基于量子流体动力学模型的半导体器件模拟
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主要内容2.12.22.32.1 器件模拟的基本方程组2.1.3 载流子输运的基本方程2.1.3.2小尺寸半导体器件的载流子输运方程(a) (b)图2.1 半导体中的载流子过冲. (a) GaAs材料, (b) Si材料2.1 器件模拟的基本方程组2.1.6光波导方程由Maxwell 方程组同样可以导出在半导体材料中传输的光波的电场分量E 所满足的方程:式中n 为材料的折射率,k 0 =2π/λ,λ是波长。
对于沿z 方向传播的波,式中β是波沿z 方向的传播常数,可得到Helmholtz 方程为,2022=+∇E E k n )(exp ),,(),,,(z t j E E E t z y x z y x βω−=E 222/,/ββ−=∂∂−=∂∂z j z 所以,)(22022=−+∇E E βk n T 式中,22222//y x T ∂∂+∂∂=∇2.3 半导体器件的分级模拟2.3.1 问题目的提出判断一个半导体器件模拟软件优劣的指标是功能全、精度高、速度快和便于用户使用。
功能全主要指能处理问题面广,便于用户使用则主要指程序输入参数形式简单,并以交互或对话方式工作。
实际开发半导体器件模拟软件时要考虑这两点,但这不是衡量半导体器件模拟方法本身优劣的指标。
衡量半导体器件模拟方法优劣的指标是速度快、精度高。
在半导体器件的计算机模拟中,除了从指标要求出发选取好的方法外,在给定精度的条件下,还经常使用分级模拟技术以减少计算时间和提高计算速度。
2.3 半导体器件的分级模拟2.3.3 分级模拟的意义随着工件条件的变化,模型方程的复杂性越来越高,相应地,模拟的复杂性也越来越高。
对于复杂的模拟问题,往往需要采用分级模拟的方法,该方法包括两点:(1)根据具体的工作条件,选用级别较低的模型方程,以在保证精度的条件下大大减少计算时间。
(2)利用低一级的解作为初值。
由于低一级的解是本级的很好近似,这样做将有效减少计算时间。
NEXTNANO——下一代3D纳米器件仿真计算软件应用及方案一、NEXTNANO简介Nextnano GmbH是从属全球著名的半导体研究所——德国慕尼黑工业大学瓦尔特朔特基研究所(Walter Schottky Institute)。
NEXTNANO是德国NEXTNANO GmbH公司多年致力于研发电子及光电子半导体纳米器件以及材料的解决方案而形成的结晶,其用户遍布电子及光电领域领先的半导体公司以及学术研究机构。
应用范围包括量子阱,量子线,量子点,纳米线,纳米微晶体,量子级联激光器(QCL),共振隧穿二极管(RTD),高电子迁移率晶体管(HEMT),Nano-MOSFETs,LEDs,激光器(e.g.VCSEL),高效太阳能板,有机半导体,离子敏场效应管(ISFET)以及石墨烯,应变硅,低含氮化合物等新型材料。
其独特亮点在于其能够对任意的几何形状以及材料组成运用相对而言更好的物理学方法进行量子力学的计算,即NEXTNANO并不局限于特定的器件类型,而是一款适用于现有以及新型器件的理想产品,譬如生物芯片传感器。
NEXTNANO能更好地理解器件的物理性质、对器件进行系统地完善、减少重新设计理想器件的时间,以更好的功能为各类用户提供更优的解决方案,其技术应用及服务由积社科技(JService Tech)实施。
二、NEXTNANO功能介绍NEXTNANO是基于量子力学方法(Schrodinger方程,Poisson方程,连续电流方程),通过自恰计算研究纳米半导体器件(IV主族材料Si,Ge,SiGe;所有的III-V主族材料)的电子和光学特性。
软件可以模拟量子阱,量子线,量子点,2DEG,QCLs、RTDs、MOSFETs、HEMTs等等。
能够计算的材料特性有:能带结构,张力,压电和热电电荷,电子密度和空穴密度,静电势,电流,波函。
软件包含NEXTNANO.MAT、NEXTNANO3/NEXTNANO++、NEXTNANO.QCL、NEXTNANO.MSB。
流体力学模拟技术在半导体工艺中的应用引言半导体工艺是现代电子产业中的重要环节,对于半导体芯片的制造过程进行优化和改进,具有重要意义。
传统的半导体工艺改进往往需要大量的试错和实验,耗费大量时间和资源。
