可控硅替换原则

三极管的代换
1、ＮＰＮ型和ＰＮＰ型三极管之间不能代换，硅管和锗管之间不能代换。

2、原则上要原型号代换，介在实际维修中很做到同型号代换，一般采用的三极管大多是硅管，所以代换时，只须做到硅管代换硅管，ＮＰＮ型代换ＮＰＮ型，ＰＮＰ型代换ＰＮＰ型即可。

3、三极管的三个引脚不能弄错，拆下坏三极管时要记住线路板上各引脚孔的位置。

一、类型相同：包含以下三点。

1.材料相同，即硅管代换硅管，锗管代换锗管。

2.极性相同，即NPN代换NPN 管。

3.种类相同,即一般三极管代换一般三极管。

场效应管代换场效应管。

二、特性相近：代换管的主要参数与原管的参数相近，一般用途的三极管，只要以下主要参数相近即可代换，ＰＣＭ，ＩＣＭ，ＶＣＥＯ，Ｆ０．在以上参数中，均要考虑代换管的参数大于或者等于原管的参数。

对于特殊用途的三极管，还要考虑相应的其他参数，如：低噪声三极管等。

三、外形相似：小功率管外形均相似，只要明确了各个电极的极性，即可代换，
其它：大功率管外形差异较大，最好选选择与原封装相同的管子，以满足和接近原来的散热条件。

1<R>电阻:用欧姆档不分正负接其两脚可测出. $普通贴片电阻可用与其相差不多阻值的电阻代换.如:330欧可用220欧或470欧代换.保险电阻<0欧>可用额定电流相近的保险电阻代,或用阻值较小的普通电阻或0欧的普通贴片电阻作应急代换.2<C>电容:<常用单位UF>:先短接放电,然后用二极管档不分正负接其两脚,数值就逐渐增大直至无穷大<1>,然后调换笔头数值会由负数迅速增大到无穷大.则此电解电容OK.若数值变化很慢,或停在某一值上，说明该电解电容漏电或性能不佳。

