电磁场与电磁波1-6章公式总结
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三种坐标下的位矢表示:333222111d d d d g h g h g h e e e r ++=直角坐标系: z y x z y x d d d d e e e r ++= 圆柱坐标系: z z d d d d e e e r ++=φρρφρ 球坐标系:φθθφθd sin d d d r r r r e e e r ++=标量的梯度:u g h g h g h u ⎪⎪⎭⎫⎝⎛∂∂+∂∂+∂∂=333222111111 grad e e e 矢量的散度:()()()⎥⎦⎤⎢⎣⎡∂∂+∂∂+∂∂=⋅∇3213231213213211F h h g F h h g F h h g h h h F 矢量的旋度:3322113213322113211F h F h F h g g g h h h h h h ∂∂∂∂∂∂=⨯∇e e e F 散度定理:⎰⎰⋅=⋅∇SVV S F F d d斯托克斯定理:⎰⎰⋅=⋅⨯∇CSl F S F d d拉普拉斯运算符:⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂∂∂+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂∂∂+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂∂∂=∇33213223121132132121g h h h g g h h h g g h h h g h h h 标量拉普拉斯运算: u 2∇矢量拉普拉斯运算: 3232221212F F F ∇+∇+∇=∇e e e F 电流的连续性方程:⎰⎰-=⋅V SV t d d d d ρS J , 0=∂∂+⋅∇tρJ恒定电流场:(要电流不随时间变化,即要电荷在空间分布不随时间变化) 0=⋅∇J电场强度:()()⎰--=--==VV''''''q Rq d 414433030r r r r r r r r r R r E ρπεπεπε高斯定理:()0ερ=⋅∇r E电场性质:()0=⨯∇r E磁感应强度:()()()()⎰⎰--⨯=--⨯=VCV''''''I d 4d 43030r r r r r J r r r r l r B πμπμ安培环路定理: ()()r J r B 0μ=⨯∇磁场性质:()0=⋅∇r B媒质的传导特性:v E J ρσ==(v 表示电荷的运动速度)法拉第电磁感应定律:()⎰⎰⎰⋅⨯+⋅∂∂-=⋅=C s C t l B v S Bl E d d d in ξ麦克斯韦方程组与磁场的边界条件:ρ=⋅=⋅⋅∂∂-=⋅⋅∂∂+⋅=⋅⎰⎰⎰⎰⎰⎰⎰SS S CS SCttS D S B S B l E S D S J l H d 0d d d d d dρ=⋅∇=⋅∇∂∂-=⨯∇∂∂+=⨯∇D B BE D J H 0tt()()()()Sn n n S n D D e B B e E E e J H H e ρ=-⋅=-⋅=-⨯=-⨯2121212100静电场和恒定磁场的基本方程和边界条件如上可查(电场与磁场不相互影响,故有略去项) 电位函数: ()()r r E ϕ-∇=()()C V'''r V'+-=⎰d 41r r r ρπεϕ ϕd d )(-=⋅l r E微分方程: ερϕ)()(2r r =∇ 边界方程:21ϕϕ= S nn ρϕεϕε-=∂∂-∂∂2211系统电容:1取适合坐标;2设带等量相反电荷;3求出电场;4求出电位差;5计算荷差比。
电磁场理论知识点总结电磁场与电磁波总结第1章场论初步⼀、⽮量代数A ?B =AB cos θA B ?=AB e AB sin θA ?(B ?C ) = B ?(C ?A ) = C ?(A ?B ) A ? (B ?C ) = B (A ?C ) – C ?(A ?B ) ⼆、三种正交坐标系 1. 直⾓坐标系⽮量线元 x y z =++l e e e d x y z⽮量⾯元 =++S e e e x y z d dxdy dzdx dxdy 体积元 d V = dx dy dz单位⽮量的关系 ?=e e e x y z ?=e e e y z x ?=e e e z x y 2. 圆柱形坐标系⽮量线元 =++l e e e z d d d dz ρ?ρρ?l ⽮量⾯元 =+e e z dS d dz d d ρρ?ρρ? 体积元 dV = ρ d ρ d ? d z 单位⽮量的关系 ?=?? =e e e e e =e e e e zz z ρ??ρρ?3. 球坐标系⽮量线元 d l = e r d r + e θ r d θ + e ? r sin θ d ? ⽮量⾯元 d S = e r r 2sin θ d θ d ? 