电子科技大学模拟电路简答题 总汇 期末必备

模拟电子电路_杭州电子科技大学2中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.以下电极名称哪一个不属于MOS器件?答案:基极2.在下述几种击穿现象中，哪类击穿是不可逆的？（）答案:热击穿3. NEMOSFET饱和区的工作条件为VGS Vt, VDS VGS-Vt。

答案:>,>4.分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和（）组态均为电流跟随器结构。

答案:CG，CB5.分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和（）组态均存在米勒倍增效应，因而均为窄带放大器。

答案:CS，CE6.下面对PN结单向导电性描述合理的有（）。

答案:反偏时几乎没有电流通过反偏时PN结等效为一个大电阻正向导通，反向截止7.下列关于BJT和FET的描述正确的是（）答案:BJT为流控器件，FET为压控器件BJT为双极型器件，FET为单极型器件8.共源（CS）放大器交流通路中，若引入源极电阻，关于其作用说法正确的是（）答案:控制的大小，避免因_过大产生非线性失真稳定静态工作点拓展放大器的带宽9.当环境温度升高时，PN结（）。

答案:半导体中的本征激发增强反向饱和电流增大10.与同类型、同偏置的电阻型负载差放放大器相比，有源负载差放放大器（）。

答案:采用单端输出方式，但具有类似前者双端输出时的效果，甚至性能更好差模增益大大提高单端输出时共模抑制比更高广泛用于集成电路设计中11.N型半导体带负电，P型半导体带正电答案:错误12.在画放大器直流通路时，所有电容应短路，所有电感应开路答案:错误13.限幅电路仅能利用二极管的单向导电性实现。

答案:错误14.BJT和MOSFET管在集成电路中除了作为放大管使用外，还有另外两个作用分别是电流源和有源负载答案:正确15.有源负载结构既能用于CE组态，也能用于CB和CC组态。

答案:正确。

一.放大、饱和、截止区的特征以及它们的条件。

截止区1.特征：iB=0时输出曲线以下的区域为截止区。

iB=0时iC≈iE=iCE0=0，三极管CE间为开路。

2.条件：发射结、集电结均反偏。

放大区1.特征：iB=0以上多条的输出特性曲线；有放大特性，iC=βiB；有恒流特性，iC与vCE无关。

2.条件：发射结正偏，集电结反偏。

饱和区1.vCE<Von以左区域；iC<βiB，即iB不能控制iC的变化，失去放大能力。

2.条件：发射结、集电结均正偏。

二.放大区的分析(静、动态)，静态工作点，电压放大倍数。

1.静态分析，直流里电容视为断路；2.动态分析，Vcc接地，电容视为短路；3.静态工作点，计算出静态下的基极电流，集电极电流和Vce；4.电压放大倍数，输出电压与输出电流的比值；三.阻容耦合放大器的优缺点1.优点：结构简单，成本低，频率特性好，静态工作点互不影响；2.缺点：对低频信号衰减大，对缓慢变化的信号不能耦合，无法应用在集成电路中。

四.串并联，电压电流负反馈各自的优点1.输入电阻串联负反馈使输入电阻增大；并联负反馈使输入电阻减小。

2.输出电阻电压负反馈使输出电阻减小；电流负反馈使输出电阻增大。

3.放大倍数负反馈使电路的放大倍数下降。

4.稳定性负反馈使电路的稳定性提高。

5.通频带宽度负反馈使电路的通频带宽度增加。

6.波形负反馈可以改善波形失真。

五.三极管电流源类型种类及其作用1.类型1>单管电流源电路2>基本镜像电流源电路3>改进型基本镜像电流源电路4>微电流源电路5>比例电流源电路2.作用1>提供稳定的偏置电流；2>作为放大器有源负载。

六.甲类、乙类、甲乙类功率放大器的优缺点1.甲类优点：输出波形无失真，导通角为2π；缺点：效率太低仅为50％。

2.乙类优点：效率高，最大可为78.5％；缺点：输出波形失真，导通角仅有π。

3.甲乙类特点：静态工作点处于甲类和乙类之间，导通角大于π小于2π。

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

电子科技大学“机械设计制造及其自动化”《模拟电路基础》23秋期末试题库含答案第1卷一.综合考核(共20题)1.三极管的击穿电流ICEO是()。

A.基极开路时的集电极电流B.发射极开路时的集电极电流C.基极短路时的集电极电流D.发射极短路时的集电极电流2.差动放大电路依靠电路的对称性以及共模负反馈来抑制零点漂移。

