国立台北科技大学电子系及电通所诚徵专任教师一名

导师代码：10383导师姓名：金建勋性别：男出生年月：1962年08月特称：职称：教授学位：博士属性：专职电子邮件：jxjin@学术经历：1985年毕业于北京科技大学，物理化学系金属物理专业。

1992-97年，在澳大利亚政府工业及大学奖学金的支持下，分别在澳大利亚新南威尔士大学和卧龙岗大学，完成了与高温超导材料应用相关的硕士和博士学位研究工作，后成为研究员和高级研究员，澳大利亚政府研究理事会大型研究项目负责人。

IEEE应用超导和电磁装置国际会议主席，应用超导与电磁学学报主编，及电子科技大学学报编委等。

个人简介：1997年，成为澳大利亚研究理事会超导应用项目的研究员，从事高温超导及其强电应用研究。

2000年，成为澳大利亚研究理事会超导应用大型项目主要调研人，并在澳大利亚超导公司负责高温超导工业化及其电力应用技术的研究。

自1991年起，开始从事高温超导应用研究，是在澳大利亚最早从事高温超导强电应用及工业化发展的研究人员，并在该领域做出了国际公让的贡献。

是高温超导领域“Wollongong”式高温超导限流器的发明和原创研制人；也是高温超导电子谐振器的发明人。

主要研究领域包括高温超导材料工业制备，高温超导强电导线及磁体技术，高温超导测试技术及其物性分析，高温超导电力系统限流器、储能、直流输电、变压器等电力装置，高温超导直线电机和电机控制，及高温超导电子谐振器和高梯度磁分离等特种强电装量，曾获得多项澳大利亚政府及工业研究项目，世界超导大会奖等；并在超导及电力专业会议及学术刊物，如PhilosophicalMagazine B，Physica C，IEEE Transactions，Superconductivity Scienceand Technology，Advances in Cryogenic Engineering，Physics B, JEEE，Europhysics News， Applied Superconductivity and Electromagnetics等上发表了数百篇专业论文。

|人物|◎编辑|任红雨跨越海峡的芯片之光台湾教授林本坚没有浸润式光刻科技就没有IT的今天，毫不夸张。

世界上第一个提出这个科技的就是林本坚。

9月8日14时许，第三届“未来科学大奖”在北京揭晓。

林本坚摘得三项大奖之一的“数学与计算机科学奖”。

对于林本坚获奖，软银远景基金合伙人同时也是未来论坛理事会轮值主席的陈恂带着有点小激动的心情说：“大概从2006年开始至今，世界上所有的高端芯片——包括咱们人手一部的手机里的核心芯片、人工智能芯片、5G芯片、比特币挖矿芯片，无一不是浸润式光刻科技制造的。

说没有浸润式光刻科技就没有IT的今天，毫不夸张。

世界上第一个提出这个科技的就是林本坚。

”林本坚是谁？他做了什么？林本坚从小生长在越南西贡，父亲是当地英文高中的校长，高三那年，他独自一人来台就读新竹中学。

出于对物理的喜爱以及工作机会的思量，林本坚在隔年考台大时选择了电机系，进而与电磁波结缘。

从台大毕业后，林本坚又前往美国俄亥俄州立大学攻读博士学位。

回想美国的求学经历，林本坚笑说不只高手云集，课业也重。

“当时教我物理的是杨振宁的弟弟杨振平，要求很严格。

过去在台大我从没熬过夜，没想到在那边要熬夜赶功课。

”毕业时，IBM T.J. Watson ResearchCenter与贝尔实验室（Bell Labs）找上门来。

起初，林本坚还很纳闷，IBM一个电脑公司需要光学做什么？入职后才发现，原来芯片产业所有的零件和芯片都需要光学来做小型和微型化。

林本坚自己也没想到一做就是22年，谈到IBM的扎实经历，最让林本坚印象深刻的是同事间不吝分享、讨论的氛围。

尽管如此，林本坚在IBM的道路并非一帆风顺。

林本坚早年在IBM半导体部门做深紫外光光刻研究时，公司的发展主流，却是另一项X光微影科技。

不但人力资源远超过他的团队，而且，负责X光光刻的主管，同时也是林本坚的顶头上司。

他在公司处境之尴尬可想而知。

这位以好好先生著称，人们几乎没见过他发过脾气的“Burn爷爷”，竟不甘忍气吞声，以幽默的方式，公开与上司唱反调。

國立臺灣科技大學電子工程系教師研究室分配辦法
(82年10月2日，82學年度第一次系務會議通過)
(第一次修訂：83年9月22日，83學年度第一次系務會議通過)
(第二次修訂：101年12月26日,101學年第四次系務會議通過)
一、電子系(以下簡稱本系)為合理分配教師研究室，特定本辦法。

