浙江大学模电答案
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浙江大学模拟电子技术基础期末考试试卷本试卷共10 题一、判断下列说法是否正确,凡对者打“√”,错者打“×”(本大题分2小题,每小题5分,共10分)1.试判断下列说法是否正确,正确的在括号中画“√”,否则画“×”。
1)一个理想对称的差分放大电路,只能放大差模输入信号,不能放大共模输入信号。
( )2)共模信号都是直流信号,差模信号都是交流信号。
( )3)对于长尾式差分放大电路,不论是单端输入还是双端输入,在差模交流通路中,发射极电阻Re 一概可视为短路。
( )4)在长尾式差分放大电路单端输入情况时,只要发射极电阻Re 足够大,则Re 可视为开路。
( )5)带有理想电流源的差分放大电路,只要工作在线性范围内,不论是双端输出还是单端输出,其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比,而与两个输入端电压本身的大小无关。
( )2.试判断下列说法是否正确,正确的在括号中画“ ? ”,否则画“×”。
1)负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
( )2)正反馈放大电路有可能产生自激振荡。
( )3)满足自激振荡条件的反馈放大电路,就一定能产生正弦波振荡。
( )4)对于正弦波振荡电路,只要满足相位平衡条件,就有可能产生正弦波振荡。
( )5)对于正弦波振荡电路,只要满足自激振荡的平衡条件,就有可能自行起振。
( )二、选择正确答案填入空白内,只需填入 A 、B 、C 、D(本大题6分)在图示电路中,已知变压器副边电压有效值U2=20V ,变压器内阻和二极管导通电压均可忽略不计,R<<RL(R为电感线圈电阻),uD波形如图所示,选择填空:1 .输出电压平均值UO约为( );A.28VB.24VC.18V2 .整流电路中二极管的导通角( );A.大于B.约等于C.比小得多3 .当负载电阻减小时,输出的纹波电压幅值将( )。
A.增大B.不变C.减小三、解答下列各题(本大题10分)图示电路中,A1~A5都是理想运放。
第二篇第5章习题题2.5.1在图题2.5.1所示电路中,设电容C =1μF ,R b =100k Ω,r be =1k Ω,R c =2k Ω,β=100,R s =0。
(1)求电路的下限频率f L ;(2)当信号源频率下降到下限频率f L 时,电压放大倍数为多少?输出电压与信号源电压的相位差为多少?图题2.5.1解:(1)下限频率是由放大电路中的耦合电容和射极旁路电容引起的,该电路中只有输入回路的耦合电容器,所以只要]求该电容器两端的等效电阻后,就能求得下限频率f L 。
Hz 159101021)//((212163=××≈+==−πππC R r R C R f S be b i L (2)当信号源频率下降到下限频率f L 时,电压放大倍数为中频区的0.707倍(即-3dB),20012100−=×−=β−=be c vm r R A ̇∴140707.0−==vmvL A A ̇̇在低频段,输出电压是超前输入信号频率的,而在下限频率点上,正也超前+45O。
所以,输出电压与输入电压的相位差为-180°+45°=-135°题2.5.2某放大电路电压放大倍数的频率特性表达式为()()kHz 50/1Hz 10/1)Hz 10/(100jf jf jf A v ++−=̇画出其波特图,求其下限截止频率f L 和上限截止频率f H 。
解:这是一个全频段的频率特性复数表达式,从该式就能确定上、下限频率。
也可以画出幅频特性和相频特性后求出上、下限频率。
其波特图如下。
所以有,f L =10Hz ,f H =50kHz 。
题2.5.3某放大电路电压放大倍数高频段的频率特性表达式为()()MHz 1/1kHz 100/1100jf jf A v ++−=̇画出其波特图,求其上限截止频率f H 的近似值。
解:因为该复数表达式有两个转折频率点,所以采用近似的渐近线画出的波特图为:根据上、下限频率定义,有上限截止频率f H ≈100kHz 。
第二篇 第3章习题题2.3.1 某集成运放的一个偏置电路如图题2.3.1所示,设T 1、T 2管的参数完全相同。
问:(1) T 1、T 2和R REF 组成什么电路?(2) I C2与I REF 有什么关系?写出I C2的表达式。
图题2.3.1解:(1) T 1、T 2和R 2组成基本镜像电流源电路。
(2) I C2与参考电流I REF 相同,REFBECC REF C R V V I I -==2题2.3.2 在图题2.3.2所示的差分放大电路中,已知晶体管的β =80,r be =2 k Ω。