然而,随着计算机技术和模拟仿真技术的发展,流体力学模拟技术在半导体工艺中的应用逐渐受到重视。
本文将介绍流体力学模拟技术在半导体工艺中的应用及其优势。
流体力学模拟技术概述流体力学模拟技术是一种基于数值计算方法对流体运动和相互作用进行仿真的技术。
通过数值计算方法,可以解决液体或气体在不同条件下的运动问题,并模拟流体与固体表面的相互作用。
流体力学模拟技术已经在工程领域得到了广泛的应用,包括建筑设计、汽车工程、飞机设计等。
在半导体工艺中,流体力学模拟技术的应用也具有重要的意义。
流体力学模拟技术在半导体工艺中的应用流体流动模拟在半导体工艺中,流体流动对于控制化学物质的扩散和反应具有重要影响。
利用流体力学模拟技术,可以对这些流动过程进行精确的建模和模拟,从而优化半导体工艺流程。
例如,在氧化过程中,通过模拟氧化气体在反应炉中的流动情况,可以预测氧化速率的分布,并优化反应炉的设计和操作参数,从而实现更高效的氧化过程。
温度场模拟在半导体工艺中,温度的分布对于半导体器件的性能和可靠性具有重要影响。
利用流体力学模拟技术,可以对加热过程中的温度场进行建模和模拟,从而优化加热参数和加热器件的设计。
例如,在退火过程中,通过模拟退火炉中的温度场分布,可以预测半导体晶片的温度变化,进而优化退火工艺,提高晶片的电性能。
流体与固体表面的相互作用在半导体工艺中,流体与固体表面的相互作用对于半导体器件的制造具有重要影响。
利用流体力学模拟技术,可以对流体在固体表面的粘附、湿润和干燥等现象进行建模和模拟,从而预测和优化这些现象对半导体工艺的影响。
例如,在光刻过程中,通过模拟光刻胶在硅片表面的扩散和湿润情况,可以优化光刻胶的配方和光刻工艺参数,提高图形的清晰度和边缘精度。
微观半导体器件的仿真与优化研究随着信息技术的飞速发展,半导体产业在全球范围内已经成为最具竞争力和最有前途的产业之一。
微观半导体器件作为半导体产业中一个不可或缺的组成部分,对于提高半导体器件性能、降低功耗、提高芯片集成度等方面具有重要作用。
而对于微观半导体器件的仿真与优化更是必不可少的环节,因为在实际制造过程中微观半导体器件的设计和生产是一个相对复杂的过程,需要通过仿真得出最佳的设计方案。
微观半导体器件的仿真与优化是一个涉及多个学科和领域的复杂课题,包括物理学、化学、机械工程等。
在实际研究和生产过程中,科学家们通常会使用不同的仿真软件,如Silvaco、TCAD、COMSOL等,这些软件都有着各自的特点和优势。
TCAD是半导体器件仿真的重要工具之一。
由于物理学家们多年来对半导体的理论研究和实际操作经验的积累,现在我们对半导体材料物理特性的认知已经相当精确,因此,建立在物理准确性的基础上进行仿真可以提供比实验更详细、更广泛的信息。
Silvaco是一种常用的微观器件仿真软件,在半导体制造业中的应用非常广泛。
Silvaco可以仿真不同的技术和器件,包括模拟、混合信号和射频器件等。
该软件实现了高精度的仿真和大规模的模拟,从而可以提供最终产品更准确的物理性能和可靠性。
COMSOL Multiphysics是一种多物理场仿真软件,它可以模拟不同的物理现象,如电磁现象、热传输、流体动力学、结构力学等,并可以通过多个物理现象之间的相互作用来更好地描述实际情况。
这种仿真软件的优势之一是能够考虑很多物理场,从而获得更全面的信息,更真实的结果,因此在微观半导体器件仿真的优化和设计方面也有广泛的应用。
然而,上述仿真软件在使用时也存在一些问题和局限性。
首先,在使用任何仿真软件进行微观半导体器件仿真和优化时,我们必须满足其前提假设。
其次,当我们制造半导体器件的时候,必须要考虑的因素非常多,而所有的仿真工具都无法完全模拟这些影响;最后,尽管这些仿真软件可以提供详细的结果,但是基于其特性和限制,通常需要进行不同的校准和修正。
半导体物理学建模-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述半导体物理学建模是一门研究半导体材料和器件特性及行为的学科,通过数学模型和计算技术,将现实世界中复杂的半导体现象转化为可计算的形式,以便更好地理解和预测半导体器件的性能和行为。
随着半导体技术的快速发展,半导体物理学建模在科学研究、工程设计和产业应用中都具有重要的地位。
