电子束曝光EBL培训PPT演示课件

偏转器
偏转器用来实现电子束的偏转扫描。
物镜
将电子束进一步聚焦缩小，形成最后到达曝光表 面的电子束斑。
除以上部分外，电子束曝光系统还包括束流检测 系统、反射电子检测系统、工作台、真空系统、 图形发生器等。
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3.CABL9000C电子束曝光系统及关键参数
日本CRESTEC 公司生产的CABL9000C
最小束直径：直接影响电子束直 写的最小线宽。
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2.电子束曝光系统的结构与原理
离子泵 离子泵
2nm，最小尺寸20nm
加速电压：一般10~100keV，电 压越高，分辨率越高，邻近效应 越小，同时可曝光较厚的抗蚀剂 层。 30keV
电子束曝光（electron beam lithography）指利用某些 高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的，是光刻 技术的延伸。
紫外光
电子束
普通光刻
电子束曝光
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电磁透镜
它与光学聚光透镜的原理相同，能够聚焦电子束的束径，使电子最大 限度的到达曝光表面
消像散器
由于加工误差，电磁透镜的x、y方向的聚焦不一致，造成电子束斑椭圆化。 消像散器由多级透镜组成，能从不同方向对电子束进行校正
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电子束曝光概述 电子束曝光系统的结构与原理 CABL9000C电子束曝光系统及关键参数 电子束曝光的工艺程序 电子束曝光的极限分辨率 多层刻蚀工艺
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光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。 使用的光波长越短，光刻能够达到的精度越高。
紫外光波长:常用200~400nm之间
根据德布罗意的物质波理论，电子是一种波长极短的 波（加速电压为50kV，波长为0.0053nm）。这样，电 子束曝光的精度可以达到纳米量级，从而为制作纳米 结构提供了很有用的工具。
限制膜孔 电子探测器
工作台 分子泵
场发射电子枪
电子枪准直系统 电磁透镜 消像散器 偏转器
物镜
样品交换室
机械泵
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2.1 电子束曝光系统的结构 电子枪
0.5um
钨丝2700K
六硼化镧1800K
电子束曝光的电子能量通常在10~100keV
场发射电极 ZrO/W 电场强度:108N/C
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电子枪准直系统
整个电子光柱由各部分电子光学元 件组装起来，装配高度达1m左右。 任何微小的加工或装配误差都可能 导致电子枪的阴极尖端与最后一级 的透镜膜孔不在同一轴线上。因此 需要装一个准直系统，必要时对电 子枪发出的电子束进行较直。
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微纳研究中心超净室系列讲座
——电子束曝光系统（EBL）
张亮亮 2011年10月14日 微米纳米研究中心 Micro and Nano Technology Research Cen1ter
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1.电百度文库束曝光概述
1.1 电子束曝光是什么？
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1.2 电子束曝光有什么用？
电子束曝光能够在抗蚀剂上写出纳米级的图形，利用最高 级的电子束曝光设备和特殊显影工艺，能够写出10nm以下 的精细结构。 纳米器件的微结构 集成光学器件，如光栅，光子晶体 NEMS结构 小尺寸光刻掩模板