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第二章_晶体三极管

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电子技术基础第2章 三极管及其放大电路

电子技术基础第2章 三极管及其放大电路

所谓静态是指放大电路在未加入交流输入信号（或为零） 时的工作状态。此时，直流电流所流过的路径，称为直流 通路。画直流通路时，电容视为开路，电感视为短路，其 它不变。
2.2 晶体管放大电路
2.2.2固定偏置式放大电路 3.动态分析和交流通路
所谓动态，是指放大电路在接入交流信号以后，电路中 各处电流、电压的变化情况。在输入信号的作用下，交流 电流所流过的路径，称为交流通路。画交流通路时，把电 容和直流电源视为短路，其它不变。
2.2 晶体管放大电路
2.2.3 分压式偏置放大电路 3．静态工作点的稳定原理
设由于温度升高，造成IC和IE增大，IE的增大导致UE升高。 由于UB固定不变，因此UBE将随之降低，使IB减小，从而 抑制了IC和IE因温度升高而增大的趋势，达到稳定静定工 作点Q的目的。
2.2 晶体管放大电路
2.2.3 分压式偏置放大电路 4．动态交流指标计算 （1）电压放大倍数Au （2）输入电阻Ri （3）输出电阻Ro
2.2 晶体管放大电路
2.2.3 分压式偏置放大电路 5．放大电路的频率特性
放大电路的电压放大倍数与频率的关系称为幅频特性； 输出电压与输入电压的相位差与频率的关系称为相频特性。 频率特性是幅频特性和相频特性的总称。
2.2 晶体管放大电路
2.2.4 共集电极放大电路 1．共集电极电路静态工作点的计算
2.2 晶体管放大电路
2.2.5 多级放大电路 1．多级放大电路的组成
2.2 晶体管放大电路
2.2.5 多级放大电路 2．多级放大电路的级间耦合方式
在多级放大电路中，把级与级之间的连接方式称为耦合 方式。一般常用的耦合方式：阻容耦合、直接耦合、变压 器耦合等。
2.2.1基本放大电路概述 放大电路的放大实质是能量转换的过程。晶体管只是一
第二章 双极型晶体三极管

第二章 双极型晶体三极管

第二章 双极型晶体三极管（BJT ）§2.1 知识点归纳一、BJT 原理·双极型晶体管（BJT ）分为NPN 管和PNP 管两类（图2-1，图2-2）。

·当BJT 发射结正偏，集电结反偏时，称为放大偏置。

在放大偏置时，NPN 管满足C B C V V V >>；PNP 管满足C B E V V V <<。

·放大偏置时，作为PN 结的发射结的V A 关系是：/BE T v V E ES i I e =（NPN ），/E B T v VE ES i I e =（PNP ）。

·在BJT 为放大偏置的外部条件和基区很薄、发射区较基区高掺杂的内部条件下，发射极电流E i 将几乎转化为集电流C i ，而基极电流较小。

·在放大偏置时，定义了CNE i i α=（CN i 是由E i 转化而来的C i 分量）极之后，可以导出两个关于电极电流的关系方程：C E CBO i i I α=+(1)C B CBO B CEO i i I i I βββ=++=+其中1αβα=-，CEO I 是集电结反向饱和电流，(1)CEO CBO I I β=+是穿透电流。

·放大偏置时，在一定电流范围内，E i 、C i 、B i 基本是线性关系，而BE v 对三个电流都是指数非线性关系。

·放大偏置时：三电极电流主要受控于BE v ，而反偏CB v 通过基区宽度调制效应，对电流有较小的影响。

影响的规律是；集电极反偏增大时，C I ，E I 增大而B I 减小。

·发射结与集电结均反偏时BJT 为截止状态，发射结与集电结都正偏时，BJT 为饱和状态。

二、BJT 静态伏安特性曲线·三端电子器件的伏安特性曲线一般是画出器件在某一种双口组态时输入口和输出口的伏安特性曲线族。

BJT 常用CE 伏安特性曲线，其画法是：输入特性曲线：()CE B BE V i f v =常数（图2-13）输出特性曲线：()B B CE I i f v =常数（图2-14）·输入特性曲线一般只画放大区，典型形状与二极管正向伏安特性相似。

