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英飞凌单片机选型引言概述：单片机是嵌入式系统领域最常用的集成电路之一，广泛应用于工业自动化、消费电子、通信设备等领域。
在选择单片机时，相对于其他品牌的产品，英飞凌的单片机以其出色的性能、可靠性和适应性备受认可。
本文将对英飞凌单片机选型进行详细阐述，帮助读者理解不同系列单片机的特点与应用场景，从而为项目的设计与开发提供有效的指导。
正文内容：I.英飞凌单片机系列介绍A.XMC系列单片机1.特点1：高性能和低功耗2.特点2：丰富的外设接口3.特点3：完善的开发工具链B.XC800系列单片机1.特点1：紧凑和简单的架构2.特点2：适用于低成本应用3.特点3：广泛的应用支持C.16位单片机系列1.特点1：高性能和可扩展性2.特点2：丰富的外设接口3.特点3：灵活的存储器选项II.英飞凌单片机选型指南A.应用需求分析1.项目类型与规模2.功能与性能需求3.软硬件资源限制B.可选择的单片机系列评估1.XMC系列的适用场景2.XC800系列的适用场景3.16位单片机系列的适用场景C.性能比较与评估1.性能参数分析2.功能对比与优势3.单片机可靠性评估III.英飞凌单片机选型实例A.工业自动化应用实例1.控制任务需求分析2.XMC系列单片机选型实例3.XC800系列单片机选型实例B.消费电子应用实例1.功能与性能需求分析2.XMC系列单片机选型实例3.16位单片机系列选型实例C.通信设备应用实例1.通信任务需求分析2.XMC系列单片机选型实例3.16位单片机系列选型实例IV.英飞凌单片机选型策略指导A.强大的技术支持与生态系统B.深入了解英飞凌单片机产品线C.根据应用场景选择合适的单片机系列V.总结在进行英飞凌单片机选型时，针对不同的应用需求和设计要求，我们可以根据项目规模、功能性能需求和软硬件资源限制等因素进行分析与评估。
本文介绍了不同系列英飞凌单片机的特点与适用场景，并提供了实例与选型指导，以帮助读者更好地选择合适的单片机系列。
新手导1. 82.163.32声明：英飞凌社区应用笔记部分资料内容来源英飞凌社区请来信告知。
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2012/6新手导航中文版位单片机介绍位单片机介绍位单片机介绍凌社区热心网友奉献资料整理和网络，应用笔记心得整理，内容仅供参考。
如果侵犯Infineon （MCU 新手门篇）英飞凌社区新导航笔记 Ken2012/6/3 果侵犯你的版权，新手入社区新手关于英飞凌总部位于德国纽必堡的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。
2010财年（截止到9月30日），公司实现销售额40亿欧元，在全球拥有约26,000名雇员。
英飞凌科技公司的业务遍及全球，在美国苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。
英飞凌公司目前在法兰克福股票交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场（OTCQX）International Premier（股票代号：IFNNY）挂牌上市英飞凌在中国英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国市场。
自1996年在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有1300多名员工，已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。
英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
☺☞Infineon XC800系列8位元MCU（8位单片机）超级耐高温150℃工业级 8位MCU XC800专为汽车应用设计XC800 150℃系列是汽车产品的理想之选，例如涡轮增压器、发动机风扇、节流阀或阀控制装置、EPS、燃料/燃油传感器以及水/机油/燃油泵等。
潜在的工业应用包括加热控制装置、锅炉系统或电机内部的电子控制系统等。
AEC-Q100是由汽车电子设备委员会（AEC）制定的可靠性压力测试标准。
测试表明，英飞凌全新推出的系列高温微控制器，经过符合AEC-Q100 Grade 0 （-40℃至150℃）标准要求的测试和认证。
最新纯中文版英飞凌DAP miniWiggler的使用开发宝典单片机开发除了必要程序编写外同样也离不开下载器与仿真器。
miniWiggler是目前英飞凌单片机最流行的仿真器。
英飞凌miniwiggler使用步骤1、安装最新版本的DAS，从供应商或从以下链接下载（\miniwiggler）2、把miniwiggler连接到电脑上的任意一个USB接口。
电脑会自动适别这个新设备并自动安装相庆的驱动程序。
3、把下载线连接到目标板上4、启动您的调试工具选择DAS的服务器udas或以上的USB芯片的JTAG。
DAS的服务器的使用1、启动调试工具选择DAS2、3、4、最后出现XC166-Family表示安装成功Keil C166与miniwiggler的使用工程的详细设置首先点击Project窗口中的Target1 Project->Option for Target1 “Debug”即出现对工程设置的对话框.选择”Infineon DAS Client for XC166”选择片内的FLASH.仿真与下载以上即完成了工程的相关设置，接下来可以进行编译，连接。
选择菜单ProjectBuild target或单击图标对当前工程进行连接。
编译过程中的信息将出现在输出窗口中的Build页，如果源程序中有语法错误，会有错误报告出现，单击该行会有相应的错误报告出现。
