直拉单晶工艺流程简介2011.3

直拉单晶操作规程拉晶工艺流程包括拆炉清炉清理石墨件装炉抽空熔硅料引晶放肩转肩投自动等径收尾停炉1.拆炉:准备好不锈钢推车，（车面保持干净）专用擦试布，无水乙醇及相应的工具。

先拧开副室门螺丝,打开副室氩气阀门充气,待真空表压力到零位置时,炉内外气压平衡,开启副室门,把晶棒升至副室内, 升起副室炉筒,转副室炉筒时必须把托盘移至副室以下,防止晶棒脱落.然后旋转副室移至取晶框上,稳定晶棒后,快降晶体至取晶框内.待晶棒与接晶框落稳后，然后带手套抓住细颈稍带点力向下攥,用钳子把细颈剪断,再慢慢松细颈，直至钢丝绳搞正完全消失（防止钢丝绳转圈导致钢丝绳开叉），查看一下钢丝绳是否完好，如开叉或断股要剪掉一段，必要时需更换新钢丝绳。

检查重锤表面是否有氧化层，如有，必须用细砂纸打磨干净，然后带好专用手套取出导流筒,保温盖,三瓣埚,石墨托盘,托杆,送至清石墨件房,待自然冷却后进行清理,特别注意托杆上有无硅点情况,(防止没有清理干净,与托杆护套摩擦在拉晶过程中液面抖动.)2.清炉与清石墨件:清理炉子的副室炉筒,小副室,炉盖,炉筒,用长纤维纸,酒精把以上部位全部擦拭干净,做到长纤维纸擦拭过后无污迹。

每炉必清排气口,以免造成排气口堵塞,挥发物过多;用吸尘器吸干净保温罩与加热器上下的挥发物,吸净碳毡上的毡毛。

需保证在晶体的生长过程中尽量避免不起毛，无挥发物等杂质进入料中。

清理石墨件的时候必须注意观察石墨埚的厚度，能不能达到要求，是否有裂纹等。

把石墨件上的挥发物与一些杂质清理干净。

若石墨件上溅有硅料，应用什锦挫或细沙布打磨除去，必要时用砂轮机打磨。

注意：清理石墨件的时候必须注意轻拿轻放，防止造成内裂！3.装炉：安装石墨件时各部位应相互吻合牢固，发现异常及时进行修正，打开埚转，观察石墨埚转动是否平稳，四周与加热器的间距是否匀称，检查取光孔是否对准，检查与钢丝绳软轴是否有异常。

装炉应按其程序规范操作：原料准备检查石英坩埚打开原料袋去掉外层塑料袋，然后准备装炉。

简述直拉单晶硅工艺流程及各步骤注意事项下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor.I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!简述直拉单晶硅工艺流程及各步骤注意事项直拉单晶硅（Czochralski Process，简称CZ法）是半导体行业中广泛采用的硅晶体制备技术，主要用于制造集成电路和太阳能电池片。

直拉硅单晶生长工艺流程注意事项下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。

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直拉单晶硅的制备工艺内容提要：单晶硅根据硅生长方向的不同分为区熔单晶硅，外延单晶硅和直拉单晶硅。

直拉单晶硅的制备工艺一般包括多晶硅的装料和熔化，种晶，缩颈，放肩，等径和收尾。

目前，单晶硅的直拉生长法已经是单晶硅制备的主要技术，也是太阳电池用单晶硅的主要制备方法。

关键词：直拉单晶硅，制备工艺一，直拉单晶硅的相关知识硅单晶是一种半导体材料。

直拉单晶硅工艺学是研究用直拉方法获得硅单晶的一门科学，它研究的主要内容：硅单晶生长的一般原理，直拉硅单晶生长工艺过程，改善直拉硅单晶性能的工艺方法。

直拉单晶硅工艺学象其他科学一样，随着社会的需要和生产的发展逐渐发展起来。

十九世纪，人们发现某些矿物，如硫化锌、氧化铜具有单向导电性能，并用它做成整流器件，显示出独特的优点，使半导体材料得到初步应用。

后来，人们经过深入研究，制造出多种半导体材料。

1918年，切克劳斯基（J Czochralski）发表了用直拉法从熔体中生长单晶的论文，为用直拉法生长半导体材料奠定了理论基础，从此，直拉法飞速发展，成为从熔体中获得单晶一种常用的重要方法。

目前一些重要的半导体材料，如硅单晶，锗单晶，红宝石等大部分是用直拉法生长的。

直拉锗单晶首先登上大规模工业生产的舞台，它工艺简单，生产效率高，成本低，发展迅速；但是，锗单晶有不可克服的缺点：热稳定性差，电学性能较低，原料来源少，应用和生产都受到一定限制。

六十年代，人们发展了半导体材料硅单晶，它一登上半导体材料舞台，就显示了独特优点：硬度大，电学热稳定性好，能在较高和较低温度下稳定工作，原料来源丰富。

地球上25.8%是硅，是地球上锗的四万倍，真是取之不尽，用之不竭。

因此，硅单晶制备工艺发展非常迅速，产量成倍增加，1964 年所有资本主义国家生产的单为晶硅50-60 吨，70年为300-350 吨，76年就达到1200吨。

其中60%以上是用直拉法生产的。

随着单晶硅生长技术的发展，单晶硅生长设备也相应发展起来，以直拉单晶硅为例，最初的直拉炉只能装百十克多晶硅，石英坩埚直径为40毫米到60毫米，拉制单晶长度只有几厘米，十几厘米，现在直拉单晶炉装多晶硅达40 斤，石英坩埚直径达350毫米，单晶直径可达150毫米，单晶长度近2米，单晶炉籽晶轴由硬构件发展成软构件，由手工操作发展成自动操作，并进一步发展成计算机操作，单晶炉几乎每三年更新一次。