《晶体三极管》课件

《晶体三极管》课件


晶体三极管的分类
有两种主要的晶体三极管 类型：PNP和NPN。
2. 晶体三极管的工作原理
1
简单电路
晶体三极管可以作为放大器、开关和振荡器在各种电路中发挥作用。
2
放大器电路
晶体三极管可以放大信号的幅度，使其更适合其他电路的输入。
3
开关电路
晶体三极管可以控制电流的通断，用于构建开关电路。
3. 晶体三极管的应用
5. 晶体三极管的优缺点
1 优点
小巧、高频响应、低功耗、可靠性高、成 本低。
2 缺点
温度敏感、容易受到噪声干扰、容易烧毁。
6. 结论
总结
晶体三极管是一种重要的电子元器件，广泛应用于各种电路和电子设备中。
展望
随着科技的发展，晶体三极管不断改进，将在更广泛的领域发挥作用。
《晶体三极管》PPT课件
晶体三极管是电子学中重要的元器件之一，本课件将介绍晶体三极管的结构、 工作原理、应用、特性以及优缺点，帮助您全面了解晶体三极管。
1. 介绍晶体三极管
ห้องสมุดไป่ตู้
什么是晶体三极管？
晶体三极管是一种半导体 器件，可用作放大，开关 和振荡器。
晶体三极管的结构
晶体三极管由三个不同掺 杂的半导体区域构成：发 射区，基区和集电区。
放大器
晶体三极管可用于构建各类放 大器，如音频放大器、射频放 大器等。
开关
晶体三极管可以用于构建数字 电路和模拟电路中的开关。
振荡器
晶体三极管可以作为振荡器的 关键元件，产生无线电频率信 号。
4. 晶体三极管的特性
基本参数
• 电流放大倍数 • 最大可承受电压 • 最大可承受功率
变化规律
• 输入特性曲线 • 输出特性曲线 • 电流-电压关系
第二章 晶体三极管和场效应晶体管

第二章 晶体三极管和场效应晶体管

第二章晶体三极管和场效应晶体管一、是非题（1）为使晶体管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。

（）（2）无论是哪种晶体三极管，当处于放大状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。

（）（3）晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以e极和c极可以互换使用。

（）（4）晶体三极管的穿透电流I CEO的大小不随温度而变化。

（）（5）晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。

（）（6）对于NPN三极管，当V BE>0，V BE>V CE，则该管的工作状态是饱和状态。

（）（7）已知某三极管的射极电流I E=1.36mA，集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30微安。

（）（8）某晶体三极管的射极电流I B=10微安时，I C=0.44mA；当I B=20微安时，I C=0.89mA 则它的电流放大系数β=45。

（）（9）可以用两个二极管连接成一个三极管。

（）（10）晶体三极管具有电压放大作用。

（）二、填空题1、晶体三极管的三个电极分别称为、、。

三极管在放大电路中，PNP管电位最高的一极是，NPN管电位最高的一极是。

此时，三极管发射结为偏置，集电结为偏置。

晶体三极管工作在饱和区和截止区时，具有特性，可应用于脉冲数字电路中。

2、测得工作在放大电路中的晶体管的两个电极在无交流信号输入时的电流大小及方向如图2-1所示，则另一电极的电流大小为，该管属于管（PNP NPN）。

0.1mA4mA-++ 10K20K1V图2-13、工作在放大区的某三极管，基极电流从20μA增大到40μA，集电极电流从1mA变为2mA，则该三极管的电流放大倍数为。

4、当晶体三极管工作在饱和状态时，其特点是集电结处于偏置，发射结处于偏置。

当工作在放大状态时,其特点是集电结处于偏置，发射结于偏置。

当工作在截止状态时,其特点是集电结处于偏置，发射结于偏置。

晶体三极管及其基本放大电路

晶体三极管及其基本放大电路


22
2.4、三极管的主要参数
• 1、电流放大系数 • i)共射极电流放大系数
直流电流放大系数 IC
IB
交流电流放大系 数 Vic
Vib
h（ fe 高频）
一般工作电流不十分大的情况下,可认为
Ma Liming
Electronic Technique
23
ii)共基极电流放大系数
共基极直流电流放大系数
3
6
9
IB=0 12 vCE(V)
区时, 有:VB>VC Rb
+
－
UBB
Ma Liming
+ 对于PNP型三极管,工作在饱和区 UCC 时, 有:VB<VC<VE
－
Electronic Technique
13
例:如图，已知三极管工作在放大状态, 求:1).是NPN结构还是PNP结构?
Ma Liming
Electronic Technique
20
方法二：用万用表的 hFE档检测 值
1. 拨到 hFE挡。
2.将被测晶体管的三个引脚分别插入相应的插孔 中（TO-3封装的大功率管，可将其3个电极接 出3根引线，再插入插孔），三个引脚反过来 再插一次，读数大的为正确的引脚。
3.从表头或显示屏读出该管的电流放大系数。
N
b
c PV
Rb
eN
+
－
UBB
Ma Liming
+
UCC 对于PNP型三极管,工作在放大区 － 时, 有:VC<VB<VE
Electronic Technique
10
iC(mA ) 4 3
2 1
第二章_双极型晶体三极管(BJT)

第二章_双极型晶体三极管(BJT)

