氧等离子体和UV辐射对Oxide-TFT性能影响的文献调研报告

第21卷　第4期2006年8月液　晶　与　显　示Chinese Jour nal of L iquid Cry stals and Display sVol .21,No .4Aug.,2006文章编号:1007-2780(2006)04-0309-05氧等离子体处理对ITO 薄膜表面性能的影响刘　陈1,朱光喜1,刘德明2(1.华中科技大学电子与信息工程系,湖北武汉　430074,E -mail :chliou @ ;2.华中科技大学光电子科学与工程学院,湖北武汉　430074)摘　要:利用原子力显微镜研究氧等离子体处理对I TO 薄膜的微观表面形貌及表面润湿性能的影响。

实验结果表明:经过氧等离子体处理,I T O 薄膜的平均粗糙度和峰-谷粗糙度减小,薄膜的平整度提高;而且表面吸附力增大近一倍,表面能增大,接触角减小,使I T O 薄膜表面的润湿性能和吸附性能得到改善。

关　键　词:IT O ;氧等离子体处理;原子力显微镜;表面形貌;润湿性中图分类号:T N 383;O 484.4 文献标识码:A 收稿日期:2006-03-15;修订日期:2006-05-22 基金项目:华中科技大学博士后科学基金(No.010*******)1　引 言ITO (铟锡氧化物)由于淀积过程中在薄膜中产生氧空位和Sn 掺杂取代而形成高度简并的n 型半导体,费米能级位于导带底之上,具有高载流子浓度(1020～1021cm 3)及低电阻率(2～4×10-4Ψ cm )[1,2];此外,I TO 的带隙较宽(E g =3.5～-4.3eV ),因而I TO 薄膜对可见光具有很高的透过率。

由于ITO 具有上述高透射率、低电阻率的特性,I TO 作为透明电极被广泛应用于有机电致发光器件(OLED )的制作[3,4]。

然而,由于ITO 属于非化学计量学化合物,薄膜的淀积条件、清洗方法及表面处理工艺都对I TO 薄膜表面的化学组成及表面性能产生深刻影响。

抗辐射SOI器件栅氧可靠性研究吴建伟;谢儒彬;顾祥;刘国柱【摘要】The paper focused on the radiation-hard SOI technology gate oxide reliability. Compared the gate oxide reliability of Si, SOI and radiation-hardened SOI. Found that the the process of ion-implant during the preparation of SOI and radiation-hard could affect the quality of thetop-Si in SOI. So that, reducing the gate oxide reliability. The constant-voltage stressing test was applied to estimate time-dependent dielectric breakdown life of gate oxide with radiation-hard process. The life of 12.5 nm gate oxide with radiation-hard process is about 14.65 years under 125℃high-temperature and 5.5 V work conditions. It can meet the requirement in the SOI radiation-hard technology.%对抗辐射SOI器件栅氧可靠性进行研究，比较了体硅器件、SOI器件、抗总剂量加固SOI器件的栅氧可靠性，发现SOI材料片的制备与抗总剂量加固过程中的离子注入工艺都会对顶层硅膜造成影响，进而影响栅氧可靠性。

氧等离子体和 UV 辐射对 Oxide-TFT 性能影响的文献调研报告1 TFT 的结构和工作原理薄膜晶体管（Thin Film Transistor）一般由栅极、有源层、绝缘层、源漏电极构成，如图一所示。

按照栅极的位置，可以把薄膜晶体管具体分为底栅（图a，b）和顶栅（图c，d）两种结构。

进一步我们按照源漏极、绝缘层与有源层的位置不同，又可分为顶接触结构（图a， c）和底接触结构（图b，d）。

图 1.1 薄膜晶体管结构示意图虽然 TFT的结构各有不同，但是其工作原理是大同小异的，如图二。

在TFT工作过程中，将 TFT 的源极接地，在栅极加上正电压V GS，栅极和半导体层之间就形成了以绝缘层为介质的平板电容器。

当 V GS增大时，一方面排斥绝缘层上面沟道区域的空穴，留下载流子耗尽层。

另一方面，在半导体界面处会有感应电子累积，形成反型层。

感应出的表面电荷的多少受到施加的栅极电压大小的影响。

这时在源漏极之间加上电压，就会有输出电流产生。

图 1.2 TFT 工作原理示意图氧化物半导体如ZnO， In 2O3， InGaZnO 等不仅迁移率比非晶硅高而且光学透过率高，还可以在低温工艺下制备，因此在AMLCD中使用低温透明氧化物必将有广阔的发展前景。

氧气浓度是影响 TFT 特性的一个关键参数，因为氧空位是自由载流子的主要来源。

通过优化氧气浓度，器件可以得到很高的迁移率，表现出更好的性质。

在器件制造完成后，在氧气氛围中退火可以影响半导体层的氧气浓度，更有效的降低电子陷阱的密度，这有助于提高TFT 的性能。

2 氧等离子体对Oxide-TFT的影响Brillson [1]在室温条件下对ZnO 进行氧气等离子体处理，以减少表面吸附杂质，发现ZnO 与Au，Pt ，Ir 的肖特接触均有显著的改善，处理后肖特基的势垒高度变大，理想因子减小。

