判断10题，简答4题，论述题2题，大家把LED老师讲的看看把这些题背上）实践题1、清洗的方法有两大类，分别是湿法清洗和干法清洗1、在硅片表面上涂上液体光刻胶最常用的方法是旋转涂胶2、光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感3、涂胶前要进行增粘处理，目的提高晶圆片表面的增粘效果。
1.光学光刻的关键设备（A ）A 光刻机B摔胶机C烘箱D显微镜2. 对于正性光刻胶，被曝光的部分（B ）；对于负性光刻胶，被曝光的部分（）A 容易溶解；容易溶解B容易溶解；不易溶解C不易溶解；容易溶解D不易溶解；不易溶解3．光刻要求晶圆片表面存在的图案与掩膜版上的图形对准，此特性指标称为（A ）A 套准精度B特征尺寸C分辨率D工艺宽容度4．投影掩膜版上的图形是由（B ）金属所形成的A钽B铬C铁D铜5．光刻工艺一般都要经过涂胶、前烘、曝光、（A ）、后烘等步骤。
A显影B去胶C清洗D检查6．等离子体刻蚀属于（B ）刻蚀A湿法刻蚀B干法刻蚀C电子刻蚀D光学刻蚀7．后烘是在（C ）后和显影前对硅片进行的一次焙烘A清洗B涂胶C曝光D腐蚀8．下列哪个不属于湿法清洗（D ）A超声清洗B喷雾清洗C溢流清洗D等离子清洗三、简答题1、光刻一般用到的试剂种类及作用。
答：①光刻胶②去边剂：用于涂胶后的去边③ HMDS：用于涂胶前的硅片增粘处理④显影液：MF-319⑤丙酮：用于清洁，可溶解光刻胶⑥乙醇：用于清洁，擦拭设备，桌面等2、光刻胶的一般组成及保管方法。
答：一般光刻胶有以下三种成分：①基础树脂②感光剂③溶剂光刻胶的保管方法：光刻胶对光和热敏感，应保保存在低温，黑暗和干燥的地方。
3、哪些涂胶方面的原因会造成光刻返工？答：（1）用错涂胶程序(包括HMDS,涂胶和前烘的程序)（2）胶面发花,均匀性差.（3）回溅严重,胶面上有很多圆形或彗星状斑点.（4）胶被打空,片子表面未涂上胶.（5）未做去边(去边剂压力罐的压力未加)（6）胶中有大量的杂质.（7）换错胶.4、交接班时有哪些注意事项。
答：①对在制品情况进行交接②交代设备的工作状况及其它注意事项③检查胶瓶中的胶量，显影液罐中的显影液量，去边剂的量，废胶罐是否已满④ 检查工作现场是否整四、论述题(20分)识别下图所示工艺，写出每个步骤名称并进行描述。
答：1 气相成底膜：清洗、脱水，脱水烘焙后立即用HMDS进行成膜处理，起到粘附促进剂的作用。
2 采用旋转涂胶的方法涂上液相光刻胶材料。
3 软烘：其目的是除去光刻胶中的溶剂。
4 对准和曝光：掩模板与涂了胶的硅片上的正确位置对准。
然后将掩模板和硅片曝光。
5 曝光后烘焙：深紫外（DUV）光刻胶在100-110℃的热板上进行曝光后烘焙。
