MCP1401_02中文数据资料

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图 2-10: 静态电流-温度关系曲线
Input Threshold (V)
2.2
2.1
VHI
2
1.9
1.8
1.7
VLO
1.6
1.5
4
6
8 10 12 14 16 18
Supply Voltage (V)
图 2-11: 输入阈值-电源电压关系曲线
Quiescent Current (mA)
1.2
1.0
30 VDD = 12V
26
22
tRISE tFALL
Time (ns)
18
14
10 -40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (oC)
图 2-3: 上升和下降时间-温度关系曲线
Propagation Delay (ns)
44 43 42 41 40 39 38 37 36
MCP1401/02 器件可由 4.5V 至 18V 的单电源供电,且 可轻松地在不到 19 ns(典型值)的时间内对 470 pF 的 栅极电容进行充放电。 在导通和关断状态下,均可提供 足够低的阻抗,以确保即使有很大的瞬态信号也不会影 响 MOSFET 的预期状态。
只要在其功率和电压范围内,任何情况下这些器件都很 难闭锁。 当接地端出现幅度小于等于 5V (任何极性) 的噪声尖峰时,这些器件也不会损坏。它们能承受大小 在 500 mA 内的反向电流灌入其输出端,而不会损坏或 出现逻辑颠倒。 此外,所有引脚都被充分地保护,能承 受最高为 3 kV (HBM)和 400V (MM)的静电放电 (Electro-static Discharge, ESD)。
4
tD1 tD2
5
6
7
8
Input Amplitude (V)
VDD= 12V
9
10
图 2-6: 传输时延-温度关系曲线
2008 Microchip Technology Inc.
DS22052A_CN 第5 页
MCP1401/02
典型性能曲线 (续)
注:除非另外声明,否则均适用于 TA = +25°C 且 4.5V ≤ VDD ≤ 18V。
Temperature (oC)
图 2-12: 输入阈值-温度关系曲线
DS22052A_CN 第6 页
2008 Microchip Technology Inc.
MCP1401/02
典型性能曲线 (续)
注:除非另外声明,否则均适用于 TA = +25°C 且 4.5V ≤ VDD ≤ 18V。
Input = 1
0.8
0.6
0.4
0.2 Input = 0
0.0
4
6
8 10 12 14 16 18
Supply Voltage (V)
图 2-9: 静态电流-电源电压关系曲线
Input Threshold (V)
2.4
2.3
VDD = 12V
2.2
2.1 VHI 2
1.9
1.8
VLO
1.7
1.6 -40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
上升时间
下降时间
延时 延时 电源
tR

tF

tD1

tD2

20
30
ns 图 4-1 和 图 4-2
CL = 470 pF
18
28
ns 图 4-1 和 图 4-2
CL = 470 pF
40
51
ns 图 4-1 和 图 4-2
40
51
ns 图 4-1 和 图 4-2
电源电压 电源电流
VDD
4.5
IS

应用
• 开关式电源 • 脉冲变压器驱动 • 线路驱动器 • 马达和螺线管驱动
概述
MCP1401/02 是高速 MOSFET 驱动器,可提供 500 mA 的峰值电流。反相或同相单通道输出由 TTL 或 CMOS 电平 (3V 至 18V)直接控制。这些器件还具有低直通 电流、匹配的上升 / 下降时间和传输时延特性,使得它 们成为高开关频率应用的理想选择。

V

0.8
V

+10
µA 0V ≤ VIN ≤ VDD
— VDD+0.3 V
高输出电压 低输出电压 高输出电阻 低输出电阻 开关时间 (注 1)
VOH VDD – 0.025 —
VOL


ROH

12
ROL

10
— 0.025
18 16
V 直流测试 V 直流测试 Ω IOUT = 10 mA, VDD = 18V Ω IOUT = 10 mA, VDD = 18V
150
VDD = 18V
125
2 MHz
Supply Current (mA)
100
100 kHz
75
200 kHz
50
25
1 MHz 50 kHz
0 100
1000 Capacitive Load (pF)
10000
图 2-13: 电源电流-容性负载关系曲线
Supply Current (mA)
80 70 VDD = 18V 60 50 40 30 20 10
MCP1401/02
500 mA 小型高速功率 MOSFET 驱动器
特性
• 高峰值输出电流:500 mA (典型值) • 宽输入电源电压工作范围:
- 4.5V 至 18V • 输出级具有低的贯通 / 交越导通电流 • 高容性负载驱动能力:
- 19 ns 内驱动 470 pF (典型值) - 34 ns 内驱动 1000 pF (典型值) • 短延迟时间:35 ns (典型值) • 匹配的上升 / 下降时间 • 低供电电流: - 逻辑 1 输入 - 850 mA (典型值) - 逻辑 0 输入 - 100 mA (典型值) • 闭锁保护:可承受 500 mA 的反向电流 • 逻辑输入端可承受摆幅最高为 5V 的负输入 • 节省空间的 5 引脚 SOT-23 封装
注:除非另外声明,否则均适用于 TA = +25°C 且 4.5V ≤ VDD ≤ 18V。
Rise TIme (ns)
350 300 250 200 150 100
50 0 4
3300 pF
1000 pF
470 pF
6
8 10 12 14
Supply Voltage (V)
100 pF
16 18
图 2-1: 上升时间-电源电压关系曲线
Temperature (oC)
图 2-8: 传输时延-温度关系曲线
Quiescent Current (mA)
1.2 1.0 Input = 1 0.8
VDD = 18V
0.6
0.4
0.2
Input = 0
0.0 -40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (oC)
VIH
2.4
1.5
VIL

1.3
IIN
-1

VIN
-5

VOH VOL ROH ROL IPK IREV
VDD – 0.025 — — — — —
— — 12 10 0.5 >0.5
tR

19
下降时间
tF

15
延时 延时 电源
tD1

tD2

电源电压
VDD
4.5
电源电流
IS

IS

注 1: 由设计确保开关时间。
Fall Time (ns)
350
300
3300 pF
250
200
150
100 pF
100
50
470 pF
1000 pF
0
4
6
8 10 12 14 16 18
Supply Voltage (V)
图 2-4: 下降时间-电源电压关系曲线
250
12V
200
Rise Time (ns)
150
18V
100
50 5V


0.90 0.11
注 1:由设计确保开关时间。 2: 测试数据仅为特征值,未经生产测试。
18.0
1.10 0.20
V
mA VIN = 3V mA VIN = 0V
温度特性
电气规范:除非另外声明,否则所有参数均适用于 4.5V ≤ VDD ≤ 18V。
参数
符号 最小值 典型值 最大值
温度范围 规定温度范围 最大结温 储存温度范围 封装热阻 热阻, 5 引脚 SOT23
5 引脚 SOT23 ............................................................0.39W
† 注:如果器件的工作条件超过 “绝对最大值”列出的范围, 就可能会对器件造成永久性损坏。 上述值仅为运行条件极大 值,我们建议不要使器件在该规范规定的范围以外运行。 器件 长时间工作在最大额定值条件下,其稳定性会受到影响。
0 100
1000 Capacitive Load (pF)
10000
图 2-2: 上升时间-容性负载关系曲线
250
12V
200
Fall Time (ns)