二、本系專任(案)教師以一人一間為原則。

三、新聘教師由系主任協調分配研究室。

四、本系若有空餘教師研究室，於每年一月及七月公告。

專任(案)教師欲更換其
研究室時，須於規定期限內提出申請，依以下原則分配：
1.依教授、副教授、助理教授、講師四職級順序分配。

2.職級相同者依任現職年月先後順序分配。

3.任現職年月相同者依到校年月之順序分配。

4.若任現職年月與到校年月都相同則採抽籤方式決定。

五、已有教師研究室之本系專任(案)教師如申請新研究室並獲准後，應於獲准日
後一個月內移清原研究室所有個人物品，將原研究室歸還系辦公室使用。

六、本系專任教師退休，應於退休生效日起一年內，移清個人物品，將原研究室
歸還系辦公室使用。

七、本系專任(案)教師離職，應於離職生效日起三個月內，移清個人物品，將原
研究室歸還系辦公室使用。

八、本辦法經本系系務會議通過後實施，修正時亦同。

1。

國立台北科技大學電子系暨電通所九十五學年第一學期期末系務會議工作報告賴柏洲報告，96/01/12 人事與師資1.本系所95學年度第二學期新聘教師案經系教評會審查結果，因本次無適當人選，本學年度暫不新聘專任教師。

2.本系所甲組因九十五學年度第二學期未聘得符合需求人選，96學年第一學期將繼續聘任專任師資一名，要求專長為「具計算機系統與計算機結構相關研究領域專長」，收件截止日期為96年3月1日。

3.本系所95學年第二學期續聘兼任教師朱雨其助理教授、曾銘健助理教授及沈吉來助理教授等三名教師。

4.本系謹訂於96年1月12日期末系所務會議結束後，搭乘校車前往台北縣新莊市五工路2號「船老大漁村」餐廳舉辦歲末聚餐，誠摯邀請全系所同仁共同參與。

本系同仁喜訊5.本系所邱弘緯老師於95.10.6與施芳斳小姐締結良緣，恭喜邱老師！招生事務6.本系所擬自98學年度停招日間部二技並將原有班級數轉招四技增加一班申請案，業經本校95.4.25校務會議審查通過，並已於95.12.28報教育部審理。

7.96學年電通所博士班招生名額共計19名，其中電通所甲組4名（一般招生3名、逕讀1名）、乙組4名（一般招生3名、逕讀1名）、丙組5名（一般招生4名、逕讀1名）、丁組6名（一般招生4名、逕讀2名）。

電通所碩士班推甄招生名額32名（甲組7名、乙組8名、丙組8名、丁組9名），一般招生名額為50名（甲組10名、乙組14名、丙組12名、丁組14名）；碩士在職專班「一般在職類」招生名額20名（每組各5名）、「高職教師類」招生名額8名（每組各2名）。

8.電通所碩士班96學年度推薦甄試，經95年12月8日面試完畢，並經招生委員會核定會議甲組錄取7名備取7名、乙組錄取8名備取6名、丙組錄取8名備取12名、丁組錄取9名備取19名，總計錄取32名，並已於95年12月29日放榜。

9.96學年度四技推甄，本系預計招生名額為高職考生25名、綜合高中7名，合計32名。

记恩师樊畿教授□文/袁传宽樊畿先生是上个世纪早期北大数学系毕业生，现在已经很少人还知道他。

他回国的机会比较少，他的很多情况更不为人所知。

实际上，樊先生的数学成就是十分杰出的，他对祖国的感情也是深厚的。

袁传宽是樊先生晚年的学生，现在他把樊先生的一生作了简要的介绍，这对于让更多的人了解樊先生的为人和学术成就，学习他的治学和爱国精神，都是有好处的。

——丁石孙科学出版社编辑出版的《中国现代科学家传记》是这样介绍樊畿教授的：“从线性分析到非线性分析，从有限维空间到无限维空间，从纯数学到应用数学，都留下他辉煌的科学业绩。

以樊畿命名的定理、引理、等式和不等式很多。

他在非线性分析、不动点理论、凸分析、集值分析、数理经济学、对策论、线性算子理论及矩阵论等方面的贡献，已成为许多当代论著的出发点和一些分支的基石。

”“冯·诺依曼在奇异值方面的工作由樊畿加以推广，他是算子谱论的主要贡献者。

”文中列举了几个以樊畿冠名的著名的数学理论：“樊畿极大极小原理”，“樊畿奇异值的渐近定理”，和“冯·诺依曼-樊畿-塞恩不动点定理”，并评论说：“‘樊畿的极大极小不等式’是处理对策论和数理经济学基础问题的有效和通用的工具。