(1) 求输入电阻R i 和输出电阻R o ;(2) 求差模电压放大倍数vdA 。
图题 2.3.2解:(1) 该电路是双端输入双端输出电路,所以差模输入电阻:1.4)05.02(2)(2=+⨯=+=e be i R r R k Ω差模输出电阻为:R o =2R c =10 k Ω(2) 差模电压放大倍数为:6605.0812580)1(-=⨯+⨯-=β++β-=ebe cvdR r R A题2.3.3 在图题2.3.3所示的差动放大电路中,设T 1、T 2管特性对称,β1=β2=100,V BE =0.7V ,且r bb ′=200Ω,其余参数如图中所示。
(1) 计算T 1、T 2管的静态电流I CQ 和静态电压V CEQ ,若将R c1短路,其它参数不变,则T 1、T 2管的静态电流和电压如何变化?(2) 计算差模输入电阻R id 。
当从单端(c 2)输出时的差模电压放大倍数2d A =?; (3) 当两输入端加入共模信号时,求共模电压放大倍数2c A 和共模抑制比K CMR ; (4) 当v I1=105 mV ,v I2=95 mV 时,问v C2相对于静态值变化了多少?e 点电位v E 变化了多少?图题2.3.3解:(1) 求静态工作点:mA56.0102101/107122)1/(1=⨯+-=+β+-=eb BE EE CQ R R V V IV7.07.01010056.01-≈-⨯-=--=BE b BQ E V R I VV1.77.01056.012=+⨯-=--=E c CQ CC CEQ V R I V V若将R c1短路,则mA56.021==Q C Q C I I (不变)V7.127.0121=+=-=E CC Q CE V V VV1.77.01056.0122=+⨯-=--=E c CQ CC Q CE V R I V V (不变)(2) 计算差模输入电阻和差模电压放大倍数:Ω=⨯+=β++=k 9.456.026101200)1('EQT bb be I V r rΩ=+⨯=+=k 8.29)9.410(2)(2be b id r R R5.338.2910100)(22=⨯=+β=be b c d r R R A(3) 求共模电压放大倍数和共模抑制比:5.0201019.410101002)1(2-=⨯++⨯-=β+++β-=ebe b cc R r R R A675.05.3322===c d CMRA A K (即36.5dB ) (4) 当v I1=105 mV ,v I2=95 mV 时,mV 109510521=-=-=I I Id v v v mV100295105221=+=+=I I Ic v v vmV 285100)5.0(105.33222=⨯-+⨯=⋅+⋅=∆Icc Id d O v A v A v 所以,V O2相对于静态值增加了285 mV 。
第一篇 第2章习题题 1.2.1 有二个晶体管,一个200=β,A I CEO μ200=;另一个50=β,A I CEO μ10=,其余参数大致相同。
你认为应选用哪个管子较稳定?解: 选β=50,I CEO =10μA 的管子较稳定。
穿透电流大,电流放大系数也大的管子稳定性较差。
题 1.2.2 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号,但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压分别为:甲管V V X 9=,V V Y 6=,V V Z 7.6=;乙管V V X 9-=,V V Y 6-=,V V Z 2.6-=。
试分析三个电极中,哪个是发射极、基极和集电极?它们分别是NPN 型还是PNP 型,是锗管还是硅管? 解: 甲管为NPN 型硅管,其中X 为C 极,Y 为E 极,Z 为B 极; 乙管为PNP 型锗管,其中X 为C 极,Y 为E 极,Z 为B 极。
题1.2.3 从图题1.2.3所示各三极管电极上测得的对地电压数据中,分析各管的类型和电路中所处的工作状态。
(1)是锗管还是硅管? (2)是NPN 型还是PNP 型?(3)是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种?或是已经损坏?(指出哪个结已坏,是烧断还是短路?)[提示:注意在放大区,硅管V V V V E B BE 7.0≈-=,锗管V V BE 3.0≈,且V V V V E C CE 7.0>-=;而处于饱和区时,V V CE 7.0≤。