()A.正确B.错误3.为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入()。

A.电流负反馈B.电压负反馈C.直流负反馈D.交流负反馈4.电流求和负反馈使输人电阻减少；电压求和负反馈使输人电阻()。

A.增加B.不变C.减少5.6.功率放大器的效率是()。

A.平均输出功率与平均输入功率之比B.平均输出功率与晶体管平均消耗的功率比C.最大不失真平均输出功率与电源提供的平均功率总功率之比D.晶体管上平均消耗的功率与电源提供的平均功率总功率之比8.向放大器输入正弦电压。

当输出是非正弦的周期电压时，该放大器一定产生了()。

A.频率失真B.相位失真C.削波失真D.非线性失真9.在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生()。

A.负离子B.空穴C.正离子D.电子-空六对10.要求得到一个由电流控制的电流源，应引入()负反馈。

A.电压串联B.电压并联C.电流串联D.电流并联11.半导体中的载流子为()。

A.电子B.空穴C.正离子D.电子和空穴12.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

()A.正确B.错误13.在绝对零度时，本征半导体中()载流子。

A.有B.没有C.少数D.多数14.N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。

A.正值B.负值C.零15.差分放大电路端输出时，主要靠电路的对称性来抑制温漂。

()A.错误B.正确16.反馈放大电路由()电路和()网络组成。

A.基本放大B.反馈C.正反馈D.负反馈17.18.集成运放中间级的作用是()。

A.提高输人电阻B.提高共模抑制比C.提高放大倍数19.20.为了抑制直流放大器的温漂输出，应该采用()。

1.场效应管主要有哪些类型？场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，结型场效应管可以分为N沟道JEET和P 沟道JEET，绝缘栅型场效应管可以分为N沟道增强型和P沟道增强型，N沟道耗尽型和P 沟道耗尽型6.电路中常用一个大的电解电容和一个小的无极性电容进行并联，一般情况下，电解电容的误差远大雨无极性电容的容量，为什么这样做？电解电容的容量很大，对高频截至的电感7.乙类功率放大器的主要特点是什么？ICQ设置在截止点上，导通角为pi，最大效率78.5%，采用互补对称结构消除交越失真8.画出桥式整流滤波电路的原理图以及关键点的输入输出波形9.什么是理想反馈？1）反馈网络的接入对基本放大器增益A V无影响2）从输入端口向输出端口的信号传递主要通过基本放大器进行，而反向传递主要通过反馈网络进行10.什么是MOS管阈值电压？当栅极加上正向电压时，栅极下面的硅片的表面将会感应出电子，VGS越大，感生电子越多，VGS达到某一个值时，表面层将会变成电子导电为主，即从P型转成N型，此时电压为VT11.一般来说，电路中都存在负反馈网络，请介绍一下负反馈网络的作用1）能提高放大器增益的稳定性2）减小放大器的非线性失真。

展宽频带。

3）改变输入输出电阻12.什么是理想放大器？给出它的5个参数？1）开环差模增益2）差模输入电阻3）输出电阻4）共模抑制比5）上限截止频率9.二极管和绝缘栅型场效应管饱和区漏极的电流表达式1)2)10.在实际调试一个电路时，发现一个npn三极管的发射结正偏，集电结反偏，则该三极管一定处在放大区么？为什么？不一定，实际调试电路时，发现发射结正偏，但UBE＜0.7时尽管发射结正偏，但三极管不一定处在放大区11.放大电路输入阻抗的大小对整个电路的影响是什么？举例说明提高双极晶体管放大电路输入阻抗的方法。

影响电路的放大倍数可采用串接射级电阻的方法12.对于甲类乙类和甲乙类功率放大器，他们的静态工作点、波形失真和效率有什么特点？甲类集电极静态电流ICQ＞集电极的交流信号电流幅度，输入信号整体周期内部导通，导通角为360，最大效率25%，乙类ICQ设置在截止点上，导通角180，最大效率78.5%，存在交越失真，甲乙类ICQ略高于截止点，导通角大于180，可以消除交越失真13.说明负反馈对电路性能的影响。

2009-2010 第一学期期末试卷一、（30分）问答题（共30分，共6小题，每小题5分）1.求解放大电路静态工作点有哪三种方法，在模拟电路课程中以哪种方法为主？2.在计算放大电路中场效应管的静态工作点时，为什么没有输入特性曲线（或方程）可用？而可以用什么特性曲线（或方程）？3.为什么BJT比FET的输出特性曲线更容易受温度影响？4.放大电路中，你认为稳定静态工作点的措施有哪些？5.放大电路中，负载电容会影响上转折频率还是下转折频率？6.与甲类功放相比较，从效率和失真两方面给出乙类功放的特点？它有哪些方面需要改进？改进后的功放电路称为什么类型功放？二、放大电路如图1所示。

