晶闸管模块

可控硅模块晶闸管过零触发器触发模块mtc mtx触发器接头
可控硅模块晶闸管过零触发器，如KC07，能使双向可控硅的开关过程在电源电压为零或电流为零的瞬间进行触发。

这种工作方式可以减小负载的瞬态浪涌电流和射频干扰，从而提高可控硅的使用寿命。

触发器的接头用于连接电路，并实现功率、电压等输出负载的无级化调节。

此外，还有专门的MTC和MTX触发器模块，这些模块在销售平台上有多种选择，并且可以根据需要进行全球邮寄。

触发可控硅的动作不仅取决于温度、供电电压、栅极电流等不同的变量，还需要确保正确的触发信号。

例如，门触发是在使用的不同电路中最常见的一种，对于大多数应用来说，它简单、可靠、高效且易于实施。

因此，选择合适的触发器和正确的触发方法对于确保可控硅的正常工作是非常重要的。

晶闸管智能模块发展史及后来的应用摘要：富安时介绍晶闸管thyristor可控硅模块的接图，晶闸管功率控制器主要技术参数及其应用范围。

电焊设备、激光电源、励磁电源、电镀电解电源、调功、调光、工业炉温控、固态动力开关、牵引、直流拖动、大吊车驱动、搅拌电源、电机软起动列出这种模块的控制方法及其电连接图。

晶闸管调整器体积小，功能齐全，联线简单，控制方便，性能稳定可靠是这种模块的特点，而增大容量，扩大功能，降低成本，系列化晶闸管功率控制器模块今后发展趋势。

1概况目前，富安时晶闸管的制造工艺和设计应用技术已相当成熟，正沿着大功率化和模块化二个方向前进：一是为高压真流输电（HVDC），静止无功补偿（SVC），超大功率高压变频调速以及几十万安培的直流电源领域用的125mm，8000V以上晶闸管的稳定生产而开展研发工作；二是向着体积更小，重量更轻，结构更紧凑，可靠性更高，使用更方便，内部接线电路各异和功能不同的模块化开展技术改进工作。

晶闸管功率控制器模块和整流二极管模块自20世纪70年代初问世以来获得了蓬勃发展，目前已能大批量生产各种类型的电力半导体模块，并广泛应用于国民经济各部门，为工业发展，技术进步，节能、节电、节材发挥了极大作用。

但是由于晶闸管是电流控制的电力半导体器件，所以需要较大的脉冲触发功率才能驱动晶闸管，而且它的触发系统电路复杂，体积大，安装调试较难，抗干扰和可靠性较差，制造成本也高，又因其触发系统易产生电磁干扰，难与微机接口，不易实现微机控制。

多年来，世界各国围绕如何更加方便、可靠、高效地使用晶闸管取得二方面的进展：一是把分立器件芯片按一定电路联成后封装成一般模块，给用户带来一定的使用方便；二是将门极触发系统的部分分立元器件制成专用集成触发电路，简化了触发系统。

但是所有这些并未摆脱将晶闸管主电路与门极触发系统分立制作的传统方式，也没有出现过把复杂庞大的触发系统、检测保护系统和大功率晶闸管主电路集成为一体，做成一个体积小，功能完整，并通过一个端口便能实现对三相电力进行调控的晶闸管智能模块（FUANSHI）。

晶闸管的结构及性能特点(一）普通晶闸管普通晶闸管（SCR）是由PNPN四层半导体材料构成的三端半导体器件，三个引出端分另为阳极A、阴极K和门极G、图8-4是其电路图形符号。

普通晶闸管的阳极与阴极之间具有单向导电的性能，其内部可以等效为由一只PNP晶闸管和一只NPN晶闸管组成的组合管，如图8-5所示。

当晶闸管反向连接（即A极接电源负端，K极接电源正端）时，无论门极G 所加电压是什么极性，晶闸管均处于阻断状态。

当晶闸管正向连接（即A极接电源正端，K极接电源负端）时，若门极G所加触发电压为负时，则晶闸管也不导通，只有其门极G加上适当的正向触发电压时，晶闸管才能由阻断状态变为导通状态。

此时，晶闸管阳极A极与阴极K极之间呈低阻导通状态，A、K极之间压降约为1V。

普通晶闸管受触发导通后，其门极G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K 之间仍保持正向电压，晶闸管将维持低阻导通状态。

