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发光场效应晶体管
发光场效应晶体管（OLET）是一种光电子集成器件，它集成了有机场效应晶体管（OFET）和有机发光二极管（OLED）两种器件功能。
这种晶体管在同一器件中实现了高集成度、更简单的集成工艺等优势，因此在新型柔性显示和有机电泵浦激光等领域具有重要的科学和技术意义。
OLET的器件结构使其具有灵活的设计性，可以制备出具有良好栅极调控能力（开关比>10^6）和不受栅压影响的面光源发光形态的RGB三基色平面型面光源OLET显示器件基元。
此外，基于U形漏电极的大开口率OLET显示器件的开口率可>80%。
另外，OLET作为独特的电压驱动显示器件，易实现饱和工作区，因此表现出独立于源漏电压的良好稳定性。
此外，还有以并四苯为有源层的有机薄膜发光场效应晶体管，结合其他有机场效应器件、有机发光器件的报道，提出了微腔双场效应结构有机电注入激光器。
这种激光器以并四苯单晶为有源层，可以形成良好的光波导；利用微腔效应提供有效的谐振腔，再加上双场效应结构调节载流子大量平衡注入，更容易实现器件的受激发射。
量子线沟道场效应晶体管概述说明以及解释1. 引言1.1 概述量子线沟道场效应晶体管是一种新型的半导体器件，其基于量子力学原理和场效应晶体管的结构设计。
相比传统的晶体管，量子线沟道场效应晶体管具有更好的性能表现和优异的电气特性。
本文将对这项技术进行全面概述和说明。
1.2 文章结构本文主要分为六个部分来介绍量子线沟道场效应晶体管。
首先，在引言部分我们将概述该技术的背景，并阐明文章结构以便读者了解全文内容安排。
接下来，我们会详细介绍量子线沟道场效应晶体管的背景和原理，包括堆栈层结构、量子限制效应以及场效应晶体管基本原理等方面内容。
然后，我们将讨论该晶体管的制备方法和结构特点，并探讨其在尺寸控制方面所带来的优势。
随后，我们会解释该器件的工作原理和性能表现，重点讲述动态功耗与速度优势、抑制漏电流及亚阈值摆幅增益改进、以及量子隧穿现象对特性所产生的影响等方面。
最后，我们将探讨该技术的应用前景和发展方向，包括适用领域和市场需求分析、当前研究进展与挑战，以及发展趋势和未来前景展望。
最后，我们将总结文章要点，并强调研究的意义和重要性，同时提出进一步研究的建议。
1.3 目的本文旨在全面介绍量子线沟道场效应晶体管这一新兴技术，并阐明其背后的原理、制备方法、工作原理以及应用前景。
通过深入解析这项技术，读者将对于该设备有更加清晰的认识，并意识到其潜在的应用价值。
同时，本文还希望为相关领域的研究者和工程师们提供一个指引，以便他们能够更好地开展进一步研究和开发工作。
2. 量子线沟道场效应晶体管的背景和原理：2.1 堆栈层结构量子线沟道场效应晶体管（quantum-well channel field-effect transistor，QCFET）是一种新型的半导体器件。
它采用了特殊的堆栈层结构，包括嵌入式量子阱，用于实现电流的调控和传输。
堆栈层结构通常由多个材料通过分子束外延或金属有机化学气相沉积方法形成。
通过控制这些堆栈层结构，可以实现对电流行为的精确控制。
主要内容1. 场效应管的结构、符号与工作原理2. 场效应管的工作状态和特性曲线3. 场效应管的基本特性4. 场效应管的电路模型5-4场效应晶体管场效应晶体管概述场效应管，简称FET(Field Effect Transistor)，主要特点：(a)输入电阻高，可达107~1015 。
(b)起导电作用的是多数（一种）载流子，又称为单极型晶体管。
(c)体积小、重量轻、耗电省。
(d)噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单。
(e)在大规模集成电路制造中得到了广泛的应用。
场效应管按结构可分为：结型场效应管（JFET ）和绝缘栅型场效应管(MOSFET )；按工作原理可分为增强型和耗尽型。
场效应管的类型N 沟道P 沟道增强型耗尽型N 沟道P 沟道N 沟道P 沟道（耗尽型）FET场效应管JFET 结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)场效应管的电路符号MOSFET 符号增强型耗尽型GS D SG D P 沟道G S DN 沟道GS D U GS =0时，没有漏极电流，U GS =0时，有漏极电流，U GS 高电平导通U GS 低电平导通需要加负的夹断电压U GS(off)才能关闭，高于夹断电压U GS(off)则导通而只在U GS >0时，能导通，低于开启电压U GS(th)截止5-4-1 场效应管结构、符号与工作原理1.场效应管基本结构图5-2-22沟道绝缘栅型场效应管的基本结构与电路符号图N 沟道绝缘栅型场效应管的基本结构与电路符号沟道绝缘栅型场效应管的基本结构与电路符号场效应管与三极管的三个电极的对应关系：栅极g--基极b 源极s--发射极e 漏极d--集电极c 夹在两个PN结中间的区域称为导电沟道（简称沟道）。
