半导体材料-硅-其他(1)

半导体材料体系
半导体材料体系指的是由半导体材料构成的系统。

半导体材料是指能够在一定范围内调节电子的导电性质的材料，主要包括硅、锗、砷化镓、磷化铝等。

半导体材料体系通常包括以下几个方面：
1. 单晶硅体系：单晶硅是半导体工业的基础材料，广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。

2. III-V族化合物半导体体系：包括砷化镓、氮化镓、磷化铟等化合物半导体材料，常用于高速电子设备、光电器件等方面。

3. 硅化物半导体体系：包括碳化硅、氮化硅等化合物半导体材料，具有高温、高功率等特性，主要应用于功率器件、蓝光LED等领域。

4. 有机半导体体系：具有可制备性、柔性、低成本等优点，主要应用于柔性显示、传感器等领域。

不同的半导体材料体系具有不同的特性和应用领域，对于半导体产业的发展起到了至关重要的作用。

半导体材料举例半导体材料是一种特殊的材料，具有介于导体和绝缘体之间的电导率。

它们在现代电子学中扮演着重要的角色，被广泛应用于电子器件、光电器件、太阳能电池等领域。

下面列举了一些常见的半导体材料。

1. 硅（Si）：硅是最常见的半导体材料之一，具有良好的电学性能和化学稳定性。

它被广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。

2. 碳化硅（SiC）：碳化硅是一种新型的半导体材料，具有高温、高压、高频等特殊性能。

它被广泛应用于电力电子、汽车电子等领域。

3. 氮化镓（GaN）：氮化镓是一种宽禁带半导体材料，具有高电子迁移率和高饱和漂移速度。

它被广泛应用于LED、激光器等领域。

4. 磷化镓（GaP）：磷化镓是一种窄禁带半导体材料，具有良好的光电性能。

它被广泛应用于光电器件、太阳能电池等领域。

5. 砷化镓（GaAs）：砷化镓是一种高速、高频半导体材料，具有良好的电学性能和光电性能。

它被广泛应用于微波器件、光电器件等领域。

6. 氮化铝（AlN）：氮化铝是一种宽禁带半导体材料，具有良好的热导率和机械性能。

它被广泛应用于高功率电子器件、LED等领域。

7. 氮化硼（BN）：氮化硼是一种高温、高硬度半导体材料，具有良好的热导率和化学稳定性。

它被广泛应用于高温电子器件、陶瓷材料等领域。

8. 氧化锌（ZnO）：氧化锌是一种宽禁带半导体材料，具有良好的光电性能和化学稳定性。

它被广泛应用于光电器件、传感器等领域。

9. 硒化铟（In2Se3）：硒化铟是一种新型的半导体材料，具有良好的光电性能和化学稳定性。

它被广泛应用于太阳能电池、光电器件等领域。

10. 硫化镉（CdS）：硫化镉是一种窄禁带半导体材料，具有良好的光电性能和化学稳定性。

它被广泛应用于太阳能电池、光电器件等领域。

半导体材料在现代电子学中扮演着重要的角色，不同的半导体材料具有不同的特殊性能，可以满足不同领域的需求。

随着科技的不断发展，相信半导体材料的应用领域会越来越广泛。

常用的半导体单晶材料
半导体材料是现代电子科技的基础。

常用的半导体单晶材料包括硅、锗、砷化镓、硒化铟、氮化镓等。

以下是我对各种材料的介绍和应用。

1. 硅
硅是最常见的半导体材料。

其结晶格子具有优异的周期性，加之有很
多方法可以获得高纯度的硅单晶。

硅的禁带宽度约为1.1电子伏特，
可以导电也可以不导电。

在电子元器件中，硅是最重要的原料之一。

从集成电路到太阳能电池，硅都扮演着重要的角色。

2. 锗
锗是另一种常见的半导体材料，相较于硅，其导电性和光学性质较为
优越，可用于制作红外探测器等器件。

然而，由于热力学上的限制，
用锗制作高灵敏度元件的难度相对较高。

3. 砷化镓
砷化镓是一种优秀的半导体材料，拥有很宽的带隙（1.43电子伏特），以及良好的电学和光学特性。

它被广泛应用于微波电子学、激光器和LED等器件的制造。

4. 硒化铟
硒化铟也是一种重要的半导体材料。

虽然其带隙只有0.25电子伏特，但其好的电学性能和红外光学性能使得它在红外目标识别、近红外发光器和高速光通信等领域发挥了重要作用。

5. 氮化镓
氮化镓是最近发展起来的一种半导体材料，由于其具有高硬度、高热导率、高抗氧化性、高光学透明性等特性，被广泛应用于高功率电子器件的制造，如蓝光激光器、高频高功率晶体管等。

