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LD422243单边可控硅模块手册晶闸管模块也叫可控硅模块，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件，海飞乐技术封装可控硅模块代替一下型号：SKKT15/12(16)E(D)SKKT20/12(16)E(D)SKKT26(27)/12(16)E(D)SKKT41(42)/12(16)E(D)SKKT56(57)/12(16)E(D)SKKT71(72)/12(16)E(D)SKKT91(92)/12(16)ESKKT105(106)/12(16)E(D)SKKT131/12(16)ESKKT132/12(16)ESKKT161/12(16)ESKKH15/12(16)E(D)SKKH20/12(16)E(D)SKKH26(27)/12(16)E(D)SKKH41(42)/12(16)E(D) SKKH56(57)/12(16)E(D) SKKH71(72)/12(16)E(D) SKKH91(92)/12(16)E(D) SKKH105(106)/12(16)E(D) SKKL15/12(16)E(D)SKKL20/12(16)E(D)SKKL26(27)/12(16)E(D) SKKL41(42)/12(16)E(D) SKKL56(57)/12(16)E(D) SKKL71(72)/12(16)E(D) SKKL91(92)/12(16)E(D) SKKL105(106)/12(16)E SKKL131/12(16)ESKBT28/12(14)SKBT40/12(14)SKBT28/12(14)SKBT28/12(14)SKBT28/12(14)SKBT40/12(14)SKCH28-14SKKT162/12(16)ESKKT213/12(16)E SKKT250/12(16)E SKKT253/12(16)E SKKT330/12(16)E SKKT500/12(16)E SKKT330/12(16)E SKKT400/14(16)E SKKQ31/12(16) SKKQ45/12(16) SKKH131/12(16)E SKKH132/12(16)E SKKH161/12(16)E SKKH162/12(16)E SKKH210/12(16)E SKKH213/12(16)E SKKH250/12(16)E SKKH253/12(16)E SKKH500/12(16)E SKKL132/12(16)E SKKL161/12(16)E SKKL162/12(16)ESKKH213/12(16)E SKKH250/12(16)E SKKH253/12(16)E SKKH500/12(16)E SKDH100/12(16) SKDL100/12(16) SKDT60/12(16) SKDT100/12(16) SKCH28-16(1600V) SKDL150/09(16) SKFT150/10MCC26/12(16)io1B MCC44/12(16)io1B MCC56/12(16)io1B MCC72/12(16)io1B MCC95/12(16)io1B MCC132/12(16)io1B MCC162/12(16)io1B VHF28-14io1MCD26/12(16)io1B MCD44/12(16)io1BMCD56/12(16)io1B MCD72/12(16)io1B MCD95/12(16)io1B MCC170/12(16)io1B MCC220/12(16)io1B MCC250/12(16)io1B MCC312/12(16)io1B MCO450-20MCO500-12/16 MCO600-12/16VHF28-16iO1MCD132/12(16)io1B MCD162/12(16)io1B MCD220/12(16)io1B MCD250/12(16)io1B MCD312/12(16)io1B TM90CZ-HTM200CZ-HTM20DA-HTM25DZ-HTM25DZ-24(H)TM55DZ-HTM90DZ-HTM90DZ-24(H) TM130DZ-HTM130DZ-24(H) TM200DZ-HTM200DZ-24(H) TM400DZ-HTM400DZ-24(H) TM400DA-HTM400DA-24(H) TM60SZ-MTM100SZ-MTM60SA-6TM90SA-6TM150SA-6TM20RA-HTM25RZ-HTM25RZ-24(2H) TM55RZ-HTM55RZ-24(3H) TM90RZ-HTM130RZ-HTM130RZ-24(2H)TM200RZ-HTM200RZ-24(2H)TM10T3B-HTM15T3A-HTM25T3A-H可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类；从具体的用途上区分，可以分为：普通晶闸管模块（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块（MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块（也就是通常所说的电焊机专用模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块（MDS)、单相（三相）整流桥模块（MDQ)、单相半控桥（三相全控桥）模块(MTS)以及肖特基模块等。