]图题1.2.3解:该题中的锗管还是硅管,看V BE 是0.7V 还是0.3V ,0.7V 是硅管,0.3V 左右是锗管,也可以看第二个英文字母,如果第二个字母是D 、C 则通常为硅管,如果第二个字母是A 、则为锗管。
第三个英文是高频管还是低频管,还是开关管或是大功率管。
(G 是高频管、K 是开关管、X 是低频管、D 是大功率管),据此有:(a) NPN 硅管,工作在饱和状态; (b) PNP 锗管,工作在放大状态; (c) PNP 锗管,管子的b-e 结已开路; (d) NPN 硅管,工作在放大状态; (e) PNP 锗管,工作在截止状态; (f) PNP 锗管,工作在放大状态; (g) NPN 硅管,工作在放大状态; (h) PNP 硅管,工作在临界饱和状态。
模电实验填空题:1.饱和失真截止失真判断饱和失真;通过示波器在输出端观察,会出现底部削平的波形,一般原因通常都是,静态工作点设置的太高,需要增大Rb或者减小Rc截止失真;通过示波器在输出端观察,会出现顶部削平的波形,一般原因通常都是,静态工作点设置的太低,需要增大基极电源VBB2.Vsin各个参数及AC,DC的意义及作用范围VOFF偏置电压VAMPL峰值电压FREQ频率AC DC3.实物三极管的三个引脚分别对应三极管bce哪端。
4.信号发生器的同步输出端输出的是什么类型波用于输出矩形脉冲简答题:1.如何测量二极管导通电阻黑正红负2.“AUTO”触发和“NORM”触发的区别,并举一例其应用AUTO档:此档会自动侦测出触发源讯号的峰对峰值(Peak-to-Peak),并将Trigger Level的可调范围限制在此数值内。
换句话说,拨到P-P AUTO档,不管Trigger Level 如何调整,示波器都可以触发到该讯号,而Trigger Level最高可调到触发源的波峰值,最低可调到波谷值。
NORM档:使用此档时,需要使用者手调Trigger Level,直到Trigger Level落入波形范围内,示波器才会触发显示波形。
此时Trigger Level的可调范围相当於示波器萤光幕范围。
①在“自动”方式下,当“电平”旋钮置于触发范围之外或无触发信号时,触发电路自动发生扫描。
但当扫描频率低于50 Hz时,将停止扫描(此时应采用“常态”触发)。
②②在“常态”方式下,从直流到各种频率的信号都能触发,但无触发信号时扫描将停止。
3.如何测量共射放大电路的最大不失真输出电压在输出端加接额定负载(8Ω功率电阻),逐渐增大输入信号,用示波器同时观察输入、输出信号,当输出波形刚好不出现失真时,用交流毫伏表测出输出电压。
此时的输入电压就是最大输入灵敏度Vimax4.如何仿真三极管输出端的伏安特性曲线添加IC(Q1)V(Q1:c)5.在比例或积分放大电路中,若输入端为0,输出端不为0(远大于0),原因是什么(至少两个)及解决方法直流信号无法完全消除。
第二篇第2章习题题2.2.1对于放大电路的性能指标,回答下列问题:(1)已知某放大电路第一级的电压增益为40dB ,第二级为20dB ,总的电压增益为多少dB ?(2)某放大电路在负载开路时输出电压为4V ,接入Ωk 3的负载电阻后输出电压降为3V ,则该放大电路的输出电阻为多少?(3)为了测量某CE 放大电路的输出电阻,是否可以用万用表的电阻档直接去测输出端对地的电阻?解:(1)总电压增益的分贝是二级放放大器分贝数相加,即60dB 。
(2)接入3KΩ电阻后,在内阻上产生了1V 的压降。
所以有430×+=R R R L L 1310=×=L R R KΩ。
(3)不可以用万用表的电阻档直接去测输出端对地的电阻。
题2.2.2有一CE 放大电路如图题2.2.2所示。
试回答下列问题:(1)写出该电路电压放大倍数v A ̇、输入电阻i R 和输出电阻oR 的表达式。
(2)若换用β值较小的三极管,则静态工作点BQ I 、CEQ V 将如何变化?电压放大倍数v A ̇、输入电阻i R 和输出电阻oR 将如何变化?(3)若该电路在室温下工作正常,但将它放入60˚C 的恒温箱中,发现输出波形失真,且幅度增大,这时电路产生了饱和失真还是截止失真?其主要原因是什么?图题2.2.2解:(1)这是一个典型的共射放大电路,其电压放大倍数的表达式为:beL C v r R R A //β−=̇;输入电阻:b be i R r R //=;输出电阻:C o R R ≈(2)当晶体三极管的β值变小时,基极电流不变,但集电极电流变小,V CEQ 变大;be r 电阻变大(EQT bb be I V r r )1('β++=),所以电压放大倍数下降;输入电阻增加;输出电阻不变。
(3)该失真是饱和失真,因为T 上升后,集电极电流增加,集电极和发射极之间电压下降即工作点上移(向饱和方向),因此在同样的输入信号下,输出信号将首先出现饱和失真。
