2-8 电容与部分电容

电容的分类按照材质分:1.名称:聚酯(涤纶)电容符号:(CL) 电容量:40p-4μ 额定电压:63-630V 主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差 应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路2.名称:聚苯乙烯电容符号:(CB) 电容量:10p-1μ 额定电压:100V-30KV 主要特点:稳定,低损耗,体积较大 应用:对稳定性和损耗要求较高的电路3.名称:聚丙烯电容符号:(CBB) 电容量:1000p-10μ 额定电压:63-2000V 主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差 应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路4.名称:云母电容符号:(CY) 电容量:10p-0.1μ 额定电压:100V-7kV 主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小 应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路5.名称：高频瓷介电容 符号:(CC) 电容量:1-6800p 额定电压:63-500V主要特点:高频损耗小,稳定性好 应用:高频电路6.名称:低频瓷介电容 符号:(CT) 电容量:10p-4.7μ 额定电压:50V-100V主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差 应用:要求不高的低频电路7.名称:玻璃釉电容 符号:(CI) 电容量:10p-0.1μ 额定电压:63-400V 主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度) 应用:脉冲,耦合,旁路等电路8.名称:铝电解电容 符号(CD) 电容量:0.47-10000μ 额定电压:6.3-450V 主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大 应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等9.名称:钽电解电容符号(CA) 电容量:0.1-1000μ 额定电压:6.3-125V 主要特点:损耗,漏电小于铝电解电容 应用:在要求高的电路中代替铝电解电容10.名称:空气介质可变电容器 符号: 可变电容量:100-1500p主要特点:损耗小，效率高；可根据要求制成直线式,直线波长式,直线频率式及对数式等 应用:电子仪器,广播电视设备等11.名称:薄膜介质可变电容器 符号: 可变电容量:15-550p 主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大 应用:通讯,广播接收机等12.名称:薄膜介质微调电容器 符号: 可变电容量:1-29p主要特点:损耗较大:体积小 应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿13.名称:陶瓷介质微调电容器 符号: 可变电容量:0.3-22p 主要特点:损耗较小,体积较小 应用:精密调谐的高频振荡回路14.名称:独石电容容量范围:0.5PF-22μF 耐压:二倍额定电压.应用范围:广泛应用于电子精密仪器.各种小型电子设备作谐振,耦合,滤波,旁路.独石电容的特点:电容量大,体积小,可靠性高,电容量稳定,耐高温耐湿性好等.最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的温漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了.就温漂而言：独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小.就价格而言:钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低.但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵,云母电容Q值较高,也稍贵.片状多层瓷介电容又叫片状独石电容，主流分三种类型，I型（COG）性能很好，但容量小，一般小于0.2U，另一种叫II型(X7R)，容量大，性能较好，III型(Y5V)材料，容量更大，但性能一般。

电容的基础知识电容(Electric capacity)，由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成。

由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同：按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。

按介质材料可分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容电解电容。

按极性分为：有极性电容和无极性电容。

我们最常见到的就是电解电容。

电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐二、电容的符号电容的符号同样分为国内标表示法和国际电子符号表示法，但电容符号在国内和国际表示都差不多，唯一的区别就是在有极性电容上，国内的是一个空筐下面一根横线，而国际的就是普通电容加一个"＋"符号代表正极。

三、电容的单位电阻的基本单位是：F （法），此外还有μF（微法）、pF（皮法），另外还有一个用的比较少的单位，那就是：nF（），由于电容 F 的容量非常大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位，而不是F的单位。

他们之间的具体换算如下：1F＝1000000μF1μF=1000nF=1000000pF五、电容的耐压单位：V（伏特）每一个电容都有它的耐压值，这是电容的重要参数之一。

普通无极性电容的标称耐压值有：63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等，有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低，一般的标称耐压值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。

六、电容的种类电容的种类有很多，可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电七、电容的标称及识别方法1. 由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法。

如果数字是0.001，那它代表的是0.001uF＝1nF，如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF。

电容归纳总结第1篇（1）基本结构：由两块彼此绝缘互相靠近的导体组成。

（2）带电特点：两板电荷等量异号，分布在两板相对的内侧。

（3）板间电场：板间形成匀强电场（不考虑边缘效应），场强大小E=U/d，方向始终垂直板面。

充电与放电：使电容器带电叫充电；使充电后的电容器失去电荷叫放电。

充电过程实质上是电源逐步把正电荷从电容器的负极板移到正极板的过程。

由于正、负两极板间有电势差，所以电源需要克服电场力做功。

正是电源所做的这部分功以电能的形式储存在电容器中，放电时，这部分能量又释放出来。

电容器所带电量：电容器的一个极板上所带电量的绝对值。

击穿电压与额定电压：加在电容器两极上的电压如果超过某一极限，电介质将被击穿而损坏电容器，这个极限电压叫击穿电压；电容器长期工作所能承受的电压叫做额定电压，它比击穿电压要低。