体积元 dv = r 2sin θ d r d θ d ? 单位⽮量的关系 ?=??=e e e e e =e e e e r r r θ?θ??θcos sin 0sin cos 0 001x r y z z A A A A A A ??=-sin cos sin sin cos cos cos cos sin sin sin cos 0x r y z A A A A A A=--θ?θ?θ?θθ?θ?θ??sin 0cos cos 0sin 010r r z A A A A A A=-θ??θθθθ三、⽮量场的散度和旋度1. 通量与散度=??A S Sd Φ 0lim→?=??=??A S A A Sv d div v2. 环流量与旋度=??A l ?ld Γ maxnrot =lim→A l A e ?lS d S3. 计算公式=++A y x zA A A x y z11()=++A zA A A z ?ρρρρρ? 22111()(sin )sin sin =++A r A r A A r r r r ?θθθθθ?x y z ?=e e e A x y z x y z A A A=?e e e A z z z A A A ρ?ρρρ?ρ sin sin=?e e e A r r zr r r A r A r A ρθθθ?θ 4. ⽮量场的⾼斯定理与斯托克斯定理=A S A SVd dV ?=A l A S ?l四、标量场的梯度 1. ⽅向导数与梯度00()()lim→-?=??l P u M u M u llcos cos cos =++P uu u ulx y zαβγ cos ??=?e l u u θ grad = =+e e e +e n x y zu u u uu n x y z2. 计算公式=++???e e e xy zu u uu x y z1=++???e e e z u u u u z ρρρ? 11sin =++???e e e r u u u u r r r zθ?θθ五、⽆散场与⽆旋场1. ⽆散场 ()0=A =??F A2. ⽆旋场 ()0=u =?F u六、拉普拉斯运算算⼦ 1. 直⾓坐标系222222222222222222222222222222=++?=?+?+??=++?=++?=++A e e e x x y y z zy y y x x x z z z x y zu u u u A A A x y zA A A A A A A A A A A A x y z x y z x y z,,2. 圆柱坐标系22222222222222111212=++ =?--+?-++? ? ??????A e e e z z u u uu zA A A A A A A ?ρρρρρρρρρ?ρρ?ρρ?3. 球坐标系22222222111sin sin sin =++ ? ??????????u u uu r r r r r r θθθ?θ? ???+-??+?+???--??+?+???----=θθθ?θ?θθθθ?θθθθθθθ?θθA r A r A r A A r A r A r A A r A r A r A r A r r r r r 2 22222222222222222sin cos 2sin 1sin 2sin cos 2sin 12sin 22cot 22e e e A 七、亥姆霍兹定理如果⽮量场F 在⽆限区域中处处是单值的,且其导数连续有界,则当⽮量场的散度、旋度和边界条件(即⽮量场在有限区域V ’边界上的分布)给定后,该⽮量场F 唯⼀确定为()()()=-?+??F r r A r φ其中 1()()4''??'='-?F r r r r V dV φπ1()()4''??'='-?F r A r r r V dV π第2章电磁学基本规律⼀、麦克斯韦⽅程组 1. 静电场基本规律真空中⽅程: 0d ?=SE S ?qεd 0?=?lE l ? 0=E ρε 0??=E 场位关系:3''()(')'4'-=-?r r E r r r r V q dV ρπε =-?E φ 01()()d 4π''='-?r r |r r |V V ρφε介质中⽅程: d ?=?D S ?S qd 0?=?lE l ? ??=D ρ 0??=E极化:0=+D E P ε e 00(1)=+==D E E E r χεεεε极化电荷:==?P e PS n n P ρ =-??P P ρ 2. 恒定电场基本规律电荷守恒定律:0+=?J tρ传导电流: =J E σ与运流电流:ρ=J v恒定电场⽅程: d 0?=?J S ?Sd 0l=E l 0=J 0E =3. 恒定磁场基本规律真空中⽅程:0 d ?=?B l ?lI µd 0?=?SB S ? 0=B J µ 0=B场位关系:03()( )()d 4π ''?-'='-?J r r r B r r r VV µ =??B A 0 ()()d 4π'''='-?J r A r r r V V µ 介质中⽅程:d ?