总之，以上提到的半导体材料都是现代电子技术不可或缺的原材料，它们在电子学、光学、材料科学等方面发挥重要的作用。

未来，随着科技的发展，半导体材料的种类和应用也将随之增加和扩展。

常用半导体材料
半导体材料是指介于导体和绝缘体之间的材料，具有导电能力的材料。

常用的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）、氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）等。

这些材料在电子器件中有着
广泛的应用。

硅是最常见的半导体材料，广泛应用于集成电路（IC）、太阳能电池、光电器件等领域。

硅具有良好的热稳定性、机械强度和可加工性，制备工艺成熟，成本相对较低，是目前集成电路工业所采用的主要材料。

锗是一种重要的半导体材料，具有较高的载流子迁移率和较小的禁带宽度，适用于高速电子器件的制备。

锗晶体的熔点较低，可以直接生长单晶，用于制备高频收发器、微波器件等。

氮化镓是一种宽禁带半导体材料，主要用于制作高亮度发光二极管（LED）和激光器。

氮化镓具有较大的能带隙，能够发射出可见光甚至紫外光，具有优异的光电性能和较长的寿命。

砷化镓是一种III-V族半导体材料，具有优异的电子和光电性能，适用于高速电子器件、光电器件等领域。

砷化镓的电子迁移率较高，适用于高频器件的制备，而其能带结构可以制作高效的太阳能电池。

除了以上几种常用的半导体材料，还有许多其他材料也具有半导体性质，如砷化磷（GaP）、碲化锌（ZnTe）、硒化镉（CdSe）等。

这些半导体材料在不同的应用领域具有独特的
优势，被广泛应用于电子、光电、信息、能源等高科技领域。

总之，半导体材料是现代科技领域中不可缺少的重要材料，对于电子器件的发展和应用起着关键作用。

随着科技的进步，新的半导体材料也将不断涌现，进一步推动各个领域的发展。

半导体用的硅材料
一、硅材料
1、什么是硅材料
硅材料是一类经过精密加工和处理后，具有良好物理性能的半导体材料，它是半导体器件的基础组成部分。

硅材料具有优异的热稳定性、电性能和耐电压能力，是现代电子器件制造中不可缺少的重要原料。

2、硅材料的种类
硅材料可分为多种类型，按其微结构可以排列为晶体硅、气相沉积硅（CVD）、液相硅（LPCVD）、固体溶解硅、金属硅和化学气相沉积硅（PECVD）等几种。

3、硅材料的用途
硅材料是半导体电子元件的基本材料，可用于制作晶体管、晶闸管、半导体功率器件、芯片、半导体存储器、晶体管滤波器、互连器件和开关电路等，它们支撑着全球的信息网络和网络安全。

二、用于半导体产业的硅材料
1、Czochralski硅
Czochralski硅材料是以Czochralski法制备的硅单晶，它是玻璃改性的典范，可以用作半导体工艺中的衬底以及元器件的封装，它可以用于制作细小微型器件，是半导体行业中不可缺少的重要材料。