通过建模,我们可以深入研究电子在半导体材料中的运动规律、能带结构的形成和能级分布等基础物理过程,进而理解半导体器件的电学、光学和热学性质。
本篇文章将重点介绍半导体物理学建模的基础知识、建模方法与技术,以及一些应用案例与实践经验。
通过深入解析这些内容,读者可以全面了解并掌握半导体物理学建模的理论与实践,为相关领域的研究和开发提供参考和指导。
文章结构本文将按照以下结构进行叙述:第一部分是引言部分,主要包括概述、文章结构和目的三个方面。
在概述中,我们将简要介绍半导体物理学建模的背景和意义;在文章结构部分,我们将列出本文的组织结构和各部分的主要内容;在目的部分,我们将说明本文的写作目标和意义。
第二部分是正文部分,主要包括半导体物理学基础、建模方法与技术以及应用案例与实践三个方面。
在半导体物理学基础部分,我们将介绍半导体的基本概念、性质和特性;在建模方法与技术部分,我们将介绍常用的半导体建模方法和相关技术;在应用案例与实践部分,我们将通过一些具体的案例和实际应用,展示半导体物理学建模在科学研究和工程设计中的应用价值。
第三部分是结论部分,主要包括总结与回顾、建议与展望以及结论三个方面。
在总结与回顾部分,我们将对本文进行总结和回顾,重点概括半导体物理学建模的主要内容和意义;在建议与展望部分,我们将提出关于建模方法和技术的一些建议和展望,探讨未来的发展方向;在结论部分,我们将对本文的主要观点和结论进行总结和归纳。
通过这样的结构安排,本文将全面而系统地介绍半导体物理学建模的相关理论和应用,为读者提供一个全面了解和学习该领域知识的框架。
半导体器件仿真与设计优化技术研究近年来,随着半导体技术迅速发展,半导体器件的仿真与设计优化技术也日益受到重视。
半导体器件的仿真与设计优化技术是半导体工业中至关重要的环节,它能够帮助工程师们快速、准确地评估和改进器件性能,提高产品质量和生产效率。
本文将重点探讨半导体器件仿真与设计优化技术的研究现状、应用以及未来发展趋势。
一、研究现状1. 半导体器件仿真方法半导体器件的仿真是指通过计算机模拟和建模,利用数学算法和物理方程来预测器件的性能和行为。
目前主要的仿真方法包括基于有限元分析(FEA)的仿真、基于电路仿真的仿真以及基于物理模型的仿真等。
这些仿真方法的选择取决于具体的器件类型和设计需求。
2. 仿真软件与工具在半导体器件仿真与设计优化技术研究中,仿真软件和工具起到关键的作用。
目前市面上存在许多广泛应用的商业仿真软件,如COMSOL Multiphysics、Silvaco、Ansys等。
这些软件提供了强大的建模能力和多种仿真方法,可以应用于不同类型的半导体器件设计与优化。
3. 仿真与实验相结合在半导体器件仿真与设计优化技术的研究中,仿真结果的准确性和可靠性尤为重要。
为了验证仿真结果,工程师们通常会将仿真与实验相结合,通过与实际测量结果的对比来验证仿真模型的准确性。
这种仿真与实验相结合的方法能够提高仿真结果的可信度,并指导实际器件的设计与优化。
二、应用领域1. 功率电子器件功率电子器件在各个工业领域中得到广泛应用,如电力电子、汽车电子、航空航天等。
通过半导体器件仿真与设计优化技术,工程师们能够评估功率电子器件的效率、稳定性和可靠性,并进行设计改进,提高能量转换效率和产品寿命。
2. 光电子器件光电子器件是指利用光学原理实现信息的传输与处理的器件。
半导体器件仿真与设计优化技术在光电子器件的研究中发挥重要作用。
工程师们可以通过仿真研究光学波导的传输特性、调控光束的调制器件以及光电二极管的响应等,从而优化光电子器件的性能。
半导体器件的量子效应研究在现代科学领域中,半导体器件是一种关键的组成部分,被广泛应用于电子设备、通信技术和能源转换等方面。
然而,随着技术的不断发展,器件尺寸越来越小,我们进入了一个纳米级尺寸的时代,传统的经典物理理论已经无法准确描述器件中的物理现象。
这时,量子力学中的量子效应开始展现出它的重要性,并成为了半导体器件研究的一个关键领域。
量子效应是指在原子、分子和纳米尺度下,由量子力学所引发的物理现象。
在半导体器件中,量子效应变得尤为明显。
一种最常见的量子效应是电子在半导体中的行为,即电子传输的量子效应。
传统的经典物理学认为电流是连续流动的,然而在半导体器件尺寸缩小到纳米级别时,电子传输的行为开始受到量子效应的影响。
这样,我们就需要借助量子力学中的基本原理来研究电子在半导体中的运动行为。