电容归纳总结第2篇MLCC（Multi-layer CeramicCapacitors）是片式多层陶瓷电容器英文缩写。

是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。

可以看到，内部电极通过一层层叠起来，来增大电容两极板的面积，从而增大电容量。

陶瓷介质即为内部填充介质，不同的介质做成的电容器的特性不同，有容量大的，有温度特性好的，有频率特性好的等等，这也是为什么陶瓷电容有这么多种类的原因。

陶瓷电容的基本参数：电容的单位：电容的基本单位是：F（法），此外还有μF（微法）、nF、pF（皮法），由于电容 F 的容量非常大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF 的单位，而不是 F 的单位。

它们之间的具体换算如下： 1F＝1000000μF 1μF=1000nF=1000 000pF电容容量：常用陶瓷电容容量范围：。

实际生产的电容的陶瓷容量值也是离散的，常用电容容量如下表：陶瓷电容容量从起步，可以做到100uF，并且根据电容封装（尺寸）的不同，容量也会不同。

电容详细讲解电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。

用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF)、皮法拉（pF),1F=10^6uF=10^12pF U8P,V9n k1A一、电容器的型号命名方法c d n2@$[ o q3x(@/^国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。

依次分别代表名称、材料、分类和序号。

a"y O D+u ? k6N(H第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。

l*[ R U/c W8Y lGuest第二部分：材料，用字母表示。

R b8I `6X:i!A+?第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。

&O T W;g;f5E-x L*s4|Guest第四部分：序号，用数字表示。

J1h+}1m rGuest用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 [&{6S(Z"r:`)P CO V$h&U e6F3E-@Guest二、电容器的分类W"D K#u _4Y sGuest1、按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。

j r-E E5a | G D#s SGuest2、按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介3O y H-b h d质电容器等。

2d&C7K g6c.k X!rGuest3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型.u s3o E m)K ` ` ^ H电容器。

1l N} [ w&E4、频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容 q [ R;H(F:B2Y器。