若一直显示无穷大说明开路;若一直显示0说明短路。

<原理因为万用表中有电池对其充电它该有个充电过程>#电容表面未标注耐压值的,其耐压值通常为50V.如表面数值为22 16V#$电解电容损坏可用耐压不低于原电容,容量与原电容相近的电解电容代替.如6.3V/1000UF可用10V/1000UF或6.3V/1500UF的代替. 普通贴片陶瓷电容可用同种颜色的贴片陶瓷电容作应急. 不过晶振两端连接的贴片陶瓷电容,最好用同容量的电容代,否则可能会出现时钟不准确或者不能启动的故障$3<L>电感:<常用单位UH>:用二极管档测其两脚就蜂鸣效果同测一根导电的线.$主板中一般来说只要是体积大小相近的贴片电感即可直接代换.对于DC-DC直流电压变换电路的磁心电感可小心的将导线圈拆下,并用同种直径的漆包线,按原匝数绕制即可.在维修中,磁心电感常见的是虚焊.$4晶振:分为四种:1时钟晶振<14.318MHZ>与时钟芯片相连.损坏则主板不能启动.开机对地有电压1~1.6V2实时晶振<32.768KHZ>与南桥芯片相连.损坏时间不准或不能启动.开机对地电压0.5V左右.3声卡晶振<24.576MHZ>与声卡芯片相连.损坏声音变质或无声.开机对地电压1.1~2.1V4网卡晶振<25.000MHZ>与网卡芯片相连.损坏网卡不能工作.开机对地电压1.1~2.1V<以上对地电压书上说是其两脚间的电压>用二极管档测其两引脚间的数值就为无穷大.如有数值则该晶振坏或与其连接的集成电路坏.但反过来不成立,即显示数值无穷大不一定说明晶振正常.此时就通电检测其两端的电压是否正常.$更换晶振时,通常要用相同型号和频率的晶振,后缀字母也要尽量一致,否则可能无法正常工作$5<D>二极管:单向导电性,用二极管档测接对时就有正向压降值,若接反则就显示OL或超载符号1,此时调换笔头再测.若显示0000则已开路. 正向压降值越小二极管性能越好.开关二极管0.5~0.7V 小功率肖特二极管0.2V左右手稳压二极管0.5V左右贴片开关二极管和稳压二极管可直接在主板上测,肖特二极管要先把其中一个脚从主板上焊开再测.$主板中二极管最好用同型号的二极管代.若没有,则要选择参数优于原型号的二极管代.可用特性相同,参数指标不低于原器件的二极管代. 稳压二极管要用同功率同稳压值的二极管代$6<Q>三极管<起电流放大作用>:用二极管档,红笔任接一个引脚,用黑笔依次去接另外两脚如果两次显示都小于1V,则说明红笔接的是NPN三极管的基极<B极>.若都显示溢出符号OL或超载符号1则红笔接的是PNP三极管的基极.若两次中,一次小于1V,另一次显示OL或1表明红笔接的不是基极,换脚再测.NPN型中小功率三极管数值为0.6~0.8V.其中较大的一次,黑笔所接的是发射极<E极>.与散热片连在一起的是集电极<C极>.另一边中间一脚也为C极. 在测量时可以不将三极管从主板上焊下,而直接在电路板上测,若测量结果符合正常的三极管结果,则此三极管正常.若测量的结果与正常值相差很大则要把这个三极管焊下再测一遍.以检查其好坏.$主板维修中只要做到用NPN代换NPN,PNP代换PNP,硅管代换硅管,锗管代换锗管,并用相同封装的三极管进行代换即可满足一般的维修需要$ 例:3DG110B 其中3代表三极管,D表示材料,G表示类型<K表示开关>110表示同种器件的序列号,B表示同一型号中的不同规格.7<Q>场效应管<起电压放大作用>:用二极管档,红笔接S极<源极>,黑笔接D极<漏极>,此时数值为S-D极之间二极管的压降值<N沟道这样测>,接反无压降值<超载符号1>.G极与其它各脚无值.若是P沟道则红笔接D极,黑笔接S极才有压降值. 大功率的场效应管压降值为0.4~8V<大部分在0.6V左右>方法二:把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果只有一次有读数，并且在500左右。

可控硅串更换步骤
当主回路快熔有熔断现象发生后，应依次断掉直流调速柜控制回路的所有电源，及进线开关柜高压电源。

然后进行如下操作：
1.测量主回路绝缘性能：用万用表检查直流调速柜交流母排、交直流母排之间
的绝缘；检查交直流母排对地绝缘是否正常，若有异常则断开直流输出母线，用万用表针对可控硅串进行测量，即可发现故障可控硅串。

然后用万用表量正组与反组K与G之间的阻值，对比的量过后，确定损坏，然后进行更换。

更换前先检查备件是否合格，用万用表测量两级间的绝缘后，再将合格的备件进行安装，安装完毕后，重新进行绝缘测量。

2.脉冲信号检测：送控制回路电源及调速装置电源，触发U840模拟工作方式，用示波器依次检查所有脉冲信号是否正常，相序是否正确，检查无误后重新送高压。

3.电枢电流检测：内控操作，将P83=3以电压反馈，P401=±3%低速转电机，用示波器检查CUD1板12#端子电枢电流波形，扫描时间为20毫秒6个极性一致且连续的电流波头。