氧等离子体处理减少了表面吸附杂质以及浅表面本征点缺陷，提供了一个更好的肖特基接触表面。

TAOS-TFTs to drive FPDS Features and Current StatusFPD International in china@ Beijing(Dec 10)Frontier Research Center & Materials and Structures Laboratory (MSL) Tokyo Institute of Technology, Yokohama, JAPAN 1. 2. 3. 4. Large mobility(10-20ｃｍ2/Vs) Easy fabrication by sputtering at LT Homogenous (no grain boudary) Optically transparentHideo HOSONOOutline‡ History of Oxide TFT ‡ Unique Characteristics of TAOS How unique and why cf. a-Si:H ‡ Features of a-InGaZnOx-TFT mobility, controllability, stabilization, tail state , negative bias-light illumination(NBL) instability ‡ FPD application ‡ Future issuesOxide TFTs and FPDs1950 1960 1970 1980 1990 2000 20101948 W. Shockley 1951 1960 pn JFET Si MOSFET High Tc Oxide Electronics Amorphous TCO Oxide TFT revival1975 a-Si:H 1979 a-Si:H TFT Commercialization 1983 5“ B/W LCD 1985 10” Color LCD 1961 CdS TFT 1996 Epi-SnO2:Sb (μeff ~1 cm2/Vs) ~1964 poly-SnO2 FET 2003 poly-ZnO TFT rush poly-In2O3 FET (gm=0.3mhos) 2005 LCD panel (Casio) 1968 ZnO FET 2006 AMOLED panel (ETRI) (gm=10mhos) 1995 TAOS 2004/11 TAOS –TFT(TIT) 2005/12 Flexible B/W E-Paper(Toppan) (TIT) 2006/12 Color E-Paper AMOLED panel (LG) 2007/8 AMOLED panel (Samsung) Flexible OLED(LG) 2008/1 AMLCD panel (Samsung)History of amorphous semiconductor and device application1950. 1960. 1970. 1980. 1990. 2000Photoconductivity in a-Se(Xerography) Glassy semicond.(V2O5 based oxide) Chalcogenide glass DVD) Switching and memory effect in a-chal. film a-Si:H ‘Giant-Microelectronics’Flexible electronics ( novel a-sc)Material design concept (electron pathway)covalent semicon. ionic oxide semicon. M:(n-1)d10ns0 (n≥5)crystalamorphousJNCS(1996),Nature(2004)Designing TAOS with a large e-Hall mobilityA TAOS Material : In2O3-Ga2O3-ZnO (IGZO)(Ne x1018cm-3)μHall5s04s04s0Glass substrate @ RTStructureIn-Zn-O (IZO) : > 30 cm2(Vs)-1) In-Ga-Zn-O (IGZO) : > 15 cm2(Vs)-1) J.Non-Cryst.Sol.(2006)Electron Transport Properties of a-IGZOEF>Emobility @ Ne>2x1018cm-3Mobility increases with Ne cf.c-SiTAOS is a first a-semiconductor in which Ef exceeds the mobility gapAPL(2004)Carrier doping in a-Si:HStreet Model(CBM)(PRL 1982)impossible(VBM)ArrowedP SiForbiddenP+ Si-EF cannot exceed the mobility gap by dopingSpear & LeComber, SSC(1975)Carriers are NOT generatedTail State Density from Device simulationa-IGZOAssumption: Constant mobility & two-step subgap DOSsa-Si:H10211018(depletion)(enhancement type)10161016EcDit=0.9×1011 cm-2/eV a-IGZO/a-SiO2 (annealed): S=0.12 V/dec (Dit=2.5x1011 cm-2) a-Si:H/a-SiNx:H (typical) : S=0.4 V/decEcR.A. Street (Ed.), Technology and Applications of Amorphous Silicon, Springer-Verlag, Berlin, 2000APL(2007)a-IGZO TFT on GlassField Effect Mobility μ= 14 cm 2(Vs)-1Cf. a=Si:Hμ=~1cm 2(Vs)-1Deposited by DC sputteringNature (2004), JJAP(2006), J.SID(2006)by substitutional doping a-Si:HglowdischargedSolid State Commun. J.Non-Cryst.Sol.Electron.Lett.sputtered evaporatede O2In-Zn-Ga-O (IGZO)form an extended conduction band by percolation of In 5s orbitals. form an extended conduction band bottom Phys.Rev.B(2006)In 5s 3D-connectedby percolation of In 5s orbitals.as-deposited as-deposited 300◦C annealedUnannealed Dry annealed Wet annealedEc Defect modelSubgap DOS (ATLAS)Wet annealing is effective to reduce subgap DOS.μexp : ~6.0 ~9.5 ~12 (cm 2/Vs)μcalc : ~6.5 ~9.0 ~11 (cm 2/Vs)N TA :~2.5 ~2.8 ~ 3.0(x1017 cm W TA : ~0.15 ~0.115 ~ 0.065 (eV)(a) (b)to λ>460nm Insensitive Cf. Bang gap ~390nmExcitation : hν= 7935.2 eVDetector : Gammadata Scienta Co., R4000-10KV Resolution : ~180 meVFilm surfaceSubgap defect(Peak energy ~2.7eV, width ~1.5eV) d < 2nm: 1020 cm-3VBM(CBM)Subgap state for a-IGZO・Exponential tail and deep states・Tail state DOS (~ 1017 cm-3)Small S-Value (0.1V/dec.)・Localized state (before annealing)・Deep state DOS (~ 1016 cm-3)・High density VB-DOS (> 1020 cm-3)Difficulty of inversion operation Low valence stateBy Hard X-ray PEAsian Mater.(2010)P h ~10cm s P h ~10cm sΔV th ~0 V ΔV th ~-1 V ΔV th >10 V Large V th shift under subgap light illuminationNegative V th shift by light illuminated NBSPositive charges at interface (ΔD it ) for L-NBS (3hours ): Unpassivated : ~3.2×1012 cm -2eV -1Passivated: ~3.7×1011 cm -2eV -1 Photo-induced hole trapping at channel / GI interfacehole or H +Prototype displays using a-IGZO-TFTs Front Drive StructureFront Drive StructureColor Filter ArrayTransparent TFTTransparent TFTArrayDisplay can be viewedDisplay can be viewedthrough transparent TFT array.M. Ito et.al., IEICE Trans. Electron, 90-C, 2105 (2007)IGZO sputter target for G8 26’ LCD (FPD International @Yokohama 2009)@FPD International at Makuhari (Nov.10)Oxide TFTs can be fabricated by heating in ambient atmosphere cf. Si, organicsHow realize the dense amorphous thin films at LT ? The key is the precursor. Collaboration with organic chemistswould be effective.for C-MOS: SnOTogo et al, PRB (2006)P-channel TFTSn5s -O2pO2p Sn5sSRAPL(2008)。