量子效应对半导体器件的研究和应用带来了巨大的变革。
例如,半导体超晶格结构的发展就是基于量子效应来实现的。
超晶格由两种不同的材料交替排列而成,通过控制其中一种材料的厚度和组成,可以实现对电子行为的精确调控。
由于超晶格中的电子行为受到量子约束的影响,可以产生一系列新奇的物理现象,并有望在量子计算、量子通信和量子传感等领域发挥重要作用。
除了电子传输的量子效应外,光电子效应也是半导体器件研究中的重要方面。
光电效应是指物质受到光照射后,产生电子和空穴的现象。
在半导体中,当光照射到材料表面时,光子的能量可以被吸收,并激发电子从价带跃迁到导带中,形成电子空穴对。
这一过程由量子力学严格描述,不仅与入射光的波长有关,还与材料的能带结构和能级位置等因素密切相关。
利用光电效应,我们可以实现光电转换、光电探测和光伏发电等应用。
例如,光电二极管是一种常见的光电器件,它利用光电效应来将光子转换为电信号。
在光电二极管中,半导体材料的能带结构被精心设计,以确保只有特定波长的光子能被吸收,从而实现对光的选择性响应。
这种量子效应的利用使得光电二极管能在光通信、光纤传输和光学传感等领域发挥关键作用。
基于量子流体动力学模型的半导体器件模拟董果香(电子科技大学物理电子学院,四川成都610054)摘要:基于量子流体动力学模型,自主编制程序开发了半导体器件仿真软件。
其中包括快速、准确数值离散方法和准确的物理模型。
基于对同一个si 双极晶体管的模拟,与商用软件有近似的仿真结果。
表明量子流体动力学模型具有可行性,同时也表明数值算法和物理模型的正确性。
关键词:量子流体动力学模型;仿真;物理模型;数值计算中图分类号:TN303文献标识码:A文章编号:1674-6236(2013)02-0140-04Semiconductor device simulation based on quantum fluid dynamics modelDONG Guo -xiang(Institute of Physical Electronics ,University of Electronic Science and Technology of China ,Chengdu 610054,China )Abstract:The quantum hydrodynamic model -based ,self -preparation program was developed semiconductor devices simulation software.Including fast and accurate numerical discretization method and an accurate physical model.Based on a Si bipolar transistor analog approximate simulation results with the commercial software.That quantum hydrodynamic model is feasible ,but also shows the correctness of numerical algorithms and physical models.Key words:quantum hydrodynamic model ;simulation ;physical model ;numerical calculation收稿日期:2012-09-21稿件编号:201209157作者简介:董果香(1986—),男,陕西西安人,硕士研究生。
研究方向:微波、毫米波器件。
半导体器件模拟是运用计算机工具来进行模拟分析[1]。
实质是针对半导体器件物理方程的数学求解过程。
常用的半导体器件模型有漂移扩散模型,流体动力学模型,量子流体动力学模型,能量平衡模型。
其中漂移扩散模型过于简单,只能模拟比较简单的器件结构。
流体动力学模型对当前工艺条件下生产的器件有着较准确的模拟结果,且数值算法简单,适用性较强。
量子流体动力学模型结合了流体动力学的优点,并且考虑了量子效应对器件的影响,具有更高的精度。
能量平衡模型准确度更高,但数值算法复杂,耗费时间较长。