=0时是否存在导电沟道是增强型和耗尽型的基本区别。
22例5-10在Multisim 中用IV 分析仪测试理想绝缘栅型场效应管如图5-4-3所示，改变V GS ，观察电压V DS 与i D 之间的关系。
场效应晶体管工作原理
场效应晶体管是一种用于放大和开关电子信号的电子器件。
其工作原理是基于控制载流子浓度的变化来调节电流的流动。
场效应晶体管由源极、栅极和漏极三个电极构成。
栅极与源极之间的绝缘层形成一个电容，称为栅氧化层，用于隔离栅极和通道之间的电荷。
当栅极施加一个正电压时，栅氧化层下面的通道中没有自由载流子，导电能力很差。
这种状态称为截至。
当栅极施加一个负电压时，栅氧化层下面的通道中会积累自由载流子，导电能力增强。
这种状态称为导通。
当一个信号被加到栅极时，它会改变栅氧化层下面的电荷，从而控制通道中的电荷密度。
这样，信号就会放大，并在漏极上产生一个放大后的信号。
场效应晶体管的漏极和源极之间的电压差可以控制电流的流动。
当电压差很小时，晶体管处于截至状态，电流几乎为零。
当电压差逐渐增大时，晶体管进入导通状态，电流开始流动。
综上，场效应晶体管通过控制栅极电压来控制通道中载流子的浓度，从而控制电流的流动。
这种能力使得场效应晶体管在放大和开关电子信号方面具有广泛的应用。
场效应晶体管的发展趋势
场效应晶体管(Field-Effect Transistor，简称FET) 是一种电子器件，是集成电路中的关键元件之一。
以下是场效应晶体管的发展趋势：
1. 小型化：场效应晶体管的尺寸越来越小，随着技术的进步，器件的尺寸将继续缩小，以增加集成度和功率密度。
2. 高速性能：随着工艺的改进，场效应晶体管的开关速度将继续提高，以满足高速数据传输和计算要求。
3. 低功耗：场效应晶体管的功耗将不断降低，以满足移动设备和节能应用的需求。
4. 高集成度：场效应晶体管在集成电路中扮演着重要的角色，未来的发展趋势是进一步提高集成度，将更多的晶体管集成到单个芯片中。
5. 材料创新：将会有新的材料被引入到场效应晶体管的制造中，以提高性能并降低成本，如石墨烯等。
6. 多功能性：未来的场效应晶体管将具备多种功能，如功率放大、射频调制等，以满足不同应用的需求。
7. 高可靠性：未来的场效应晶体管将具备更高的可靠性和稳定性，以确保设备的长寿命和可靠运行。
总之，场效应晶体管的发展趋势是小型化、高速化、低功耗化、高集成度、材料创新、多功能性和高可靠性。
这些趋势将推动场效应晶体管在各个领域的应用进一步拓展和改进。
场效应晶体管一、场效应晶体管概述场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、温度系数低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管工作时只有一种极性的载流子参与导电，所以场效应管又称为单极型晶体管。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（IGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。
若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
二、场效应晶体管与半导体晶体管的异同1、外形相同场效应晶体管与半导体晶体管（双极晶体管）的封装外形基本相同，也有B型、F型、G型、TO-3型金属封装外形和S-1型、S-2型、S-4型、TO-92型、CPT型、TO-126型、TO-126FP 型、TO-202型、TO-220型、TO-247型、TO-3P型等塑料封装外形。
2、结构及工作原理不同场效应晶体管属于电压型控制器件，它是依靠控制电场效应来改变导电沟道多数载流子（空穴或电子）的漂移运动而工作的，即用微小的输入变化电压V G来控制较大的沟道输出电流I D，其放大特性（跨导）G M=I D/V G；半导体晶体管属于电流通渠道型控制器件，它是依靠注入到基极区的非平衡少数载流子（电子与空穴）的扩散运动而工作的，即用微小的输入变化电流I b控制较大的输出变化电流I c，其放大倍数β=I c/I b。
电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS的区别和联系
电子管：一种在气密性封闭容器中产生电流传导，利用电场对真空中的电子流的作用以获得信号放大或振荡的电子器件，常用于早期电子产品中。