将P83=2，选择外控方式。

更换完毕，准备运行。

MAC97A6可控硅可以用MAC97A8型号替换吗？
一、型号替换：
可控硅MAC97A6是一个0.8A的四象限双向可控硅，电压可以做到600V或者800V。

封装形式有：TO-92、SOT-23-3L。

型号替换可以用：MAC97A8、Z00607和BT131等。

二、可控硅MAC97A6的概述：
1、MAC97A6的特点与引脚图：
•NPNPN 五层结构的硅双向器件
•P 型对通扩散隔离
•台面玻璃钝化工艺
•背面多层金属电极
•符合 RoHS 规范
•封装形式：TO-92、SOT-23-3L
2、MAC97A6的主要参数：
三、可控硅MAC97A8的概述： 1、MAC97A8的引脚图： TO-92：
2、MAC97A8的主要参数：
四、可控硅Z00607的概述：
•NPNPN 五层结构的硅双向器件•P 型对通扩散隔离
•台面玻璃钝化工艺
•背面多层金属电极
•符合 RoHS 规范
•封装形式：TO-92
2、Z00607的主要参数：
五、可控硅BT131的概述：
•NPNPN 五层结构的硅双向器件
•P 型对通扩散隔离
•台面玻璃钝化工艺
•背面多层金属电极
•符合 RoHS 规范
•封装形式：TO-92、SOT-89-3L、SOT-223-3L
2、BT131的主要参数：。

可控硅替换原则可控硅是一种常见的电子元件，在电子设备中起到控制电流的作用。

可控硅的特性使其在电路中具有广泛的应用，但是由于可控硅寿命有限且价格较高，因此在某些情况下需要使用可控硅的替代品。

在选择可控硅的替代品时，我们需要遵循一些原则，以确保替代品能够满足原件的要求。

以下是可控硅替换的原则。

1. 电气特性匹配：在选择可控硅的替代品时，首要原则是确保替代品的电气特性与原件相匹配。

这些特性包括最大额定电压、最大额定电流、触发电压和触发电流。

替代品的这些特性必须与原件的要求相一致，以确保替代品能够在电路中正常工作。

2. 尺寸和包装匹配：可控硅有不同尺寸和包装形式，如TO-220、TO-247等。

在替换可控硅时，需要选择具有相同尺寸和包装的替代品，以确保替代品能够适应原有的布局和连接。

3. 效率和功耗：替代品的效率和功耗也是需要考虑的因素。

如果替代品具有更高的效率和较低的功耗，那么它可能是一个更好的选择。

然而，需要注意的是，替代品的效率和功耗不能低于原件的要求，以免对电路的正常工作产生负面影响。

4. 可靠性和寿命：可控硅的寿命是有限的，因此在替换可控硅时需要考虑替代品的可靠性和寿命。

替代品应具有相似或更好的可靠性和寿命，以确保设备的长期稳定运行。

5. 成本：最后一个原则是成本。

可控硅的价格相对较高，因此在选择替代品时需要考虑成本因素。

替代品应具有合理的价格，并且在满足其他要求的前提下，尽量选择价格较低的替代品。

总结起来，可控硅替换有一定的原则，包括电气特性匹配、尺寸和包装匹配、效率和功耗、可靠性和寿命以及成本等因素。

在选择可控硅替代品时，需要尽量找到与原件相匹配的替代品，以确保电路的正常工作和设备的长期稳定运行。

在替换可控硅时，还应注意测试和验证替代品的性能，以确保其满足要求。

最终,在选择可控硅的替代品时需要综合考虑以上原则，并进行全面评估，以找到最佳的替代方案。

可控硅替换对照表
可控硅替换对照表
可控硅是半导体器件的一种，可用于控制电流的方向和强度。

在现代电子技术中被广泛应用，但随着技术的发展，一些型号的可控硅被淘汰或不再被使用。

为了方便工程师和用户选择合适的可控硅模块，制作一份可控硅替换对照表。

一、选择可控硅的原则
1. 工作电压：根据具体的工作环境选择合适的电压等级。

2. 额定电流：根据具体应用要求选择合适的电路电流。

3. 反电压：可控硅通常需要防止反向电压的损害，因此需要选择适当的反电压值。

二、可控硅的型号及参数对照表
以下列举了一些常用的可控硅型号及参数：
型号工作电压（V）额定电流（A）反电压（V）替换型号
BT151 200 - 400 BT151X-xxxR
BT152 200 - 800 BT152X-xxxR
BT169 400 0.8 400 BT169X-xxxR
BTA24 600 25 600 BTA24X-xxxR
BTA41 400 40 600 BTA41X-xxxR
BTA42 600 40 600 BTA42X-xxxR
三、选择可控硅模块应注意的事项
1. 根据具体的应用环境选择合适的可控硅。