产品规格书Specification of Products产品名称：产品型号：普通晶闸管模块湖北梅兰半导体有限公司湖北梅兰半导体有限公司Hubei Merlin Semiconductor Co., Ltd.厂址：湖北省 襄阳市 高新技术开发区电话：总机传真：分机E-mail:mlsanrex@(710)3807852 3807952 3807905 3806705811版本号：02 更新日期：2011.3MTC(MTA MTK)300A（高压系列）321VALUESYMBOL CHARACTERISTIC TEST CONDITIONS T j(°C)Min Type MaxUNITI T(AV)Mean on-state current180°half sine wave50HzSingle side cooled,T c=85°C125300AI T(RMS)RMS on-state current Single side cooled,T c=85°C125314AV DRMV RRMRepetitive peak off-state voltageRepetitive peak reverse voltageV DRM&V RRM tp=10msV DsM&V RsM= V DRM&V RRM+200Vrespectively12525005600VI DRMI RRMRepetitive peak currentat V DRMat V RRM12550mAI TSM Surge on-state current9.3.KAI2t I2T for fusing coordination10ms half sine waveV R=60%V RRM125432A2s*103 V TO Threshold voltage 1.15. V r T On-state slop resistance1250.95.mΩV TM Peak on-state voltage I TM=1500A1252.44V dv/dtCritical rate of rise of off-statevoltageV DM=67%V DRM125800V/μs di/dtCritical rate of rise of on-statecurrentFrom67%V DRMto1500A, Gate source1.5At r≤0.5μs Repetitive125100A/μsI GT Gate trigger current30200mAV GT Gate trigger voltage1.03.0VI H Holding currentV A=12V, I A=1A2520150mA V GD Non-trigger gate voltage At67%V DRM1250.2V R th(j-c)Thermal resistanceJunction to heatsinkAt1800sine, Single side cooled0.065°C /W V iso Isolation voltage50Hz,R.M.S,t=1min,I iso:1mA(MAX) 6000V Thermal connection torque(M10) 12.0N.mF mMounting torque(M6) 6.0N.m T stg Stored temperature-40140°C W t Weight1350g OutlineOUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAMM10M13M14M15Fig.1通态伏安特性曲线Fig.2 结至管壳瞬态热阻抗曲线Fig.3最大功耗与平均电流关系曲线Fig.4管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.5 最大功耗与平均电流关系曲线Fig.6 管壳温度与通态平均电流关系曲线Fig.7 通态浪涌电流与周波数的关系曲线Fig.8 I 2t 特性曲线Fig.9 门极功率曲线Fig.10 门极触发特性曲线M14M13Outside DimensionM10M15。
晶闸管的原理、特性、主要参数及测试方法1.1 晶闸管晶闸管（Thyristor）是硅晶体闸流管的简称，也称为可控硅SCR（Semiconductor Control Rectifier）。
晶闸管作为大功率的半导体器件，只要用几十至几百毫安的电流就可以控制几百至几千安的大电流，实现了弱电对强电的控制。
1.1.1 晶闸管的结构晶闸管是四层（P1N1P2N2）三端（阳极A、阴极K、门极G）器件，其内部结构和等效电路如图1-1所示。
图1-1 晶闸管的内部结构和等效电路晶闸管的符号及外形如图1-2所示，图1-2（a）为晶闸管的符号，图1-2（b）为晶闸管的外形。
晶闸管的类型大致有4种：塑封型、螺栓型、平板型和模块型。
塑封型晶闸管多用于额定电流5A以下；螺栓型晶闸管额定电流一般为5～200A；平板型晶闸管用于额定电流200A以上；模块型晶闸管额定电流可达数百安培。
晶闸管由于体积小、安装方便，常用于紧凑型设备中。
晶闸管工作时，由于器件损耗会产生热量，需要通过散热器降低管芯温度，器件外形是为便于安装散热器而设计的。
图1-2 晶闸管的符号及外形晶闸管的散热器如图1-3所示。
图1-3 晶闸管的散热器1.1.2 晶闸管的工作原理以图1-4所示的晶闸管的导通实验电路来说明晶闸管的工作原理。