电容器规格详细介绍电容器种类依照主要材质特性分为电解质电容,电解质芯片电容,塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别.1.电解质电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型 (>11mm高度), 迷你型(7mm高度), 超迷你型 (5mm高度), 耐高温型(105℃), 低漏电型, 迷你低漏电型 (7mm高度), 双极性型, 无极性型, 及低内阻型 (Low ESR)等.2.电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片(105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等.3. 塑料薄膜电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜, 金属化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金属化聚丙烯薄膜, 及交流用金属化聚丙烯薄膜等. 4.陶瓷电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型,Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C. Type)半导体型等.5.陶瓷芯片电容种类: 依照尺寸及额定功率特性可再区分为0402, 0603, 0805, 1206等较具普遍性电容器主要电气规格1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000uF, 测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF, 测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量范围为1 pF-680pF, 测试频率为1MHz. Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF, 测试频率为1KHz. S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF.2. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M 即 +/-20%, 塑料薄膜电容器为J即 +/-5%或K即 +/-10%, 或M即 +/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type为C即 +/-0.25pF (10pF 以下时), 或D即 +/-0.5pF (10pF以下时), 或J或K四种. Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即 +80/-20%三种.3. 损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000.(Q值相当于D值的倒数)4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值, 一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type其常用代号为CH或NPO 即为 +/-60ppm, UJ即为 -750+/-120ppm, SL即为+350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为 +/-10%, E (5U)即为 +20/-55%, F (5V)即为 +30/-80%.5. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定规格, 一般以电容器本身额定电压加压3 Min后, 串接电流表测试, 其漏电流量需在0.01CV ( uF电容量值与额定电压相乘积) 或3uA以下 (取其较大数值). 特定低漏电流量使用 (Low leakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.6. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器本身额定电压之1.3倍电压加压, 需工作正常无异状.7. 使用温度范围: 一般电解电容器的使用温度范围为 -25℃至+85℃, 特定高温用或低漏电流量用者为 -40℃至+105℃. 塑料薄膜电容器为 -40℃至+85℃. 陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type为 -25℃至+85℃.如何选用规格适当之电容器1. 所有被动组件中,电容器属于种类及规格特性最复杂的组件. 尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异,即使是相同的电容量值与额定电压值, 亦有其它不同种类及材质特性的选择.2. 以电解电容器为例, 由于其电容量值较大, 虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特性差异:A. 使用温度范围:需选定一般型 -25℃至+85℃或耐高温型 -40℃至+105℃B. 使用高度限制:传统A/I标准型最低高度为11mm, 迷你型为7mm, 超迷你型为5mm(相当于芯片电解电容器之高度).C. 电容量误差值:较高额定电压或电容量大于100uF时, 有一般型为 +100/-10%或 M型 +/-20%.D. 低漏电流量特性:用于某些特定电路, 与充放电时间常数准确性有关时. (相当于Tantalum钽质电容特性)E. Low ESR低内阻特性:用于某些滤波电路, 需配合高频脉波大电流之滤波效果.例如交换电源之滤波电路.F. Bipolar 双极性特性:用于高频脉波电路, 需配合高频脉波大电流之通路效果.例如推动偏向线圈之水平输出电路.G. Non-polar无极性特性:用于低频高波幅之音频信号通路, 用以避免因电容器两端之正逆向偏压, 造成输出波形失真.H. 以上为一般A/I电解电容器,而芯片电解电容器亦同样有标准型, 耐高温型, 低漏电流量型(即钽质芯片电容), 无极性特性等分类.3. 以陶瓷电容器为例, 其材料特性区分为3类. Class 1 T/C温度补偿型供高频谐振电路用, Class 2 Hi-K与Class 3 S/C为滤波及信号通路用, 由于其电容量值部分类似, 且与塑料薄膜电容器亦数值接近, 需特别注意特性选用.A. Class 1容量范围为1 pF-680 pF, 可视高频电路需要, 选择CH零温度补偿型 (例如RC谐振电路, 不需补偿温度系数), UJ负温度补偿型 (例如LC谐振电路,需补偿线圈正温度系数), SL 无控制温度补偿型 (例如高频补偿, 非谐振电路, 不需考虑温度影响).B. Class 2 Hi-K容量范围为100 pF-0.047 uF与Class 3 S/C容量范围为0.01 uF-0.33 uF, 两者特性接近. 一般后者外型较小, 成本低, 但耐压规格较低.C.需注意100 pF-680 pF范围内,Class 1与 Class 2电容器之Q值相差极大, 电路上不可误用.4.以塑料薄膜电容器为例, 各类不同材质特性,可配合不同之电路应用. 其共同特性为容量不受温度影响, 适合中低频电路使用.A. 聚丙烯 (代号PPN或PPS) 材质之损失角最低, 可适用于高电压脉波电路工作. PPS材质为 1KV以上使用, PPN材质为 1KV 以下使用.B. 金属化聚丙烯 (代号MPPN) 材质耐电压较高, 适用于DC高电压或AC电源电路工作.使用于AC电源电路者, 必须符合AC电源安规验证,一般称为X2电容.C.聚乙脂 (代号PS) 损失角低且容量较低, 高频特性良好, 可适用于中低频谐振电路工作.D.金属化聚乙烯 (代号MPE) 容量范围广及无电感特性,可适用于一般脉波电路工作.代号MEF者,亦为MPE类材质, 但具有Flame-retardant防火特性.E. 聚乙烯 (代号PE分为有电感特性PEI及无电感特性PEN两种) 其损失角较大, 但因成本较低,可适用于一般直流或低频电路工作.F. 所有金属化之塑料薄膜电容器, 均具有self-healing自行回复特性, 材质被高压击穿后, 只要移去高压, 即可自行回复原有功能.//**************************************************************//认清电容显卡选购完全手册之电容篇作者：火乌鸦转贴自：ZOL希望对那些还不了解电容的会员们有用电容爆裂事件的背后最近2年来电容爆裂、漏液、失效这样的事件在主板、显卡领域时有发生，不过正因为这样的事件，促进消费者对显卡上电容的认识度。

贴片电阻、贴片电容规格、封装、尺寸对应表贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。

一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。

我们常说的0603封装就是指英制代码。

另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。

贴片电容和贴片电阻都是一样可以用的,0805,1206等贴片电阻电容功率与尺寸对应表电阻封装尺寸与功率关系,通常来说:02011/20W04021/16W06031/10W08051/8W12061/4W电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:0402=1.0x0.50603=1.6x0.80805=2.0x1.21206=3.2x1.61210=3.2x2.51812=4.5x3.22225=5.6x6.5常规贴片电阻(部分)常规的贴片电阻的标准封装及额定功率如下表：英制(mil)公制(mm)额定功率(W)@70°C020106031/20040210051/16060316081/10080520121/8120632161/4121032251/3181248321/2201050253/4251264321国内贴片电阻的命名方法：1、5%精度的命名：RS-05K102JT2、1％精度的命名：RS-05K1002FTR－表示电阻S－表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。