氧等离子体刻蚀对石墨烯性能的影响∗魏芹芹;何建廷【摘要】Exfoliated few layers graphene on silicon oxide were exposed into oxygen-plasma,Raman spectra, Atomic force microscope (AFM)and electrical measurement are used to characterize the influence of oxygen-plasma etching on the properties of graphene.Results show that lots of defects will be introduced to graphene by oxygen-plasma etching,and these defects will act as the initial point for the following etch,and layer by layer etching is realized.In addition,metal particles and organic materials deposition can be introduced during the ox-ygen-plasma etching.All these factors lead to linear decrease of the two-terminal conductance and n-type doping characteristics of graphene.%对机械剥离在Si O 2表面的多层石墨烯进行氧等离子体刻蚀，通过拉曼光谱、原子力显微镜和电学性能表征来研究氧等离子体轰击对石墨烯特性的影响。

结果表明氧等离子体轰击会在表层石墨烯中引入大量缺陷，大量缺陷的存在又会诱导对石墨烯的进一步刻蚀，从而实现逐层刻蚀石墨烯。

氧等离子体与UV辐射对Oxide-TFT性能影响的文献调研报告1 TFT的结构与工作原理薄膜晶体管(Thin Film Transistor)一般由栅极、有源层、绝缘层、源漏电极构成,如图一所示。

按照栅极的位置,可以把薄膜晶体管具体分为底栅(图a,b)与顶栅(图c,d)两种结构。

进一步我们按照源漏极、绝缘层与有源层的位置不同,又可分为顶接触结构(图a,c)与底接触结构(图b,d)。

图1、1 薄膜晶体管结构示意图虽然TFT的结构各有不同,但就是其工作原理就是大同小异的,如图二。

在TFT工作过程中,将 TFT的源极接地,在栅极加上正电压V GS,栅极与半导体层之间就形成了以绝缘层为介质的平板电容器。

当 V GS增大时,一方面排斥绝缘层上面沟道区域的空穴,留下载流子耗尽层。

另一方面,在半导体界面处会有感应电子累积,形成反型层。

感应出的表面电荷的多少受到施加的栅极电压大小的影响。

这时在源漏极之间加上电压,就会有输出电流产生。

图1、2 TFT工作原理示意图氧化物半导体如ZnO,In2O3,InGaZnO等不仅迁移率比非晶硅高而且光学透过率高,还可以在低温工艺下制备,因此在AMLCD中使用低温透明氧化物必将有广阔的发展前景。

