1、电路结构图1、operational amplifier电路结构2、电路描述及指标要求电路描述：电路包括三部分：运算放大器、偏置电路和补偿电路。
运算放大器：NMOS差分输入级＋A类输出级（所有晶体管均应偏置在饱和区）。
补偿电路：补偿极点（用工作在线性区的NMOS管代替电阻）设计及仿真指标表1 设计指标指标设计指标仿真结果（根据仿真结果填写）直流增益>80dB 82.2dB Settling time(1V OutputStep)<1us 0.49us Settling time(-1V OutputStep)<1us 0.59us 输出摆幅-4V～4V -5V~4.96VICMR -4V～4V -4.28V~4.77VCMRR >80dBPSRR+ >85dB at DC 95.4dBRSRR- >85dB at DC 90.5dB功耗Power Dissipation <600uW 532uW 单位增益频率>4MHz 10.9MHzUnity Gain Frequency系统失调电压Offset<2mV 32.020uV voltage负载电容Load10pf 10pf capacitance电源电压±5V ±5V 输入等效噪声－3、网表名称下表给出了电路模拟所用网表和模拟特性之间的对应关系。
表2、模拟所用网表说明列表NETLIST REMARKOpamp.cir 子电路描述及模型定义op.sp 电路的直流工作点计算、每个器件的工作状态和电路功耗。
openloop.sp 开环增益、单位增益频率及噪声特性Swing.sp 输出摆幅、系统失调电压、输入电阻、输出电阻和运放的零极点settlingtime.sp 阶跃响应及建立时间ICMR.sp 共模输入范围(ICMR)CMRR.sp 共模抑制比（CMRR）PSRR+.sp 电源电压抑制比（PSRR+）PSRR-.sp 电源电压抑制比（PSRR-）4、电路模拟结果1)、电路直流工作点分析：表3 器件直流工作点列表器件名称器件类型尺寸（W/L）工作区源漏电流（I DS）M1 NMOS 140u/1u 饱和区-2.9326uAM2 NMOS 140u/1u 饱和区-2.9326uAM3 PMOS 1u/1.3u 饱和区 2.9326uAM4 PMOS 1u/1.3u 饱和区 2.9326uA M5 NMOS 5u/4u 饱和区 5.8652uA M6 PMOS 8u/1u 饱和区39.5101uA M7 NMOS 7.5u/1u 饱和区39.5101uA M8 PMOS 1u/1u 线性区0uAM9 NMOS 2.5u/1u 饱和区7.8259uA M10 PMOS 1u/10u 饱和区7.8259uA M11 PMOS 1u/10u 饱和区7.8259uA M12 NMOS 1u/10u 饱和区7.8259uA M13 NMOS 1u/20u 饱和区7.8259uA总体电路功耗：**** voltage sourcessubcktelement 0:vin+ 0:vin- 0:vdd 0:vssvolts 0. 0. 5.0000 5.0000current 0. 0. -53.2012u -53.2012upower 0. 0. 266.0062u 266.0062utotal voltage source power dissipation= 532.0124u watts2)、模拟波形(1)、开环增益、单位增益频率及噪声特性测试电路：图2、测试电路1模拟条件：VDD＝5V；VSS=-5V；VIN=0V(加交流信号)，室温下仿真。