=?H l ?l Id 0?=?SB S ? ??=H J 0??=B磁化:0=-BH M µ m 00(1)=+B H =H =H r χµµµµ 磁化电流:m =??J M ms n =?J M e4. 电磁感应定律d d ?=-SE l B S ?lddt =-BE t5. 全电流定律和位移电流全电流定律:d ()d ??=+D H l J S ?lSt =+DH J t位移电流: d =DJ d dt6. Maxwell Equationsd ()d d d d d 0=+?=-??==D H J S B E S D S B Sl S l S SV S l t l t V d ρ 0=+???=-?==?D H J B E D B t t ρ ()() ()()0=+???=-?==?E H E H E E H t t εσµερµ ⼆、电与磁的对偶性e m e m e m e e m m e e m mm e 00=-??==+??=--?=?=?????=?=??B D E H D B H J E J D B D B t t &t t ρρ m e e m ??=--?=+==B E J D H J D B tt ρρ三、边界条件 1. ⼀般形式12121212()0()()()0-=-=-=-=e E E e H H J e D D e B B n n S n Sn ρ2. 理想导体界⾯和理想介质界⾯111100?=??===e E e H J e D e B n n Sn S n ρ 12121212()0()0()0()0-=-=-=-=e E E e H H e D D e B B n n n n 第3章静态场分析⼀、静电场分析1. 位函数⽅程与边界条件位函数⽅程: 220?=-电位的边界条件:121212=??-=-?s nn φφφφεερ 111=??=-?s const nφφερ(媒质2为导体) 2. 电容定义:=qC φ两导体间的电容:=C q /U任意双导体系统电容求解⽅法:2211===D SE S E lE l蜒SS d d q C U d d ε3. 静电场的能量N 个导体: 112==∑ne i i i W q φ连续分布: 12=?e V W dV φρ电场能量密度:12D E ω=?e⼆、恒定电场分析1. 位函数微分⽅程与边界条件位函数微分⽅程:20?=φ边界条件:121212=??=?nn φφφφεε 12()0?-=e J J n 1212[]0?-=J J e n σσ 2. 欧姆定律与焦⽿定律欧姆定律的微分形式: =J E σ焦⽿定律的微分形式: =??E J V3. 任意电阻的计算2211d d 1??====E l E l J SE SSSUR G Id d σ(L R =σS )4. 静电⽐拟法:C —— G ,ε —— σ2211===D SE S E lE l蜒SS d d q C U d d ε 2211d d d ??===J S E SE lE lS S d I G Uσ三、恒定磁场分析1. 位函数微分⽅程与边界条件⽮量位:2?=-A J µ 12121211A A e A A J n s µµ()=?-=标量位:20m φ?= 211221??==??m m m m n nφφφφµµ 2. 电感定义:d d ??===??B S A l ?SlL IIIψ=+i L L L3. 恒定磁场的能量 N 个线圈:112==∑Nm j j j W I ψ连续分布:m 1d 2A J =??V W V 磁场能量密度:m 12H B ω=? 第4章静电场边值问题的解⼀、边值问题的类型●狄利克利问题:给定整个场域边界上的位函数值()=f s φ●纽曼问题:给定待求位函数在边界上的法向导数值()?=?f s nφ●混合问题:给定边界上的位函数及其向导数的线性组合:2112()()?==?f s f s nφφ●⾃然边界:lim r r φ→∞=有限值⼆、唯⼀性定理静电场的惟⼀性定理:在给定边界条件(边界上的电位或边界上的法向导数或导体表⾯电荷分布)下,空间静电场被唯⼀确定。
电磁场与电磁波总结第一章一、矢量代数 A ∙B =AB cos θA B ⨯=AB e AB sin θA ∙(B ⨯C ) = B ∙(C ⨯A ) = C ∙(A ⨯B )()()()C A C C A B C B A ⋅-⋅=⨯⨯二、三种正交坐标系 1. 直角坐标系 矢量线元x y z =++le e e d x y z矢量面元=++Se e e x y z d dxdy dzdx dxdy体积元d V = dx dy dz 单位矢量的关系⨯=e e e x y z ⨯=e e e y z x ⨯=e e e z x y2. 圆柱形坐标系 矢量线元=++l e e e z d d d dz ρϕρρϕl 矢量面元=+e e z dS d dz d d ρρϕρρϕ体积元dz d d dVϕρρ=单位矢量的关系⨯=⨯⨯=e e e e e =e e e e zz z ρϕϕρρϕ3. 