Safety and PCB Layout Guideline(pdf 24页)
- 格式:pdf
- 大小:1.14 MB
- 文档页数:24
Y cap 的地可接受的變化: 因PCB layout板子的大小與零件佈局考量 1. 由變壓器的地接到Y cap的地 2. 由二次側輸出的地,接到Y cap的地 3. 由大電容的地,分到Y cap的地 (3 or 1取一種)
1
Y cap
3
2
18
Fuse spec : I2 t (A2 sec)
19
TVR 放前 面fuse後
NTC 2~5ohm
Y cap
TL431 GND由第二級電容之後出來
變壓器GND(output GND) 二次Y cap地
大電容(-) Current senser Y cap 變壓器GND Vcc小電容(-) SMD ceramic caps IC GND
13
PCB layout concept
3
2
1
16
GND layout guideline:
1. Current sense 電阻直接回到大電容的地。 2. 由大電容的地先到變壓器的地,再到Vcc小電解電容的地。 3. 由Vcc小電解電容的地,再分出去給photo 的地與by pass caps 的地後,最後進入IC 的地。
3
2 1
17
10
IC impact for surge
負電壓
11
高壓線需與其他低 壓線(元件)安全距 離>1.5mm
一次與二次側須>6mm以上
L與N需>2.5mm, L&N與 FG需>4mm之安規距離
Example circuit
12
3. How to reduce surge impact ?
PCB GND layout concept
Safety & PCB Layout Guideline
LD FAE Jerry
安規設計規範
2
3
4
5
XFMR spec
1)三明治繞法,降低 leakage inductance,減少Vds spike。 2) 內銅箔shielding(兩層),與外銅箔下一次側地。
#
WIRE / MATERIAL
TURNS LAYERS TURNS / LAYER ST
FIN
N0
1
N1
Φ0.28*2
N2
(內)Copper foil 0.025mm x 5mm
N3
三層絕緣線Φ0.6*1(19V)
N4
三層絕緣線Φ0.6*1(19V)
N5
(內)Copper foil 0.025mm x 5mm
15
1
1.1
1
4
1
4
15
EMI 之注意事項: 1. 由大電容正端到變壓器,出來後到MOSFET drain,source 到current
sense 最後到大電容地,此loop越短越好。 2. 由變壓器到Vcc電解電容的地,最後回到變壓器的地,此loop越短越好。 3. 由變壓器到diode經電解電容,最後回到變壓器的地,此loop越短越好。
Y cap spec: (Y1)
20
Y cap spec: (Y2)
21
X cap spec:
22
XFMR Structure:
Margin tape >3.2mm
一二次側需3 層3M tape
23
END
24
EMI loop
Y cap
14
Component selecting
LCL Common choke
0.01u/500V
RCD sunbber 1000p~2200pF 100K~200K
RC sunbber 100p~4700pF 10~47
trr
Fast diode
20~47 10~100
Qg/CissΒιβλιοθήκη 11.11
15
2
3
1.1
4
4
1.1
N6
Φ0.28*6(Vcc)
4
1
4
N7
Φ0.28*2
N8
(外)Copper foil 0.025mm x 7mm(貼CORE)
15
1
1.1
1
15
3
1
1.1
一次測地
6
XFMR spec
7
8
9
2.Surge loop
Differential mode
一,二次Y cap: 1000P~2200pF(越小越好,因阻抗越高) Common mode L,N to FG Y cap: 470P~2200pF