低频第五章

  • 格式:pdf
  • 大小:1.08 MB
  • 文档页数:47

第5 章
低频功率放大器
5.1 概述
5.1.1 功率放大器的主要指标5.1.2 功率放大器的分类
5.1.1 功率放大器的主要指标
1.预备知识
电压放大:不失真地增大输出信号电压幅度,以驱动功放。

功率放大:以输出功率为重点,驱动负载。

电压放大和功率放大有不同的特点及指标要求,在多级放大器中,电压放大器处于前置级和中间级,而功率放大处在末级(也可能包括末前级),以驱动负载。

功率放大实质上也是能量转换电路,它的主要特点就是工作在大信号状态下。

2.主要指标
c
U o P P P −=直流电源供给功率一部分变成了有用的输出信号,剩余的部分主要变成了晶体管的管耗,即:
(3)非线性失真
由于功放工作在大信号状态下,所以很容易导致输出信号产生非线性失真。

要求功放产生的非线性失真尽可能小。

结论:
功率放大器的任务是: 在确保晶体管安全运用情况下,获得尽可能大的输出功率,尽可能高的效率和尽可能小的非线性失真。

U P c P
5.1.2 功率放大器的分类
°
=180θ导通角
°
=90θ导通角功率放大器根据功放管的导通时间的长短进行分类。

(1)甲类(A类)工作状态
在输入信号的整个周期内晶体管
都是导通的。

(2)乙类(B类)工作状态
在输入信号的半个周期内晶体管
导通。

°
<<°18090θ(3)甲乙类(AB类)工作状态
是介于甲类和乙类之间的工作状态,晶体管导通的时间大于
半个周期,但小于一个周期。

(4)丙类(C类)工作状态晶体管导通的时间小于半个周期。

°<90θ
CES CE U u =(5)丁类(D类)工作状态
此时,晶体管处于开关状态,即在输入信号的半个周期内饱和导通;在另外半个周期内,晶体管截止。

饱和导通:
五类功放的效率满足下式:

丙乙甲乙甲ηηηηη<<<<
5.2 互补推挽功率放大器
5.2.1 乙类推挽功率放大器的工作原理5.2.2 乙类推挽功率放大器的分析计算5.2.3 乙类推挽功率放大器的非线性失真
采用乙类的原因:由于晶体管只在半个周期内导通,因此晶体管的集电极静态电流,所以一个周期内晶体管的平均功耗小。

5.2.1乙类推挽功率放大器的工作原理显然,集电极电流产生了严重的非线性失真
选用两只特性完全相同
的异型晶体管,轮流工作在
乙类状态。

如何解决非线性失真和高效率的矛盾?
从而在负载上获得完整的输出波形。

0=CQ I
1.电路结构
(1)和是一对对
称的异型晶体管;
(2)和分别与负载组成射极跟随器;(3)采用两组电源
供电。

两管交替工作,一只在输入
信号正半周导通,另一只在负半
周导通,犹如一推一挽,在负载
上合成完整的波形。

1VT 2VT 1VT 2VT L
R
CC U ±
u i
i
1 E
电路
组成射极跟随器
u
i
i
2
E
21E E L i i i −=
L CC R U
CC U 1CE u CESN u o L CC R U CESP u o CC U Q L R 1−CC U CC L U R CC L U R
CC U L
CC R U L
CC
R U 0
>i u 工作原理分析
0<i u i u CC
U +o
u CC U −2VT 1
VT 1
E i 2
E i
i C 1
i
2 C
5.2.3 乙类推挽功率放大器的非线性失真
t
U u im i ωcos =设L L ++++++++=)cos()2cos(2)cos(21101n cmn cm E t n I t Icm t I I i ϕωϕωϕωL
L +++++++++++=)cos()22cos(2)cos(21102n cmn cm E n t n I t Icm t I I i ϕπωϕπωϕπω1.推挽电路对偶次谐波的抑制
推挽电路中,若两管的特性完全一致,则其电压、电流波形也完全对称。