已知R c=1kΩ，R1=R f1=R f2=20kΩ，R s=10 kΩ，r be=1kΩ，β=100。

下转折频率f L=100Hz。

（共15分）1．确定电容C D的值；（8分）2．求源电压增益A vs=V o/V s（7分）三、电路如图2所示。

已知R c=100kΩ，R3=50 kΩ，R z=1.8 kΩ，V CC=V EE=12V，所有三极管均为硅管，且β=50，V BE=0.7V，r ce3=200 kΩ，二极管稳定电压V z=6.8V，r z很小。

（共15分）1．求Q1的静态工作点；（4分）2．求差模电压增益A vd=v od/v id和共模电压增益A vc=v oc/v ic (式中v id=v1-v2，v ic=(v1+v2)/2)；（8分）3．求共模抑制比CMRR。

（3分）四、负反馈放大器如图3所示。

已知β=50，r be=1 kΩ。

（共25分）1．判断交流反馈类型；（3分）2．画出A电路和B电路；（5分）3．求基本放大器的增益A和反馈系数B；(8分)4．计算输入电阻R in和输出电阻R out；（4分）5．计算闭环源电压增益A vsf=v o/v s；（3分）6．若假定该负反馈为深度负反馈，估算闭环源电压增益A vsf=v o/v s。

填空题一、直流电阻电路1． 理想电压源的电流由___________________决定。

（与之联结的外电路）2．一段电路的端电压为U ，端电流为I ，在关联参考方向下，当P=UI>0时，该段电路________功率。

（吸收）3．由n 个节点，b 条支路组成的电路，共有_________个独立KCL 方程和______个独立KVL 方程。

（n-1，b-n+1）4．在电路分析中，理想运算放大器的主要特性是流入两输入端的电流为________，两个输入端的电压为_________。

（0， 同电位）5．如图电路，I=________。

（-1A ）1AI6．如图电路，3A 电流源中产生的功率为___________。

（-21W ）7．如图电路，当R 增大时，流过R L 的 S电流将_________。

R L（不变）8．如图电路，Ix =________。

（1A ）9．如图电路，U =__________。

6（1V ）10．如图电路中，U=_______，I =_______。

U+（-10V ，10A ）11．如图电路，I =_________。

（3A ）6 3二、动态电路1． 电路中，电感元件可看作2．初始储能为0间可看作__________。

（开路，短路）3．两个电容串联时，等效电容值（变小 ，越小）4．电路处于稳态后，电容可等效为（开路，短路）5．当电容电流为有限值时，能跃变。

（电容电压，电感电流）6（零输入响应）7．RC 充电电路时间常数 8．RC 并联电路，与电容C 9．对于RL 1011．RLC 串联电路中，当R<2CL 响应。

（欠阻尼，震荡）12．RCL 串联电路中，当________三、正弦交流稳态电路1． 只有_________2压的相位差为________。

（-90°）3．某电路中的电压相量为3+j4V ， 答案： t u 2cos(2553.1°）V4．正弦稳态电路中，电感上的电流（滞后，超前）56．一个感性负载，可用________的功率因素。

电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考试模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分一（20分）、问答题1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大？哪个最小？2．（4分）在集成运算放大器中，为什么输出级常用射极跟随器？为什么常用射极跟随器做缓冲级？3．（4分）电流源的最重要的两个参数是什么？其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载？在集成电路中采用有源负载有什么好处？4．（4分）集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级？5．（4分）在线性运算电路中，集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式？二（10分）、电路如图1所示。

已知电阻R S=0，r be=1kΩ，R1∥R2>>r be。

1．若要使下转折频率为10Hz，求电容C的值。

2．若R S≠0，仍保持下转折频率不变，电容C的值应该增加还是减小？图1三（10分）、电路如图2所示。

已知差模电压增益为10。

A点电压V A=-4V，硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V，R C=10 kΩ。

求电阻R E和R G。

图2四（10分）、电路如图3所示。

已知三极管的β=50，r be=1.1kΩ，R1=150kΩ，R2=47kΩ，R3=10kΩ，R4=47k Ω，R5=33kΩ，R6=4.7kΩ，R7=4.7kΩ，R8=100Ω。