IE = ICn + IBn
传输到集电极的电流 发射区注入的电流
ICn
Rb
IE
IC ICBO IC
EB
IE
IE
一般要求 ICn 在 IE 中占的比例尽量大
ICBO IB
b IBn
c
IC
ICn
IEn e IE 一般可达 0.95 ~ 0.99
Rc EC
13
（2） i与C 的i关B 系
输入
b
+
cUCE 输出
e
V 回路UCE
回路
V
UBE
电流，UCE是输出电压；
VCC
25
1、共射输入特性曲线
I B f (U BE ) UCE 常数
(1) UCE = 0 时的输入特性曲线
Rb IB b c
VBB
+e
UBE _
IB/A
UCE 0
类似为PN结正偏时的伏安特性曲线。
O
U BE / V
IE = IC + IB IC IE ICBO
IB＝IBn－ICBO
当IE=0时，IC=ICBO
IC ( IC IB ) ICBO
1
IC 1 IB 1 ICBO
IC IB (1 )ICBO
= IB ICEO
穿透电流。
其中：
1
共射直流电流放大 系数。
14
IC IB ICEO
• 直流参数
– 直流电流放大系数 和
– 极间反向电流 和ICBO ICEO
• 交流参数
– 交流电流放大系数 和
– 频率参数 和 f
fT
• 极限参数
集电极最大允许电流ICmax 集电极最大允许功耗PCmax 反向击穿电压
电子技术课件第二章三极管及基本放大电路

电子技术课件第二章三极管及基本放大电路

10
2．三极管的主要参数
（1）直流参数 反映三极管在直流状态下的特性。
直流电流放大系数hFE 用于表征管子IC与IB的分配比例。
漏电电流。ICBO大的三极管工作的稳定性较差。
集—基反向饱和电流ICBO 它是指三极管发射极开路时，流过集电结的反向
ICBO测量电路
ICEO测量电路
加上一定电压时的集电极电流。ICEO是ICBO的(1+β)倍，所以它受温度影响不可忽视。
性。 A——PNP锗材料，B——NPN锗材料， C——PNP硅材料，D——NPN硅材料。
三极管型号的读识 3 A G 54 A
规格号
第三部分是用拼音字母表示管子的类型。
X——低频小功率管，G ——高频小功率管， D——低频大功率管，A ——高频大功率管。
三极管 NP锗材料 高频小功率 序号
第四部分用数字表示器件的序号。 第五部分用拼音字母表示规格号。
饱和区 当VCE小于VBE时，三极管的发
四、三极管器件手册的使用
三极管的类型非常多，从晶体管手册可以查找到三极管的型号，主要用途、主 要参数和器件外形等，这些技术资料是正确使用三极管的依据。
1．三极管型号
国产三极管的型号由五部分组成。
第一部分是数字“3”，表示三极管。 第二部分是用拼音字母表示管子的材料和极
一、放大电路静态工作点不稳定的原因
（1）温度影响 （2）电源电压波动 （3）元件参数改变
二、分压式偏置放大电路 1．电路组成
Rb1是上偏置电阻，Rb2是下偏置电阻。电源电压经Rb1、Rb2串联分压后为三极 管提供基极电压VBQ。Re起到稳定静态电流的作用，Ce是Re的交流信号旁路电容。
分压式偏置放大电路
放大电路的电压和电流波形
第二章-晶体管

第二章-晶体管


（1）共基直流放大系数 IC
IE
（2）共基交流放大系数
IC
I E
由于ICBO、ICEO 很小，因此 在以后的计算中，不必区分。
二、极间反向电流
1 ICBO
发射极开路时，集电极—基极间的反向电流，称为集 电极反向饱和电流。
2 ICEO
基极开路时，集电极—发射极间的反向电流，称为集 电极穿透电流。
T
( 0.5 ~ 1) / C
2.3.2 晶体管的主要参数 一、电流放大系数
1.共射电流放大系数
（1） 共射直流放大系数 反映静态时集电极电流与基极电流之比。
（2） 共射交流放大系数 反映动态时的电流放大特性。
由于ICBO、ICEO 很小，因此 在以后的计算中，不必区分。
2. 共基电流放大系数
a. 受控特性：iC 受iB的控制
uCE＝uBE 4
放
IB＝40μ A
iC iB
饱 和3
30μ A
区
大 20μ A
iC iB
2
区
10μ A
1
b. 恒流特性:当 iB 恒定时，
0
uCE 变化对 iC 的影响很小
0μ A iB＝－ICBO
5
10
15
uCE/V
截止区
即iC主要由iB决定，与输出环路的外电路无关。
iC主要由uCE决定 uCE ↑→ iC ↑
iC /mA
=80μA =60μA =40μA
=20μA
25℃
uCE /V
（3）当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，运动 到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，
此后uCE再增加，电流也没有明显得增加，特 性曲线几乎平行于与uCE轴
晶体三极管及其基本放大电路