氧气浓度就是影响 TFT 特性的一个关键参数,因为氧空位就是自由载流子的主要来源。

通过优化氧气浓度,器件可以得到很高的迁移率,表现出更好的性质。

在器件制造完成后,在氧气氛围中退火可以影响半导体层的氧气浓度,更有效的降低电子陷阱的密度,这有助于提高TFT的性能。

2 氧等离子体对Oxide-TFT的影响Brillson[1]在室温条件下对ZnO进行氧气等离子体处理,以减少表面吸附杂质,发现ZnO 与Au,Pt,Ir的肖特接触均有显著的改善,处理后肖特基的势垒高度变大,理想因子减小。

氧等离子体处理减少了表面吸附杂质以及浅表面本征点缺陷,提供了一个更好的肖特基接触表面。

Y、P、Deng团队[2]也通过实验发现O2等离子体处理可以通过减小MIZO膜的表面吸附物与表面缺陷,阻止表面电子积累层的形成来改善Pt/ZnO接触的肖特基特性。

激光锡等离子体极紫外光谱的优化研究下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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《核材料科学基础》课程考查辐射屏蔽材料调研报告辐射屏蔽材料调研报告摘要：辐射防护材料的研究制备成为科研领域最为重要的课题之一，对国防和民用有着极其重要的意义。

本报告先对按照射线的种类调研，X、γ射线，中子的屏蔽材料进行了调研，对于X射线，分高、低能量调研了现有的屏蔽材料、防护服等；对于γ射线，一般用铅及含铅的化合物进行辐射防护；对于中子，用含氢量较高的屏蔽材料进行防护，或者含硼的化合物进行屏蔽。

然后按照屏蔽材料种类调研，分别从非金属屏蔽材料、金属屏蔽材料及混凝土三个粗略的方面分析总结了一些屏蔽材料。

最后分别分析了屏蔽每种射线现有屏蔽材料的优缺点，并调研了现有研究成果，为给出屏蔽优化结果，总结了屏蔽材料的发展趋势。

关键字：屏蔽材料；X、γ、中子；含硼化合物；屏蔽优化引言在核反应堆和其他辐射源中通常因裂变和衰变而释放出带能力的中子和α、β粒子及γ射线，统称为辐射。

由于辐射对环境造成污染，对操作人员带来伤害，对装置、材料致发热、活化及性能降级是十分必要的，由于α、β粒子在空气中和固体中的射程很短，无需特殊的屏蔽。

相反，中子和γ射线的穿透能力很强，必须重视对它们的屏蔽。

屏蔽材料是根据其在不同核反应中特殊应用而设计制备的，材料的屏蔽效果或慢化特征显然是最重要的因素。

随着国防科研、放射医学和原子能工业的迅速发展，辐射屏蔽材料在越来越多的领域得到广泛应用，对辐射屏蔽材料的性能要求也越来越高，材料的物理学性能、抗辐照性能、热稳定性等也必须加以综合考虑，传统的辐射屏蔽材料如混凝土、不锈钢、铁等很难满足现有应用要求，比如说现有的一些屏蔽材料强韧性难以满足作为结构屏蔽材料的要求、耐热性不好、综合屏蔽效果不良、体积大难于移动及抗辐照能力较差等。