目 录
第一部分 浙江大学857模拟与数字电子技术考研真题
2010年浙江大学857模拟与数字电子技术考研真题
2009年浙江大学857模拟与数字电子技术考研真题(模糊)
2008年浙江大学857模拟与数字电子技术考研真题
2007年浙江大学442模拟与数字电子技术考研真题
2006年浙江大学442模拟与数字电子技术考研真题
2005年浙江大学442模拟与数字电子技术考研真题及详解
2004年浙江大学442模拟与数字电子技术考研真题
2003年浙江大学447模拟与数字电子技术考研真题
第二部分 兄弟院校电子技术基础(含数字与模拟)考研真题
2015年中山大学894电子技术基础考研真题
2015年华南理工大学862电子技术基础(含数字与模拟电路)考研试题
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说明:以下2005年试题解析来自网络,考生可借鉴参考!
2004年浙江大学442模拟与数字电子技术
考研真题。
电路分析基础_浙江大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.在一阶电路中,通过解微分方程法求解的电路,其激励源可以是()参考答案:其余选项均是2.RL一阶电路的零输入响应,电感电压按指数规律______,电感电流按指数规律______。
参考答案:衰减,衰减3.如果从电压源正极处引出一条导线,端点称为C,求A、C间的戴维南等效电路。
【图片】参考答案:等效电压源电压-1.5V,内阻1.5Ω4.列网孔方程时,互电阻符号取_____,而节点分析时,互电导符号______。
参考答案:流过互电阻的网孔电流方向相同取+,反之取-恒取-5.某方波信号的周期T=5μs,则此方波的三次谐波频率为参考答案:600kHz6.关于诺顿与戴维南定理,以下说法错误的是参考答案:任何情况下戴维南等效电路都可以等效置换成诺顿等效电路7.下图中U=【图片】参考答案:52V8.图示为独立源向负载供电的电路,该负载的功率因数为【图片】参考答案:19.图中5Ω电阻消耗的功率为:【图片】参考答案:20W10.含有两个储能元件的电路是:参考答案:可能是一阶电路也可能是二阶电路11.图中若要求当负载复阻抗Z改变时,负载电流的有效值不变,则复阻抗Z1与Z2的关系为【图片】参考答案:Z1=-Z212.戴维南定理说明一个线性有源二端网络可等效为_____和内阻______连接来表示。
参考答案:等于开路电压的电压源,串联13.在应用叠加定理分析时,各个独立电源单独作用时,而其他独立电源为零,即其他电压源_____,而电流源_____。
参考答案:短路,开路14.下面哪个说法是不正确的参考答案:独立的KVL方程方程一定需要通过单连支回路来列写15.下图u=____V【图片】参考答案:216.图示电路中网孔1的网孔电流方程为:【图片】参考答案:11Im1-3Im2=517.图示中各电压表指示有效值,则电压表V3的读数应为__________【图片】参考答案:5V18.由三个频率相同、振幅相同,但相位彼此相差______的电压源构成对称三相交流电源。
诚信应考 考出水平 考出风格浙大城市学院期末试卷课程名称:《模拟电子技术基础》开课单位:信电分院 ;考试形式:闭卷;考试时间: 年 月 日;所需时间:120分钟题 序 第1题 第2题 第3题 第4题 第5题第6题 第7题 第8题 得分总得分参考答案及评分标准 评阅人签名****************************************************************************得分一.填空题(本大题共 5 题,每题 4 分,共 20 分)1.半导体器件中有二种载流子,分别是 自由电子 和 空穴 ;掺杂半导体可分为P 型和N 型两种,其中对于N 型半导体中的多数载流子是 自由电子 ,它由本征半导体掺入 五 价元素形成。
2.双极型晶体管是由两个PN 结紧密排列组成的,它可以分为两种类型,即 NPN 和 PNP 。
双极型晶体管的工作模式可分为放大模式、饱和模式与截止模式,它由晶体管的PN 结偏置决定。
当晶体管工作在放大模式时,要求晶体管的发射结 正向 偏置,集电结 反向 偏置。
3.场效应晶体管的转移特性曲线()GS D v i ~如图1-3所示。
试问①号曲线对应为何种类型的场效应晶体管 N 沟道耗尽型MOSFET ,它对应的开启(阈值)电压()th G S V = -1V 。
②号曲线对应为何种类型的场效应晶体管 P 沟道结型场效应管 ,它对应的电流DSS I = 2mA 。