晶体三极管及其基本放大电路


共基极交流电流放大系数
ic ie
一般可认为
h fe h fe 1
24

Ma Liming
1

Electronic Technique
2、极间反向电流 ICBO为发射极开路时,集电极和基极之间的反向 饱和电流,室温下小功率硅管的ICBO小于1μA，锗管 约为几微安到几十微安。
26
2.5、放大电路基础
2.5.1、放大电路的组成 信 号 源 放大电路
负 载
直流电源 放大电路电路结构示意图 信号输入 第一级 第二级 多级放大电路
Ma Liming Electronic Technique 27
第三级
信号输出
2.5.2、放大的概念
电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放 大成较大的信号。即用能量较小的输入信号控制 另一个能源，从而使输出端的负载上得到能量较
20A IB=0 12 vCE(V)
b Rb + － UBB
Ma Liming
c V e
+ UCC －
对于PNP型三极管,工作在饱和区 时, 有:VB<VC<VE
Electronic Technique 13
例:如图，已知三极管工作在放大状态, 求:1).是NPN结构还是PNP结构? 2).是Si还是Ge材料? 3).X ,Y ,Z分别对应 什么电极？
方法三：从外观上 半球型的三极管管脚识别方法：平面对着自己，
引脚朝下，从左至右依次是E、B 、C。
常用的三极管9011～9018系列为高频小功率 管，除9012和9015为PNP型管外，其余均为NPN
型管。
Ma Liming
Electronic Technique
晶体三极管

晶体三极管

3. 集电极— —发射极间反向击穿电压V(BR)CEO 管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电 压。当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿 导致热击穿会损坏管子。
2.1.6 三极管的简单测试 一、硅管或锗管的判别
当V=0.6~0.7V时， 为硅管
当V=0.1~0.3V时 为锗管。
图2.1.11判别硅管和锗管的测试电路
图2.1.14基极b的判断
五、e、b、c三个管脚的判断 首先确定三极管的基极和管型，然后采用估测β值的 方法判断c 、e极。方法是先假定一个待定电极为集电极 （另一个假定为发射极）接入电路，记下欧姆表的摆动幅 度，然后再把两个待定电极对调一下接入电路，并记下欧 姆表的摆动幅度。摆动幅度大的一次，黑表笔所连接的管 脚是集电极c，红表笔所连接的管脚为发射极e，如图 2.1.12所示。测PNP管时，只要把图2.1.12电路中红、黑表 笔对调位置，仍照上述方法测试。
能力
IC
IB
4．通常 ，IC IB ，所以可表示为
(2.1.4)
考虑ICEO，则
IC IB IC I B ICEO
(2.1.5) (2.1.6)
2.1.4 三极管的输入和输出特性
一、共发射极输入特性曲线 集射极之间的电压VCE一定时，发射结电压VBE与基极电流 IB之间的关系曲线。
1.74
2.33
2.91
IE/mA
0
0.01
0.57
1.16
1.77
பைடு நூலகம்
2.37
2.96
由表2.1.1可见，三极管中电流分配关系如下：
IE IC IB
(2.1.1)
因IB很小，则
IC IE
(2.1.2)
半导体三极管教案

半导体三极管教案

2、输出特性：基极电流一定时，三极管集电极电流IC与集电极电压UCE之间关系
教师环视学生集中学生注意力
学生回答
教师叙述
10分钟
15分钟
教学环节
教 学 内 容
教学活动
时间
讲授新课
小 结
作业：
课后回顾
输出特性曲线把三极管分为三个区域：截止区、放大区和饱和区
1）截止区：
条件：发射结反偏，集电结反偏
特点：IB=0，IC≈ICE0≈0
教学环节
教学内容
教学活动
时间
组织教学
复习旧课
导入新课
讲授新课
考勤，教师组织学生做好上课准备
课前教育：
1.三极管的结构、符号
2.三极管放大的实质是什么？
3.三极管进行电流放大的外部条件
在实际中使用三极管要了解它的特性，用什么来反映三极管的特性呢？
§2-1三极管
三、三极管的特性曲线
1、输入特性：UCE保持一定时，加在基极和发射极之间的电压UBE和基极电流IB之间的关系。
3）集电极最大允许耗散功率PCM
1、三极管的特性曲线
2、三极管的三种工作状态
3、三极管的极性、材料、类型的识别
习题册1-3部分习题
教师板书，学生听述并记录笔记
学生听述并思考
15分钟
5分钟
课题名称第二章晶体三极管
§2-1晶体三极管
教学目的1、认识三极管的特性曲线
2、知道三极管的三种工作状态
3、会识别三极管的极性、材料、类型
教学重点三极管的特性曲线、三极管的三种工作状态
教学难点三极管的极性、材料、类型的识导入新课→讲授新课→练习→小结→作业
2）放大区：
条件：发射结正偏，集电结反偏