05－表示尺寸(英寸)：02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示1210、12表示2512。

K－表示温度系数为100PPM,102－5％精度阻值表示法：前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝10000Ω＝1KΩ。

电容详解⼀、基本概念电容：亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量。

电容器：①定义1：电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是⼀种容纳电荷的器件;②定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成⼀个电容器。

电容值：电容器所带电量Q与电容器两极间的电压U的⽐值，叫电容器的电容。

在电路学⾥，给定电势差，电容器储存电荷的能⼒，称为电容（capacitance），标记为C。

电容单位：法拉，简称法，符号是F。

常⽤的电容单位有毫法（mF）、微法（µF）、纳法（nF）和⽪法（pF）等，换算关系是：1法拉（F）= 1000毫法（mF）=1000000微法（µF）1微法（µF）= 1000纳法（nF）= 1000000⽪法（pF）。

排容：由若⼲个电容排列⽽成的电容阵列，若⼲个参数完全相同的电容，它们的⼀个引脚都连到⼀起，作为公共引脚，其余引脚正常引出。

⼆、电容分类2.1. 按照结构2.1.1固定电容器：不能调节的,我们称之为定值电容。

2.1.2可变电容器：它由⼀组定⽚和⼀组动⽚组成，它的容量随着动⽚的转动可以连续改变。

把两组可变电容装在⼀起同轴转动，叫做双连。

可变电容的介质有空⽓和聚苯⼄烯两种。

空⽓介质可变电容体积⼤，损耗⼩，多⽤在电⼦管收⾳机中。

聚苯⼄烯介质可变电容做成密封式的，体积⼩，多⽤在晶体管收⾳机中。

2.1.3微调电容器：半可变电容也叫做微调电容，它是由两⽚或者两组⼩型⾦属弹⽚，中间夹着介质制成。

调节的时候改变两⽚之间的距离或者⾯积。

它的介质有空⽓、陶瓷、云母、薄膜等2.2.按极性有极性电容和⽆极性电容，有极性使⽤时要注意⽅向。

2.3.按介质CBB电容（聚丙烯），涤纶电容、瓷⽚电容、云母电容、独⽯电容、（铝）电解电容、钽电容等。

2.3.1叠层陶瓷贴⽚电容（MLCC） <⽆极性 >采⽤多层结构，往往⼀个MLCC内部多达⼏⼗层，甚⾄更多。

电容器标称电容值E24 E12 E6 E24 E12 E61.0 1.0 1.0 3.3 3.3 3.31.1 3.61.2 1.2 3.9 3.91.3 4.31.5 1.5 1.5 4.7 4.7 4.71.6 5.11.8 1.8 5.6 5.62.0 6.22.2 2.2 2.2 6.8 6.8 6.82.4 7.52.7 2.7 8.2 8.23.0 9.1注：用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量，n为正或负整数。

主要参数的意义：标称容量以及允许偏差：目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E6系列。

他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。

现在较为通用的容值代码表示方法为三位代码“XXY”表示法，前两位数字表示乘系数，后一位表示乘指数，单位为pF。

其中一般前两位的取值范围为上述E6和E12系列，后一位数字表示乘指数10 n。

当Y= 9时，对应前述n = -1；当Y= 8时，对应前述n = -2；当Y= 0，1，2，3，4，5，6，7时，Y就等于n。

示例如下：0.5pF容值代码表示为508； 68pF容值代码表示为680；1 pF容值代码表示为109； 120pF容值代码表示为121；4.7pF容值代码表示为479；2200pF容值代码表示为222；10pF容值代码表示为100；100000pF容值代码表示为104（0.1μF）；47μF容值代码表示为476； 330μF容值代码表示为337//--------------------------------------------------【单位pF】39 P 43 P 47 P 51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P100 P 120 P 150 P180 P 200 P 220 P 240 P 270 P 300 P 330 P 360 P 390 P470 P 560 P 620 P680 P 750 P【单位nF】1.0 1.2 1.5 1.82.2 2.73.3 3.94.75.6 10 15 18 22 27 3339 56 68 82【单位uF】0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2贴片电容，SMD贴片电容，无铅贴片电容的如何命名？SMT: Surface Mounting Technology表面贴装技术SMT包括表面贴装技术.表面贴装设备,表面元器件.及SMT管理摘自南山半导体有限公司网站贴片电容的命名，国内和国外的产家有一此区别但所包含的参数是一样的。