(注:DSS I 为()off G S G D G S V V V ==且0时的漏极电流)。
4.图1-4为某多级放大电路,其中各级放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗如图中所示,则多级放大器的总增益i o V v v A = = A V1A V2A V3 ,输入阻抗i R = R i1 ,输出阻抗o R = R o3 。
多级放大电路年级:_____________ 专业:_____________________ 班级:_________________ 学号:_______________ 姓名:__________________ …………………………………………………………..装………………….订…………………..线………………………………………………………0 1 1-1 ①2 23 D /图 1-3mAi D /Vv GS /②的通频带总是比组成它的每一级的通频带要 窄 (宽 或 窄)。
参考答案(第1套)一、1.电流、正向、反向;电压。
2.线性、非线性。
3.共基、共射、共集。
4.差模、共模、ocodA A 。
5.低通、200、200。
6.乙类、0、LCC R V22、0.2。
二、2.放大状态。
4.电压-串联、增大、宽。
三、1.V U mA I AI CEQ CQ BQ 2.32.222==≈μ2.115//-=-=beLC ur R R A βΩ==Ω=≈=K R R k r r R R R C o be be b b i 33.1////21四、反馈组态为:电压-串联负反馈1211R R FA uf +== 五、该放大电路为共基接法,根据瞬时极性法可知引入了负反馈,不能振荡。
更正:将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。
六、 1.R R TH U U R R U 3221-=-=;=,=时,当;=,=-时,当V 4U V 6U 0V 4U V 6U 0TH R TH R -<>i i u u七、运放构成差动输入形式,反相端输入为U I ,同相端输入I IU U ~0='。
I I f I f I f o U U R R U R R U R R U ~)1(111-='++-=八、1.误差放大器的同相在下方、反相端在上方。
2.电路由四个部分构成:(1)由R 1、R 2和R W 构成的取样电路;(2)由运放构成负反馈误差放大器;(3)由R 和D W 构成基准电压电路;(4)由T1和T2复合管构成调整管。
3.V U R R R R R U R R R R U R R R R R U Z w wZ w Z w w o 10~15~221221221=+++++=+"++=参考答案(第2套)一、1. 反向击穿;2. 甲类、甲乙类、乙类、甲乙类; 3. 零点漂移;4. (串联负反馈)从C 到F ;(电压负反馈)从A 到E ; 5. 差放输入级、压放中间级、互补输出级、偏置电路; 6. (1)0.5; (2)5; (3)20; 二、1.W R VP L CC o 922max== LoMoM AV C R U I I πππ==⎰)(Sin ωinωt 21 W R VI V P LCC AV C CC V 46.11222)(===π %5.78max==Vo P P η W P P P P o V T T 23.1)(21max 21=-== 2.W P P o T 8.12.0max max == 三、1.10=umA 2.)101)(101(1010)1)(1()(5fj f j f jf f j f f j f fjA j A HL Lumu ++⋅=++= ω3.输出电压会失真。
第一篇 第1章习题题1.1.1 有一电流控制电流源电路如图题1.1.1所示,图中i s I I β=,50=β,Ω=k R L 2。
当mA I i 1.0=时,试计算L R 两端的电压o V 和功率o P 。
图题1.1.1解:负载电阻R L 两端电压为:V k R I R I V L i L S O 1021.050=⨯⨯===β负载电阻上消耗的功率为:mW R V R I V I P LOL SO S O 5022====题1.1.2 有一电压控制电流源电路如图题1.1.2所示,图中i m s V g I =,V mA g m 5=,Ω=k R L 2。
当V V i 0.1=时,试计算L R 两端的电压o V 和功率o P 。
图题1.1.2解:电阻阻端的电压为:V V mA R V g R I V L i m L S O 1021/5=⨯⨯===负载电阻上消耗的功率为:mW R V R I V I P LOL SO S O 5022====题1.1.3 电路如图题1.1.3所示,分析在下述条件下各二极管的通断情况。
