功率集成电路版图设计参考文档

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衬底噪声
数字电路、高压电路引起的开关噪声会通过公共衬底耦合 到敏感的模拟电路，从而影响其性能。衬底耦合噪声已经成为 制约其性能的重要因素。这主要有两种物理过程会引起注入到 衬底的电流： 1. 开关节点会通过结电容或者互连线电容向衬底注入电流，即
电容耦合注入； 2. 当MOS 管的漏端电场大到一定程度后，就会引起撞击电离，
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保护环对低压电路闩锁触发的影响
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带多子保护环的低压CMOS 结构
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? 只在阱内加 N+环并接电源 。当电极1上的脉冲电压达到 200V时，电源
上基本没有电流。阱内的多子环减小了阱内寄生管的基区电阻，从而
提高了触发电压，由于阱的空间比整个衬底小，所以在阱内加多子环
第六章 功率集成电路版图设计
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主要内容
? PIC 版图特点 ? 隔离版图 ? 整体布局
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功率集成电路版图特点
PIC 版图最大的区别在于增加功率器件
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功率集成电路版图特点
PIC 版图设计时应当综合考虑器件： ? 终端结构 ? 大电流 ? 寄生参数 ? 温度梯度 ? 噪声 ? 闩锁效应 ? 隔离等
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功率集成电路中低压电路防闩锁结构研究
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功率集成电路中低压电路防闩锁结构研究
通过在左侧 GND 上加脉冲电压 产生村底电流，引起闩锁触发。
对于P注入和N注入距离阱的空间X1和X2进行模拟，看这两个距离对 触发电压的影响程度。
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以提高触发电压的效果会比衬底明显。
? 只在衬底加 P+环。当电极1上的脉冲电压在 200V时，监测到从电极 2
到电极4有大电流通路。原因是衬底的空间相对于阱大得多，改变衬
底寄生电阻的阻值不明显。
? 阱内加多子环、衬底加多子。
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保护环对低压电路闩锁触发的影响
? 少子环保护。从理论上讲阱内加多子环、衬底加少子环的结构， 其电源电流比只在阱内加多子环电源电流峰值下降了20％左右。 这种双环结构抗闩锁较为理想。但是在功率集成电路实际版图 中，尽量可以考虑用阱多子环，而少用衬底少子环保护结构， 是由于少子环接低压电源，所以不可避免的在环上也会有电流， 整个低压电源电流是一个电流的叠加损耗。
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噪声抑制例子
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闩锁效应
? 对于高耐压（大于 100V）的功率集成电路，就必须仔细考虑 其中的闩锁效应，并提出合理的抑制闩锁效应措施。
? 一般闩锁问题，可以通过改进工艺来解决，如 采用外延工艺、 SOI 工艺等，但是这也会大大增加生产成本。功率集成电路的 工艺一般较复杂和特殊，所以工艺改进实现难度较大，一般主 要从版图布局布线和保护结构上进行考虑。
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温度梯度版图布局
? 将所有功耗较大的功率元件放在芯片的一边，而将对热敏感 的器件和电路（例如差分对、带隙基准源和高精度电阻等） 放在芯片的另一边；
? 唯一不同的是过温检测器件紧挨着功耗较大的功率元件，以 便更好的检测芯片的结温并采取措施；
? 在匹配过程中，应当将匹配的晶体管放在离开热源距离相等 的地方，或者放在平衡热梯度的方向上；
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PIC版图例子
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发热器件设计
? 发热器件的设计还要考虑热对称性和热均匀性，尽量避 免在 芯片的某一点很小范围内，出现温度远远超过电路的极限工 作温度（ 175--200 ℃）的热斑。
? 实践表明，“热斑”是半导体功率器件可靠性的宿敌，因此 必须防止“热斑”的产生，而功率器件每个基本单元所承受 电流的不均匀是“热斑”产生的主要原因。
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温度梯度
? 在所有接触到的半导体器件和电路中，温漂效应都是或多或 少存在，如温度升高会引起 Vbe的变化，破坏电流镜的平衡； VDMOS 器件具有负温度系数 ，温度升高其电流减小。
? 在实际版图布局过程中，不同器件流过电流密度不同，温度 变化也不同。特别是大电流功率器件在工作状态时的结温是 最不稳定的且易变化，它不仅影响器件自己的特性，而且还 影响周围器件和电路的性能。
大，这样大部分少子就会从阱的底部流出阱外，所以增加横向路径，对整个 触发影响不大。 ? 只有增加纵向路径，使纵向少子电流在流出阱外之前就复合，才能够使触发电 压增加。
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闩锁触发时电流、电势曲线图
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功率集成电路中低压电Biblioteka Baidu防闩锁结构研究
(2) X2可变， X1不变
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生成的电子 -空穴对会注入到衬底。
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衬底噪声的机理
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衬底噪声抑制
? 简单方法就是在敏感模拟电路周围增加一些保护环，比 如N注入保护环和 P注入保护环。
? 实践中发现，采用 独立的或组合的 N注入保护环和 P注入 保护环 对隔离效果还是有明显的差别，其中采用独立管 脚的P+隔离环 (p-sub) 是最为有效的隔离衬底耦合噪声的 方法之一。
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噪声
噪声的来源： ? 金属线干扰 ? 衬底噪声 ? 器件本身噪声
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金属线干扰抑制
? 在设计数字和模拟电路的接口时，应避免从高压线或传 输线注入噪声。对于 PIC 而言，很多高压线流过的电压 高达上千伏以上，需格外关注；
? 在设计信号线的走线时，在信号线两边铺设同层金属的 接地屏蔽线，以做到屏蔽噪声干扰的效果。
变化 X2对闩锁触发电压的影响
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功率集成电路中低压电路防闩锁结构研究
? X2与触发电压基本呈线性增加趋势，拉大横向寄生三极管基 区宽度，即减小了寄生管的电流增益，从而需要更大的触发电 压。
? 在无保护环情况下，低压CMOS结构抗闩锁方法：阱内P+注入 与阱边界距离满足DRC规则，而衬底中的N+与阱边界距离在 版图允许的范围内尽量大。
功率集成电路中低压电路防闩锁结构研究
(1) X1可变， X2不变
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变化 X1对闩锁触发电压的影响
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功率集成电路中低压电路防闩锁结构研究
原因分析： ? 阱内的少子是在一个三维空间运动，其形成闩锁触发的路径主要有两个方向，
纵向和横向； ? 少子从纵向流出阱外的路径比横向的路径短，而且纵向的截面积比横向截酉积