1量子流体动力学模型及非线性方程的解法文中所用的量子流体动力学如下:坠t n-divJ n =0坠t J n -div (J n 茚J n n )+n Δv +ε26n Δ(Δn 姨n )=-(pQ 1(w ))坠t e-div ((p +eId )u )-ε28div (n Δu )+J n ·Δv =1|p |2Q 1(w 姨姨)λ2D ΔV=n -C (x ),x ∈R 3其中n 表示载流子浓度,J 表示电流密度,e 表示电子能量,V 表示电势。
对于上述方程采用有限差分法离散。
结果得到一组具有N 个变量的非线性方程组。
其形式如下:f i (x 1,x 2,…,x N )=0,i =1,2,…N如:f 1(x 1,x 2,…,x N )=0f 2(x 1,x 2,…,x N )=0…f N(x 1,x 2,…,x N )=∈∈∈∈∈∈∈∈∈∈∈∈∈0将f i 按泰勒级数展开:f i (x +σx )=f i +Nj =1Σ坠f 坠x jσx j +o (|σx |2),i =1,2,…,N写成向量形式:f (x +σx )=f (x )+J ·σx +o (|σx |2)其中J ij =坠f i j,J =坠f 1坠x 1坠f 1坠x 2…坠f 1坠x N 坠f 21……坠f 2N …………坠f N 1坠f N 2…坠f N 3为矩阵,x =(x 1,x 2,…x N )为N 个变量的矢量,f =f 1f 2…fNΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣΣ表示分量为f i 的矢量方程。
令f (x +σx )=0则得关于σx 的线性方程J ·σx =-f电子设计工程Electronic Design Engineering第21卷Vol.21第2期No.22013年1月Jan.2013-140-坠f 1坠x 1坠f 1坠x 2…坠f 1坠x N 坠f 2坠x 1……坠f 2坠x N …………坠f N 1坠f N 2…坠f N 3σx 1σx 2…σx N!"""""""""""#$%%%%%%%%%%%&=-f 1f 2…fN!"""""""""""#$%%%%%%%%%%%&不断求解σx 并更新变量xx new =x old +σx通过上述非线性方程解法,可以顺利的求解量子流体动力学方程。
2物理模型器件的数值模拟不但需要精确的数学模型与准确的数值算法,对物理模型[2-3]的要求也较高,物理模型是器件模拟的物理基础。
物理模型包括迁移率模型与复合模型等。
首先考虑不完全电离:N +D =N D1+GCB exp (Fn(C )kT L)(1)N -A =N A 1+GVB exp (V FpkT L)(2)上式中参数值如下:GCB =2,GVB =4,EDB =0.044ev ,EVB =0.045ev 。
Si 的能带模型为:E g =E g (300)+4.73×10-4×[3002300+636-T 2T +636](ev ),其中,T 是温度,单位为K ,E g (300)=1.08ev(4)Si 价带和导带有效状态密度N V 和N C 分别为1.04e19cm -3和2.8e19cm -3。
迁移率模型[4]对器件的研究十分重要,文中迁移率模型为低电场迁移率模型中的恒迁移率模型和反型层迁移率模型fldmob 的组合使用。
低电场恒迁移率模型为:在室温下,对于电子μn 0=mun (T L 300)-t mun(5)μp 0=mup (T L 300)-t mun(6)在Si 材料区中:在室温下,对于电子mun=1000,t mun=1.5对于空穴:mup=500,tmup=1.5而fldmob 迁移率模型为:μn (E )=μn 0[11+(μn 0E VSATN)BETAN]1BETAN (7)μp (E )=μp 0[11+(μp 0E VSATP)BETAP]1BETAP(8)在Si 材料区中对饱和速度VSATN 和VSATP 作如下修正,其中饱和速度如下[5]:VSATN =ALPHAN .FLD1+THETAN .FLD exp (T LTNOMN.FLD)(9)VSATP =ALPHAP .FLD1+THETAP .FLD exp (T LTNOMP.FLD)(10)以上各参数都有确定的值,其值请参考Silvaco 用户手册chapter 3Physics P115。
