(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910353084.X
(22)申请日 2019.04.29
(71)申请人 苏州工业园区纳米产业技术研究院
有限公司
地址 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡
湖大道99号苏州纳米城西北区23幢3
楼
(72)发明人 陈桥波
(74)专利代理机构 苏州谨和知识产权代理事务
所(特殊普通合伙) 32295
代理人 唐静芳
(51)Int.Cl.
H01L 21/306(2006.01)
(54)发明名称
深硅沟槽刻蚀方法及硅器件
(57)摘要
本发明涉及一种硅器件及深硅沟槽刻蚀方
法，该深硅沟槽刻蚀方法包括以下步骤：S1、提供
硅衬底和光阻，将所述光阻涂布到硅衬底上；S2、
进行曝光显影，采用反应离子刻蚀工艺，利用干
法刻蚀对所述硅衬底进行刻蚀，其中，刻蚀气体
包括SF 6、O 2和HBr；S3、反应离子刻蚀结束后，进
行干法去胶并清洗，得到硅器件，所述硅器件上
具有深硅沟槽。
该刻蚀方法采用SF 6+O 2+HBr的气
体组合刻蚀深硅沟槽，其刻蚀率高，工艺流程简
便。
所制备得到的硅器件具有光滑、平整且垂直
的深硅沟槽，有效解决了目前rie干法刻蚀深硅
沟槽的沟槽侧壁角度倾斜度较大、底部较粗糙，
不满足工艺需求等问题。
权利要求书1页 说明书3页 附图2页CN 110071039 A 2019.07.30
C N 110071039
A
权 利 要 求 书1/1页CN 110071039 A
1.一种深硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供硅衬底和光阻，将所述光阻涂布到硅衬底上；
S2、进行曝光显影，采用反应离子刻蚀工艺，利用干法刻蚀对所述硅衬底进行刻蚀，其中，刻蚀气体包括SF6、O2和HBr；
S3、反应离子刻蚀结束后，进行干法去胶并清洗，得到硅器件，所述硅器件上具有深硅沟槽。
2.如权利要求1所述的深硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，在所述刻蚀气体中，SF6和HBr的体积比为1:2至2:1。
3.如权利要求2所述的深硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，在所述刻蚀气体中，SF6和HBr的体积比1:1。
4.如权利要求1所述的深硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，在所述干法刻蚀过程中，聚合物覆盖在所述深硅沟槽的侧壁作为刻蚀阻挡层。
5.如权利要求1或4所述的深硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，在所述干法刻蚀过程中，射频功率为700-1100W。
6.如权利要求1所述的深硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，在所述干法去胶过程中，温度为80-140℃。
7.如权利要求1所述的深硅沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述深硅沟槽的深度大于6μm。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的深硅沟槽刻蚀方法所制得的硅器件，其特征在于，所述硅器件上设有深硅沟槽，所述深硅沟槽的深度大于6μm。
2。