2. 需要注意可控硅的额定电流、工作电压、反电压等参数，以防止电
路损坏。

3. 在替换可控硅时，需要根据参数表进行选择，避免电路性能下降或
者烧毁元器件。

4. 在使用可控硅模块时，需要注意散热和安全问题。

结语
通过可控硅替换对照表，可以方便地选择合适的可控硅模块，提高工
作效率和元器件的可靠性。

在实际应用中，要注意选择合适的可控硅，避免电路损伤和安全隐患。

更换及组装整流柜可控硅组件安全技术措施制定人：制定日期：年月日车间：批签日期：年月日科主管工程师：批签日期：年月日矿主管工程师：批签日期：年月日安管部：批签日期：年月日机电科更换及组装整流柜可控硅组件安全技术措施一、制定本措施的目的：保证每一名施工人员的安全，顺利完成更换可控硅组件的检修工作。

二、施工材料：可控硅组件、螺栓、过热件、功放板及各种工具等。

三、施工人员：电工2人及以上四、施工步骤：1、联系井运区占罐，并告知调度室检修内容。

2、占罐后，提升司机将提升容器停在交锋位置，拍下急停按钮并停高压电源并挂电工占罐牌。

3、停整流柜电源开关并断开接触器。

4、对可控硅组件进行验电，确认停电后，利用扳手、套管等工具将可控硅组件连接螺栓拆除。

5、然后拆除控制线，并将控制线固定在线槽里，防止刮蹭。

6、双手握紧可控硅组件两个铜母线，用力往外慢速抽取组件，当组件底部即将抽出时，另一人拖住组件底部，共同抽出，平放在附近地面上，然后两人握紧铜母线将组件搬运至安全位置。

7、测量新组件阻值，确认其完好可用。

8、然后两人共同将新组件搬运至整流柜附近，一人双手紧握铜母线，平举组件，一人配合拖住组件底部，将组件慢速送入组件槽，顺势推入。

9、用螺栓连接固定好组件母线，并接好控制线。

10、再次用万用表测量可控硅组件阻值，确认阻值正常后送电试运行。

11、运行无问题后清理现场，不得遗落任何金属物品。

12、组装新可控硅组件：1）拆除问题组件控制线、功放板。

2）拆除问题组件绝缘板。

3）拆除问题组件中部螺栓。

4）将组件散热片拆分，查看可控硅、散热片接触面情况，若出现麻点则对可控硅和散热片进行更换。

若均无麻点且表面光滑无异色则测量可控硅阻值，如果可控硅阻值低于正常值，则对其进行更换。

均无问题或更换相应问题配件后，重新组装好，留做备用。

5）组装过程要检查控制线完好情况，确认无误后，继续组装，组装时注意控制线走向，固定散热片时动作要慢，防止挤压控制线。

常用电子元件及替换原则普通电阻可调电阻（可调电位器）热敏电阻光敏电阻压敏电阻色环电阻常用电阻符号普通电阻可变电阻可调电阻特殊电阻1、热敏电阻特性：热敏电阻器的阻值是随着温度的变化而变化。

如果温度上升，其阻值增大，则称其为正温度系数的热敏电阻器（也称为PTC热敏电阻器）；如果温度上升，其阻值减小，则称其为负温度系数的热敏电阻器（也称为NTC热敏电阻器）光敏电阻光敏电阻器特性就是它的阻值会随着入射光线的变化而变化。

当入射光线增强时，它的电阻值变小（可达1K以下），反之则变大（可达1.5M以上）。

2、压敏电阻压敏电阻器主要参数有非线性系数、标称电压、漏电流、通流量、功率特性、固有电容等。

当压敏电阻器两端所加的工作电压小于它的标称值时，它的电阻值（常态电阻值）几乎是无穷大，即处于高阻状态；当压敏电阻器两端所加的工作电压大于它的标称值时，它的电阻值（击穿电阻值）很小，即处于低阻状态。

