电子科技大学功率器件和功率集成电路new
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申请西电集成电路博士1. 引言集成电路作为现代科技领域的重要组成部分,已经在各个领域发挥着巨大的作用。
西安电子科技大学(以下简称西电)作为中国乃至全球著名的高等学府,在集成电路领域也具有显著的研究实力和科研声誉。
本文旨在申请西电集成电路博士项目,希望能够加入西电的团队,深入学习和研究集成电路相关知识,并为该领域做出自己的贡献。
2. 研究背景近年来,随着人工智能、物联网等新兴技术的快速发展,对于高性能、低功耗、小尺寸的集成电路需求日益增长。
作为核心器件之一,集成电路设计和制造技术对于现代科技产业的发展至关重要。
然而,在当前国内外集成电路领域仍存在着许多挑战和问题,如功耗优化、故障容忍性设计、可靠性验证等方面。
为了解决这些问题,深入研究集成电路设计与制造技术势在必行。
3. 研究目标本次申请的西电集成电路博士项目的研究目标主要包括以下几个方面:1.深入研究和掌握现代集成电路设计与制造的理论基础和关键技术;2.针对集成电路设计中存在的问题,提出创新性的解决方案;3.开展实验和仿真工作,验证提出方案的可行性和有效性;4.在国内外相关学术会议和期刊上发表高质量论文,积极参与学术交流。
4. 研究方法为了实现上述研究目标,我计划采取以下几种研究方法:1.文献综述:通过阅读国内外相关领域的文献资料,了解当前集成电路设计与制造技术的最新进展和存在的问题。
2.理论分析:对于集成电路设计中存在的问题进行深入分析,并提出相应的理论模型和算法。
3.实验仿真:利用现有的EDA工具(如Cadence、Synopsys等)进行实验仿真,验证提出方案在性能、功耗、面积等方面的优势。
4.数据分析:对实验仿真结果进行数据分析,总结和归纳实验结果,为后续研究提供依据。
5. 预期成果通过本次研究,预期可以获得以下几个方面的成果:1.发表高质量论文:将研究成果发表在国内外知名学术会议和期刊上,扩大研究影响力和学术声誉。
2.获得专利授权:根据研究成果申请相关专利,保护自己的知识产权。
电子薄膜与集成器件国家重点实验室
闫裔超
【期刊名称】《中国材料进展》
【年(卷),期】2012(031)007
【摘要】电子薄膜与集成器件国家重点实验室(UESTC)是以电子科技大学教育部新型传感器重点实验室、信息产业部电子信息材料及应用重点实验室和功率半导体技术重点实验室为基础,于2006年7月经科技部批准组建,2008年10月通过科技部验收并正式开放运行,现任实验室学术委员会主任为雷清泉院士,
【总页数】1页(P64-64)
【作者】闫裔超
【作者单位】电子科技大学
【正文语种】中文
【中图分类】TN248.4
【相关文献】
1.2012年IEEE国际功率半导体器件(电力电子器件)及功率集成电路会议综述[J], 胡冬青
2.薄膜制冷器与光电子器件的单片集成 [J], 高国龙
3.电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室 [J],
4.电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室 [J],
5.电子薄膜与集成器件国家重点实验室在红外隐身结构研究方面取得重要进展 [J], 周佩珩
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电子科技大学微电子专业开设课程-V1
电子科技大学微电子专业开设课程
随着微电子产业的不断发展,微电子专业的教育也日渐重要。
为了满
足产业发展的需求,电子科技大学微电子专业开设了多门课程,以培
养更多优秀的微电子技术人才。
一、基础课程
1.微电子学:介绍微电子学的概念、研究范围、历史和发展现状,以
及微电子器件的原理和制造工艺。
2.集成电路设计基础:介绍集成电路设计的基本原理、方法和流程,
以及常用的EDA工具,并通过实验练习加深学生对集成电路设计的理解。
3.模拟电路设计基础:介绍模拟电路设计的基本原理、方法和流程,
以及常用的电路元件和EDA工具,通过实验练习提高学生的设计能力。
二、专业课程
1.微纳电子学:介绍微纳电子学的基本概念和最新发展动态,以及微
纳技术在集成电路、传感器、MEMS和生物芯片等领域的应用。
2.数字电路设计:介绍数字电路设计的原理和方法,包括数字电路的
分析和设计、I/O 接口的设计和测试、数字信号处理、ASIC设计和FPGA设计等内容。
3.模拟集成电路设计:介绍模拟集成电路设计的原理和方法,包括运放电路、数据转换电路、功率放大器、PLL和时钟等元件的设计。
4.射频集成电路设计:介绍射频集成电路设计的原理和方法,包括射频电路理论、射频芯片、高频传输线、滤波器和功率放大器等元件的设计。
以上课程涵盖了微电子专业的基础知识和专业技术,学生在学期间不仅可以加深对微电子学科的理解,还可以提高实践能力。
通过这些课程的学习,毕业生将具备较强的微电子技术应用能力和解决问题的能力,为微电子产业的发展做出重要贡献。
(一)课题组成员及导师名单(二)课题组主要研究方向与特点¾Power Devices¾(Bipolar) CMOS DMOS Process¾Power ICs功率集成技术实验室SOI High Voltage ICs:Novel integrated SOI power devices PDP Driver ICs High Voltage Gate Driver ICs High Voltage Control ICs High Voltage IC with Radiation-Hard2010-4-2911功率集成技术实验室功率集成理论-PSoC Power System on Chip2010-4-29Novel Integrated Power Devices Control Mode suited for SPIC Power Integrated Process Digital Assistant Power Design12功率集成技术实验室Power Device Control Theory BCD Process Power IC & PSoC2010-4-29 13功率集成技术实验室(三)课题组部分研究成果展示2010-4-2914Power management IC Series功率集成技术实验室Motor Driver ICs Motor Driver ICs2010-4-2915White LED Driver ICs White LED Driver ICs功率集成技术实验室2010-4-2916Power management IC Series功率集成技术实验室2010-4-2917电路理论功率集成技术实验室Pulse Skip Modulation (PSM)100Efficiency(%)90 80 70 60 50 20 40 60 Vin=2.0V Vin=1.8V Vin=1.5V Vin=1.2V 80 100I-out(mA)2010-4-2918Digitally Assisted Power Integration (DAPI) 功率集成技术实验室复杂负载SoC的低功耗设计问题数模混合SoC SIP2010-4-2919集成电路发展趋势ITRS功率集成技术实验室国 际 半 导 体 技 术 蓝 图2010-4-2920¾Realization of high voltage (> 700 V) in Device Letters¾New high-voltage (> 1200 V) MOSFET with the¾30(3):305-307, 2009 ¾¾ADI ¾NIKO(四)课题组在研的主要项目(五)课题组培养研究生的优势和竞争力(六)课题组对学生的要求。
电子科技大学硕士考试大纲
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