电容器电容器通常简称其为电容，用字母C表示。

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。

定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。

相关公式电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn三电容器串联C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3)标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。

在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等，换算关系是：1法拉(F)= 1000毫法(mF)＝1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。

三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

如：102表示标称容量为1000pF。

221表示标称容量为220pF。

224表示标称容量为22x10(4)pF。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数宇乘上10的-1次方来表示容量大小。

如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。

允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%。

电容参数详解1、标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。

电解电容器的容值，取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。

因此容值，也就是交流电容值，随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。

在标准JISC 5102 规定：铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为120Hz，最大交流电压为0.5Vrms，DC bias 电压为1.5 ～ 2.0V 的条件下进行。

可以断言，铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。

电容器中存储的能量E = CV^2/2电容器的线性充电量I = C (dV/dt)电容的总阻抗(欧姆)Z = √ [ RS^2 + (XC – XL)^2 ]容性电抗(欧姆)XC = 1/(2πfC)电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。

精度等级与允许误差对应关系：00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。

2、额定电压在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。

3、绝缘电阻直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻。

当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf 时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。

电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。

4、损耗电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。

各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。

电容的识别方法电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。

电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。

其中：1法拉=103毫法（mF）=106微法（uF）=109纳法（nF）=1012皮法（pF）即：1 u F＝103nF ；1 nF＝10-3u F ；1 u F＝106pF ；1 pF＝10-6u F容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10uF/16V。

容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示。

●字母表示法：1m=1000 uF；1P2=1.2PF；1n=1000PF●数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。

如：102表示10×102PF=1000PF ；224表示22×104PF=0.22 u F1. 直标法容量单位：F（法拉）、μF（微法）、nF（纳法）、pF（皮法或微微法）。

1法拉（F）=106微法（uF）=1012微微法（pF）；1微法（uF）=103纳法（nF）=106微微法（pF）；1纳法（nF）=103微微法（pF）4n7 表示4.7nF或4700pF ；0.22 表示0.22μF；51 表示51pF 。

有时用大于1的两位以上的数字表示单位为pF的电容，例如101表示100 pF。

用小于1的数字表示单位为μF 的电容，例如0.1表示0.1μF。

2. 数码表示法一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。

前两位为有效数字，后一位表示位率。

即乘以10n，n为第三位数字。

如223J代表22×103pF＝22000pF＝0.022μF，允许误差为±5% ，这种表示方法最为常见。

3. 色码表示法这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。

色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF。

常见的电容容值，在实际的项目开发时，我们需要注意电容在使用时的诸多特性值；上一篇我们讲到了电容的耐压值，今天我们介绍下电容的容值。

电容的容值单位如下：1F=1000mF=1000000uF=1000000000nF=1000000000000pF其实就是：1F=1X103mF=1X106uF=1X109nF=1X1012pF电容的并联：就相当于电阻的串联（C=C1+C2）；电容的串联：就相当于电阻的并联（1/C=1/C1+1/C2），但是常见的是电容的并联，而串联仅仅用在提高电容的耐压上，比如说是25V电路，一个电容耐压16V，两个串联的话每个承受电压为一半。

但是前两个，也就是1F和mF这两个不常见，F也有人称为超级电容，笔者也仅仅在早年的飞思卡尔比赛中见到过以及使用过超级电容，它的特点一是大，二是贵，真贵。

常见的电容是uF以及以下的电容单位，uF电容我在做到以及见到的项目中仅仅用到了1000uF的级别，其他真没见过，要不说隔行如隔山。

电容容值取决于材料、生产工艺等，下面就来列举常见的电容容值：5PF、10PF、12PF、15PF、18PF、20PF、22PF、27PF、30PF、33PF、39PF、47PF、68PF、82PF、1NF、1.5NF、1.8NF、2NF、2.7NF、3.3NF、4.7NF、5.6NF、10NF、15NF、20NF、22NF、33NF、47NF、82NF、100NF、1UF、4.7UF、10UF、22UF、35UF、47UF、50UF、100UF、220UF、330UF、470UF、680UF、1000UF其他的肯定有，也有定制版的，但是目前我见到的、用过的仅仅只有上面这些；小容值的，5PF、10PF、12PF常见于射频电路中，射频电路前端滤波匹配电路，wifi、蓝牙等。

15PF、18PF、20PF、22PF、27PF、30PF，这些，常见于电路的心脏，也就是晶振的两个负载电容，用来移相作用；还有一个作用就是用来作为EMC电容，去除高频干扰的。