球坐标系 矢量线元d l = e r d r e θr d θ+e ϕr sin θd ϕ矢量面元d S = e r r 2sin θd θd ϕ体积元ϕθθd drd r dVsin 2=单位矢量的关系⨯=⨯⨯=e e e e e =e e e e r r r θϕθϕϕθ三、矢量场的散度和旋度 1. 通量与散度=⋅⎰A SSd Φ0lim∆→⋅=∇⋅=∆⎰A S A A Sv d div v2. 环流量与旋度=⋅⎰A l ld Γmaxn 0rot =lim∆→⋅∆⎰A lA e lS d S3. 计算公式∂∂∂∇=++∂∂∂⋅A y x z A A A x y z11()z A A A z ϕρρρρρϕ∂∂∂∇=++∂∂∂⋅A 22111()(sin )sin sin ∂∂∂∇=++∂∂∂⋅A r A r A A r r r r ϕθθθθθϕxy z∂∂∂∇⨯=∂∂∂e e e A x y z x y zA A A 1zzzA A A ρϕρϕρρϕρ∂∂∂∇⨯=∂∂∂e e e A 21sin sin r r zr r A r A r A ρϕθθθϕθ∂∂∂∇⨯=∂∂∂e e e A4. 矢量场的高斯定理与斯托克斯定理⋅=∇⋅⎰⎰A S A SVd dV⋅=∇⨯⋅⎰⎰A l A S lSd d四、标量场的梯度 1. 方向导数与梯度00()()lim∆→-∂=∂∆l P u M u M u ll 0cos cos cos ∂∂∂∂=++∂∂∂∂P u u u ulx y zαβγcos ∇⋅=∇e l u u θgrad ∂∂∂∂==+∂∂∂∂e e e +e n x y zu u u uu n x y z2. 计算公式∂∂∂∇=++∂∂∂e e e xy z u u u u x y z 1∂∂∂∇=++∂∂∂e e e z u u u u z ρϕρρϕ11sin ∂∂∂∇=++∂∂∂e e e r u u uu r r r zθϕθθ 五、无散场与无旋场1. 无散场()0∇⋅∇⨯=A =∇⨯F A2. 无旋场()0∇⨯∇=u -u =∇F 六、拉普拉斯运算算子 1. 直角坐标系22222222222222222222222222222222∂∂∂∇=++∇=∇+∇+∇∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∇=++∇=++∇=++∂∂∂∂∂∂∂∂∂A e e e x x y y z zyyyx x x z z z x y zu u uu A A A x y zA A A A A A A A A A A A x y z x y z x y z,,2. 圆柱坐标系22222222222222111212⎛⎫∂∂∂∂∇=++ ⎪∂∂∂∂⎝⎭∂∂⎛⎫⎛⎫∇=∇--+∇-++∇ ⎪ ⎪∂∂⎝⎭⎝⎭A e e e z z u u uu zA A A A A A A ϕρρρρϕϕϕρρρρρϕρρϕρρϕ3. 球坐标系22222222111sin sin sin ⎛⎫∂∂∂∂∂⎛⎫∇=++ ⎪ ⎪∂∂∂∂∂⎝⎭⎝⎭u u uu r r r r r r θθθϕθϕ ⎪⎪⎭⎫⎝⎛∂∂+-∂∂+∇+⎪⎪⎭⎫⎝⎛∂∂--∂∂+∇+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂-∂∂---∇=∇ϕθθθϕθϕθθθθϕθθθθϕϕϕϕθθθϕθθA r A r A r A A r A r A r A A r A r A r A r A r r r r r 222222222222222222sin cos 2sin 1sin 2sin cos 2sin 12sin 22cot 22e e e A 七、亥姆霍兹定理如果矢量场F 在无限区域中处处是单值的,且其导数连续有界,则当矢量场的散度、旋度和边界条件(即矢量场在有限区域V’边界上的分布)给定后,该矢量场F 唯一确定为()()()=-∇+∇⨯F r r A r φ其中1()()4''∇⋅'='-⎰F r r r r V dV φπ1()()4''∇⨯'='-⎰F r A r r r V dV π第二章一、麦克斯韦方程组 1. 静电场 真空中:001d ==VqdV ρεε⋅⎰⎰SE S (高斯定理) d 0⋅=⎰l E l 0∇⋅=E ρε0∇⨯=E 场与位:3'1'()(')'4'V dV ρπε-=-⎰r r E r r r r ϕ=-∇E 01()()d 4πV V ρϕε''='-⎰r r |r r |介质中:d ⋅=⎰D S Sqd 0⋅=⎰lE l ∇⋅=D ρ0∇⨯=E极化:0=+D E P εe 00(1)=+==D E E E r χεεεε==⋅P e PS n n P ρ=-∇⋅P P ρ2. 