晶体管（transistor）：一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。
晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
电子管与晶体管代表了电子元器件发展过程中的两个阶段：电子管——晶体管——集成电路。
电子管可分为电子二极管，电子三极管等，晶体管也分为半导体二极管，半导体三极管等。
三极管：半导体三极管的简称，是一种电流控制型半导体器件，由多子和少子同时参与导电，也称双极型晶体管（BJT）或晶体三极管。
场效应管(FET)：Field Effect Transistor，一种电压控制型半导体器件，由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。
MOS：场效应管的一种。
CMOS：互补金属氧化物半导体，是一种类似MOS管设计结构的多MOS结构组成的电路，是一种由无数电子元件组成的储存介质。
场效应晶体管工作状态-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容为：场效应晶体管（Field Effect Transistor，缩写为FET）是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子设备中。
它是一种可以控制电流流动的三个电极的器件，包括栅极、漏极和源极。
与普通的双极型晶体管相比，场效应晶体管具有更高的输入电阻、较低的噪声和较高的频率响应，使得它在放大、开关和模拟电路中具有很大的优势。
场效应晶体管的工作原理是基于栅极电场的控制作用。
通过在栅极施加一定的电压来控制漏极和源极之间的电流，从而实现对电路的控制。
场效应晶体管的工作状态可以通过栅极电压和漏极电流来表示，主要包括截止、放大和饱和三个状态。
在截止状态下，栅极电压较低，漏极电流较小，晶体管处于关闭状态，电路中几乎没有电流流动。
在放大状态下，栅极电压适当增加，漏极电流逐渐增大，晶体管开始放大信号。
在饱和状态下，栅极电压继续增加，漏极电流达到最大值，晶体管处于稳定放大状态。
场效应晶体管的特性参数包括漏极电流、互导、最大功率、负反馈等。
这些参数反映了器件的工作性能和特点，对于电子设备的设计和应用具有重要的指导意义。
总而言之，场效应晶体管作为一种重要的半导体器件，在电子设备中发挥着重要的作用。
它的工作原理和工作状态对于理解和应用该器件至关重要。
深入了解场效应晶体管的工作状态和特性参数，对于合理设计电子电路、提高电路性能具有重要意义。
1.2 文章结构文章结构部分的内容应包含对整个文章的结构进行简要介绍和概述。
需要说明文章的主要分为引言、正文和结论三个部分。
引言部分主要包括概述、文章结构和目的。
在概述中，可以简要介绍场效应晶体管的重要性和广泛应用，以及为什么有必要探讨其工作状态。
接着，说明文章的结构，即引言、正文和结论三个主要部分。
最后，明确文章的目的，即为了深入理解场效应晶体管的工作状态及其特性参数。
正文部分是文章的核心，主要包括场效应晶体管的基本原理、工作状态以及特性参数。
场效应晶体管的特点场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种三端口器件，主要由栅极、漏极和源极组成。
它是一种电子元件，其基本原理是通过外加的电场控制载流子的流动。
以下是场效应晶体管的特点。
1.高输入阻抗：场效应晶体管的栅极和源极之间存在很高的电阻，使其具有高输入阻抗。
这意味着场效应晶体管对输入信号具有很高的灵敏度，并且能够减少对输入信号的负载。
2.高增益：场效应晶体管具有较高的电流放大系数，也称为增益。
通过控制栅极上的电压，可以调整晶体管的工作点，从而实现信号的放大。
3.低噪声：与双极晶体管相比，场效应晶体管的噪声更低。
这是因为场效应晶体管不涉及载流子注入和抽取的物理过程，减少了噪声的产生。
4.低驱动电压：与双极晶体管相比，场效应晶体管所需的驱动电压较低。
这使得场效应晶体管更适合于低电压的集成电路设计。
5.大功率处理能力：场效应晶体管能够处理大功率信号。
与双极晶体管相比，场效应晶体管在功率放大方面具有更好的性能。
6.高频特性：场效应晶体管在高频应用中表现良好。
它们具有较大的开关频率，使它们成为射频放大器和高速开关的理想选择。
7.可控性好：场效应晶体管的漏极电流可以通过改变栅极到源极电压来调节。
这种可控性使其在电子开关和调节电路中非常有用。
8.可制成大规模集成电路：场效应晶体管可以使用微电子工艺制作成大规模集成电路（VLSI）。
