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GOLD CONTROL固特控制技术有限公司Thyristors Modules可控硅模块特 性：●国际标准封装●焊接结构，优良的温度特性和功率循环能力●玻璃钝化工艺（方片）芯片主要用途：●低通态压降≤1.5V●直流屏●引线端与底板电气绝缘，2500V 交流电压●变频器●阻断电压高达1600V ●电焊机●高达12倍抗浪涌能力●直流充电电源●安装方便●直流电动机●环保产品（符合ROHS 要求）结温T j (℃）最小典型最大I T(RMS)12586A V DRM V RRM I DRM I RRM I TSM 10ms 底宽，正弦半波，1250AI2t V R =0.6V RRM 7.8A 2S *103 V TO 1250.85V V TMI TM =170A251.5V dv/dtV DM =67%V DRM 125800V/μs 门极电流上升时间t r ≤0.5μsI GT 30100mA V GT0.8 2.5V I H20100mA V GD 1250.2V V iso50Hz,R.M.S,t=1min,I iso :1mA(max)2500V固特电力半导体模块通过欧盟CE 、ISO9001、符合ROSH 认证企业Page 5of 12007-01Gold Power绝缘电压12525门极不触发电压V DM =67%V DRM门极触发电流维持电流V A =12V,I A =1A门极触发电压I TM =330Adi/dt 浪涌电流平方时间积通态峰值电压断态电压临界上升率断态电流临界上升率门极触发电流幅值I GM =1.5A ,通态门槛电压单位8mA 通态不重复浪涌电流反向重复峰值电流V RM =V RRMMTC55A MTX55A MTA55A MTK55A MT55AV DRM ＆V RRM tp=10ms通态有效值电流断态重复峰值电压参数符号测试条件参数值单面散热，Tc=85℃通态平均电流MTC MTX MTA MTK MT180o 正弦半波，50Hz V DSM ＆V RSM =V DRM ＆V RRM +200V12580016002200V 主要技术参数反向重复峰值电压50A/μs 断态重复峰值电流V DM =V DRM 125I T(AV)12555A 125MTA单位：mmMTPage 5of 22007-01性能曲线图外形图、接线图、安装孔尺寸92mm*26mm*35mm温度性能曲线图Page 5of 32007-01Page 5of 42007-01产品热线：TEL:86-510-85166093 88085590 85166195 FAX:88085591 投诉QQ：453742705●使用说明为了本公司的半导体功率模块能满足您的高可靠使用要求，请注意以下几点事项：1、过电流的保护可采用半导体专用快熔；2、RC吸收（缓冲）建议使用吸收模块（本公司可供应）；3、使用环境条件：a)半导体功率模块工作温度为：-40℃～+125℃（结温）；整流为：-40℃～150℃；b)环境相对湿度≤85%；海拔1000米以下；c）使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质气氛；d）模块采用强制风冷时风速应＞6米/分，环境温度一般应控制在-40℃～60℃，散热器温度一般应控制在80℃以下。
推广与优化关键词如下：1.可控硅模块（晶闸管模块）MTC系列 SKKT系列 MCC系列可控硅模块MTC26/16 MTC55/16电流：26A电流：55A电压：适用于220V/380V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC70/16 MTC90/16平均电流：26A平均电流：55A电压：适用于220V/380V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC110/16平均电流：110A电压：适用于220V/380V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC135/16-36平均电流：135A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC160/16-36平均电流：160A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC182/16-36平均电流：182A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC200/16-36平均电流：200A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC250/16-36平均电流：250A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC300/16-36平均电流：300A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块MTC350/16-36平均电流：350A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块安装尺寸：112*48MTC400/16-36平均电流：400A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块安装尺寸：112*48MTC500/16-36平均电流：500A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块安装尺寸：112*48MTC600/16-36平均电流：600A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器可控硅模块安装尺寸：112*48MTC800/16-36平均电流：800A电压：适用于220V/380V/660V系统应用领域为：UPS电源 无功补偿装置 调功器调压器 全控整流器。
中国·杭州国晶电子科技有限公司 符号参数测试条件结温Tj （℃）参数值单位最小 典型 最大 I T(A V) 通态平均电流 180°正弦半波，50HZ 单面散热，T c =85℃ 125 110 A I T(RMS) 方均根电流125 173 A V DRM V RRM 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 V DRM &V RRM tp=10msV D s M &V RsM = V DRM &V RRM +200V 125 600 1600 1800 V I DRM I RRM 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 V DM = V DRMV RM = V RRM125 12 mA I TSM 通态不重复浪涌电流 10ms 底宽，正弦半波 125 2.40 KAI 2t 浪涌电流平均时间积 V R =0.6 V RRM 125 29 103A 2SV TO 门槛电压 0.8 V R T 斜率电阻125 2.29 m Ω V TM 通态峰值电压 I TM =330A 25 1.50 1.60 V dv/dt 断态电压临界上升率 V DM =67%V DRM125 800 V/μs di/dt 通态电流临界上升率 I TM =330A 门极触发电流幅值 IGM=1.5A ，门极电流上升时间tr ≤0.5μs 125 100 A/μs I GT 门极触发电流30 40 100 mA V GT 门极触发电压 V A =12V ，I A =1A 25 0.8 1.0 2.5 V I H 维持电流20 100 mA V GD 门极不触发电压 V DM =67%V DRM125 0.2 V R th(j-c) 热阻抗（结至壳） 180°正弦半波，单面散热 0.250 ℃/W R th(c-h) 热阻抗（结至散） 180°正弦半波，单面散热 0.15 ℃/W V iso 绝缘电压 50HZ ，R.M.S ，t=1min I iso :1Ma(max) 2500 V F m 安装扭矩（M5） 安装扭矩（M6） 2.0 3.0 N ·m N ·m T sbg 储存温度 -40 125 ℃ W t质量140g特点： ■芯片与底板电气绝缘，2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温度特性和功率循环能力 ■体积小，重量轻 典型应用： ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关 I T(A V) 110AV DRM /V RRM 600~1800V I TSM 2.4KA I 2T 29 103A 2SOutline M220、M225中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