恒定电场 电荷守恒定律:⎰⎰-=-=⋅Vsdv dtd dt dq ds J ρ0∂∇⋅+=∂J tρ传导电流与运流电流:=J E σρ=J v恒定电场方程:d 0⋅=⎰J S Sd 0⋅=⎰J l l 0∇⋅=J 0∇⨯J =3. 恒定磁场 真空中:0 d ⋅=⎰B l lI μ(安培环路定理) d 0⋅=⎰SB S 0∇⨯=B J μ0∇⋅=B场与位:03()( )()d 4π ''⨯-'='-⎰J r r r B r r r VV μ=∇⨯B A 0 ()()d 4π'''='-⎰J r A r r r V V μ 介质中:d ⋅=⎰H l lId 0⋅=⎰SB S ∇⨯=H J 0∇⋅=B磁化:0=-BH M μm 00(1)=+B H =H =H r χμμμμm =∇⨯J M ms n =⨯J M e4. 电磁感应定律() d d in lC dv B dl dt ⋅=-⋅⨯⋅⎰⎰⎰SE l B S +)(法拉第电磁感应定律∂∇⨯=-∂B E t5. 全电流定律和位移电流全电流定律: d ()d ∂⋅=+⋅∂⎰⎰D H l J S lSt∂∇⨯=+∂DH J t 位移电流:d=DJ d dt6. Maxwell Equationsd ()d d d d d 0∂⎧⋅=+⋅⎪∂⎪∂⎪⋅=-⋅⎪∂⎨⎪⋅=⎪⎪⋅=⎪⎩⎰⎰⎰⎰⎰⎰⎰D H J S B E S D S B S lS l SS V Sl tl t V d ρ 0∂⎧∇⨯=+⎪∂⎪∂⎪∇⨯=-⎨∂⎪∇⋅=⎪⎪∇⋅=⎩D H J BE D B t t ρ()()()()0∂⎧∇⨯=+⎪∂⎪∂⎪∇⨯=-⎨∂⎪∇⋅=⎪⎪∇⋅=⎩E H E H E E H t t εσμερμ 二、电与磁的对偶性e m e m eme e m m e e m mm e 00∂∂⎫⎧∇⨯=-∇⨯=⎪⎪∂∂⎪⎪∂∂⎪⎪∇⨯=+∇⨯=--⎬⎨∂∂⎪⎪∇=∇=⎪⎪⎪⎪∇=∇=⎩⎭⋅⋅⋅⋅B D E H DB H J E J D B D B t t&tt ρρm e e m ∂⎧∇⨯=--⎪∂⎪∂⎪∇⨯=+⇒⎨∂⎪∇=⎪⎪∇=⎩⋅⋅B E J D H J D B t t ρρ 三、边界条件1. 一般形式12121212()0()()()0n n S n Sn σρ⨯-=⨯-=→∞⋅-=⋅-=()e E E e H H J e D D e B B2. 理想导体界面和理想介质界面111100⨯=⎧⎪⨯=⎪⎨⋅=⎪⎪⋅=⎩e E e H J e D e B n n S n S n ρ12121212()0()0()0()0⨯-=⎧⎪⨯-=⎪⎨⋅-=⎪⎪⋅-=⎩e E E e H H e D D e B B n n n n 第三章一、静电场分析 1. 位函数方程与边界条件 位函数方程:220∇=-∇=ρφφε电位的边界条件:121212=⎧⎪⎨∂∂-=-⎪∂∂⎩s nn φφφφεερ111=⎧⎪⎨∂=-⎪∂⎩s const nφφερ(媒质2为导体) 2. 电容定义:=qCφ两导体间的电容:=C q /U 任意双导体系统电容求解方法:3. 静电场的能量N 个导体:112ne i i i W q φ==∑连续分布:12e VW dV φρ=⎰电场能量密度:12ω=⋅D E e二、恒定电场分析1.位函数微分方程与边界条件位函数微分方程:20∇=φ边界条件:121212=⎧⎪⎨∂∂=⎪∂∂⎩nn φφφφεε12()0⋅-=e J J n 1212[]0⨯-=J J e n σσ 2. 欧姆定律与焦耳定律欧姆定律的微分形式: =J E σ 焦耳定律的微分形式: =⋅⎰E J VP dV3. 任意电阻的计算2211d d 1⋅⋅====⋅⋅⎰⎰⎰⎰E lE l J S E SSSU R G I d d σ(L R =σS ) 4.静电比拟法:G C —,σε—2211⋅⋅===⋅⋅⎰⎰⎰⎰D S E S E lE lS S d d qC Ud d ε2211d d d ⋅⋅===⋅⋅⎰⎰⎰⎰J S E SE lE lS S d I G Uσ三、恒定磁场分析 2211⋅⋅===⋅⋅⎰⎰⎰⎰D S E S E lE lS S d d qC Ud d ε1. 位函数微分方程与边界条件矢量位:2∇=-A J μ12121211⨯⨯⨯A A e A A J n s μμ()=∇-∇=标量位:20m φ∇=211221∂∂==∂∂m m m m n nφφφφμμ 2. 电感定义:d d ⋅⋅===⎰⎰B S A lSlL IIIψ0=+i L L L3. 恒定磁场的能量N 个线圈:112==∑Nmj j j W I ψ连续分布:m 1d 2=⋅⎰A J V W V 磁场能量密度:m 12ω=⋅H B第四章一、边值问题的类型(1)狄利克利问题:给定整个场域边界上的位函数值()=f s φ (2)纽曼问题:给定待求位函数在边界上的法向导数值()∂=∂f s nφ(3)混合问题:给定边界上的位函数及其向导数的线性组合:2112()()∂==∂f s f s nφφ (4)自然边界:lim r r φ→∞=有限值二、唯一性定理静电场的惟一性定理:在给定边界条件(边界上的电位或边界上的法向导数或导体表面电荷分布)下,空间静电场被唯一确定。