第二章、三极管

第二章、三极管一、选择题（本大题共小题，每小题分，共分）1、晶体三极管内部由（ ）个PN 结构成。

A 、一个B 、二个C 、三个D 、多个2、如果测得一个放大电路中其三极管的直流电压U CE ＜１Ｖ，则它处于（ ）。

A 、放大状态 B 、饱和状态 C 、截止状态3、有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。

A 、 放大B 、截止C 、饱和D 、损坏 4、三级管工作在放大区，要求（ ）A 、发射结正偏，集电结正偏B 、发射结正偏，集电结反偏C 、发射结反偏，集电结正偏D 、发射结反偏，集电结反偏5、一只NPN 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ） A ．饱和区 B ．截止区 C ．放大区 D ．击穿区6、下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）A V C =0.3V ，V E =0V ， VB =0.7V B VC =-4V ， V E =-7.4V ，V B =-6.7V C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3VD V C =2V ， VE =2V ， V B =2.7V7、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为( )。

A. 83B. 91C. 100 D 、50 8、工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（ ）A 、U C > UB > U E B 、UC < U B < U E C 、U B >U C > U ED 、U C > UE > U B 9、NPN 型三极管处在放大状态时是( )A 、U BE <0, U BC <0B 、U BE >0, U BC >0 C 、U BE >0, U BC <0D 、U BE <0, U BC >0 10、PNP 型三极管处在放大状态时是( )A 、U BE <0, U BC <0B 、U BE >0, U BC >0 C 、U BE >0, U BC <0D 、U BE <0, U BC >0 11、在三极管的共发射极输入特性曲线中，曲线与（ ）对应。

05电子线路试卷_电子02晶体三极管和场效应管练习一

《电子线路》第二章晶体三极管和场效应管班级：姓名：学号：成绩：一、填空题：（24分）1、晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏，结必须反偏。

2、三极管各电极电流的分配关系是。

3、晶体三极管有型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。

4、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即、和。

当三极管工作在区时，关系式I C＝βI B才成立；当三极管工作在区时，I C≈0；当三极管工作在区时，U CE≈0。

5、晶体三极管的反向饱和电流I CBO随温度升高而，穿透电流I CEO随温度升高而。

6、某晶体三极管的管压降U CE保持不变，基极电流I B＝30微安时，I C＝1.2毫安，则发射极电流I E＝ ,如果基极电流I B增大到50微安时，I C增大到2毫安，则三极管的电流放大系数β＝。

7、工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。

8、三极管的三个主要极限参数是、、。

9、场效应管是一种电压控制型器件，输入电阻很大，栅极电流很小。

10、对于大功率晶体管，手册中规定的最大耗散功率P CM，是在常温条件下，才允许达到的最大值。

二、选择题：（20分）1、NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是（）A. U C>U B>U EB. U C<U B<U EC. U C>U E>U B2、3DG6D型晶体三极管的P CM=100毫瓦，I CM=20毫安，U BR(CEO)＝30伏，如果将它接在I C＝15毫安，U CE＝20伏的电路中，则该管（）A. 被击穿B. 工作正常C. 功耗太大过热甚至烧坏3、测得工作在放大电路中的三极管各电极电位如图所示，其中硅材料的NPN管是（）4、放大电路中某三极管极间电压如图所示，则该管类型及1、2、3极分别为（）A. NPN硅管，E、C、BB. NPN硅管，C、B、EC. PNP锗管，E、C、BD. PNP锗管，B、C、E5、三极管各电极对地电位如下图所示，工作于饱和状态的三极管是（）6、如右图所示电路中的三极管处于（）状态。

第2章 晶体三极管的基础知识

第二章晶体三极管和单级低频小信号放大器第一节晶体三极管的基础知识知识点1 理解晶体三极管的结构、分类、符号和基本联接方式【典型例题】【例1】判断题（）在共发射极接法中，输入信号从基极入，集电极出。

【解析】共发射极接法的公共端为发射极，信号从基极和发射极之间输入，从集电极和发射极之间输出。

本题描述不清晰，易导致误会。

【答案】答案为×。

【例2】选择题晶体三极管基本连接方式中既能放大电流又能放大电压的联接方式是（）。

A.共发射极B.共集电极C.共基极D.共漏极【解析】共集电极接法只有电流放大作用，没有电压放大；共基极接法只有电压放大作用，没有电流放大;只有共发射极接法既能放大电流又能放大电压。

【答案】选择A。

【一课一练】一、判断题（）1.晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是锗NPN和硅PNP 两种三极管。