”“这些纯数学结论又有极广泛的应用，尤其对数理经济学的发展促进很大。

例如，诺贝尔经济学奖获得者德布勒等创立的数理经济学基本定理就由樊畿极大极小不等式直接导出。

”上面这段话介绍的是樊畿教授的主要研究成就。

非专业人士尽可以忽略掉那些具体的数学名词，但需知道：上面提到的任何一项研究成果，都是举世公认的，对于大部分的数学家来说，都是可望而不可即的高峰。

樊畿证明的定理、创造的概念与发展的理论太多了，不论是否以他的名字冠名，大都成为经典，甚至被写进教科书，成为不朽的传世之作。

至今，国际上不知道有多少数学家还继续在樊畿那些开创性工作的基础之上进行发挥。

在国际上，樊畿与华罗庚、陈省身齐名，都是真正的华人之光。

在他们的名字前面，可以当之无愧地加上这样一个定语：世界著名的当代大数学家。

半导体器件物理施敏答案【篇一：施敏院士北京交通大学讲学】t>——《半导体器件物理》施敏 s.m.sze,男，美国籍，1936年出生。

台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士，台湾中研院院士，中国工程院外籍院士，三次获诺贝尔奖提名。

学历：美国史坦福大学电机系博士（1963），美国华盛顿大学电机系硕士（1960），台湾大学电机系学士（1957）。

经历：美国贝尔实验室研究（1963-1989），交通大学电子工程系教授（1990-），交通大学电子与资讯研究中心主任（1990-1996），国科会国家毫微米元件实验室主任（1998-），中山学术奖（1969），ieee j.j.ebers奖（1993），美国国家工程院院士（1995）, 中国工程院外籍院士 (1998)。

现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标等。

施敏院士在微电子科学技术方面的著作举世闻名，对半导体元件的发展和人才培养方面作出了重要贡献。

他的三本专著已在我国翻译出版，其中《physics of semiconductor devices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册；他的著作广泛用作教科书与参考书。

由于他在微电子器件及在人才培养方面的杰出成就,1991年他得到了ieee 电子器件的最高荣誉奖（ebers奖），称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。

施敏院士多次来国内讲学，参加我国微电子器件研讨会；他对台湾微电子产业的发展，曾提出过有份量的建议。

主要论著：1. physics of semiconductor devices, 812 pages, wiley interscience, new york, 1969.2. physics of semiconductor devices, 2nd ed., 868 pages, wiley interscience, new york,1981.3. semiconductor devices: physics and technology, 523 pages, wiley, new york, 1985.4. semiconductor devices: physics and technology, 2nd ed., 564 pages, wiley, new york,2002.5. fundamentals of semiconductor fabrication, with g. may,305 pages, wiley, new york,20036. semiconductor devices: pioneering papers, 1003 pages, world scientific, singapore,1991.7. semiconductor sensors, 550 pages, wiley interscience, new york, 1994.8. ulsi technology, with c.y. chang,726 pages, mcgraw hill, new york, 1996.9. modern semiconductor device physics, 555 pages, wiley interscience, new york, 1998. 10. ulsi devices, with c.y. chang, 729 pages, wiley interscience, new york, 2000.课程内容及参考书：施敏教授此次来北京交通大学讲学的主要内容为《physics ofsemiconductor device》中的一、四、六章内容，具体内容如下：chapter 1: physics and properties of semiconductors1.1 introduction 1.2 crystal structure1.3 energy bands and energy gap1.4 carrier concentration at thermal equilibrium 1.5 carrier-transport phenomena1.6 phonon, optical, and thermal properties 1.7 heterojunctions and nanostructures 1.8 basic equations and exampleschapter 4: metal-insulator-semiconductor capacitors4.1 introduction4.2 ideal mis capacitor 4.3 silicon mos capacitorchapter 6: mosfets6.1 introduction6.2 basic device characteristics6.3 nonuniform doping and buried-channel device 6.4 device scaling and short-channel effects 6.5 mosfet structures 6.6 circuit applications6.7 nonvolatile memory devices 6.8 single-electron transistor iedm，iscc, symp. vlsi tech.等学术会议和期刊上的关于器件方面的最新文章教材：? s.m.sze, kwok k.ng《physics of semiconductordevice》,third edition参考书：? 半导体器件物理(第3版)(国外名校最新教材精选)(physics of semiconductordevices) 作者:(美国)(s.m.sze)施敏 (美国)(kwok k.ng)伍国珏译者:耿莉张瑞智施敏老师半导体器件物理课程时间安排半导体器件物理课程为期三周，每周六学时，上课时间和安排见课程表：北京交通大学联系人：李修函手机：138******** 邮件：lixiuhan@案2013~2014学年第一学期院系名称：电子信息工程学院课程名称：微电子器件基础教学时数： 48授课班级： 111092a,111092b主讲教师：徐荣辉三江学院教案编写规范教案是教师在钻研教材、了解学生、设计教学法等前期工作的基础上，经过周密策划而编制的关于课程教学活动的具体实施方案。