电磁场与电磁波公式总结电磁场与电磁波是电磁学中的两个重要概念。
电磁场是描述电荷体系在空间中产生的电磁现象的物理场,而电磁波是由电磁场振荡而产生的能量传播过程。
在电磁学中,有一些重要的公式用来描述电磁场和电磁波的性质和行为。
本文将对这些公式进行总结。
1.库仑定律:库仑定律描述了两个电荷之间的相互作用力。
对于两个电荷之间的相互作用力F,它与两个电荷之间的距离r的平方成反比,与两个电荷的电量的乘积成正比。
库仑定律的公式如下:F=k*,q1*q2,/r^2其中F为两个电荷之间的相互作用力,k为库仑常数,q1和q2为两个电荷的电量大小,r为两个电荷之间的距离。
2.电场强度公式:电场是描述电荷体系对电荷施加的力的物理量。
电场强度E可以通过电荷q对其施加的力F来定义。
电场强度的公式如下:E=F/q其中F为电荷所受的力,q为电荷的大小。
3.高斯定律:高斯定律描述了电场的产生和分布与电荷的关系。
高斯定律可以用来计算电荷在闭合曲面上的总电通量。
高斯定律的公式如下:Φ=∮E·dA=Q/ε0其中Φ为电场在曲面上的电通量,E为电场强度矢量,dA为曲面的面积矢量,Q为曲面内的总电荷,ε0为真空介电常数。
4.法拉第电磁感应定律:法拉第电磁感应定律描述了磁场变化引起的感应电动势。
法拉第电磁感应定律的公式如下:ε = -dΦ / dt其中ε为感应电动势,Φ为磁通量,t为时间。
5.毕奥—萨伐尔定律:毕奥—萨伐尔定律描述了电流元产生的磁场。
根据毕奥—萨伐尔定律,磁场强度B可以通过电流元i对其产生的磁场来定义。
毕奥—萨伐尔定律的公式如下:B = μ0 / 4π * ∮(i * dl × r) / r^3其中B为磁场强度,μ0为真空磁导率,i为电流强度,l为电流元的长度,r为电流元到观察点的距离。
6.安培环路定理:安培环路定理描述了围绕导线路径的磁场和沿路径的电流之间的关系。
安培环路定理的公式如下:∮B·dl = μ0 * I其中B为磁场强度矢量,dl为路径元素矢量,I为路径中的总电流,μ0为真空磁导率。
梯度: 高斯定理:A d S ,电磁场与电磁波知识点要求第一章矢量分析和场论基础1理解标量场与矢量场的概念;场是描述物理量在空间区域的分布和变化规律的函数。
2、理解矢量场的散度和旋度、标量场的梯度的概念,熟练掌握散度、旋度和梯度的计算公 式和方法(限直角坐标系)。
:u;u;u e xe ye z ,-X;y: z物理意义:梯度的方向是标量u 随空间坐标变化最快的方向;梯度的大小:表示标量 u 的空间变化率的最大值。
散度:单位空间体积中的的通量源,有时也简称为源通量密度,旋度:其数值为某点的环流量面密度的最大值, 其方向为取得环量密度最大值时面积元的法 线方向。
斯托克斯定理:■ ■(S?AdS|L )A d l数学恒等式:' Cu )=o ,「c A )=o3、理解亥姆霍兹定理的重要意义:a时,n =3600/ a , n为整数,则需镜像电荷XY平面, r r r.S(—x,y ,z)-q ■严S(-x , -y ,z)S(x F q R 1qS(x;-y ,z )P(x,y,z)若矢量场A在无限空间中处处单值,且其导数连续有界,源分布在有限区域中,则矢量场由其散度和旋度唯一地确定,并且矢量场A可表示为一个标量函数的梯度和一个矢量函数的旋度之和。
A八F u第二、三、四章电磁场基本理论Q1、理解静电场与电位的关系,u= .E d l,E(r)=-V u(r)P2、理解静电场的通量和散度的意义,「s D d S「V "v dV \ D=,VE d l 二0 ' ' E= 0静电场是有散无旋场,电荷分布是静电场的散度源。
3、理解静电场边值问题的唯一性定理,能用平面镜像法解简单问题;唯一性定理表明:对任意的静电场,当电荷分布和求解区域边界上的边界条件确定时,空间区域的场分布就唯一地确定的镜像法:利用唯一性定理解静电场的间接方法。
关键在于在求解区域之外寻找虚拟电荷,使求解区域内的实际电荷与虚拟电荷共同产生的场满足实际边界上复杂的电荷分布或电位边界条件,又能满足求解区域内的微分方程。