（）2.晶体三极管的管脚有三个，分别是发射极、门极、基极。

（）3.晶体管由两个PN结组成，所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。

（）4.晶体三极管的集电极和发射极可以互换使用。

（）5.用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接三极管另外两电极，观察指针偏转情况。

若两次的测量阻值都大或是都小，则引脚所接就是基极。

二、选择题1.晶体三极管在三个掺杂区域中，位于中间的区域为（）。

A.发射区B.集电区C.基区D.共极区2.晶体三极管的图形符号中，有箭头的电极为（）。

A.发射极B.基极C.集电极D.公共极3.如图2-2-4所示，该电路为（）电路。

A.共基极B.共发射极C.共集电极图2-2-44.用指针式万用表的电阻档测量晶体三极管时，应该打的档位是（）。

A.R×1B.R×10C.R×100D.R×10K5.晶体三极管在组成放大器时，根据公共端的不同，连接方式有（）。

A.1B.2C.3D.4【知识点1参考答案】一、判断题ⅹⅹⅹⅹⅹ二、选择题 CACCC知识点2 识记晶体三极管的放大条件、放大作用和电流分配关系【典型例题】【例1】选择题三极管工作在放大状态时，其两个PN结必须满足（）。

晶体三极管及其放大电路


能量转换
在放大过程中，电能转换 为信号能量，实现信号的 放大。
晶体三极管放大电路的特性
电压放大倍数
晶体三极管放大电路的电压放大倍数取决于电路参数和晶体三极 管特性。
输入电阻与输出电阻
适当选择电路参数，可以提高放大电路的输入电阻和降低输出电阻， 提高电路性能。
稳定性与失真
在实际应用中，需要考虑放大电路的稳定性，避免自激振荡和失真 现象。
晶体三极管及其放大 电路
目 录
• 晶体三极管基础 • 晶体三极管放大电路 • 晶体三极管放大电路的应用 • 晶体三极管放大电路的调试与优化
01
晶体三极管基础
晶体三极管的结构
晶体三极管由三个半导体区域组 成，分别是发射区、基区和集电
区。
晶体三极管内部有两个PN结， 分别是集电极-基极PN结和发射
视频放大
总结词
视频放大电路利用晶体三极管的高频放大性能，对视频信号进行放大，以驱动 显示屏等输出设备。
详细描述
视频放大电路主要用于电视机、显示器等视频设备的信号处理。它能够将微弱 的视频信号放大并传输到显示屏上，确保图像清晰、色彩鲜艳。视频放大电路 对提高视频设备的性能和图像质量具有重要作用。
信号放大
பைடு நூலகம்
03
晶体三极管放大电路的 应用
音频放大
总结词
音频放大是晶体三极管放大电路的重要应用之一，用于将微 弱的音频信号放大，满足扬声器等输出设备的驱动需求。
详细描述
音频放大电路通常采用音频信号作为输入，通过晶体三极管 将信号放大后驱动扬声器或其他音频输出设备。这种电路广 泛应用于音响设备、麦克风、耳机等音频产品中，提供清晰 、动态的音质效果。
总结词

第二章半导体三极管及放大电路


(2)输出特性曲线 iC=f(uCE) iB=const
现以iB=60uA一条加以说明。
（1）当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。
（2） uCE ↑ → Ic ↑ 。
i C(mA)
IB =100uA IB =80uA
（3） 当uCE ＞1V后， 收集电子的能力足够强。 这时，发射到基区的电 子都被集电极收集，形 成iC。所以uCE再增加， iC基本保持不变。 同理，可作出iB=其他值的曲线。
3dB带宽 fL 下限截 止频率 上限截 fH 止频率 f
通频带： fbw=fH–fL
2.4 单管共射放大电路的工作原理
一．三极管的放大原理
三极管工作在放大区： 发射结正偏， 集电结反偏。
IC +△IC I B +△IB T
+ +
+△UCE UCE
+
放大原理：
Rb VBB
ui →△UBE→△IB
UBE+△ UBE -
IC IB
i ＝ C i B
△ iC
2.3 1.5
△ iB
IB =60uA IB =40uA IB =20uA IB=0 uCE (V)
I C 2.3mA 38 I B 60A
iC (2.3 1.5)mA ＝ 40 iB (60- 40)A
（2）共基极电流放大系数：
放大区——
放大区
IB =100uA IB =80uA IB =60uA IB =40uA IB =20uA IB=0 uCE (V)
曲线基本平行等 距。 此时，发 射结正偏，集电 结反偏。 该区中有：
IC＝IB
截止区
四. BJT的主要参数