设二极管D 的导通压降V D =0.7 V ,求出D 导通时电流I D 的大小。
(1)V CC1= 6 V ,V CC2= 6 V ,R 1= 2 k Ω,R 2= 3 k Ω;(2)V CC1= 6 V ,V CC2= 6 V ,R 1=R 2= 3 k Ω;(3)V CC1= 6 V ,V CC2= 6 V ,R 1= 3 k Ω,R 2= 2 k Ω。
图题1.1.3解:(1)求出二极管两端的开路电压,如开路电压使二极管正偏,则二极管导电,然后再求出流过二极管的电流。
二极管开路后流过R 1和R 2的电流:mA R R V V I CC CC 4.25122121==++=,则二极管两端的开路电压V IR V V IR V CC CC 2.11122=-=-=,由于二极管两端开路电压大于0.7V ,所以二极管导电,导电后,二极管二端压降为0.7V 。
浙江大学模电答案第2章习题解答2-1 电话线路上的直流电压约为50V ,用于电话机通话时的直流电源。
话机内部电路对电压有极性的要求。
话机电路中有一个导向电路,如题2-1图所示。
外线与话机引线相接时不必考虑电压极性。
试说明其工作原理。
答:当外线与话机引线相接时,如果话机引线的上端接正、下端接负,则电源正端经过D 1,话机内的其他电路、D 4到电源负端,形成电流回路,此时二极管D 1、D 4正向导通,D 2、D 3截止。
如果话机引线的下端接正、上端接负,则电源正端经过D 2、话机内的其他电路、D 3到电源负端,形成电流回路。
由此或见,无论话机引线的上端接正还是下端接正,对于话机内的其他电路来说都符合对电压极性的要求,这就是导向电路所起的作用。
2-2 已知硅和锗PN 结的反向饱和电流分别为10-14A 和10-8A 。
若外加电压为0.25V 、0.45V 、0.65V 时,试求室温下各电流I ,并指出电压增加0.2V 时,电流增加的倍数。
解:根据式(1-2-4) ()1/-=Tv v S e I I ,室温时mV V T 26≈对于硅PN 结:A I S 1410-=,则电压增加0.2V 时电流增加的倍数为倍219126/20026/2.0≈=mVmv mVV ee对于锗PN 结,A I S810-=,则电压增加0.2V 时电流同样增加2191倍。
2-3 在室温时锗二极管和硅二极管的反向饱和电流分别为1μA 和0.5pA ,若两个二极管均通过1mA 正向电流,试求它们的管压降分别为多少。
解:根据二极管的伏安特性 ()1/-≈TV V S e I I当V >>V T 时 TV V S e I I /≈ 则STI I V V e =/SI I T V v ln=∴若锗二极管的A I S μ1=, mA I 1=,则VmV V 18.010ln 026.0ln263101063==?=--若硅二极管的PA I S 5.0=,mA I 1=,则()V mV V 557.0102ln 026.0ln2695.010123≈?=?=--?2-4 两个硅二极管在室温时反向饱和电流分别为2×10-12A 和2×10-15A ,若定义二极管电流I=0.1mA 时所需施加的电压为导通电压,试求各V D (on )。
第三章 三极管放大电路基础习题解答3.1 对于典型的晶体管,其β值范围一般为150~50,试求其对应的α值范围。
解:因为ββα+=1,当β值范围为150~50,α值的范围为0.98~0.993。
3.2 如果两个晶体管的参数α分别为0.99和0.98,则两个晶体管的β分别为多少?若其集电极的电流为mA 10,则对应的基极电流分别为多少? 解:因为ααβ-=1,C B I I β1=。
当99.0=α时,100=β,mA I B 1.0=;当98.0=α时,50=β,mA I B 2.0=。
3.3 对于一个晶体管,若其基极电流为A μ5.7,集电极电流为A μ940,试问晶体管的β和α分别为多少? 解:33.1255.7940===B C I I β, 992.033.125133.1251=+=+=ββα 3.4 对于一个PNP 型晶体管,当集电极电流为mA 1,其发射结电压V v EB 8.0=。
试问,当集电极电流分别为mA 10、A 5时,对应的发射结电压EB v 分别为多少? 解:因为TBEV V S C eI I =,则有⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=S C T BE I I V V ln ,因此有⎪⎪⎭⎫⎝⎛=S C T BE I I V V 11ln 。