三种坐标下的位矢表示:333222111d d d d g h g h g h e e e r ++=直角坐标系: z y x z y x d d d d e e e r ++= 圆柱坐标系: z z d d d d e e e r ++=φρρφρ球坐标系:φθθφθd sin d d d r r r r e e e r ++=标量的梯度:u g h g h g h u ⎪⎪⎭⎫⎝⎛∂∂+∂∂+∂∂=333222111111 grad e e e 矢量的散度:()()()⎥⎦⎤⎢⎣⎡∂∂+∂∂+∂∂=⋅∇3213231213213211F h h g F h h g F h h g h h h F 矢量的旋度:3322113213322113211F h F h F h g g g h h h h h h ∂∂∂∂∂∂=⨯∇e e e F 散度定理:⎰⎰⋅=⋅∇SVV S F F d d斯托克斯定理:⎰⎰⋅=⋅⨯∇CSl F S F d d拉普拉斯运算符:⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂∂∂+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂∂∂+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂∂∂=∇33213223121132132121g h h h g g h h h g g h h h g h h h 标量拉普拉斯运算: u 2∇矢量拉普拉斯运算: 3232221212F F F ∇+∇+∇=∇e e e F电流的连续性方程: ⎰⎰-=⋅VSV t d d dd ρS J ,0=∂∂+⋅∇t ρJ恒定电流场:(要电流不随时间变化,即要电荷在空间分布不随时间变化) 0=⋅∇J电场强度:()()⎰--=--==VV''''''q R q d 414433030r r r r r r r r r R r E ρπεπεπε高斯定理:()0ερ=⋅∇r E电场性质:()0=⨯∇r E磁感应强度:()()()()⎰⎰--⨯=--⨯=VCV''''''I d 4d 43030r r r r r J r r r r l r B πμπμ安培环路定理: ()()r J r B 0μ=⨯∇磁场性质:()0=⋅∇r B媒质的传导特性:v E J ρσ==(v 表示电荷的运动速度)法拉第电磁感应定律:()⎰⎰⎰⋅⨯+⋅∂∂-=⋅=C s C t l B v S Bl E d d d in ξ麦克斯韦方程组与磁场的边界条件:ρ=⋅=⋅⋅∂∂-=⋅⋅∂∂+⋅=⋅⎰⎰⎰⎰⎰⎰⎰SS S CS SCttS D S B S B l E S D S J l H d 0d d d d d dρ=⋅∇=⋅∇∂∂-=⨯∇∂∂+=⨯∇D B tBE t D J H 0()()()()Sn n n Sn D D e B B e E E e J H H e ρ=-⋅=-⋅=-⨯=-⨯2121212100静电场和恒定磁场的基本方程和边界条件如上可查(电场与磁场不相互影响,故有略去项) 电位函数: ()()r r E ϕ-∇=()()C V'''r V'+-=⎰d 41r r r ρπεϕ ϕd d )(-=⋅l r E微分方程: ερϕ)()(2r r =∇ 边界方程: 21ϕϕ= S nn ρϕεϕε-=∂∂-∂∂2211系统电容:1取适合坐标;2设带等量相反电荷;3求出电场;4求出电位差;5计算荷差比。
静电场的能量:221d 21CU V W V e ==⎰ρϕ 能量密度:22121E w e ε=⋅=E D 矢量磁位: A B ⨯∇=,0=⋅∇AC r r J A +-=⎰VSV 'd 4πμ微分方程: J A μ-=∇2边界方程: 21A A =S n J A A e =⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⨯∇-⨯∇⨯221111μμ 标量位矢: m ϕ-∇=H 微分方程: 02=∇m ϕ边界方程: 21m m ϕϕ= nn m m ∂∂=∂∂2211ϕμϕμ 系统电感: II L L L i i 00ψψ+=+=⎰⎰-⋅=212121d d 4C C M r r l l πμ恒定磁场的能量:⎰∑∑⋅====j C j Nj j N j j j m I I W l A d 212111ψ能量密度:μ22121B w m =⋅=H B 恒定电场分析:本构以εσ→,电荷密度对恒定电场无影响可以置零。
对比电容与漏电导: U U U q C S S ⎰⎰⋅=⋅==S E S D d d ε UU U I G S S ⎰⎰⋅=⋅==SE S J d d σ 唯一性定理:在场域V 的边界面S 上给定ϕ或n∂∂ϕ的值,则泊松方程或拉普拉斯方程在场域内具有唯一解。
镜像法遵循的原则:1所有镜像电荷必须位于所求的场域以外的空间中;2镜像电荷的个数、位置及电荷量的大小以满足场域边界面上的边界条件来确定。