因此，对各种新型辐射屏蔽材料的研究便成为一项十分重要和迫切的课题。

中子与屏蔽材料的各原子核发生相互作用的结果，既可以改变中子的能量和运动方向，中子也可能被原子核吸收。

中子的散射分弹性散射和非弹性散射，除弹性散射外，所有的中子与屏蔽材料相互作用都能造成次级辐射。

等离子体的研究报告研究报告摘要：本研究报告旨在探讨等离子体的基本概念、性质及其在科学研究和工程应用中的重要性。

通过综合分析已有的相关文献和实验数据，我们对等离子体的物理特性、形成机制以及其在等离子体物理学、天体物理学、核聚变和等离子体工程等领域的应用进行了深入研究。

本报告的目的是为进一步推动等离子体研究领域的发展提供参考和指导。

1. 引言等离子体是一种由带电粒子和中性粒子组成的第四态物质，具有高度电离和电导性的特性。

它在自然界中广泛存在，如太阳、恒星、闪电等都包含等离子体。

在实验室中，通过高温、高能量激发或强电磁场作用下，也可以产生等离子体。

等离子体的研究对于理解宇宙演化、推动核聚变技术发展以及实现等离子体工程应用具有重要意义。

2. 等离子体的物理特性等离子体的物理特性主要体现在其电离状态和电导性上。

由于等离子体中带电粒子的存在，它具有高度电离的特性，可以表现出等离子体发光、等离子体波动等现象。

此外，等离子体还具有良好的电导性，可以传导电流和电磁波。

3. 等离子体的形成机制等离子体的形成机制主要包括热电离、光电离和电子碰撞离子化等过程。

在高温条件下，物质中的原子或分子可以通过吸收能量而电离，形成等离子体。

此外，强光照射或强电场作用下，也可以使物质电离形成等离子体。

4. 等离子体物理学的研究进展等离子体物理学是研究等离子体行为和性质的学科。

通过实验和理论模拟，研究者们揭示了等离子体的等离子体波动、等离子体湍流、等离子体辐射等基本特性。

此外，等离子体物理学还研究了等离子体与电磁场相互作用的机制，为等离子体在天体物理学和核聚变等领域的应用提供了理论基础。

5. 等离子体在天体物理学中的应用等离子体在天体物理学中扮演着重要角色。

例如，太阳等离子体的研究有助于理解恒星的形成、演化以及太阳风等现象的产生机制。

此外，等离子体的存在也对行星磁场和行星大气层的形成和演化产生重要影响。

6. 等离子体在核聚变中的应用等离子体在核聚变中的应用是目前研究的热点之一。

氧等离子体和UV辐射对Oxide-TFT性能影响的文献调研报告1 TFT的结构和工作原理薄膜晶体管（Thin Film Transistor）一般由栅极、有源层、绝缘层、源漏电极构成，如图一所示。

按照栅极的位置，可以把薄膜晶体管具体分为底栅（图a，b）和顶栅（图c，d）两种结构。

进一步我们按照源漏极、绝缘层与有源层的位置不同，又可分为顶接触结构（图a，c）和底接触结构（图b，d）。

图1.1 薄膜晶体管结构示意图虽然TFT的结构各有不同，但是其工作原理是大同小异的，如图二。

在TFT工作过程中，将 TFT的源极接地，在栅极加上正电压V GS，栅极和半导体层之间就形成了以绝缘层为介质的平板电容器。

当 V GS增大时，一方面排斥绝缘层上面沟道区域的空穴，留下载流子耗尽层。

另一方面，在半导体界面处会有感应电子累积，形成反型层。

感应出的表面电荷的多少受到施加的栅极电压大小的影响。

这时在源漏极之间加上电压，就会有输出电流产生。

图1.2TFT工作原理示意图氧化物半导体如ZnO，In2O3，InGaZnO等不仅迁移率比非晶硅高而且光学透过率高，还可以在低温工艺下制备，因此在AMLCD中使用低温透明氧化物必将有广阔的发展前景。

氧气浓度是影响 TFT 特性的一个关键参数，因为氧空位是自由载流子的主要来源。

通过优化氧气浓度，器件可以得到很高的迁移率，表现出更好的性质。

在器件制造完成后，在氧气氛围中退火可以影响半导体层的氧气浓度，更有效的降低电子陷阱的密度，这有助于提高TFT的性能。

2氧等离子体对Oxide-TFT的影响Brillson[1]在室温条件下对ZnO进行氧气等离子体处理，以减少表面吸附杂质，发现ZnO 与Au，Pt，Ir的肖特接触均有显著的改善，处理后肖特基的势垒高度变大，理想因子减小。

氧等离子体处理减少了表面吸附杂质以及浅表面本征点缺陷，提供了一个更好的肖特基接触表面。

Y.P. Deng团队[2]也通过实验发现O2等离子体处理可以通过减小MIZO膜的表面吸附物和表面缺陷，阻止表面电子积累层的形成来改善Pt/ZnO接触的肖特基特性。

薄膜晶体管研究进展许洪华1，徐 征2, 黄金昭2，袁广才2，孙小斌2，陈跃宁1（1.辽宁大学 物理系，沈阳 110036 ; 2.北京交通大学 光电子技术研究所，发光与光信息技术教育部重点实验室，北京 100044 )摘 要：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。

本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

关键词：薄膜晶体管；液晶显示；ZnO薄膜中图分类号:TN304；TQ050；TB742 文献标识码：AResearch Progress on Thin Film TransistorXU Hong-hua1, XU Zheng2, HUANG Jin-zhao2, YUAN Guang-cai2, SUN Xiao-bin2, CHEN Yue-ning1(1. Department of Physics, Liao-ninUniversity, Shenyang 110036 ; 2. Key Laboratory of Luminescence and OpticalInformation , Ministry of Education Institute of Optoelectronics Technology, Beijing Jiaotong University , Beijing 100044 ) Abstract: Thin film transistor（TFT）which is of great importance in the properties of display devices is the key device of liquid crystal display. In this paper, the research history and the operating principles of TFT are described, meanwhile, the outstanding properties and recent research progress on thin film transistor such as amorphous silicon TFT, polycrystalline silicon TFT, organic TFT and ZnO-Based TFT are analyzed. At last, the development trends of thin film transistor are forecasted.Key Words: thin film transistor; liquid crystal display; zinc oxide thin film1 引言纵观信息时代迅猛发展的各项技术，不论网络技术与软件，还是通信技术、计算机技术，如果没有TFT-LCD 为代表的平板显示技术做人机交互界面，就构不成现在的信息社会。

第43卷第6期2022年6月Vol.43No.6June,2022发光学报CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE不同功率O2或N2等离子处理TiN x阳极表面对硅基OLED发光性能的影响李祥1，2，刘海2，魏斌2，张建华2*（1.上海大学材料科学与工程学院，上海200444；2.上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室，上海200072）摘要：硅基有机发光二极管是微显示领域的一个重要研究方向。