1．判断反馈类型；2．画出A电路和B电路；3．求反馈系数B；4．若A电路的电压增益A v=835，计算A vf，R of和R if。

图3五（10分）、试导出图4所示电路的输出电压v o与输入电压v i之间的关系。

已知R1=1MΩ，R2=4MΩ，R3=1/3MΩ，R4= R5= R6=1MΩ，C1=C2=1μF。

图4参考答案及评分标准一（20分）、问答题1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器的带宽最小（2分），共集放大器的带宽最大（2分）。

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第X 学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A )A．所有衬底PNP集电极电压必须相同.B．所有衬底PNP发射极电压必须相同.C．所有衬底PNP基极电压必须相同.D．所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A )A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大.6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A )A．大电流密度限制.B．Si-Al互熔问题.C．互联线的温度系数………密………封………线………以………内………答………题………无………效……D．是否形成欧姆接触.8. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些A. 最大电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率D.功耗9.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响10.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C )A．差分管的对称性B．电流源的交流阻抗C．输入电压幅度D．电阻R C1和R C2的对称性11. Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.对于ED NMOS基准电压源电路, 其中的两个NMOS的工作状态为( A )A, 都是饱和区B. 一个是饱和区, 一个是线性区C 都是线性区D都是亚阈值区13正偏二级管正向压降具有( B )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负14. MOS共栅放大器的特点是( D )A．放大器输入输出反相, 输入阻抗高B．放大器输入输出同相, 输入阻抗高………密………封………线………以………内………答………题………无………效……C．放大器输入输出反相, 输入阻抗低D．放大器输入输出同相, 输入阻抗低15. 电路的主极点是( D )A离原点最远的极点, 它对应电路的-3dB带宽B 离原点最远的极点, 它对应电路的单位增益带宽C离原点最近的极点, 它对应电路的单位增益带宽D.离原点最近的极点, 它对应电路的-3dB带宽16.在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利( C )A．增大有源负载管的宽长比.B．提高静态工作电流..C．增大差分对管的沟道长度和宽度D．提高器件的开启(阈值)电压17.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( A )A．越高越好, B.越低越好 C. 没有要求D. 可高可低18. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A )A.小得多B相当, C 大得多. D不确定19.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响20.对于差分对的版图设计下列（ D ）图最优.………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二． 简答题（共5题，每题4分， 共20分）1. 画出共源共栅放大器基本结构, 简述其工作原理及特点.答:基本原理：M1为输入器件，M2为共源共栅器件，共源级M1将输入电压信号Vin 转换为电流信号g m Vin ，该电流信号流入M2漏端，从其源端输入到负载。

1 画出BJT管输出特性曲线，简述各个区域的特点及偏置条件截止区：ic几乎为0，电路不工作。

发射结电压小于开启电压；集电结反偏；放大区：ic=βib，ic几乎只与ib有关，与uCE无关，表现出ib对ic的控制作用。

发射结电压大于开启电压；集电结反偏。

饱和区：ic不仅与ib有关，还随uCE增大而明显增大，ic＜βib。

发射结和集电结正偏。

BJT输出特性曲线表现的是IB为常数时ic与管压降UCE的关系。

2为什么BJT称为双极性晶体管，而FET称为单极晶体管，他们各自是哪种控制型器件。

BJT管工作时两种载流子都参与导电；FET管仅有多数载流子参与导电；BJT管是电流控制器件；FET管是电压控制器件。

3 BJT管输出电压产生截止失真（饱和失真）的原因是什么，如何减小。

产生失真的原因是静态工作点Q设置不合理或者外加信号过大。

输出电压产生截止失真的原因是Q点过低，负半周期时IB过小导致BJT管进入截止区；适当减小RB以增大IB即可；输出电压产生饱和失真的原因是Q点过高，正半周期时IC饱和导致BJT管进入饱和区；适当增大RB以减小IB即可Q点位置适中的时候如果外加输入信号过大，产生双向失真。

通过输入端接分压电路或者适当增大直流偏置电压。

4 直流电源在放大电路的作用是什么①为晶体管正常工作提供偏置电压；②为电路提供能源5 为什么要稳定静态工作点，有哪些方法静态工作点不但决定电路是否会产生失真，还会影响到电压放大倍数、输入电阻等动态参数。

引入直流负反馈或者使用温度补偿（靠温度敏感器件直接对IB产生影响）。

6 BJT管稳定静态工作点电路引入了哪种反馈，简述稳Q过程。

见67 有哪些耦合方式，各有什么特点？直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合。

直接耦合：可放大直流信号、低频特性好、利于集成；静态工作点相互影响，存在零点漂移现象。

阻容耦合：各级静态工作点相互独立；只能放大交流信号、低频特性差、耦合过程有损耗，不利于集成。