波动方程:0222=∂∂-∇tEE με0222=∂∂-∇t HH με达朗贝尔方程(依洛仑兹规范):J AA μμε-=∂∂-∇222tερϕμεϕ-=∂∂-∇222t洛仑兹规范:t∂∂-=⋅∇ϕμεA 库仑规范:0=⋅∇A电磁能量守恒:()⎰⎰⎰⋅+⎪⎭⎫⎝⎛⋅+⋅=⋅⨯-V V SdV V t J E D E B H S H E d 2121d d d (坡印廷定理)时谐电磁场的复数表示: ])(Re[])(Re[)](cos[)(),(j j )(j t t m m e ue e u t u t u ωωφφωr r r r r r ==+= 复矢量的麦克斯韦方程: D J H ωj +=⨯∇,B E ωj -=⨯∇,0=⋅∇B ,ρ=⋅∇D 亥姆霍兹方程(波动方程的复数化): 022=+∇H H k ,022=+∇E E k ,μεω=k 时谐场的位函数:洛仑兹条件变为ωμεϕj -=⋅∇A达朗贝尔方程变为J A A L k μ-=+∇22 ρεϕϕ122=+∇k μεω22=k平均能流密度:]Re[21d 2d 1/200*⨯===⎰⎰H E S S ωπωπt t T S T av 平均电、磁场能量密度:*⋅'=E E ε41eavw *⋅'=H H μ41mav w 理想介质中的均匀平面波函数:()kz kz x e e z E j 2j 1A A +=-,第一项为z +方向,第二项为z -方向 理想介质中的均匀平面波的传播特点:ωπ2=Tπω21==T fkπλ2=μελf 1=kt z v ω==d d με1=vεμη=E e H ⨯=z η1z e H E ⨯=η 21E e S ηz=221m zav E e S η= 沿任意方向传播的均匀平面波:()r k r E ⋅-=j e E m()()r E e r H ⨯=n η1合成波的极化形式取决于x E 和y E 分量的振幅和相位之间的关系:有:()x m x t E E φω+=cos ,()y m y t E E φω+=cos直线极化波: 0=-x y φφ或π±圆极化波: 电场的x 和y 分量的振幅相等;2πφφ=-x y ,左旋极化波;2πφφ-=-x y ,右旋极化波椭圆极化波: 振幅和相位都不等,最简单而形成。
均匀平面波在导电媒质中的传播(⎪⎭⎫⎝⎛-==ωεσμεωγj1j j k ): z z xm x e e E βαj --=e E ,α称为衰减常数,β称为相位常数(与波数k 相近),速度变为βω=v ⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡-⎪⎭⎫ ⎝⎛+=1122ωεσμεωα⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡+⎪⎭⎫ ⎝⎛+=1122ωεσμεωβ平均坡印廷矢量:φηcos 212E e S cz av =弱导电媒质中的均匀平面波:εμσα2=,μεωβ=,⎪⎭⎫⎝⎛+≈⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=-ωεσεμωεσεμη2j 1j 12/1c 良导体中的均匀平面波:μσπβαf ≈≈()σμπσμπσωμεμηπf e f c c j 12j 4/j +==≈=μσωβω2≈=v趋肤深度μσπωμσαδf 121===群速与相速的关系ωωd d 1p p pg v v v v -=:①0d d =ωp v ,无色散;②0d d <ωp v ,正常色散;③0d d >ωp v ,反色散均匀平面波对分界面的垂直入射:定义:反射系数cc cc im rm E E 1212ηηηη+-==Γ,透射系数cc cim tm E E 1222ηηητ+==且有关系:τ=Γ+1对理想导体平面的垂直入射:媒质1为理想介质01=σ,媒质2为理想导体∞=2σ,得02=c η,故有1-=Γ,0=τ对理想介质分界面的垂直入射:媒质1与2均为理想介质,021==σσ,得11ηη=c ,22ηη=c ,故有1212ηηηη+-=Γ,1222ηηητ+=均匀平面波对多层介质分界面的垂直入射:自右起,算出第2个分界面右边的等效阻抗,连续计算至自左起的第1个分界面右边。
()()d d 2322232ef tan j tan j βηηβηηηη++=两种不同媒质之间插入厚度为4λ=d ,本征阻抗为312ηηη=的媒介,反射系数0=Γ相同媒质之间插入厚度为2λ=d 的任何媒质,反射系数0=Γ反射定律与折射定律:t i r k k k θθθsin sin sin 211==,111k c c v c n ωεμ===在斜入射的情况下,反射系数和透射系数与入射波的极化有关:垂直极化波:t i t i θηθηθηθηcos cos cos cos 1212+-=Γ⊥,t i iθηθηθητcos cos cos 2122+=⊥平行极化波:t i t i θηθηθηθηcos cos cos cos 2121//+-=Γ,ti iθηθηθητcos cos cos 2212//+=全反射:1//=Γ=Γ⊥,临界入射角⎪⎪⎭⎫⎝⎛=12arcsin εεθc 全透射:0//=Γ=Γ⊥,临界入射角⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=12212arctan arcsin εεεεεθb 均匀平面波对理想导体平面的斜入射:垂直极化波:1-=Γ⊥,0=⊥τ 平行极化波:1//=Γ,0//=τ。