2、太阳能电池板硅
太阳能电池板是一种由多层硅片叠加而成的复合太阳能材料，是
太阳能发电技术的重要组成部分。

太阳能板的硅层厚度一般为
0.3-0.5毫米，其半导体特性良好，可以把太阳能转换为可靠的电能。

3、硅胶
硅胶是一种由二甲基硅氧烷和其他热固性填料混合而成的柔性
材料，具有优异的物理和机械性能，成为了半导体行业中不可或缺的重要材料。

它能够抗热、抗湿、抗老化、抗冲击，并且拉伸强度高，比表面穿透阻抗低，是优质的半导体隔离材料。

阐述半导体材料种类半导体材料是一类介于导体和绝缘体之间的材料，具有电阻率介于两者之间的特性。

根据其化学成分和特性，半导体材料可以分为以下几种类型。

1. 硅（Silicon）硅是最常见的半导体材料之一，也是最广泛应用的材料。

它具有良好的热稳定性、机械强度和化学稳定性，适用于制造各种半导体器件。

硅的电子能带结构使其在室温下成为半导体。

2. 硒（Selenium）硒是一种重要的光电材料，具有优良的光电性能。

它在光敏元件、太阳能电池等领域有着广泛的应用。

硒的导电性能在室温下较差，需要在特定条件下进行掺杂才能发挥半导体特性。

3. 砷化镓（Gallium Arsenide）砷化镓是一种III-V族化合物半导体材料，具有良好的电子迁移率和高频特性。

它广泛应用于高速、高频电子器件、光电子器件以及微波集成电路等领域。

4. 硼化硅（Silicon Carbide）硼化硅是一种能够在高温、高电压条件下工作的半导体材料。

它具有高电子迁移率、高击穿电场强度和高热导率等特点，适用于制造功率器件、高温电子器件以及光电子器件。

5. 硒化锌（Zinc Selenide）硒化锌是一种广谱透明半导体材料，具有良好的光学和电学性能。

它在红外光电子学、激光器和光电探测器等领域有着广泛的应用。

6. 硒化镉（Cadmium Selenide）硒化镉是一种优良的光电材料，具有较高的吸收系数和较高的光敏度。

它被广泛应用于太阳能电池、光电导体、光电子器件等领域。

7. 磷化铝（Aluminum Phosphide）磷化铝是一种宽禁带半导体材料，具有高电子迁移率和高热导率。

它在高功率电子器件和光电子器件等领域有着重要的应用。

8. 氮化镓（Gallium Nitride）氮化镓是一种宽带隙半导体材料，具有优良的电子迁移率和热导率。

它在高功率电子器件、蓝宝石激光器和光电子器件等领域有着广泛的应用。

以上是常见的一些半导体材料种类，它们在不同的应用领域具有各自独特的特性和优势。

半导体硅材料一、半导体及硅材料的发展硅材料是重要的半导体材料，化学元素符号Si，电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能。

硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。

在介绍硅材料之前先简单地介绍一下半导体材料的发展历程。

半导体材料经历了几代的发展：第一代半导体是“元素半导体”，典型如硅基和锗基半导体。

其中以硅基半导体技术较成熟，应用也较广，一般用硅基半导体来代替元素半导体的名称。

硅基半导体器件的频率只能做到10GHz，硅基半导体集成电路芯片最小设计线宽己经达到0.13μm，到2015年，最小线宽将达到0.07μm。

第二代半导体材料是化合物半导体。

化合物半导体是以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和氮化镓(GaN)等为代表，包括许多其它III-V族化合物半导体。

化合物半导体的电子迁移率与硅半导体材料相比要快很多，因而被广泛应用于高频传输领域。

带三代半导体材料是宽禁带半导体材料，如SiC、GaN、ZnSe、金刚石以及SOI 等新型硅基材料等。

自1958年集成电路发明以来，半导体单晶硅材料以其丰富的资源，优良的物理和化学性能成为生产规模最大、生产工艺最完善和成熟的半导体材料。

由于大规模工业生产高品质单晶硅对于计算机通讯系统、传感器、医疗设备、光伏器件、卫星、宇宙飞船等都有重大影响，美国的贝尔实验室、德州仪器公司、欧洲的菲利普、西门子和瓦克等全球大公司抓住了机遇成为初期的硅生产厂家。

20世纪50年代开发的西门子c制程包括有高品质的单晶硅、多熔区区域提纯硅和悬浮区熔硅（FZ）等关键技术，这些技术后被瓦克公司采用，FZ硅片最初主要是用于功率器件。