根据压敏电阻器的导电特性，它主要运用在电源输入端上，起到保护有关元件的作用。

电容电容的识别分类及测量单位：法拉(F)1F=103mF=106uF=109nF=1012pF符号：“C、ＴＣ、ＭＣ、ＥＣ”电容的基础参数：1、耐压值和容量耐压：电容在电路中连续不断工作时，所能承受的最高电压。

容量：电容储存电荷的能力叫做容量，容量越大储存的电荷越多，反之越少。

2、容抗：电容对交流电呈现出的一个特殊的阻碍作用为容抗，频率与容抗成反比，频率越高容抗越小，因此电容具有通高频阴低频的特性。

当频率一定时，容量与容抗成反比，容量越大容抗越小，容量越小容抗越大。

当频率为0时，即直流电容容抗为无穷大。

电容标称方法：电容的第一种标称方法为直标法：如果标称为整数且无单位则读作“pF”；如标称为小数且无单位读作“uF”；如标称三位数且无单位，第一二位为有效数字“AB”，第三位为倍率“10C”；进口电容有“47uFD”，它就是“47uF”；电容标称“3R”，“R”为小数点，表示“3.3pF”；标称为“0.47k、2.2J”，表示“0.47uF、2.2uF”，“k、J”是误差值；第二种为色标法，与电阻的色标法相同。

可控硅替换原则
可控硅，是一种常见的半导体器件。

在电路中，可控硅通常用于控制交流电压，实现对电器的控制。

作为普及率较高的控制器件，可控硅十分常见。

但在某些应用中，可控硅的选取却有着一些讲究。

下面按照以下四点来探讨一下可控硅替换原则。

一、选取正弦波可控硅
正弦波可控硅，是一种常用且性能比较优秀的可控硅。

这类可控硅能够正常工作在电压与电流均为正弦波的情况下，所以在一些电路中具有广泛应用。

值得注意的是，正弦波可控硅的性能在非正弦波工况下可能会发生变化，因此在选用时需要注意工作状态。

二、优选高温可控硅
高温可控硅，如文字所示，能够在高温环境下正常工作。

相较于普通可控硅，高温可控硅在热稳定性上更为优秀。

另外，在一些对于耐高温性要求较高的应用场景，选用高温可控硅也是更加明智的选择。

三、注意交流电压负载
在选择可控硅时，需要注意交流电压负载情况。

负载较大时，可控硅的工作稳定性会受到一定的影响。

因此在负载较大的场景下，需要针对性地选择更加稳定性能更好的可控硅。

四、合理配置安装方式
即使选择了合适的可控硅，如果安装方式不正确也会影响其工作效果。

在安装可控硅时，需要注意散热效果和电路中的电阻等问题。

合理配
置可控硅的安装方式，可以在很大程度上提升可控硅的稳定性。

综上所述，可控硅在不同的应用场景下，选用的原则是不尽相同的。

在选购可控硅时，需要根据实际应用场景进行综合考虑。

只有选购适
合的可控硅，并且合理配置安装方式，才能确保其正常稳定的工作。

常⽤电⼦元件及替换原则常⽤电⼦元件及替换原则普通电阻可调电阻（可调电位器）热敏电阻光敏电阻压敏电阻⾊环电阻常⽤电阻符号普通电阻可变电阻可调电阻特殊电阻1、热敏电阻特性：热敏电阻器的阻值是随着温度的变化⽽变化。

如果温度上升，其阻值增⼤，则称其为正温度系数的热敏电阻器（也称为PTC热敏电阻器）；如果温度上升，其阻值减⼩，则称其为负温度系数的热敏电阻器（也称为NTC热敏电阻器）光敏电阻光敏电阻器特性就是它的阻值会随着⼊射光线的变化⽽变化。