只有把阳极A电压撤除或阳极A、阴极K之间电压极性发生改变（如交流过零）时，普通晶闸管才由低阻导通状态转换为高阻阻断状态。

普通晶闸管一旦阻断，即使其阳极A与阴极K 之间又重新加上正向电压，仍需在门极G和阴极K之间重新加上正向触发电压后方可导通。

普通晶闸管的导通与阻断状态相当于开关的闭合和断开状态，用它可以制成无触点电子开关，去控制直流电源电路。

（二）双向晶闸管双向晶闸管（TRIAC）是由NPNPN五层半导体材料构成的，相当于两只普通晶闸管反相并联，它也有三个电极，分别是主电极T1、主电极T2和门极G。

图8-6是双向晶闸管的结构和等效电路，图8-7是其电路图形符号。

双向晶闸管可以双向导通，即门极加上正或负的触发电压，均能触发双向晶闸管正、反两个方向导通。

图8-8是其触发状态。

当门极G和主电极T2相对于主电极T1的电压为正（V T2＞V T1、V G＞V T1）或门极G和主电极T1相对于主电极T2的电压为负（V T1＜V T2、V G＜V T2）时，晶闸管的导通方向为T2→T1此时T2为阳极，T1为阴极。

GYJ-0092_晶闸管控制模块产品使用手册
【简要说明】
一、尺寸：长70mmX宽17mmX高20mm
二、主要器件：MOC3021、BT137
控制电压：直流5V-至12V
三、可控制2000W以下负载，芯片耐压800V，最大电流8A
特点：
1、具有输出信号指示。

2、直接可接单片机输出口。

3、抗干扰能力强，具有光电隔离
4、断开输入信号后，负载输出可以关断，
5、可单独控制负载
6、无触点开关，（开关时间4.9微妙）
7、外部连线采用旋转压接端子，使接线更牢固。

8、四周有固定安装孔。

|9、注意：只能控制交流电。

适用场合：单片机学习、电子竞赛、产品开发、毕业设计。

注意啦：本产品提供例程。

【标注图片】
【与传感器连接说明】
【按键或开关控制说明】
【单片机控制说明】
【原理图】
【尺寸标注】
【图片展示】。

MTC/MTX 晶闸管模块三、产品外形、安装尺寸符合标准：JB /T 3283-4-注：(单位mm )90%。

温度下限为-30℃，温度上限为+75℃。

七、开箱及检查八、订货须知品合格证。

用户在订货时，请注明产品的型号、规格。

如有特殊要求，请与制造商协商。

打开外包装纸盒，检查包装盒内应有使用说明书，产九、公司承诺自产品生产日期起二十四个月内，在客户正常的储运、保养、使用条件下，因产品的制造质量问题而不能正常使用时，提供“三包”服务。

-3-本产品执行JB /T3283标准经检验合格，准予出厂。

检 验 员:检验日期:名称:型号:晶闸管模块MTC/MTX 系列检 01见内盒标签××××××××321K2G2G1K1×321K2G2G1K1×400A 、500A 晶闸管模块70A 、90A 、110A 晶闸管模块25A 、40A 、55A 晶闸管模块250A 、300A 晶闸管模块250A 、300A 水冷晶闸管模块400A 、500A 水冷晶闸管模块600A 晶闸管模块600A 水冷晶闸管模块800A 、1000A 晶闸管模块800A 、1000A 水冷晶闸管模块×130A 、160A 、200A 晶闸管模块地址: 浙江省乐清市柳市镇电器城3单元 邮编: 325604电话: (86-577)6177 8888传真: (86-577)6177 8000客服热线: 400-826-8008本使用说明书自2021年03月 第一版生产厂:表一:(产品不包含散热器,如需要请另外购买)。

