其中:A由振动熵决定的系数,取1-10,通常取1。T↑--C↑ 一般晶体中,间隙原子的形成能E`v较大(约为空位形成能的 3-4倍),因此,在同一温度下,晶体中间隙原子的平衡浓度C’ 比空位的平衡浓度低得多。
Ev对C的影响
金属 种类 Pb Al Mg Au Cu Pt W
Ev
× 10-8J 0.08 0.12 0.14 0.15 0.17 0.24 0.56
形成原因:热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺
陷等
一、按缺陷的几何形态分类
1. 点缺陷(零维缺陷) 2. 线缺陷(一维缺陷,位错) 3. 面缺陷(二维缺陷,表面及界面)
3.1 点缺陷(零维缺陷)
缺陷尺寸处于原子大小的数量级上, 即三维方向上缺陷的尺寸都很小。 包 括 : 空 位 ( vacancy ) 、 间 隙 原 子 (interstitial particle)、异类原子(foreign particle),如图3-1所示。
(3)扩散:影响固态相变,化学热处理(chemical heat treatment)等。
过饱和点缺陷(supersaturated point defect)
在点缺陷的平衡浓度下晶体的自由能最低,系统最稳定。 当在一定的温度下,晶体中点缺陷的数目明显超过其平衡浓度 时,这些点缺陷称为过饱和点缺陷. 它的产生方式有三种: 淬火(quenching)\冷加工(cold working)\辐照(radiation) 淬火:高温时晶体中的空位浓度很高,经过淬火后,空位来 不及通过扩散达到平衡浓度,在低温下仍保持了较高的空 位浓度。 冷加工:金属在室温下进行压力加工时,由于位错交割所 形成的割阶发生攀移,从而使金属晶体内空位浓度增加。 辐照:当金属受到高能粒子(中子、质子、氘核(dao,氢的 同位素之一,用于热核反应。旧称重氢)、α粒子、电子等) 辐照时,晶体中的原子将被击出,挤入晶格间隙中,由于 被击出的原子具有很高的能量,因此还有可能发生连锁作 用,在晶体中形成大量的空位和间隙原子。