当⼊射光线增强时，它的电阻值变⼩（可达1K以下），反之则变⼤（可达1.5M以上）。

2、压敏电阻压敏电阻器主要参数有⾮线性系数、标称电压、漏电流、通流量、功率特性、固有电容等。

当压敏电阻器两端所加的⼯作电压⼩于它的标称值时，它的电阻值（常态电阻值）⼏乎是⽆穷⼤，即处于⾼阻状态；当压敏电阻器两端所加的⼯作电压⼤于它的标称值时，它的电阻值（击穿电阻值）很⼩，即处于低阻状态。

根据压敏电阻器的导电特性，它主要运⽤在电源输⼊端上，起到保护有关元件的作⽤。

电容电容的识别分类及测量单位：法拉(F)1F=103mF=106uF=109nF=1012pF符号：“C、ＴＣ、ＭＣ、ＥＣ”电容的基础参数：1、耐压值和容量耐压：电容在电路中连续不断⼯作时，所能承受的最⾼电压。

容量：电容储存电荷的能⼒叫做容量，容量越⼤储存的电荷越多，反之越少。

2、容抗：电容对交流电呈现出的⼀个特殊的阻碍作⽤为容抗，频率与容抗成反⽐，频率越⾼容抗越⼩，因此电容具有通⾼频阴低频的特性。

当频率⼀定时，容量与容抗成反⽐，容量越⼤容抗越⼩，容量越⼩容抗越⼤。

当频率为0时，即直流电容容抗为⽆穷⼤。

电容标称⽅法：电容的第⼀种标称⽅法为直标法：如果标称为整数且⽆单位则读作“pF”；如标称为⼩数且⽆单位读作“uF”；如标称三位数且⽆单位，第⼀⼆位为有效数字“AB”，第三位为倍率“10C”；进⼝电容有“47uFD”，它就是“47uF”；电容标称“3R”，“R”为⼩数点，表⽰“3.3pF”；标称为“0.47k、2.2J”，表⽰“0.47uF、2.2uF”，“k、J”是误差值；第⼆种为⾊标法，与电阻的⾊标法相同。

常用电子元件及替换原则普通电阻可调电阻（可调电位器）热敏电阻光敏电阻压敏电阻色环电阻常用电阻符号普通电阻可变电阻可调电阻特殊电阻1、热敏电阻特性：热敏电阻器的阻值是随着温度的变化而变化。

如果温度上升，其阻值增大，则称其为正温度系数的热敏电阻器（也称为PTC热敏电阻器）；如果温度上升，其阻值减小，则称其为负温度系数的热敏电阻器（也称为NTC热敏电阻器）光敏电阻光敏电阻器特性就是它的阻值会随着入射光线的变化而变化。

当入射光线增强时，它的电阻值变小（可达1K以下），反之则变大（可达1.5M以上）。

2、压敏电阻压敏电阻器主要参数有非线性系数、标称电压、漏电流、通流量、功率特性、固有电容等。

当压敏电阻器两端所加的工作电压小于它的标称值时，它的电阻值（常态电阻值）几乎是无穷大，即处于高阻状态；当压敏电阻器两端所加的工作电压大于它的标称值时，它的电阻值（击穿电阻值）很小，即处于低阻状态。

根据压敏电阻器的导电特性，它主要运用在电源输入端上，起到保护有关元件的作用。

电容电容的识别分类及测量单位：法拉(F)1F=103mF=106uF=109nF=1012pF符号：“C、ＴＣ、ＭＣ、ＥＣ”电容的基础参数：1、耐压值和容量耐压：电容在电路中连续不断工作时，所能承受的最高电压。