本文以硅基微显示器件中阳极与有机层关键界面材料氮化钛为研究对象，通过研究不同条件的等离子处理引起的表面微结构形貌、功函数、载流子浓度、载流子迁移率、反射率以及X射线光电子能谱变化，探究有机发光性能的表面处理方法。

结果显示，合适功率的等离子处理（O2：60W或N2：80W）能够显著提升硅基显示器件的发光亮度（O2：70%，N2：128%）；同时，电流效率和功率效率分别提高了35%和58%。

通过比较各个参数，等离子处理改变的Ti和N元素的价态被认为可提高界面载流子浓度和迁移率从而优化发光性能。

该研究细化了一种新颖的硅基显示器件性能提升方法，为相关研究提供了方向。

关键词：等离子处理；硅基OLED；氮化钛；载流子浓度及迁移率中图分类号：TN383+.1文献标识码：A DOI：10.37188/CJL.20220046Influence of Different O2or N2Plasma Powers to TiNxAnode Surface onOLEDs-on Silicon PerformanceLI Xiang1，2，LIU Hai2，WEI Bin2，ZHANG Jian-hua2*（1.School of Materials Science and Engineering，Shanghai University，Shanghai200444，China；2.Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education，Shanghai University，Shanghai200072，China）*Corresponding Author，E-mail：jhzhang@Abstract：Organic light emitting diode on silicon is an important research topic in the microdisplay field.In the paper，we present a systematic study about the influence of plasma treatment to the tita‑nium nitride，which is the key interface between the anode and organic layers.The changes of char‑acteristic parameters，including the morphology of surface microstructure，work function，carrier concentration，carrier mobility，reflectance，and the X-ray photoelectron spectroscopy after plasma treatments，are summarized to optimize the performance of integrated organic light emitting diodes. The results show that the plasma treatment with appropriate power（60W for O2or80W for N2）can significantly improve the luminance（70%for O2and128%for N2）of display device on silicon. Meanwhile，the current and power efficiency are increased by35%and58%，respectively.It was revealed that the valence states of Ti and N are changed during the plasma treatment，which are con‑sidered to improve the interfacial carrier concentration and mobility for an enhanced luminescence 文章编号：1000-7032（2022）06-0934-10收稿日期：2022‑02‑14；修订日期：2022‑03‑06基金项目：国家自然科学基金（51725505）；上海市科委项目（18JC1410402，15JC1402000）；新型显示技术及应用集成教育部重点实验室开放基金资助项目Supported by National Natural Science Foundation of China（51725505）；Shanghai Science and Technology Commission（18JC1410402，15JC1402000）；The Open Fund of Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry ofEducation第6期李祥，等：不同功率O2或N2等离子处理TiN x阳极表面对硅基OLED发光性能的影响performance.This study elaborates an approach to improve the performance of a typical microdisplay device on silicon and provides a guide for related researches.Key words：plasma treatment；organic light emitting diode（OLED）-on silicon；titanium nitride；carrier concentra‑tion and mobility1引言有机发光二极管（Organic light emitting di‑ode，OLED）微显示器因分辨率高、重量轻、体积小、功耗低、响应时间快、对比度高、色彩丰富等特点，在军事和商业产品中的潜在应用受到了广泛关注，能够解决可穿戴电子设备大视图尺寸需求和小物理设备尺寸之间的矛盾[1-4]。

(10)申请公布号 (43)申请公布日 2014.06.25C N 103887344A (21)申请号 201410073460.7(22)申请日 2014.02.28H01L 29/786(2006.01)H01L 21/336(2006.01)(71)申请人上海和辉光电有限公司地址201506 上海市金山区工业区大道100号1幢二楼208室(72)发明人鲁海生(74)专利代理机构上海申新律师事务所 31272代理人吴俊(54)发明名称IGZO 薄膜晶体管及改善IGZO 薄膜晶体管电学性能的方法(57)摘要本发明提供了一种IGZO 薄膜层晶体管及改善IGZO 薄膜层晶体管电学性能的方法，包括以下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括一衬底，所述衬底之上部分表面形成有金属栅，所述金属栅及衬底上表面覆盖有一栅氧化层；制备一IGZO 薄膜层覆盖于所述栅氧化层上方，刻蚀所述IGZO 薄膜层形成有源层和像素电极区，在所述IGZO 薄膜层上方依次形成源电极、漏电极和钝化层；其中，在刻蚀所述IGZO 薄膜层形成有源层后，采用等离子处理工艺对所述IGZO 薄膜层表面进行处理。

本发明通过采用含氧等离子体和UV 辐射对IGZO 薄膜层进行处理，改善IGZO 薄膜的氧含量，减少IGZO 薄膜与栅氧化层之间晶格缺陷，同时还可消除IGZO 薄膜表面的杂质及缺陷，提高器件性能。