输入特性曲线基区宽度调制效应.PPT

解: (1)假设晶体三极管工作在放大模式，将晶体三极管用放大 模式下的大信号等效电路模型表示，如图(b)所示。
,假设成立，计算有效
(2) 同样先假设晶体三极管工作在放大模式，输入回路与 (1)一样，得到IB = 10 A，IC = 1mA，则
假设不成立，三极管需要采用饱和模式下的等效电路 模型，重新计算得到
三、极限参数
❏ 集电极最大允许电流ICM
明显下降时所对应的最大允许集电极电流。
❏ 集电极最大允许功率损耗PCM
在集电极最高工作温度限制下，三极管所能承受的最大允许 集电极耗散功率
❏ 反向击穿电压V(BR)CEO
防止管子被击穿所允许的最大vCE的值
2.2.4 晶体三极管的频率参数
的频率特性：
的幅频特性：
三、共集电极 电流传输方程小结：
2.2 晶体三极管模型
2.2.1 埃伯尔斯－莫尔模型
当晶体三极管两个结均加正偏，IF和 IR都较大,晶体三极管工作在饱和模式, IC和IE将同时受到两个结正偏电压的
控制，三极管失去正向受控作用。且
随着集电结正偏电压VBC的增大，IR增 大，导致IC和IE迅速减小，同时IB迅速
稳定输出电流的方法：对于给定的偏置电路，静态工作 点及其稳定性主要取决于ICQ及其稳定性，一个高热稳 定性的偏置电路实际上就是能够稳定ICQ的电路。可以 通过检测输出电流的变化，同时用检测信号来控制输入 回路电流IBQ的方式实现ICQ的稳定，。
分压式偏置电路：
一、RB1和RB2作为VCC的分压电路，提供T 管的偏置电压；
E : 发射区发射效率，表示能够转化为集电极电流的有用成分IEn 在IE中占的百分比
B : 基区传输效率，表示受控集电极电流ICn1在IEn中占的百分比 综上：只有发射区中多子自由电子通过发射结电流IEn转化为集电 结电流ICn1，成为产生上述正向受控作用的载流子，大小只受正 偏发射结电压控制；其他载流子流为寄生电流。
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VCE略增，IC显著增加。
放大区（ VBE 0.7V， VCE>0.3V）
条件 发射结正偏 集电结反偏 具有正向受控作用 特点 满足IC= IB + ICEO VCE曲线略上翘
0 IC /mA IB = 40 A
30 A
20 A 10 A 0 VCE /V
上翘原因—基区宽度调制效应（VCE IC略） 说明 上翘程度—取决于厄尔利电压VA
注意：NPN型管与PNP型管工作原理相似，但由于它们 形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流方向 相反，加在各极上的电压极性相反。
IE IE
N+ -
P IB + -
N +
IC
P+ +
N IB - +
P -
IC
V1
V2
V1
V2
2.1.2 电流传输方程 三极管的三种连接方式——三种组态
IE E B IC T C B B E IC IB T E C B C IB T C IE E
输出特性曲线
IC /mA
输出特性曲线可 划分为四个区域： 饱和区、放大区、
IB = 40 A
30 A
20 A 10 A 0 0 VCE /V
截止区、击穿区。
饱和区（ VBE 0.7V，VCE<0.3V ） 条件： 发射结正偏，集电结正偏。 特点： IC不受IB控制，而受VCE影响。
型，即小信号（或微变）电路模型。
三极管作为四端网络，选择不同的自变量，可以 形成多种电路模型。最常用的是混合Π型小信号 电路模型。
混合Π型电路模型的引出
c
集电结电阻与电容
ic cbc
b
反映三极管正向受 控作用的电流源
rbc
ib
b
基区体电阻
rbb
rbe e
gmvbe rce
cbe
由基区宽度调制效 应引起的输出电阻
（共基极）
（共发射极）
（共集电极）
放大电路的组态是针对交流信号而言的。 观察输入信号作用在那个电极上，输出信号从那 个电极取出，此外的另一个电极即为组态形式。
共基极直流电流传输方程
直流电流传输系数：
I C I CBO I C IE IE 直流电流传输方程： I C I E I CBO
即三极管工作于饱和模式时，相当于开关闭合。
2.2.2 截止模式 ( E结反偏，C结反偏)
若忽略反向饱和电流，三极管IB 0，IC 0。
即三极管工作于截止模式时，相当于开关断开。
截止模式直流简化电路模型
共发射极
IC
电路模型
IB
C B
IC
C
直流简化电路模型 IB 0 IC 0
B
C
IB
B E
温度每升高1C，∆ / 增大（0.5 1）%，即：
(0.005 0.01) / C T
温度每升高1 C ，VBE(on) 减小（2 2.5）mV,即：
VBE(on) T ( 2 2.5)mV / C
温度每升高10 C ，ICBO 增大一倍，即：
三极管三种工作模式
•放大模式： 发射结正偏，集电结反偏。
•饱和模式： 发射结正偏，集电结正偏。
•截止模式： 发射结反偏，集电结反偏。 注意：三极管具有正向受控作用，除了满足内部结 构特点外，还必须满足放大模式的外部工作条件。
2.1 放大模式下三极管工作原理 1. 发射 发射区的 2.1.1 内部载流子传输过程 电 子 越 过 发 射 结 扩 散 到
IC=ICn+ICBO
ICn
ICBO
IC
IB
R1
-
V1
+
-
V2
+
R2
IB= IEp+IBB -ICBO = IEp+(IEn-ICn) -ICBO =IE -IC
发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。 发射区掺杂浓度>>基区：减少基区向发射区发射 的多子，提高发射效率。 基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结 传输到集电结边界。 基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合 机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。 集电结反偏、且集电结面积大：保证扩散到集电 结边界的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集 电极电流。
放大模式直流简化电路模型
共发射极
IC IB
B E C B
电路模型
IB +
E
直流简化电路模型
IB
C B
IC
IB
E
IC
CTVBE E源自VBE(on) + E
IB
E
VBE(on)为发射结导通电压，工程上一般取： 硅管VBE(on)= 0.7V
锗管VBE(on)= 0.25V
三极管参数的温度特性
T
E
+ VBE E
E
E
E
2.3
埃伯尔斯—莫尔模型
N+
P N IC= FIF - IR
埃伯尔斯—莫尔模型是三极管通用模型，它适用于任何工作模式。
IE= IF-RIR
IE
IF
RIR
FIF IR
IC
R1
- V1 + 其中
+ V2 -
R2
VBE VT
IE= IF-RIR
IC= FIF -IR
I F I EBS (e
I CBO (T2 ) I CBO (T1 ) 2
T2 T1 10
2.2
晶体三极管的其它工作模式
2.2.1 饱和模式 ( E结正偏，C结正偏)
IE= IF-RIR
N+ P N FIF IR IC= FIF - IR
IE
IF
RIR
IC
R1
-
V1
+
+
V2
-
R2
结论：三极管失去正向受控作用。
IB /A
VCE =0
0.3V 10V
0 IEBO +ICBO
VBE(on) V /V BE
正向特性曲线略右移。
由于VCE=VCB+VBE
基区宽度调制效应
E B WB C
因此当VBE一定时：
VCEVCB WB 复合机会 IB 曲线右移。
注：VCE>0.3V后，曲线移动可忽略不计。
因为IB 在0 -ICBO时，仍满足 I C I B (1 ) I CBO
击穿区
IC /mA IB = 40 A
30 A
20 A 10 A 0 V(BR)CEO V(BR)CBO 特点： VCE增大到一定值时，集电结反向击穿，IC急剧增大。 0 VCE /V
IB = -ICBO (IE = 0)
第 2 章
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6
晶体三极管
放大模式下晶体三极管的工作原理 晶体三极管的其它工作模式 埃伯尔斯—莫尔模型 晶体三极管伏安特性曲线 晶体三极管小信号电路模型 晶体三极管电路分析方法
2.7
晶体三极管的应用原理
概
述
集电极 c
三极管结 构及电路符 号
集电区
N P N
（若IC>ICM 造成 ）
反向击穿电压V(BR)CEO （若VCE>V(BR)CEO 管子击穿） 最大允许集电极耗散功率PCM
（PC= IC VCE，若PC> PCM 烧管）
2.5 晶体三极管小信号电路模型
放大电路小信号运用时，在静态工作点附近的 小范围内，特性曲线的非线性可忽略不计，近似 用一段直线来代替，从而获得一线性化的电路模
IC /mA
VA
0 VCE /V
基宽WB越小调制效应对IC影响越大则VA越小。 在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流IC的 修正方程：
I C I Se
VBE VT
与IC的关系：
IC过小使IB造成 。
VCE (1 ) VA