容量：电容储存电荷的能力叫做容量，容量越大储存的电荷越多，反之越少。

2、容抗：电容对交流电呈现出的一个特殊的阻碍作用为容抗，频率与容抗成反比，频率越高容抗越小，因此电容具有通高频阴低频的特性。

当频率一定时，容量与容抗成反比，容量越大容抗越小，容量越小容抗越大。

当频率为0时，即直流电容容抗为无穷大。

电容标称方法：电容的第一种标称方法为直标法：如果标称为整数且无单位则读作“pF”；如标称为小数且无单位读作“uF”；如标称三位数且无单位，第一二位为有效数字“AB”，第三位为倍率“10C”；进口电容有“47uFD”，它就是“47uF”；电容标称“3R”，“R”为小数点，表示“3.3pF”；标称为“0.47k、2.2J”，表示“0.47uF、2.2uF”，“k、J”是误差值；第二种为色标法，与电阻的色标法相同。

可控硅更换作业指导书1更换前准备工作使用工具及物品见表1。

表1 使用工具及物品2更换工序2.1检查发现问题如：可控硅上及其周围有大量炭灰，旁路接触器表面有被电弧打伤痕迹，但旁路接触器内部无损伤铜排上的棱角也有损伤，如图：图28 图292.2用万用表测量三个可控硅数据为：可控硅与软启动连接端子排处305-307、303-301、201-203、205-207、101-103、105-107点之间电阻均在8.9-9.8欧姆之间。

图302.3处理步骤记录：2.3.1拆卸旁路接触器的阻燃防护板。

用十字螺丝刀拆卸防护板将其用大布蘸上少许酒精擦洗上面的不易擦掉的炭灰。

拆卸软启动电路板及其前盖板。

用一字起拆下软启动板前盖板，拔下6个软启动端子排。

松掉软启动板的四颗螺丝双手提起后摘除。

2.3.2摘除软启动阻燃防护板。

2.3.3用17、19套筒，和棘轮扳手拆下每个可控硅上三颗螺栓。

用十字螺丝刀拆掉可控硅。

将其取下。

2.3.4用细砂纸打磨配电柜底板将炭灰清理掉，再将大布蘸少许酒精将电缆、电线上的炭灰清除，用锉刀打磨处理铜排棱角上熔起的凸点（要轻磨）图31 图322.3.5将底板和电线、电缆上的炭灰清洗干净后换上新的可控硅，将其装上。

装上线戴上防护板，装上软启动板。

将新的旁路接触器的压敏电阻装上，合主控开，风机并网发电。

3 安装及安全注意事项安装及安全注意事项见表3。

表3 安装及安全注意事项地点注意事项塔筒1、主控开断开后要经过测量确定主空开上口无电压，更换过程中防止误碰主控开下口进线。

可控硅替换原则
可控硅替换原则是指在设计和制造过程中，应该优先选择和使用可控硅器件，而不是使用其他器件进行替代。

可控硅替换原则是由于可控硅具有独特的电气特性和广泛的应用领域，因此在电子设计中具有重要的地位。

首先，可控硅替换原则的重要性在于可控硅器件具有优良的电气特性。

可控硅（SCR）是一种关断器件，能够控制电流的通断，并且具有较高的耐压能力和较低的导通压降。

这意味着可控硅可以在高压和高功率的电路中稳定地工作，从而保证电路的可靠性和稳定性。

而其他器件，如普通的开关管或三极管等，可能无法满足电路的高压和高功率的要求。

其次，可控硅的应用领域广泛，可以替代多种其他器件。

可控硅主要用于交流电控制和触发电路中，用于调整电路的工作状态和开关的继电器等元件。

此外，可控硅还可以用于电力电子领域，如电力变换器、逆变器、交流调压器等。

可控硅具有较高的工作频率和较低的开关损耗，因此在高频和高效率的电力电子设备中具有广泛的应用。

同时，可控硅与其他器件相比具有较低的成本和较长的寿命。

由于可控硅器件的普及和大规模生产，其成本相对较低。

而且，可控硅器件由于可靠性高，不易损坏，因此具有较长的使用寿命。

这使得可控硅在各种工业和消费电子产品上得到了广泛的应用。

总之，可控硅替换原则是在电子设计中应该优先选择和使用可
控硅器件，因为可控硅具有优良的电气特性、广泛的应用领域、较低的成本和较长的寿命等优点。

而其他器件可能无法满足高压、高功率和高频等要求。

因此，在电子产品的设计和制造过程中，可控硅替换原则能够确保电路的可靠性和稳定性，提高产品的性能和竞争力。

转帖：可控硅的选择代换与检查转帖：可控硅的选择、代换与检测1．晶闸管的选用(1)选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。