(51)Int.Cl.权利要求书1页 说明书4页 附图1页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书4页 附图1页(10)申请公布号CN 103887344 A1/1页1.一种改善IGZO 薄膜晶体管电学性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括一衬底，所述衬底之上部分表面形成有金属栅，所述金属栅及衬底上表面覆盖有一栅氧化层；制备一IGZO 薄膜层覆盖于所述栅氧化层上方，刻蚀所述IGZO 薄膜层形成有源层和像素电极区，在所述IGZO 薄膜层上方依次形成源电极、漏电极和钝化层；其中，在刻蚀所述IGZO 薄膜层形成有源层后，采用等离子处理工艺对所述IGZO 薄膜层表面进行处理。

2023年金属氧化物TFT显示器背板行业市场研究报告金属氧化物 (Metal Oxide) 薄膜晶体管 (Thin Film Transistor, TFT) 是一种用于液晶显示器的关键技术。

金属氧化物TFT显示器背板是TFT液晶显示器的核心部件之一，影响着显示器的像素响应速度、亮度和色彩表现等方面。

本篇市场研究报告将对金属氧化物TFT显示器背板行业的市场现状、发展趋势和竞争情况进行分析。

一、市场现状金属氧化物TFT显示器背板行业在近年来取得了快速发展。

随着智能手机、平板电脑和电视等消费电子产品的普及，对高画质、高刷新率的显示器需求不断增长，从而推动了金属氧化物TFT显示器背板的市场需求。

目前，金属氧化物TFT显示器背板市场主要由韩国和日本两家厂商主导。

韩国三星和LG是全球最大的液晶显示器制造商，其在金属氧化物TFT显示器背板领域拥有技术和市场优势。

此外，日本日立、夏普和索尼也在该领域积极布局，其产品质量和技术水平也得到了认可。

二、发展趋势金属氧化物TFT显示器背板行业将继续向高分辨率、高亮度和高色彩还原能力的方向发展。

随着4K、8K分辨率的液晶显示器逐渐普及，对金属氧化物TFT显示器背板的要求也越来越高。

此外，互联网智能化时代的到来，对显示器的需求将更注重于交互性、功能性和人机界面的体验，因此金属氧化物TFT显示器背板行业需提升产品的快速响应性能和稳定性。

另外，环保和能源消耗也是金属氧化物TFT显示器背板行业发展的重要趋势。

传统的金属氧化物TFT显示器背板生产工艺消耗较大并产生环境污染，因此大多数厂商开始关注绿色生产技术的研发和应用。

例如，采用低温多晶硅 (Low Temperature Poly-Silicon, LTPS) 和无辐照退火 (No Annealing) 工艺可降低能源消耗和环境污染。

三、竞争情况金属氧化物TFT显示器背板行业竞争激烈，主要体现在技术创新和成本控制等方面。

在技术创新方面，厂商们不断研发新的金属氧化物材料和制备工艺，以提高显示器背板的性能和可靠性。

氧等离子体对GaN HEMT器件的影响【摘要】研究了不同条件下氧等离子体对GaN器件表面的影响。

在合适的条件下，氧等离子体可以使AlGaN表面发生氧化，形成Al2O3薄氧化膜，提高肖特基势垒，从而降低GaN器件的阈值电压，提高器件导通电流。

该结果可望用于更高性能AlGaN/GaN HEMT器件制备的应用中。

【关键词】高电子迁移率晶体管（HEMT）；阈值电压；氧等离子体处理；跨导1.引言宽禁带半导体材料氮化稼（GaN），以其良好的物理化学特性、电学特性成为目前研究最多的半导体材料，它是继第一代半导体材料硅（Si）和第二代半导体材料砷化嫁（GaAs）、磷化嫁（GaP）、磷化锢（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体材料。

与目前大多数的半导体材料相比，GaN半导体材料具有一系列优异的物理和化学性质，有禁带宽度大，电子饱和漂移速度大，热导率高，热稳定性好等特点，已成为当前高科技领域的研究重点。

自从1991年首次报道以来，虽然AlGaN/GaN HEMT的器件性能一直在不断提高，但是要真正实现实用化，应用于集成电路中，仍有许多需要解决的问题，如如何更好更简单的调节器件阈值电压、提高器件的导通电流就是其中之一。

本实验提出了一种简单方便的降低器件阈值电压、提高器件导通电流的栅表面处理方法。

通过氧等离子体对HEMT器件AlGaN表面进行氧化处理，提高了器件肖特基势垒，降低了器件阈值电压。

同时氧等离子体处理的表面不会引入新的绝缘膜而影响器件特性。

图1 AlGaN/GaN异质结示意图图2 栅金属形成后器件图（AlGaN周围浅绿色为栅金属8nm Au）2.结构与工艺HEMT的基本结构就是一个调制掺杂异质结，如图1所示，AlGaN/GaN HEMT器件的AlGaN和GaN界面处会形成一个2DEG的表面通道，此2DEG受控于栅极电压。