直拉单晶硅工艺流程直拉单晶硅工艺流程直拉单晶硅是一种用于制备硅片的工艺流程，常用于太阳能电池板制造。

下面将介绍直拉单晶硅的工艺流程。

首先，制备源硅材料。

该工艺流程需要用到高纯度的硅材料，通常采用电石法或气相法制备。

电石法中，将优质的石英矿石与煤、木炭等还原剂混合，在电弧炉中高温还原制备气体硅烷。

气相法则通过加热二氯硅烷等有机硅物质，制备出高纯度的单晶硅。

接下来，准备单晶硅材料。

将制备好的高纯度硅材料溶解在溶剂中，形成单晶硅溶液。

然后将溶液倒入特制的石英坩埚中，并在高温下进行晶体生长。

在晶体生长过程中，控制好温度和浓度，使得硅原子有序排列，最终形成单晶硅。

然后，进行单晶硅块切割。

将生长好的单晶硅块取出，经过去刺槽和打磨处理，将边界去除，得到整齐的单晶硅块。

接下来，使用线锯将单晶硅块切割成厚度约为200至300微米的硅片。

接下来是表面处理。

将切割好的硅片进行去氧化处理，去除表面的氧化层。

然后使用化学或机械方法对硅片表面进行抛光处理，使其表面光洁度达到要求。

随后是掺杂过程。

通过扩散、离子注入或气相外延等方法，在硅片上注入掺杂剂，以改变硅片的电学性质。

例如，在太阳能电池板制造中，通常将硼或磷等掺杂剂注入硅片，形成PN结构。

最后是光刻和化学蚀刻。

光刻是将光引进硅片中，通过掩膜技术在硅片上形成微观结构。

然后使用化学蚀刻液将不需要的部分腐蚀掉。

通过光刻和化学蚀刻的反复过程，可以制备出太阳能电池板的各种结构和电路。

总结起来，直拉单晶硅的工艺流程包括制备源硅材料、单晶硅生长、切割、表面处理、掺杂、光刻和化学蚀刻等步骤。

这个工艺流程是制备太阳能电池板所必须的，通过不断探索和改进工艺，可以提高单晶硅的质量和效率，推动太阳能电池板的发展。

直拉法单晶硅工艺过程和技术改良直拉法单晶硅工艺过程和技术改良直拉法单晶硅工艺过程－引晶：通过电阻加热，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔点的温度，将籽晶浸入熔体，然后以一定速度向上提拉籽晶并同时旋转引出晶体；－缩颈：生长一定长度的缩小的细长颈的晶体，以防止籽晶中的位错延伸到晶体中；－放肩：将晶体控制到所需直径；－等径生长：根据熔体和单晶炉情况，控制晶体等径生长到所需长度；－收尾：直径逐渐缩小，离开熔体；－降温：降底温度，取出晶体，待后续加工直拉法－几个根本问题最大生长速度晶体生长最大速度与晶体中的纵向温度梯度、晶体的热导率、晶体密度等有关。

提高晶体中的温度梯度，可以提高晶体生长速度；但温度梯度太大，将在晶体中产生较大的热应力，会导致位错等晶体缺陷的形成，甚至会使晶体产生裂纹。

为了降低位错密度，晶体实际生长速度往往低于最大生长速度。

熔体中的对流相互相反旋转的晶体〔顺时针〕和坩埚所产生的强制对流是由离心力和向心力、最终由熔体外表张力梯度所驱动的。

所生长的晶体的直径越大〔坩锅越大〕，对流就越强烈，会造成熔体中温度波动和晶体局部回熔，从而导致晶体中的杂质分布不均匀等。

实际生产中，晶体的转动速度一般比坩锅快1-3倍，晶体和坩锅彼此的相互反向运动导致熔体中心区与外围区发生相对运动，有利于在固液界面下方形成一个相对稳定的区域，有利于晶体稳定生长。

生长界面形状〔固液界面〕固液界面形状对单晶均匀性、完整性有重要影响，正常情况下，固液界面的宏观形状应该与热场所确定的熔体等温面相吻合。

在引晶、放肩阶段，固液界面凸向熔体，单晶等径生长后，界面先变平后再凹向熔体。

通过调整拉晶速度，晶体转动和坩埚转动速度就可以调整固液界面形状。

生长过程中各阶段生长条件的差异直拉法的引晶阶段的熔体高度最高，裸露坩埚壁的高度最小，在晶体生长过程直到收尾阶段，裸露坩埚壁的高度不断增大，这样造成生长条件不断变化〔熔体的对流、热传输、固液界面形状等〕，即整个晶锭从头到尾经历不同的热历史：头部受热时间最长，尾部最短，这样会造成晶体轴向、径向杂质分布不均匀。