编译成功后提示获得*.hex文件，该文件可被编译器读入并写入芯片中，同时还产生了一些其他相关文件可用于Keil的仿真与调试。
在对工程成功编译，连接后，按F5或点击菜单Debug Start/StopDebug Session或单击图即可进入调试状态。
DAP miniWiggler经济划算的高性能调试工具miniWiggler是英飞凌面向未来的经济划算的高性能调试工具。
在主机侧，它具备一个USB接口。
每台计算机都具备USB接口。
在器件侧，则可通过英飞凌10-针DAP或16-针OCDSL1接口，进行通信。
采用 DSO-12 封装的准谐振 800 V CoolSET ™产品亮点• 集成 800 V CoolMOS ™，雪崩能力强 • 创新型准谐振操作，其专有设计可降低 EMI• 可选进入和退出待机功率电平的增强型主动突发模式 • 主动突发模式，最低待机功率可小于 100 mW • 借助共源共栅配置实现快速启动 • 数字降频模式，提高整体系统效率 • 支持输入过压和欠压保护的可靠线路保护 • 完善的保护机制•无铅电镀、无卤模塑化合物，符合 RoHS 标准特性• 集成 800 V CoolMOS ™，雪崩能力强• 显著缩小高低压线路间的开关频率差，实现高效率和良好的 EMI 性能• 可选进入和退出待机功率电平的增强型主动突发模式 • 主动突发模式，最低待机功率可小于 100 mW • 借助共源共栅配置实现快速启动 • 数字降频技术，过零点可达 10 个 • 内置数字软启动 • 逐周期峰值电流限制• 最大导通/关断时间限制，以避免在启动和断电时产生噪音 • 支持输入过压和欠压保护的可靠线路保护•针对 VCC 过压、VCC 欠压、过载/开路、输入/输出过压及过温状况的自动重启模式保护• 受限的 VCC 短接至地的充电电流• 无铅电镀、无卤模塑化合物，符合 RoHS 标准应用• 适用于家用电器/白色家电、电视、电脑及服务器的辅助电源• 蓝光播放器、机顶盒和 LCD/LED 显示器描述准谐振 CoolSET ™ - (ICE5QRxx80BG) 是第五代准谐振集成电源 IC ，支持共源共栅配置，并针对离线开关模式电源进行了优化。
产品在单一封装中搭载了两个独立芯片，分别为控制器芯片和高压 MOSFET 芯片。
借助经改善的数字降频技术和专有的创新型准谐振操作，IC 可在实现低 EMI 效果时兼顾更高效率。
而增强型主动突发模式更是为待机功率范围的选择提供了灵活性。
此外， ICE5QRxx80BG 有宽的供电电压工作范围 (10.0～25.5 V)， 功耗较低。
![英飞凌 开发工具的使用(DAvE Keil FLOAD MEMTOOL)[1]](https://uimg.taocdn.com/f1e7c3adfd0a79563c1e723f.webp)
开发工具的使用英飞凌XC800系列单片机写在前面本篇内容为英飞凌科技有限公司（Infineon Technologies CO., LTD.）的XC800系列单片机的基础篇之一。
如无特别说明，所指的产品为XC800系列单片机中的首款型号：XC866。
由于后续芯片会有更多的改进／增加措施，如需要关注其它产品，需要再结合相应的产品数据手册（Data Sheet）和用户手册（User Manual）！ 由于版本更新等原因，可能会出现各版本间的资料说法有略微差异，请以英飞凌网站公布的最新英文版本的产品数据手册（Data Sheet）和用户手册（User Manual）为准！内容英飞凌8位单片机硬件的连接基本的硬件连接方式DAvE的安装与使用DAvE软件用于配制项目文件，设置端口，定时器工作方式等 Keil软件的安装与使用Keil软件编辑（插入）用户代码实现用户目标功能编译源文件，生成目标代码软件仿真下载工具的安装与使用FLOAD软件下载程序到目标芯片MEMTOOL软件下载程序到目标芯片硬件的连接XC866评估板（Starter Kit）结构图：直流：8~18V/300mA硬件连接连接步骤将串口和电脑串口连接连接电源。
当连接好电源时，电源指示灯点亮OCDS接口的连接XC866使用16针的标准JTAG接口。
信号排列如下：JTAG 接信号线定义：接地信号线GNDOCDS 配置（XC800中不使用）OCDSE保留（留作特殊应用时使用）RCAP1/2电源VCC测试系统复位信号TRST目标系统复位信号RESET测试时钟TCK测试机时钟CPU_CLOCK测试数据串行输入TDI测试数据串行输出TDO测试模式选择TMS在连接OCDS调试接口时，需要注意，应该将箭头端连接到开发板上针脚1处。
使用OCDS调试接口，同样能够下载程序到单片机，不一定需要通过串口下载程序到目标机，再进行调试。
为了方便学习，下面介绍一个程序的基本流程。
英飞凌各代IGBT模块技术详解IGBT 是绝缘门极双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的英文缩写。
它是八十年代末，九十年代初迅速发展起来的新型复合器件。
由于它将 MOSFET 和 GTR 的优点集于一身，既有输入阻抗高，速度快，热稳定性好，电压驱动（MOSFET 的优点，克服 GTR 缺点）；又具有通态压降低，可以向高电压、大电流方向发展（GTR 的优点，克服 MOSFET 的缺点）等综合优点，因此 IGBT 发展很快，在开关频率大于 1KHz，功率大于 5KW 的应用场合具有优势。
随着以 MOSFET、IGBT 为代表的电压控制型器件的出现，电力电子技术便从低频迅速迈入了高频电力电子阶段，并使电力电子技术发展得更加丰富，同时为高效节能、省材、新能源、自动化及智能化提供了新的机遇。
英飞凌／EUPEC IGBT 芯片发展经历了三代，下面将具体介绍。
一、IGBT1－平面栅穿通（PT）型 IGBT （1988 1995）西门子第一代 IGBT 芯片也是采用平面栅、PT 型 IGBT 工艺，这是最初的 IGBT 概念原型产品。
生产时间是 1990 年－ 1995 年。