零偏时，GaN的导带边缘低于费米能级，表明存在大密度2DEG；在栅极加负电压时，GaN的导带边缘会逐渐上升，2DEG的密度减少，当负电压达到一定值后，GaN的导带边缘会高于费米能级，这就意味着2DEG被耗尽，HEMT的沟道中电流几乎为零，将这一电压称为阈值电压。

氧等离子体反应器中氧化铝电介质特性徐书婧;李日红;俞哲;田一平;张芝涛【摘要】绝缘电介质层是氧等离子体反应器中的重要组成部分,高性能的电介质材料保证了氧等离子体反应器能够高效、稳定的运行.本文对氧化铝电介质材料的特性以及氧等离子体反应器长时间工作后电介质材料的特性变化进行了研究.结果表明,α-Al2O3电介质层表面光滑平整、无缺陷,相对介电常数约为9.79,具有较高的体积电阻率和表面电阻率,损耗因数很小,有利于氧等离子体反应器效能的提升;长时间工作后的α-Al2O3电介质层基底表面结构、相对介电常数与体积电阻率基本不变,但其表面会附着一层由316L不锈钢电极表面溅射产生的黄褐色固态颗粒物,降低电介质层的表面电阻率.研究结果对优化氧等离子体反应器具有一定的意义.%An insulating dielectric layer is the essential component of oxygen plasma reactor.High performance dielectric materials ensure that the oxygen plasma reactor could work efficiently and stably.In this paper,the characteristics of alumina dielectric are investigated before and after aging.The surface of α-Al2O3 dielectric layer is smooth even has no defects,the relative permittivity is about 9.79.Its higher volume resistivity and lower loss factor help to improve the efficiency of oxygen plasma reactor.After working 50 hours,the substrate,relative permittivity and volume resistivity of α-Al2O3 dielectric layer are unchanged.But some substances from the sputtering of stainless steel electrodes are on the surface of dielectric layer,which reduce the surface resistivity.The results are meaningful for the optimization of oxygen plasma reactor.【期刊名称】《电工技术学报》【年(卷),期】2017(032)008【总页数】8页(P74-81)【关键词】介质阻挡放电;电介质;活性氧粒子;氧化铝陶瓷【作者】徐书婧;李日红;俞哲;田一平;张芝涛【作者单位】大连海事大学轮机工程学院大连 116026;大连海事大学轮机工程学院大连 116026;大连海事大学物理系大连 116026;大连海事大学物理系大连116026;大连海事大学轮机工程学院大连 116026;大连海事大学物理系大连116026【正文语种】中文【中图分类】O539利用介质阻挡放电（Dielectric Barrier Discharge，DBD）产生高浓度活性氧粒子（O3,O2+,O2-等），配合高效的气液混溶技术高效产生羟基自由基，实现高级氧化技术，可被应用船舶压载水处理领域[1,2]。

2023年金属氧化物TFT显示器背板行业市场分析现状金属氧化物（Metal Oxide）薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）显示器背板是一种重要的显示器制造材料，广泛应用于液晶显示器、有机发光二极管显示器等各种平面显示器中。

随着电子消费品市场的快速发展，金属氧化物TFT显示器背板行业也呈现出快速增长的态势。

目前，金属氧化物TFT显示器背板行业市场正处于快速扩张期。

市场需求的不断增长，推动了金属氧化物TFT显示器背板行业的发展。

随着消费电子产品的不断升级换代，对显示技术的要求也越来越高，从传统的CRT显示器到液晶显示器再到有机发光二极管显示器，每一代显示技术的推出都给金属氧化物TFT显示器背板行业带来了新的市场机遇。

当前，金属氧化物TFT显示器背板行业市场主要有两大应用领域：一是液晶显示器市场，二是有机发光二极管显示器市场。

在液晶显示器市场中，金属氧化物TFT显示器背板是替代传统硅基背板的重要选择。

金属氧化物TFT显示器背板具有较高的机械强度、较好的热稳定性和较高的电学性能，能够满足液晶显示器对背板的要求。

此外，金属氧化物TFT显示器背板制造工艺相对简单，生产成本相对较低，也是液晶显示器制造商的首选。

在有机发光二极管显示器市场中，金属氧化物TFT显示器背板的应用将更加广泛。

有机发光二极管显示器具有自发光、高亮度、高对比度、视角宽等优点，是下一代平面显示技术的重要发展方向。

而金属氧化物TFT显示器背板具有较高的电学性能和热稳定性，非常适合用于有机发光二极管的驱动和控制。

然而，金属氧化物TFT显示器背板行业市场发展仍面临一些挑战。

首先，金属氧化物TFT显示器背板制造工艺复杂，特别是在大尺寸、高分辨率显示器背板制造中技术难度较大，制造成本较高。

其次，金属氧化物TFT显示器背板材料的稳定性和可靠性还需要进一步提高，以满足不断提升的显示品质要求。

再次，金属氧化物TFT显示器背板行业市场竞争激烈，尤其是来自韩国和日本的竞争对手具有较强的技术实力和市场份额，影响了国内企业的竞争力。