若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等，可选用普通晶闸管。

若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中，应选用双向晶闸管。

若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等，可选用门极关断晶闸管。

若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等，可选用BTG晶闸管。

若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路，可选用逆导晶闸管。

若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路，可选用光控晶闸管。

2．选择晶闸管的主要参数：晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。

所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流1．5～2倍。

晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的控制电路)的各项要求，不能偏高或偏低，否则会影响晶闸管的正常工作。

2．晶闸管的代换晶闸管损坏后，若无同型号的晶闸管更换，可以选用与其性能参数相近的其他型号晶闸管来代换。

应用电路在设计时，一般均留有较大的裕量。

在更换晶闸管时，只要注意其额定峰值电压(重复峰值电压)、额定电流(通态平均电流)、门极触发电压和门极触发电流即可，尤其是额定峰值电压与额定电流这两个指标。

代换晶闸管应与损坏晶闸管的开关速度…致。

例如：在脉冲电路、高速逆变电路中使用的高速晶闸管损坏后，只能选用同类型的快速晶闸管，而不能用普通晶闸管来代换。

选取代用晶闸管时，不管什么参数，都不必留有过大的裕量，应尽可能与被代换晶闸管的参数相近，因为过大的裕量不仅是一种浪费，而且有时还会起副作用，出现不触发或触发不灵敏等现象。

第三部分 定频空调器故障维修笔记197遥控不能关机，按压“应急开关”键关机时，按压不动，感觉已经在导通状态，判断为应急开关问题。

取下室内机外壳，再试机空调器已正常。

但是将室内机外壳装上后试机，故障现象又重现，开关又按压不动，判断为室内机外壳与显示板间隙过小，装上外壳后，开关被自动压下，插上电源后，室内机主板处于测试模式，此时不能正常制冷或制热。

维修措施 调整室内机外壳与显示板间隙，使外壳装上后，开关不被按下，试机正常。

关于应急开关（1）插上电源后1 按压“应急开关”键一次为开机，再按一次为关机；按自动模式工作，设定温度为24℃，室内风速自动，风门扫掠（可用于无遥控器时应急使用）。

2 关机状态下按压“应急开关”键停留5s 以上，蜂鸣器响3声，空调器进入试运行，试运行为强制制冷，室内风速设定为高风，风门扫掠，空调器运行与室温无关（此时可用于冬季移机强制制冷，收氟使用）。

3 应急运行中，如接收遥控信号，则按遥控命令运行。

4 空调器开机运行中，当空调器本身出现故障，会停止运行，按压“应急开关”键5s ，蜂鸣器响两声，室内机显示板会报故障代码（此时可用于无遥控器检查故障代码）。

（2）测试检查如果先按住“应急开关”键，然后再插上电源，进入测试状态，室内机主板会将各个负载（包括指示灯、蜂鸣器、导风板、室内机高/中/低风、室外风机、四通阀线圈和压缩机）都开启一次，此时可用于检查空调器故障。

（3）注意各个厂家的应急开关设计不一样，但是大多数厂家通常设定为：如先按住“应急开关”键再通上电源为测试状态，用于检查负载故障；如上电后再按压“应急开关”键5s 以上，则为强制制冷，此时可用于冬季移机收氟。

5．光耦可控硅击穿后的代换方法（代换光耦可控硅时注意事项） 品牌型号：飞歌KFR-26GW/A 类 型：定频挂机 故障性质：自发 检修部位：光耦可控硅用户反映 空调器一通上电源室内风机就运行。

检修过程 上门检查，将空调器通上电源，未开机，室内风机就开始运行。