所以有⎪⎪⎭⎫⎝⎛=-C C T BE BE I I V V V 11ln若令mA I C 101=时,V I I V V V C C T BE BE 06.0110ln 26ln 11=⎪⎭⎫⎝⎛⨯=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=-,则V V V BE BE 86.006.08.006.01=+=+=若令A I C 51=时,V I I V V V C C T BE BE 22.015000ln 26ln 11=⎪⎭⎫⎝⎛⨯=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=-,则V V V BE BE 02.122.08.022.01=+=+=。
3.5 在图P3.5所示的电路中,假设晶体管工作在放大模式,并且晶体管的β为无限大,试确定各图中所对应标注的电压、电流值。
(a)(b)(c)6(d)V 2-8V图P3.5解:因为晶体管的β为无限大,则有0=B I ,E C I I =。
(a) mA I 1107.07.101=-=,(b) ()mA I I E C 51105=---==,V I V E 28.2122-=⋅-=(c) ()mA I I I E C 121083=---===,VV 14=(d) mA V V I EE CC 965.0207.010*******.05=-+=+--=,V I V 35.0101056=⋅-=3.6 晶体管电路如图P3.6所示,试确定各晶体管的β值。
(a) +9V(b)(c)图P3.6解:(a ) A K V I B μ104303.4==,mA KVI C 122==,100101===A mA I I B C μβ。
(b ) mA K I B 1.0203.23.4=-=,mA VI E 102303.2==,mA I I I B E C 9.91.010=-=-=,991.09.9===mAmA I I B C β。
(c ) mA KI E 11910=-=,V K I V E C 11=⨯=,mA K V I C B 0487.01503.8=-=, mA I I I B E C 913.0=-=,53.190487.09513.0===mAmAI I B C β。
3.7 假设晶体管的厄尔利电压为V V A 200=。
当晶体管的集电极电流分别为mA 1、A μ100时,则晶体管的输出电阻o r 分别为多少? 解:因为CA o I V r =,当mA I C 1=时,Ω=K r o 200;当A I C μ100=时,Ω=M r o 23.8 对于一个晶体管,当集电极电流为A μ10时,对应的输出电阻o r 为ΩM 10,则其厄尔利电压为多少?如果集电极电流变为mA 10时,此时晶体管的输出电阻为多少?解:V r I V o C A 1001010101066=⨯⨯⨯==-,当集电极电流变为mA 10时,晶体管的输出电阻变为Ω===K mAI V r CA o 1010100。
3.9 在图P3.9所示的电路中,假设晶体管的β无限大,且V V BE 7.0=。
当B V 分别等于V 3、V 1、V 0时,试求对应的E V 和C V 电压。
CE图P3.9解:当V V B 3=时,假设晶体管工作在放大状态,则有V V V V BE B E 3.27.03=-=-=,mA KV I I EE C 3.21===,V K I V C C 7.619=⨯-=,()V V V V V V sat CE E C CE 3.04.4=>=-=,假设正确。
当V V B 1=时,假设晶体管工作在放大状态,则有V V V V BE B E 3.07.01=-=-=,mA KV I I EE C 3.01===,V K I V C C 7.819=⨯-=, ()V V V V V V sat CE E C CE 3.04.8=>=-=,假设正确当V V B 0=时,因其小于V V BE 7.0=,晶体管工作在截止状态,则有,0===B E C I I I ,V K I V C C 919=⨯-=,V V E 0=3.10 在图P3.9所示的电路中,假设晶体管的β无限大。
试求晶体管仍然工作在放大模式时的最大值B V 。
解:BE B E V V V -=,KV I I EE C 1==,BE E C C V V K I V +-=⨯-=919。
为了保证晶体管仍然工作在放大模式时,要求B C V V ≥,则有V V B 85.4≤,其最大值为4.85V 。
3.11在图P3.11所示的电路中,假设晶体管的β无限大,且V V BE 7.0=。