切克劳斯基直拉工艺是另一种硅生产技术，CZ硅片用于德州仪器和仙童公司设计的集成电路。

1970年前后，多晶硅在MOS工艺中的首次应用是MOS技术的一次关键突破，因为他利用了多晶硅的主要优势，从那时起，由于多晶硅的诸多性质如雨硅技术中所使用的其他材料的兼容性，超过1000度的温度稳定性，易于掺杂和氧化以及能够产生等角台阶覆盖，多晶硅已被用于各种类型器件的制作中。

半导体材料半导体材料中比较传统的则是硅，在自然中含量很丰富。

在地壳中占27.7%，仅次于氧。

硅的物理性质为：晶体的硅是银灰色、具有金属光泽和金刚石结构的原子晶体、硬而脆、熔点为1420摄氏度、沸点为2600摄氏度，密度为2.33克/立方厘米。

硅的化学性质：在常温下很稳定，在高温下比较活泼，能与氧、水反应生成二氧化硅：Si+2H2O======SiO2+2H2↑(900~1200℃)Si+O2======= SiO2 （1050~1150℃）8 Si +2N2====== Si2N4 (1400℃)Si+4HCl=======SiCl4+ 2H2↑(1300℃左右) 外延工艺中就是用此反应在外延前对硅进行抛光。

将干燥的氯化氢气体通入外延炉的反应管内的硅片作用，使硅片表面受到均匀而轻微的腐蚀，以除去表面的损伤层而达到抛光的目的。

这种方法称氯化氢气象抛光法。

通常条件下，硅对硝酸、硫酸以及盐酸都是稳定的，和氢氟酸也不反应。

但硅和硝酸、氢氟酸的混合液却起作用，反应式如下：Si+4HNO3==SiO2+2H2O+4NO2↑SiO2 +6HF==H2[SiF6] +2H2O上述反应，首先是硝酸将硅氧化成二氧化硅，二氧化硅进一步和氢氟酸作用生成易溶于水的络合物—六氟硅酸，从而使硅溶解。

所以工艺中常用这种混合液作为硅的腐蚀液。

常温下，硅和碱反应，生成硅酸盐并放出氢气：Si+2NaOH+ H2O==NaSiO3+2H2↑高纯硅的制备化学原理矿物和岩石的主要元素，在自然界中以化合物状态存在，常见的有石英石（即SiO2）和其它各种硅酸盐。

电子工业中所用的硅单晶材料是纯度很高的硅.因此制备的工艺很复杂。

（1）制备一般首先由硅石（SiO2）制得工业硅（粗硅），再制成高纯的多晶硅，最后拉制成半导体材料硅单晶。

工业上是用硅石和焦炭以一定比例混合，在电炉中加热至1600~1800℃而制得纯度为95%~99%的粗硅，其反应如下：SiO2+2C=Si+2CO粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质，这些杂质多以硅化构成硅酸盐的形式存在，为了进一步提高工业粗硅的纯度，可采用酸浸洗法，使杂质大部分溶解（有少数的碳化硅不溶）。

半导体的类型半导体是一种电阻率介于导体和绝缘体之间的材料，它在现代电子技术中起到了至关重要的作用。

根据半导体材料的物理特性和用途，我们可以将半导体分为以下几种类型。

1.硅（Silicon）：硅是最常见的半导体材料之一，广泛应用于电子行业。

它具有稳定的化学性质和良好的电学特性，易于加工和制造。

硅的晶体结构使得它具有较小的能隙，可以在常温下传导电流，但碳的掺杂可以提高半导体的导电性。

硅材料可以用于制造各种电子器件，如集成电路（IC）、太阳能电池等。

2.砷化镓（Gallium Arsenide，GaAs）：砷化镓是另一种常用的半导体材料，它具有高电子迁移率和较高的饱和漂移速度，适用于高频率和高功率的电路应用。