在IC一定范围内 近似为常数。 IC过大发射效率 造成 。 考虑上述因素，IB等量增加时，
ICBO
IC
Rb
IB
b
3. 收集 集电结反偏， 有利于收集基区扩散过来 的电子而形成集电极电流 Icn。 其能量来自外接电源 VCC 。 另外，集电区和基区 的少子在外电场的作用下 将进行漂移运动而形成反 向饱和电流，用ICBO表示。
Rc
e
IE
N+
P
N
IE= IEn+IEp IE
IEn IEp
IBB
c Rc
IB
b Rb e
基区，基区的空穴扩散 到发射区—形成发射极 电流 IE (基区多子数目较 少，空穴电流可忽略)。
IE
2. 复合和扩散 电子 到达基区，少数与空穴复 合形成基极电流 Ibn，复合 掉的空穴由 VBB 补充。 多数电子在基区继续扩 散，到达集电结的一侧。
三极管中载流子运动过程
c
饱和模式直流简化电路模型
共发射极
IC
IB
B E C B
电路模型
IB +
E
直流简化电路模型
C
IC
B
IB VBE(on) + E
IC
C
T
VBE E
+ VCE(sat) E
+ V - CE(sat)
E
通常，饱和压降VCE(sat)
硅管VCE(sat) 0.3V
锗管VCE(sat) 0.1V
若忽略饱和压降，三极管输出端近似短路。