西门子第一代 IGBT 以后缀为“DN1” 来区分。
如 BSM150GB120DN1。
图 1.1 PT-IGBT 结构图PT 型 IGBT 是在厚度约为 300－500μm 的硅衬底上外延生长有源层，在外延层上制作IGBT 元胞。
PT-IGBT 具有类 GTR 特性，在向 1200V 以上高压方向发展时，遇到了高阻、厚外延难度大、成本高、可靠性较低的障碍。
因此，PT-IGBT 适合生产低压器件，600V 系列 IGBT 有优势。
二、IGBT2－第二代平面栅 NPT-IGBT西门子公司经过了潜心研究，于 1989 年在 IEEE 功率电子专家会议（PESC）上率先提出了 NPT－IGBT 概念。
由于随着 IGBT 耐压的提高，如电压VCE≥1200V，要求 IGBT 承受耐压的基区厚度dB>100μm，在硅衬底上外延生长高阻厚外延的做法，不仅成本高，而且外延层的掺杂浓度和外延层的均匀性都难以保证。
EconoPACK ™2 模块 采用第七代沟槽栅/场终止IGBT7和第七代发射极控制二极管带有温度检测NTC 特性•电气特性-V CES = 1200 V-I C nom = 75 A / I CRM = 150 A -沟槽栅IGBT7-低 V CEsat-过载操作达175°C•机械特性-高功率循环和温度循环能力-集成NTC 温度传感器-铜基板-低热阻的三氧化二铝 Al 2O 3 衬底-焊接技术-标准封装可选应用•辅助逆变器•电机传动•伺服驱动器产品认证•根据 IEC 60747、60749 和 60068 标准的相关测试，符合工业应用的要求。
描述FS75R12N2T7_B15EconoPACK ™2 模块内容描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1可选应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1产品认证 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1内容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 1封装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 2IGBT, 逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3二极管,逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4负温度系数热敏电阻 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 5特征参数图表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 6电路拓扑图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12 7封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13 8模块标签代码 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14修订历史 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15免责声明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .161封装表 1绝缘参数特征参数代号标注或测试条件数值单位绝缘测试电压V ISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min 2.5kV 模块基板材料Cu内部绝缘基本绝缘 (class 1, IEC 61140)Al2O3爬电距离d Creep端子至散热器10.0mm 电气间隙d Clear端子至散热器7.5mm 相对电痕指数CTI>200相对温度指数 (电)RTI封装140°C 表 2特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值杂散电感,模块L sCE17nH 模块引线电阻,端子-芯片R CC'+EE'T C=25°C, 每个开关 3.3mΩ储存温度T stg-40125°C 模块安装的安装扭距M根据相应的应用手册进行安装M5, 螺丝36Nm 重量G180g 注:The current under continuous operation is limited to 50A rms per connector pin.2IGBT, 逆变器表 3最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极－发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T C = 100 °C75A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms150A 栅极－发射极峰值电压V GES±20V表 4特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极－发射极饱和电压V CE sat I C = 75 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.55 1.80VT vj = 125 °C 1.69T vj = 175 °C 1.77栅极阈值电压V GEth I C = 1.28 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V 