试确定各图中标注的电压、电流值。
2(a)(b)(c)Ω+10V8(d)V 35719V 10图P3.11解:因为晶体管的β无限大,且V V BE 7.0=,则0=B I(a)V V B 0=,V V V V BE B 7.07.001-=-=-=,V V 4.323.3102=⨯-= (b)V V V BE E 7.02-=-=,()mA K V I E 98.17.43.97.41024==--=,V V 47.398.13.3103=⨯-=(c)VV 06=,VV V V EB 7.07.0067=+=+=,mA V I E 98.17.41073=-=,V K I V E 47.3103.335-=-⨯=(d)()V V 5.2103001801801030018030010=-⨯++⨯+=,V V V V EB 2.37.05.2108=+=+=mA KV I E 18.61084=-=,V K I V E 0101049=-⨯=3.12 一个PNP 型的晶体管电路如图P3.12所示。
晶体管的50=β,V V C 5=,试确定电阻CR 的值。
此时当晶体管的β变化为100=β时,试问电路的工作情况发生了什么变化?解:VV V EB B 3.97.01010=-=-=A KV I BB μ93100== ,mA I I I B B C 65.450===β,Ω===K mAI V R C C C 075.165.45当β变化为100=β时,mA I I I B B C 3.9100===β,V R I V C C C 10==。
此时()V V V V V V sat CE C E EC 3.001010=<=-=-=,因此晶体管工作在饱和状态了。
3.13 在图P3.13所示的电路中,当晶体管的β为如下情况时,试确定51~V V 的电压值。
(a )∞=β,(b) 100=β解:当∞=β时,021==B B I I ,则有V V 01=,V V V V EB 7.07.0012=+=+=,mA KV I E 022.11.91021=-=,V K I V E 7.0101.913-=-⨯=,V V V V BE 4.134-=-=,()mA KV I E 23.41042=--=, V K I V E 2.01.51025-=⨯-=K 100 CV 5V 4当100=β时,mA K K V I EB E 922.011001.9101=++-=β,mA I I E C 912.0111=+=ββ,忽略晶体管T2的基极电流,则有V K I K I V E B 913.01001100111=⨯+=⨯=β, V K I V C 7.1101.913-=-⨯=,V V V V BE 4.234-=-=,()mA KV I E 767.13.41042=--=,V K I V E 99.01.51025=⨯-=又因为mA I I E B 017.0122=+=β,其值小小于1C I ,因此忽略晶体管T2的基极电流是合理的。
3.14 某晶体管的120=β,并且工作在放大模式,试求晶体管的集电极电流分别为mA 5.1和A μ150时的晶体管交流小信号模型参数e be m r r g 、、的值。
解:当mA I C 5.1=时,mS mV mA V I g T C m 69.57265.1===,()Ω=+==2.171mm e g g r ββα,()Ω=+=K r r e be 08.21β。
当A I C μ150=时,mS mV A V I g T C m 769.526150===μ,()Ω=+==1721mm e g g r ββα,()Ω=+=K r r e be 8.201β。
3.15 为了设计一个晶体管放大器,要求晶体管的跨导mS g m 100=,晶体管的基极输入阻抗不小于ΩK 1,则发射极的偏置电流应如何选择,晶体管的最小β要求为多少? 解:因T C m V I g =,则mA mV mS V g I T m C 6.226100=⨯==,又()me be g r r ββ=+=1,则1001100=Ω⨯==K mS r g be m β。
mA I I I C C E 626.211=+==ββα。
因此发射极的偏置电流应选择2.626mA ,晶体管的最小β要求为100。
3.16 在图3-7-1所示的电路中, V V CC 10=,Ω=K R C 2。
若调节BEQ V 的电压,使得V V CEQ 2=。
此时输入交流信号()V t v be ωsin 004.0=时,请写出()t i C 、()t v C 、()t i B 的总瞬时量,并求该放大器的电压增益为多少?假设晶体管的100=β。