Rev. 3.0–31.05.20221®1SKKHThyristor / Diode ModulesSKKH 107/16 E Features*•Heat transfer through aluminium oxide ceramic insulated metal baseplate •UL recognized, file no. E63532Typical Applications•Rectifier for motor drives •Process control•Rectifier for power suppliesAbsolute Maximum Ratings SymbolConditions Values UnitChip I T(AV)sin. 180°T j =130°C T c =85°C 119A T c =100°C 91A I TSM 10ms T j =25°C 2250A T j =130°C 1900A i 2t10ms T j =25°C 25313A²s T j =130°C18050A²s V RSM T j =25°C 1700V V RRM T j =25°C 1600V V DRM T j =25°C 1600V (di/dt)cr T j =130°C 140A/µs (dv/dt)cr T j =130°C1000V/µs T j -40...130°C Module T stg -40 (125)°C V isola.c.; 50 Hz; r.m.s.1min 3000V 1s3600VCharacteristics SymbolConditions min.typ.max.UnitChip V T T j =25°C,I T =300A 1.6 1.75V V T(TO)T j =130°C 0.80.90V r T T j =130°C2.803.35m ΩI DD ;I RD T j =130°C,V DD = V DRM ; V RD = V RRM 20mA t gd T j =25°C,I G =1A, di G /dt =1A/µs 1µs t gr V D = 0.67 * V DRM 2µs t q T j =130°C 200µs I H T j =25°C150250mA I L T j =25°C,R G =33Ω300600mA V GT T j =25°C,d.c. 2.5V I GT T j =25°C,d.c.100mA V GD T j =130°C, d.c.0.25V I GD T j =130°C, d.c.4mA R th(j-c)continuous DC per chip 0.15K/W per module 0.075K/W R th(j-c)sin. 180°per chip 0.2K/W per module 0.1K/W R th(j-c)rec. 120°per chip 0.21K/W per module0.105K/WModule R th(c-s)chip 0.09K/W module 0.05K/W M s to heatsink M5 4.25 5.75Nm M t to terminals M52.553.45Nm a 5 * 9.81m/s²w75g2Rev. 3.0–31.05.2022© by SEMIKRON© by SEMIKRON Rev. 3.0–31.05.202234Rev. 3.0–31.05.2022© by SEMIKRONThis is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS) due to international standard IEC 61340.*IMPORTANT INFORMATION AND WARNINGSThe specifications of SEMIKRON products may not be considered as guarantee or assurance of product characteristics("Beschaffenheitsgarantie"). The specifications of SEMIKRON products describe only the usual characteristics of products to be expected inSKKHtypical applications, which may still vary depending on the specific application. Therefore, products must be tested for the respective application in advance. Application adjustments may be necessary. The user of SEMIKRON products is responsible for the safety of their applications embedding SEMIKRON products and must take adequate safety measures to prevent the applications from causing a physical injury, fire or other problem if any of SEMIKRON products become faulty. The user is responsible to make sure that the application design is compliant with all applicable laws, regulations, norms and standards. Except as otherwise explicitly approved by SEMIKRON in a written document signed by authorized representatives of SEMIKRON, SEMIKRON products may not be used in any applications where a failure of the product or any consequences of the use thereof can reasonably be expected to result in personal injury. No representation or warranty is given and no liability is assumed with respect to the accuracy, completeness and/or use of any information herein, including without limitation, warranties of non-infringement of intellectual property rights of any third party. SEMIKRON does not assume any liability arising out of the applications or use of any product; neither does it convey any license under its patent rights, copyrights, trade secrets or other intellectual property rights, nor the rights of others. SEMIKRON makes no representation or warranty of non-infringement or alleged non-infringement of intellectual property rights of any third party which may arise from applications. Due to technical requirements our products may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the nearest SEMIKRON sales office. This document supersedes and replaces all information previously supplied and may be superseded by updates. SEMIKRON reserves the right to make changes.5。

一、产品介绍1、用途广泛应用于不同行业各种领域如调温、调光、励磁、电镀、电解、电焊、等离子拉弧、充放电、稳压、有源逆变等电源装置。

本系列模块还可通过模块控制端口与外置的多功能控制板连接，实现“交流电机软起动、双闭环直流电机调速和恒流恒压控制”等功能（我公司可为用户配备这种外置多功能控制板）。

2、特点（1）本说明书所覆盖的晶闸管智能控制模块属于2型，外形结构与1型有所不同。

为减小焊接应力和提高导热性能，取消厚重铜底板，采用高强度DCB直接作为模块支撑基板，杜绝了焊接空洞和焊接应力，导热性能更好，热循环负载次数高于国家标准近10倍。

移相触发器采用本公司独立开发的数字和模拟两种集成电路，实现了控制电路与晶闸管主电路集成一体化，使模块具备了强大的弱电控制强电的电力调控功能。

（2）采用进口方形芯片、高级芯片支撑板，模块压降小、功耗低，效率高，节电效果好。

（3）采用进口贴片元件，保证了触发控制电路的可靠性。

（4）采用高级导热绝缘封装材料，绝缘、防潮性能优良。

（5）主电路与触发控制电路、导热底板相互隔离，导热底板不带电，绝缘强度≥2500V（RMS），保证人身安全。

（6）三相交流模块输出对称性好，直流分量小。

（7）采用数字移相触发电路的模块设有0～10V、0～5V、4～20mA三种控制信号输入端口。

采用模拟移相触发电路的三相模块设有0～10V、4～20mA两种控制信号输入端口，单相模块只有0～10V一种控制信号输入端口，若用户的控制信号为0～5V或4～20mA时，可通过转换电路转换成0～10V控制信号，再由4脚输入。

（8）模拟电路的移相触发器在控制端口设有禁止端，方便特殊用户使用。

（9）可手动、仪表或微机控制。

（10）适用于阻性和感性负载。

3、型号、规格（见表1）线电压有效值（范围±15%）。

②带“※”符号的型号，因移相触发电路有模拟和数字两种形式，所以外形尺寸也有所不同，详见表9。

③表1未涵盖的特殊规格，可按用户要求协议定做。