21E E L i i i −=L ++++=)3cos(2)cos(23311ϕωϕωt I t I cm cm 可见,对称的电路可以消除偶次谐波成分。

V
u o /V u o /V u i /CES CC U U −CES
CC U U +−交越失真
交越失真是指发生在信号穿越过零点时产
生的失真。

2.交越失真及消除方法
由图看出,交越失真是由晶体管发射结门限电压引起的,因此,若能给两个晶体管发射结加入适当的正向偏置电压, 使每个管子导通时间略超过T/2,以克服两管发射结死区电压的影响,就可以消除交越失真。

原理电路
(3)消除交越失真的方法a.改为甲乙类工作状态
交越失真该图是原理电路,实际上,在集成电路中,正向偏置不会直接采用电压源的方式,可以用电阻、二极管和三极管等元器件来提供。

VT
2
5.3 其它形式的功放电路
5.3.1 单电源供电的互补推挽电路5.3.2 准互补推挽功率放大器
5.3.3 集成功放电路
5.3.4 丁类音频功率放大器
VT
2和VT
3
的输出通过电容C
2
和负载相接。

V U U CC B 702./+≈2.工作原理调整VT 1的静态工作点,使由于C 2的容量很大,因此C 2充放电的时间常数远大于信号的半个周期,所以两管轮流导通时,电容两端的电压基本不变恒等于U CC /2,相当于直流电源电压,于是对VT 2、VT
CES CC u U P 21)/(−=
(1)等效为NPN管(2)等效为PNP管
(3)连接原则:
①复合管类型以第一个晶体管为准;
②应保证两管的基极电流能流通;
5.3.2 准互补推挽功率放大器2.准互补推挽电路
VT 5
作为放大管,工作在甲类
工作状态。

VT 1、VT 3以复合管的方式构
成NPN管。

VT 2、VT 4 以复合管的方式构
成PNP管。

注:VT 3和VT 4是同型管子,所以不具互补性,互补
作用是由VT 1和VT 2实现的。

5.3.4丁类音频功率放大器
5.4 功率器件、散热及保护电路
5.4.1 功率器件
5.4.2 功放管的管耗与散热
5.4.3 保护电路
在型硅衬底上生长出一层外延层,区共同构成漏区,在其上引出漏极(d极);在外延层上掺杂扩散形成P层及层,以此为源极区并在其上引出源极(s极);最后利用光刻技术刻蚀出纵向的V型槽,在整个表面氧化生成SiO 2层,并在V型槽表面蒸发一
层金属层形成栅极(g极)。

5.4.1 功率器件
+N −N (1)功率MOSFET
大功率MOSFET管采用纵向导电沟道,称为VMOSFET。

VVMOS管结构图−+N N +N −N
5.4.1 功率器件
(2)绝缘栅双极型功率管IGBT
是一种将MOS管和双极型晶体管组合而成的功率器件。

NMOS复合管的构成及符号
PMOS复合管的构成及符号IGBT具有大电流、高电压、低功耗、高输入电阻、小
驱动电流等特点。

5.4.3 保护电路
是附加的限流二极管。

43VD VD 、;
、不起作用正常时,43VD VD 限制管耗即可以有效地保护功放管,因此只要限制流过集电极地电流,就可以限制管耗。

(1)二极管保护电路最大输出电流为:
制了输出电流。

部分基极电流,因此限去了一
由截止转变为导通,分VD 上的压降增大
正向电流过大,R 3e22
e 3D omax /R U I ≈
5.4.3 保护电路
极管。

三是附加的限流、54VT VT ;不起作用、正常时,54T VT V (2)三极管保护电路
制了输出电流。

部分基极电流,因此限去了一
由截止转变为导通,分VT 上的压降增大正向电流过大,R 4e2。