砷化镓可用于制造微波器件、高速传输器件以及激光二极管等。

3.磷化氮化镓（Gallium Nitride，GaN）：磷化氮化镓是一种新兴的半导体材料，在高功率电子器件领域具有广泛的应用前景。

它具有高频率、高电子迁移率和优异的热导率，适用于制造功率放大器、LED照明和雷达等高性能器件。

4.砷化锗（Germanium Arsenide，GeAs）：砷化锗是一种半导体材料，早期在晶体管的发展中起到了关键作用。

尽管它的应用相对较少，但砷化锗仍然是研究和实验室中的重要材料，可以用于制造光学器件和高速开关等。

5.硫化锌（Zinc Sulfide，ZnS）：硫化锌是一种宽禁带半导体，具有良好的光学和电学特性。

它可用于制造发光二极管（LED）、光电探测器和太阳能电池等器件。

总而言之，半导体材料的种类繁多，每种材料都具有不同的特性和应用领域。

了解不同类型的半导体材料及其特性，有助于我们更好地选择和应用合适的半导体材料，推动电子技术的发展和创新。

通过不断研究和探索，未来可能会有更多新型半导体材料应运而生，为我们带来更多新的科技突破。

半导体材料硅半导体材料硅是一种非金属元素，化学符号为Si，原子序数为14，原子量为28.0855。

硅是地壳中含量最多的元素之一，其化合物主要是硅酸盐。

在自然界中，硅以二氧化硅的形式存在于石英、石英砂、水晶和玻璃中。

硅还是很多矿物和岩石的成分，如辉石、玄武岩、花岗岩等。

此外，硅也是一种重要的半导体材料，被广泛应用于电子、光电子、太阳能等领域。

硅的晶体结构为钻石型，每个硅原子与周围四个硅原子形成共价键，形成了稳定的晶体结构。

硅材料的热电性能良好，是一种优良的半导体材料。

由于硅材料的稳定性和可控性，使其在电子器件中得到广泛应用。

硅材料的电学性能稳定，能够在高温、高压等恶劣环境下工作，因此被广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。

在集成电路领域，硅材料是制造芯片的主要材料之一。

硅材料的半导体性能使其成为制造晶体管、二极管、场效应晶体管等电子器件的理想材料。

同时，硅材料的加工工艺成熟，生产成本相对较低，使其成为集成电路制造业的主流材料。

在太阳能电池领域，硅材料也是主要的光伏材料之一。

硅材料的光电转换效率高，稳定性好，是目前大规模生产太阳能电池的主要材料之一。

除了在电子和光电子领域，硅材料还被广泛应用于化工、建筑材料等领域。

硅材料可以制成多种硅化合物，如硅酸盐、硅酸酯等，用于制造玻璃、陶瓷、水泥等材料。

此外，硅材料还可以制成硅橡胶、硅树脂等弹性材料，用于制造密封件、绝缘件等。

硅材料的化学稳定性和耐腐蚀性使其在化工领域得到广泛应用。

总的来说，硅材料是一种重要的半导体材料，具有良好的电学性能、光学性能和热学性能，广泛应用于电子、光电子、化工等领域。

随着科学技术的不断进步，硅材料的应用领域将会更加广泛，为人类社会的发展做出更大的贡献。

常用的半导体材料有什么
在现代电子技术中，半导体材料扮演着至关重要的角色。

半导体材料是一类导电能力介于金属和绝缘体之间的材料，常被用于制造电子器件和集成电路。

以下是常用的几种半导体材料：
1.硅(Si)：硅是最常用的半导体材料之一，因其丰富的资源、良好的半
导体特性和较容易的加工工艺而广泛应用于集成电路制造中。

2.锗(Ge)：锗是另一种重要的半导体材料，它的导电性比硅好，适用于
一些特殊的应用场景。

3.砷化镓(GaAs)：砷化镓是III-V族化合物半导体材料，具有较高的电
子迁移率和较高的导电性能，被广泛用于高频器件和光电器件。

4.氮化镓(GaN)：氮化镓是一种新型的宽禁带半导体材料，具有高迁移
率和较高的耐高温性能，适用于制造功率器件和高频器件。

5.碳化硅(SiC)：碳化硅是一种宽带隙半导体材料，具有良好的热稳定
性和高电子饱和漂移速度，被广泛应用于高温电子器件和功率电子器件。

以上是几种常用的半导体材料，它们在现代电子技术中发挥着重要作用，不同的半导体材料具有不同的特性和适用范围，在电子器件设计和制造过程中需要根据具体需求进行选择和应用。