1.25µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C2Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V15.1nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.053nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.014mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 75 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 5.6 ΩT vj = 25 °C0.164µs T vj = 125 °C0.178T vj = 175 °C0.185上升时间(感性负载)t r I C = 75 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 5.6 ΩT vj = 25 °C0.048µs T vj = 125 °C0.053T vj = 175 °C0.057关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 75 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 5.6 ΩT vj = 25 °C0.300µs T vj = 125 °C0.380T vj = 175 °C0.420下降时间(感性负载)t f I C = 75 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 5.6 ΩT vj = 25 °C0.120µs T vj = 125 °C0.200T vj = 175 °C0.270开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 75 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 5.6 Ω, di/dt =1200 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C7.96mJ T vj = 125 °C10.8T vj = 175 °C12.3关断损耗能量 (每脉冲）E off I C = 75 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 5.6 Ω, dv/dt =3200 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 5.02mJ T vj = 125 °C7.68T vj = 175 °C9.46(待续)表 4(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj=150 °C260At P≤ 7 µs,T vj=175 °C250结－外壳热阻R thJC每个 IGBT0.475K/W 外壳－散热器热阻R thCH每个 IGBT, λgrease= 1 W/(m*K)0.141K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN2018-14.3二极管,逆变器表 5最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F75A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms150A I2t-值I2t t P = 10 ms, V R = 0 V T vj = 125 °C1150A²sT vj = 175 °C740表 6特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 75 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.72 2.10VT vj = 125 °C 1.59T vj = 175 °C 1.52反向恢复峰值电流I RM V R = 600 V, I F = 75 A,V GE = -15 V, -di F/dt =1200 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C43A T vj = 125 °C56T vj = 175 °C65(待续)表 6(续) 特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值恢复电荷Q r V R = 600 V, I F = 75 A,V GE = -15 V, -di F/dt =1200 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 4.94µC T vj = 125 °C10.2T vj = 175 °C13.7反向恢复损耗（每脉冲）E rec V R = 600 V, I F = 75 A,V GE = -15 V, -di F/dt =1200 A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C 1.45mJ T vj = 125 °C 3.32T vj = 175 °C 4.62结－外壳热阻R thJC每个二极管0.708K/W 外壳－散热器热阻R thCH每个二极管, λgrease= 1 W/(m*K)0.153K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN2018-14.4负温度系数热敏电阻表 