杭州西子固体继电器有限公司 产品说明书－ 1 －目录一、单相交流固体继电器....................................................................................................................1 二、三相交流固体继电器..................................................................................................................10 三、半波随机型固体继电器..............................................................................................................11 四、单相移相触发器模块..................................................................................................................12 (A) 随机型固体继电器移相触发器模块（SSR-JKZK 、JKWK ）................................................12 (B)可控硅移相触发器摸块(SCR-JKK ，TRlAC-JKK)....................................................................14 (C)单相双路可控硅移相触发器模块(SCR-JKK/2)........................................................................17 (D) 注意事项及改进说明...............................................................................................................18 五、R 系列固体调压器.......................................................................................................................20 六、全隔离单相交流调压模块（DTY ）..........................................................................................21 七、全隔离单相桥式全控整流模块（DQZ ）..................................................................................24 八、全隔离三相交流调压模块（STY ）...........................................................................................27 九、固体继电器三相移相触发器模块(SSR-3JK).............................................................................29 十、三相移相触发器模块 (31)（A ）三相调压单硅移相触发器模块（SX-JKA ）.......................................................................31 （B ）三相调压双硅移相触发器模块（SX-JKT ）........................................................................32 （C ）三相全控整流移相触发器模块（SX-JKZ ）.......................................................................32 （D ）三相半控整流移相触发器模块（SX-JKB ）.......................................................................33 十一、电压负反馈模块......................................................................................................................36 （A ）直流电压负反馈模块............................................................................................................36 （B ）交流电压负反馈模块............................................................................................................38 客户购货及选型须知..........................................................................................................................40 产品的分类及选择..............................................................................................................................42 器件的发热及散热器的选择.. (44)一、单相交流固体继电器1．概述固体继电器（亦称固态继电器）英文名称为Solid State Relay，简称SSR。
产品规格书Specification of Products产品名称：产品型号：普通晶闸管模块湖北梅兰半导体有限公司湖北梅兰半导体有限公司Hubei Merlin Semiconductor Co., Ltd.厂址：湖北省 襄阳市 高新技术开发区电话：总机传真：分机E-mail:mlsanrex@(710)3807852 3807952 3807905 3806705811版本号：02 更新日期：2011.3MTC(MTA MTK)300A（高压系列）321VALUESYMBOL CHARACTERISTIC TEST CONDITIONS T j(°C)Min Type MaxUNITI T(AV)Mean on-state current180°half sine wave50HzSingle side cooled,T c=85°C125300AI T(RMS)RMS on-state current Single side cooled,T c=85°C125314AV DRMV RRMRepetitive peak off-state voltageRepetitive peak reverse voltageV DRM&V RRM tp=10msV DsM&V RsM= V DRM&V RRM+200Vrespectively12525005600VI DRMI RRMRepetitive peak currentat V DRMat V RRM12550mAI TSM Surge on-state current9.3.KAI2t I2T for fusing coordination10ms half sine waveV R=60%V RRM125432A2s*103 V TO Threshold voltage 1.15. V r T On-state slop resistance1250.95.mΩV TM Peak on-state voltage I TM=1500A1252.44V dv/dtCritical rate of rise of off-statevoltageV DM=67%V DRM125800V/μs di/dtCritical rate of rise of on-statecurrentFrom67%V DRMto1500A, Gate source1.5At r≤0.5μs Repetitive125100A/μsI GT Gate trigger current30200mAV GT Gate trigger voltage1.03.0VI H Holding currentV A=12V, I A=1A2520150mA V GD Non-trigger gate voltage At67%V DRM1250.2V R th(j-c)Thermal resistanceJunction to heatsinkAt1800sine, Single side cooled0.065°C /W V iso Isolation voltage50Hz,R.M.S,t=1min,I iso:1mA(MAX) 6000V Thermal connection torque(M10) 12.0N.mF mMounting torque(M6) 6.0N.m T stg Stored temperature-40140°C W t Weight1350g OutlineOUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAMM10M13M14M15Fig.1通态伏安特性曲线Fig.2 结至管壳瞬态热阻抗曲线Fig.3最大功耗与平均电流关系曲线Fig.4管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.5 最大功耗与平均电流关系曲线Fig.6 管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.7 通态浪涌电流与周波数的关系曲线Fig.8 I 2t 特性曲线Fig.9 门极功率曲线Fig.10 门极触发特性曲线M14M13Outside DimensionM10M15。
杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
中国·杭州国晶电子科技有限公司中国·杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路电联结形式（右图）中国·杭州国晶电子科技有限公司模块外型图、安装图M1076M1076S使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
中国·杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