在该电路中，由电源EA、晶闸管的阳极和阴极、白炽灯组成晶闸管主电路，由电源EG、开关S、晶闸管的门极和阴极组成控制电路（触发电路）。
图1-4 晶闸管的导通实验电路实验步骤及结果说明如下。
（1）将晶闸管的阳极接电源EA的正极，阴极经白炽灯接电源的负极，此时晶闸管承受正向电压。
当控制电路中的开关S断开时，灯不亮，说明晶闸管不导通。
（2）当晶闸管的阳极和阴极承受正向电压，控制电路中开关S闭合，使控制极也加正向电压（控制极相对阴极）时，灯亮说明晶闸管导通。
（3）当晶闸管导通时，将控制极上的电压去掉（即将开关S断开），灯依然亮，说明一旦晶闸管导通，控制极就失去了控制作用。
90 AmpTHYRISTOR MODULE800~1800 VoltsFeaturesApplicationsRevision: A2016/03/04www.mccsemi .com1 of 5Lead Free Finish/RoHS Compliant (NOTE 1)("P" Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) International standard packageHeat transfer through aluminum oxide DBC ceramic isolated metal baseplate Glass passivated chipM T 90C 08T 1 M T 90C 12T 1 M T 90C 16T 1 M T 90C 18T 1Simple MountingPower Converters Lighting ControlDC Motor Control and Drives Heat and temperature controlMicro Commercial ComponentsM C CMicro Commercial Components 130 W Cochran St, Unit B Simi Valley, CA 93065USATel:818-701-4933Revision: A2016/03/04www.mccsemi .com2 of 5Module TypeMaximum RatingsThermal CharacteristicsTYPEV RRMV RSMMT 90C08T1 MT 90C12T1 MT 90C16T1 MT 90C18T1800V 1200V 1600V 1800V900V 1300V 1700V 1900VSymbolConditionsValuesUnitsI TAV Sine 180o;Tc=85℃ 90A I TSM T VJ =45℃ t=10ms, sine T VJ =125℃ t=10ms, sine20001750 A i 2t T VJ =45℃ t=10ms, sine T VJ =125℃ t=10ms, sine 20000 15000 A2s Visol a.c.50HZ;r.m.s.;1min3000V Tvj -40 to 130℃Tstg -40 to 125℃Mt terminals(M5)To 3±15% Nm Ms heatsink(M6)To 5±15% Nm di/dt T VJ = T VJM , 2/3V DRM ,I G =500mA Tr<0.5us,tp>6us 150A/us dv/dt T J = T VJM ,2/3V DRM linear voltage rise 1000 V/us a Maximum allowable acceleration50 m/s 2 WeightModule(Approximately)100gElectrical Characteristics T VJ =25℃ ,V D =6VSymbolConditionsValues Min.Typ.Max.UnitsV TM T=25℃ I TM =300A 1.65V I RRM /I DRMVJ =T VJM T ,V R =V RRM ,V D =V DRM20 mAV TO For power-loss calculations only (T VJ =125℃)0.9V r TVJ =T VJMT 2 m Ω V GT T VJ =25℃ ,V D =6V 3.0VI GT 150 mAV GD T VJ =125℃ ,V D =2/3V DRM 0.25 V I GD T VJ =125℃ ,V D =2/3V DRM 6mAI L T VJ =25℃ ,R G = 33 Ω 300600 mA I H T VJ =25℃ ,V D =6V 150250 mAtgd T VJ =25℃, I G =1A, di G /dt=1A/us1ustqT VJ =T VJM100usRevision: A2016/03/04www.mccsemi .comPerformance Curves3 of 5Fig1. Power dissipationFig2.Forward Current Derating CurveFig3. Transient thermal impedanceFig4. Max Non-Repetitive Forward SurgeCurrentFig5. Forward CharacteristicsRevision: A2016/03/04www.mccsemi .comPerformance Curves4 of 5Fig6. Gate trigger Characteristics∧PG(tp)10Revision: A2016/03/04www.mccsemi .comDevicePackingPart Number-B PBulk : 10PCS/BOX ;100PCS/CTNOrdering Information :5 of 5Micro Commercial ComponentsM C C。
杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司杭州国晶电子科技有限公司 模块典型电路 电联结形式（右图）模块外型图、安装图M220M225使用说明：一、使用条件及注意事项：1、使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质和气氛。
2、模块管芯工作结温：可控硅为-40℃∽125℃；环境温度不得高于40℃；环境湿度小于86%。
3、模块在使用前一定要加装散热器，散热器的选配见下节。
散热可采用自然冷却、强迫风冷或水冷。
强迫风冷时，风速应大于６米∕秒。
二、安装注意事项：1、由于MTC可控硅模块是绝缘型（即模块接线柱对铜底板之间的绝缘耐压大于2.5KV有效值），因此可以把多个模块安装在同一散热器上，或装置的接地外壳上。
2、散热器安装表面应平整、光滑，不能有划痕、磕碰和杂物。
散热器表面光洁度应小于10μm。
模块安装到散热器上时，在它们的接触面之间应涂一层很薄的导热硅脂。
涂脂前，用细砂纸把散热器接触面的氧化层去掉，然后用无水乙醇把表面擦干净，使接触良好，以减少热阻。
杭州国晶电子科技有限公司模块紧固到散热器表面时，采用M5或M6螺钉和弹簧垫圈，并以4NM力矩紧固螺钉与模块主电极的连线应采用铜排，并有光滑平整的接触面，使接触良好。
模块工作３小时后，各个螺钉须再次紧固一遍。
模块散热器选择用户选配散热器时，必须考虑以下因素：①模块工作电流大小，以决定所需散热面积；②使用环境，据此可以确定采取什么冷却方式——自然冷却、强迫风冷、还是水冷；③装置的外形、体积、给散热器预留空间的大小，据此可以确定采用什么形状的散热器。
一般而论，大多数用户会选择铝型材散热器。
为方便用户，对我公司生产的各类模块，在特性参数表中都给出了所需散热面积。
此面积是在模块满负荷工作且在强迫风冷时的参考值。
下面给出散热器长度的计算公式：模块所需散热面积＝（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×２其中，模块所需散热面积为模块特性参数表中给出的参考值，散热器周长、截面积可以在散热器厂家样本中查到，散热器长度为待求量。
三相可控硅整流调压移相触发器㈠概述龙科三相可控硅整流调压移相触发器(英文名称为Loncont Solid-State jk trigger，简称LSJK)，它内部集三相电压同步过零检测、移相电路、输入控制电路和六路驱动可控硅的触发电路于一体，独特的全兼容输入控制模式， 0-5Vdc、0-10Vdc、4-20mA、1-5Vdc、0-10mA等自动方式均能适应，无须专门特别订制，也可用电位器手动控制。
在输入控制作用下，产生三相可改变导通角度的强触发脉冲信号再去分别控制可控硅，即可实现三相负载电压从0V到电网全电压的无级可调。
输入调节范围宽，输出调节精度高，抗干扰能力强，上电无瞬间冲击。
触发器无须外接同步变压器，也无须外接直流电源，采用SMT贴片工艺，体积小，外围接线少，使用方便。
触发器使用单宽脉冲强触发方式，适应感性负载或阻性负载，可以触发额定电流达1500A的可控硅。
1、触发器有线性补偿功能，极大地提高了调节均匀性，输出变化接近理想直线，输入调节范围宽，输出调节精度极高，三相对称性好，抗干扰能力强。
2、触发器有上电缓启动功能，有效地减小了负载在通电时的瞬间冲击电流，延长负载寿命。
㈡型号命名：LSJK --- T 3 SCR FLSJK---龙科固态移相触发器T---三相，缺省为单相额定工作电压3：280-430Vac2：160-280Vac1：90-160Vac0：40-90VacSCR---单向可控硅F---全控桥式整流㈢多种输入方式电位器手动控制方式 0-5Vdc自动控制方式0-10Vdc自动控制方式 4-20mA（1-5Vdc）自动控制方式 0-10mA自动控制方式使用说明1、独特的全兼容输入控制模式， 0-5Vdc、0-10Vdc、4-20mA、1-5Vdc、0-10mA等自动方式均能适应，无须专门特别订制，也可用电位器手动控制。
输入调节范围宽，输出调节精度高，抗干扰能力强。
①、电位器手动控制方式：按图示，电位器中间端接到模块cont端，电位器另两端分别接到模块com端和+5V端。
GOLD CONTROL固特控制技术有限公司Thyristors Diode ModulesMDTC110A MTDC110A MTDX110A MDTX110A可控整流混合型模块特 性：●国际标准封装●焊接结构，优良的温度特性和功率循环能力主要用途：●玻璃钝化工艺（方片）芯片●各种整流电源●低通态压降≤1.3●直流屏●引线端与底板电气绝缘，2500V 交流电压●变频器●阻断电压高达1600V ●电焊机●高达12倍抗浪涌能力●直流充电电源●安装方便●直流电动机●环保产品（符合ROHS 要求）结温T j (℃）最小典型最大单面散热，Tc=85℃I T(RMS)125173A V DRM V RRM I DRM I RRM I TSM 10ms 底宽，正弦半波，2400A I 2t V R =0.6V RRM29A 2S *103V TO 0.8V r T 2.29m ΩV TM I TM =330A251.69V dv/dt V DM =67%V DRM 125800V/μs 门极电流上升时间t r ≤0.5μsI GT 30100mA V GT 1.0 2.5V I H20100mA固特电力半导体模块通过欧盟CE 、ISO9001、符合ROSH 认证企业Page 5of 12007-01产品热线：TEL:86-510-85166093 88085590 85166195 FAX:88085591 投诉QQ ：453742705A/μs 门极触发电流幅值I GM =1.5A ,V A =12V,I A =1A25维持电流门极触发电压门极触发电流125MDTC MTDC MTDX MDTX斜率电阻通态峰值电压125断态电压临界上升率断态电流临界上升率di/dt 14001800I TM =330A125100V DM =V DRM 主要技术参数V D RM &V RRM tp=10ms通态有效值电流断态重复峰值电压参数符号测试条件参数值600单位mA 通态不重复浪涌电流反向重复峰值电流V RM =V RRMV 12180°正弦半波，50HZ V DSM &V RsM=V RSM &V RRM +200V125反向重复峰值电压浪涌电流平方时间积断态重复峰值电流通态门槛电压通态平均电流I T(AV)125110A Gold Power结温Tj(℃）最小典型最大V GD 1250.2V Rth(j-c)0.25℃/W Rth(c-h)0.15℃/W Viso 50Hz,R.M.S,t=1min,I iso :1mA(max)2500V 2.0N ·m 3.0N ·m T stg -40125℃W t160gMDTCMTDCMTDX字母c ：串联K:共阴器件类别： A ：共阳Q:单相全桥D : 普通整流管S:三相全桥G:三相共阳半桥T ：普通晶闸管 Y ：三相共阴半桥F ：D 和T加（）为混合型器件顺序单位：mmPage 5of 22007-01产品热线：TEL:86-510-85166093 88085590 85166195 FAX:88085591 投诉QQ ：453742705Email:***************** 移动电话Mobile ：139****0504安装扭矩（M6）门极不触发电压Fm 贮存温度V DM =67%V DRM热阻抗（结至壳）180°正弦波，单面散热热阻抗（壳至散）180°正弦波，单面散热绝缘电压安装扭矩（M5）重量内部电路 circuit外 形 尺 寸 max94mm*34mm*38mm说 明表中的参数为每个可控硅/整流管芯片的额定值和特性参数适用型号:MDTC MTDC MTDX MDTX 模块电力半导体模块命名示例M字母数字功率半导体模块内部电路形式：额定通态平均电流I T(AV)额定正向平均电流I F(AV) 直流输出电流I o外形图、接线图、安装孔尺寸参数符号测试条件参数值单位温度性能曲线图Page 5of 32007-01产品热线：TEL:86-510-85166093 88085590 85166195 FAX:88085591 投诉QQ：453742705Page 5of 42007-01产品热线：TEL:86-510-85166093 88085590 85166195 FAX:88085591 投诉QQ：453742705 Email:*****************移动电话Mobile：139****0504●使用说明为了本公司的半导体功率模块能满足您的高可靠使用要求，请注意以下几点事项：1、过电流的保护可采用半导体专用快熔；2、RC吸收（缓冲）建议使用吸收模块（本公司可供应）；3、使用环境条件：a)半导体功率模块工作温度为：-40℃～+125℃（结温）；整流为：-40℃～150℃；b)环境相对湿度≤85%；海拔1000米以下；c）使用环境应无剧烈振动和冲击，环境介质中应无腐蚀金属和破坏绝缘的杂质气氛；d）模块采用强制风冷时风速应＞6米/分，环境温度一般应控制在-40℃～60℃，散热器温度一般应控制在80℃以下。
MTC/MTX 晶闸管模块三、产品外形、安装尺寸符合标准：JB /T 3283-4-注：(单位mm )90%。
温度下限为-30℃，温度上限为+75℃。
七、开箱及检查八、订货须知品合格证。
用户在订货时，请注明产品的型号、规格。
如有特殊要求，请与制造商协商。
打开外包装纸盒，检查包装盒内应有使用说明书，产九、公司承诺自产品生产日期起二十四个月内，在客户正常的储运、保养、使用条件下，因产品的制造质量问题而不能正常使用时，提供“三包”服务。
-3-本产品执行JB /T3283标准经检验合格，准予出厂。
检 验 员:检验日期:名称:型号:晶闸管模块MTC/MTX 系列检 01见内盒标签××××××××321K2G2G1K1×321K2G2G1K1×400A 、500A 晶闸管模块70A 、90A 、110A 晶闸管模块25A 、40A 、55A 晶闸管模块250A 、300A 晶闸管模块250A 、300A 水冷晶闸管模块400A 、500A 水冷晶闸管模块600A 晶闸管模块600A 水冷晶闸管模块800A 、1000A 晶闸管模块800A 、1000A 水冷晶闸管模块×130A 、160A 、200A 晶闸管模块地址: 浙江省乐清市柳市镇电器城3单元 邮编: 325604电话: (86-577)6177 8888传真: (86-577)6177 8000客服热线: 400-826-8008本使用说明书自2021年03月 第一版生产厂:表一:(产品不包含散热器,如需要请另外购买)。