7特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值额定电阻值R25T NTC = 25 °C5kΩR100偏差ΔR/R T NTC = 100 °C, R100 = 493 Ω-55%耗散功率P25T NTC = 25 °C20mW B-值B25/50R2 = R25 exp[B25/50(1/T2-1/(298,15 K))]3375K B-值B25/80R2 = R25 exp[B25/80(1/T2-1/(298,15 K))]3411K B-值B25/100R2 = R25 exp[B25/100(1/T2-1/(298,15 K))]3433K 注:根据应用手册标定4 负温度系数热敏电阻6电路拓扑图图 17封装尺寸图 28 模块标签代码8模块标签代码图 3修订历史修订历史修订版本发布日期变更说明1.002021-12-16Final datasheet商标所有参照产品或服务名称和商标均为其各自所有者的财产。
HT32F65230/HT32F65240产品规格书带Arm® Cortex®-M0+内核以及1 MSPS ADC、CMP、OPA、USART、UART、SPI、I2C、MCTM、GPTM、SCTM、BFTM、CRC、RTC、WDT、DIV和PDMA高达 64 KB Flash和8 KB SRAM的32-Bit BLDC单片机版本: V1.30 日期: 2022-04-20目录目录1 简介 (6)2 开发工具 (7)3 特性 (7)内核 (7)片上存储器 (7)Flash 存储器控制器 – FMC (7)复位控制单元 – RSTCU (8)时钟控制单元 – CKCU (8)电源控制单元 – PWRCU (8)外部中断 / 事件控制器 – EXTI (8)模数转换器 – ADC (9)运算放大器 – OPA (9)比较器 – CMP (9)输入 / 输出端口 – GPIO (9)马达控制定时器 – MCTM (10)通用功能定时器 – GPTM (10)单通道定时器 – SCTM (10)基本功能定时器 – BFTM (11)看门狗定时器 – WDT (11)实时时钟 – RTC ..................................................................................................................................11内部集成电路 – I 2C . (11)串行外设接口 – SPI (12)通用异步收发器 – UART (12)通用同步异步收发器 – USART (12)循环冗余校验 – CRC (13)外设直接存储器访问 – PDMA (13)硬件除法器 – DIV (13)调试支持 (14)封装和工作温度 (14)4 概述 (15)单片机信息 (15)方框图 (16)存储器映射 (17)时钟结构 (20)目录5 引脚图 (21)6 电气特性 (26)极限参数 (26)建议直流工作条件 (26)片上LDO稳压器特性 (26)功耗 (27)复位和电源监控特性 (28)外部时钟特性 (29)内部时钟特性 (30)系统PLL特性 (30)存储器特性 (31)I/O端口特性 (31)A/D转换器特性 (32)比较器特性 (33)运算放大器特性 (34)MCTM/GPTM/SCTM特性 (34)I2C特性 (35)SPI特性 (36)7 封装信息 (38)48-pin LQFP (7mm×7mm) 外形尺寸 (39)表列表表列表表 1. 特性及外设列表 (15)表 2. 寄存器映射 (18)表 3. 引脚复用功能分配 (22)表 4. 引脚描述 (24)表 5. 极限参数 (26)表 6. 建议直流工作条件 (26)表 7. LDO 特性 (26)表 8. 功耗特性 .........................................................................................................................................................27表 9. V DD 电源复位特性 (28)表 10. LVD/BOD 特性 (28)表 11. 外部高速时钟 (HSE) 特性 (29)表 12. 外部低速时钟 (LSE) 特性 (29)表 13. 内部高速时钟 (HSI) 特性 (30)表 14. 内部低速时钟 (LSI) 特性 (30)表 15. 系统PLL 特性 (30)表 16. Flash 存储器特性 (31)表 17. I/O 端口特性 (31)表 18. A/D 转换器特性 (32)表 19. 比较器特性 (33)表 20. 运算放大器特性 (34)表 21. MCTM/GPTM/SCTM 特性..........................................................................................................................34表 22. I 2C 特性 (35)表 23. SPI 特性 (36)图列表图列表图 1. 方框图 (16)图 2. 存储器映射 (17)图 3. 时钟结构图 (20)图 4. 48-pin LQFP引脚图 (21)图 5. A/D转换器采样网络模板 (33)图 6. I2C时序图 (35)图 7. SPI时序图 – SPI主机模式 (37)图 8. SPI时序图 – SPI从机模式(CPHA = 1) (37)1 简介1 简介Holtek 单片机HT32F65230/HT32F65240是基于Arm ® Cortex ®-M0+处理器内核的32-bit 高性能低功耗单片机。