八大半导体制造材料1.引言1.1 概述半导体制造材料是半导体行业发展中不可或缺的重要组成部分。

随着现代科技的迅猛发展，半导体材料在电子、计算机、通信等领域得到了广泛应用。

本文将着重介绍八大重要的半导体制造材料。

首先，硅是最常见且最重要的半导体材料之一。

因其丰富的资源、良好的电学性质和可靠的工艺技术，硅被广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。

在半导体制造中，硅常常被用作衬底材料，承载电子元件的生长和成型。

其次，砷化镓是另一种重要的半导体材料。

砷化镓具有优良的电学性能和较高的流速，广泛应用于高频、功率电子器件的制造。

砷化镓在无线通信、雷达、微波等领域发挥着重要作用。

另外，氮化镓材料也备受关注。

由于其较宽的能带间隙和优异的热导性能，氮化镓被广泛应用于发光二极管（LED）和高电子迁移率晶体管（HEMT）等器件制造。

氮化镓的发展为节能环保的照明和电子产品提供了新的可能性。

此外，磷化镓、砷化铟、磷化铟等化合物半导体材料也具有良好的电学特性和潜在的应用前景。

磷化镓在高亮度LED、半导体激光器等器件制造方面具有重要地位。

砷化铟和磷化铟则在红外光电探测器、半导体激光器等方面展示出了广阔的市场前景。

最后，碳化硅和氮化硅是近年来备受瞩目的新兴半导体材料。

碳化硅具有高热导率和高耐高温性能，被广泛应用于高功率、高频率电子器件的制造。

氮化硅则具有优秀的绝缘性能和可控的电学性能，可应用于高压功率器件和光电子器件等领域。

综上所述，八大半导体制造材料包括硅、砷化镓、氮化镓、磷化镓、砷化铟、磷化铟、碳化硅和氮化硅。

这些材料在半导体行业发展中具有重要地位，推动着电子科技的进步和创新。

随着科技的不断演进，这些材料的应用前景将继续拓展，为我们创造更美好的科技未来。

文章结构部分的内容可以如下所示：文章结构本文按照以下方式组织和呈现相关信息：第一部分引言1.1 概述1.2 文章结构1.3 目的第二部分正文2.1 第一个要点2.2 第二个要点第三部分结论3.1 总结要点3.2 对未来的展望在引言部分，我们对八大半导体制造材料的相关背景和重要性进行了介绍。

半导体硅材料科学与技术半导体硅材料半导体硅材料(semiconductor silicon)是最主要的元素半导体材料，包括硅多晶、硅单晶、硅片、硅外延片、非晶硅薄膜等，可直接或间接用于制备半导体器件。

其中，发展比较早的就是集成电路。

集成电路是20世纪50年代后期一60年代发展起来的一种新型半导体器件。

它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。

集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现在加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。

在集成电路的制作中，其中比较重要的，就是半导体芯片的制造。

半导体芯片的发明是二十世纪的一项创举，它开创了信息时代的先河。

在计算机已经成为我们日常生活中的必备工具的今天，我们的计算机CPU可能产生不同的，但是无论是"Intel"还是"AMD"，它们在本质上一样，都属于半导体芯片。

20世纪60年代，英特尔(Intel)创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)提出了一种揭示信息技术速度的观测或推测——摩尔定律。

其内容为:当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。

换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18-24个月翻一倍以上。

但是随着科技的进步，到了2000年，显然几何比例到头了，但是各种技术手段的发明使得该行业的发展跟上了摩尔定律的步伐。

在90纳米时，应变硅发明了；45纳米时，增加每个晶体管电容的分层堆积在硅上的新材料发明了；22纳米时，三栅极晶体管的出现保证了缩小的步伐。

除了目前使用的硅CMOS工艺，新的技术也会受到瞩目。

Intel已经宣布将在7纳米放弃硅。

锑化铟(InSb)和铟砷化镓(InGaAs)技术都已经证实了可行性，并且两者都比硅转换速度高、耗能少。