这意味着可以将几十亿个晶体管集成到一个小芯片上，大大提高了电路的集成度和性能。
9.低功耗：由于晶体管的结构和工作原理，场效应晶体管的功耗较低。
这是因为在不改变晶体管的工作状态时，它几乎不消耗电流。
10.温度稳定性好：场效应晶体管在温度变化下的工作性能较为稳定。
与其他电子元件相比，它对温度的变化不太敏感。
总体而言，场效应晶体管具有高输入阻抗、高增益、低噪声、低驱动电压、大功率处理能力、高频特性、可控性好、可制成大规模集成电路、低功耗和温度稳定性好等特点。
MOSFET的原理特性作用及应用MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种电子器件，它在现代电子技术中具有重要的应用。
MOSFET是一种三端器件，由金属氧化物半导体结构组成，主要包括栅极、漏极和源极。
MOSFET具有许多突出的优点，包括低功耗、高速度、可靠性和高噪声容限。
其原理、特性、作用和应用在以下方面进行详细介绍：一、原理MOSFET的原理可以简单地理解为当栅极施加一定的电压时，栅极和漏极之间形成了一个电场。
这个电场可以控制沟道区域的导电性，从而实现对电流的调控。
MOSFET的栅极由金属导体构成，漏极和源极由具有特定掺杂的半导体材料组成，中间通过氧化层连接。
二、特性1.开关特性：MOSFET具有良好的开关特性，可以实现高速的开关速度和较低的开关损耗。
2.放大特性：MOSFET在放大电流时具有较大的增益，可以用于模拟电路的放大功能。
3.抑制特性：MOSFET具有良好的抑制特性，可以有效地抑制来自输入信号的噪声。
三、作用1.开关功能：MOSFET可以通过调节栅极电压来控制电流的通断。
通过连续不断的开关操作，可以实现信息处理和控制电路的功能。
2.放大功能：在模拟电路中，MOSFET可以用作放大器，通过改变栅极电压来调整输出电流的大小，实现信号的放大。
四、应用1.数字电路：MOSFET可以用作逻辑门的关键组成部分，实现数字信号的处理和控制。
2.模拟电路：MOSFET可以用作放大器、开关和电源调节器等功能，广泛应用于音频放大器、功率放大器、振荡器等模拟电路中。
3.通信系统：MOSFET可以用于射频功率放大器和低噪声放大器等关键部件，用于增强信号的传输和接收能力。
4.电源管理：MOSFET可以用作电源开关，实现电源的控制和管理，提高电源的效率和稳定性。
5.高频应用：在射频和微波系统中，MOSFET可以用于设计高频开关和放大器，实现高速数据传输和无线通信等应用。
总结：MOSFET作为一种重要的电子器件，在现代电子技术中具有广泛的应用。
场效应晶体管的发展趋势
场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种重要的电子器件，随着科技的发展，FET也在不断演进。
以下是场效应晶体管的发展趋势：
1. 纳米级尺寸：随着微纳加工技术的进步，FET的尺寸将越来越小，从微米级到纳米级，以实现更高的集成度和更低的功耗。
2. 多栅结构：传统的MOSFET是单栅结构，未来发展趋势是多栅结构，如FinFET 和nanosheet FET，以提高电流驱动能力和减小漏电流。
3. 材料创新：新型材料的应用将推动FET的发展。
例如，石墨烯、二硫化钼等二维材料具有高载流子迁移率和优异的电子特性，有望应用于FET。
4. 低功耗：FET的低功耗是一个重要的发展方向。
通过改进材料和结构，减小漏电流和开关功耗，提高效率。
5. 集成度提升：未来的FET将更加注重集成度的提高，以满足更复杂的电路和系统需求，实现更高性能和更小体积。
6. 可兼容性：FET在不同应用场景下的兼容性也是一个重要的发展趋势。
例如，
可与生物医学设备、柔性电子等结合，满足多种不同领域的需求。
总的来说，场效应晶体管的发展趋势是尺寸越来越小，结构和材料创新，低功耗和高集成度等方面的不断提升。
这些趋势将推动FET在电子器件领域的进一步发展。
碳纳米管场效应晶体管开关原理1.引言碳纳米管场效应晶体管（Ca rb on Na no tub e Fi el d-E f fe ct Tr an si st or,C NF ET）是一种新型的纳米电子器件，具有优异的电子性能和潜在的应用前景。
本文将介绍碳纳米管场效应晶体管开关的原理及其工作机制。
2.碳纳米管简介碳纳米管是由碳原子构成的纳米尺寸管状结构，具有高强度、优异的导电性和热导性能。
碳纳米管的直径通常在纳米级别，长度可达到数微米或更长。
碳纳米管可分为单壁碳纳米管（S i ng le-W a ll ed Ca rb on Na not u be,S WC NT）和多壁碳纳米管（Mu lt i-W a ll ed Ca rb on Na not u be,M WC NT）两种形式。
3.原理介绍碳纳米管场效应晶体管是利用碳纳米管在电场作用下的电荷运输性质来实现电子的控制和开关。
其主要元件结构包括源极（So ur ce）、漏极（D ra in）、栅极（G a te）和碳纳米管通道。
3.1漏极和源极漏极和源极是碳纳米管场效应晶体管的电流引脚，用于控制电子的流动。
当栅极施加一定电压后，栅极与源极之间建立电场，使得碳纳米管通道中的电子发生运动。
3.2栅极栅极是用于控制碳纳米管通道导电性的部分。
当栅极施加电压时，会产生电场，而碳纳米管通道中的电子受到电场的作用而发生移动。
3.3碳纳米管通道碳纳米管通道是整个晶体管的核心部分，它连接源极和漏极，是电子流动的通道。
碳纳米管通道的导电性质可以通过施加栅极电压来控制，实现对电流的调控。
4.工作原理碳纳米管场效应晶体管的工作原理主要通过栅极电压控制通道中的电子运动。
具体工作步骤如下：1.初始状态下，碳纳米管通道中没有电子流动，栅极电压为低电平。
2.当栅极施加一定电压时，栅极与源极之间建立电场，使得碳纳米管通道中的电子发生运动。
3.当栅极电压为高电平时，电子受到栅极电场的吸引，从源极流向漏极，形成漏电流。
NMOS场效应晶体管是一种重要的电子元件，它在许多电子设备中发挥着重要的作用。
下面我将从背景、工作原理、特点和应用等方面介绍NMOS场效应晶体管。
一、背景场效应晶体管是一种电压控制器件，它通过控制电场来控制通过的电流。
NMOS（氮氧化物金属场效应晶体管）是一种基于金属氧化物半导体晶体管（MOSFET）的场效应晶体管，具有速度快、功耗低、工艺简单等优点，因此在各种电子设备中广泛应用。
二、工作原理NMOS场效应晶体管的工作原理是基于半导体表面的PN结（pn结）的静电感应效应。
当有适当电信号作用于栅极时，半导体表面产生感应电荷，从而形成电场，改变漏极和源极之间的电势差，实现电流的控制。
三、特点1. 速度快：NMOS场效应晶体管利用半导体物理原理，通过控制电场来控制电流，因此具有很高的响应速度和很高的驱动电流能力。
2. 功耗低：NMOS场效应晶体管的功耗与栅极电压和源极电流有关，可以通过调节栅极电压来控制功耗。
3. 兼容性好：NMOS场效应晶体管与CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺兼容，可以与其他元件集成在同一芯片上，实现高集成度、低功耗和低成本的目的。
四、应用NMOS场效应晶体管在各种电子设备中都有广泛的应用，例如计算机主板、电源管理芯片、通信设备、消费电子等。
它可以作为放大器、开关、稳压电路等电子元器件使用，实现各种电子功能。
此外，NMOS场效应晶体管还可以与其他元件组成集成电路，提高电路的可靠性和稳定性。
在实际应用中，NMOS场效应晶体管还面临一些挑战，例如热稳定性、耐压能力和噪声能力等。
因此，在选择和使用NMOS场效应晶体管时，需要根据具体应用场景和性能要求进行评估和选择。
总之，NMOS场效应晶体管是一种重要的电子元件，具有速度快、功耗低、兼容性好等优点，在各种电子设备中发挥着重要的作用。
了解其工作原理、特点和应用，有助于更好地理解和应用NMOS场效应晶体管，为电子技术的发展和应用做出贡献。
场效应管百科名片场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件。
具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
目录基本特点工作原理主要参数型号命名主要作用试验测试分类简介测量方法基本特点工作原理主要参数型号命名主要作用试验测试分类简介测量方法∙判断方法∙产品特性∙电气特性∙参数符号∙注意事项∙使用优势∙应用领域∙应用特点展开编辑本段基本特点场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：场效应管（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
编辑本段工作原理场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。
更正确地说，ID 流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很场效应管大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。
从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。
将这种状态称为夹断。
这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。