复合模型[6]为SRH 模型:R SRH =pn -n 2ieTAUPO [n +n ie exp (ETRAP kTL )]+TAUNO [p +n ie exp (-ETRAP kT L)](12)其中Si 的少数载流子寿命TAUPO =TAUNO =1e -7s 。
其中ETRAP =0ev3结果分析本实验室自主开发器件模拟软件是基于量子流体动力学模型,有着稳定的、快速算法,文中用基于量子流体动力学的器件模拟软件仿真Si 双极晶体管,把仿真得到的结果和商用器件模拟Silvaco 仿真的结果作比较。
文中所用器件结构如图1所示发射区和基区都是采用均匀掺杂,发射区掺杂为5e18cm -3,宽度为0.15μm ,基区掺杂为2e19cm -3,宽度为0.1μm ,结深为0.01μm 。
集电区为带N-外延层的N +衬底,外延层厚度为0.5μm ,掺杂浓度为5e16cm -3,衬底厚度为0.15μm ,掺杂浓度为2e19cm -3。
3.1Gummel 曲线3.1.1silvaco 的Gummel 曲线如图2所示。
3.1.2基于量子流体动力学模拟软件的Gummel 曲线如图3所示。
3.1.3两个软件Gummel 曲线数据的比较如图2所示商用silvaco 软件仿真的Si 双极晶体管在VCE=3.5V 时集电极电流与基极电流随基极电压变化曲线。
从图2可以看出当Vb=0.79V 时,晶体管导通,基极电流增图1Si 双极晶体管Fig.1Si bipolartransistor《电子设计工程》2013年第2期加,集电极电流显著增大,进入放大区工作状态。
如图3所示基于量子流体动力学模型的器件模拟软件在VCE=3.5V时集电极电流与基极电流随基极电压变化曲线。
从图3可以看出当Vb=0.85V时,晶体管导通,基极电流增加,集电极电流显著增大,进入放大区工作状态。
从图2与图3可以看出,不论是开启电压还是曲线变化趋势都是一致的,但是,图4是两软件仿真的基极电流随基极电压变化,其中Ibg代表基于量子流体动力学模型的器件模拟软件的基极电流,Ibs代表silvaco软件的基极电流,可以看出数值上还是有一定差距,造成这种情况的原因可能是对量子流体动力方程采用有限差分法误差较大。
3.2输出特性曲线3.2.1silvaco输出特性曲线3.2.2基于量子流体动力学模拟软件的输出特性曲线3.2.3两个软件输出特性曲线数据比较图3基极电流、集极电流随基极电压变化Fig.3Base current,the collector current with the base voltage changes图7两个软件仿真的集电极电流随集电极电压的变化Fig.7Two software emulation change of collector current withcollector voltage图6集电极电流随集电极电压变化Fig.6Collector current with the collector voltage changes图5集电极电流随集电极电压变化Fig.5Collector current with the collector voltage changes图4两软件仿真的基极电流随基极电压变化Fig.4Two software simulation with the base of the base currentof the voltage change图2基极电流、集极电流随基极电压变化Fig.2Base current,the collector current with thebase voltage changes[2]叶佳字,陈晓刚,张新家.基于AFDX 的航空电子通信网络的设计[J].测控技术,2008,27(6):56-60.YE Jia -zi ,CHEN Xiao -gang ,ZHANG Xin -jia.Design of avionics communication network based on AFDX[J].Measurement &Control Technology ,2008,27(6):56-60.[3]熊华钢,李峭,黄永葵.航空电子全双工交换式从太网标准研究[J].航空标准化与质量,2008,2(1):25-28.XIONG Hua -gang ,LI Qiao ,HUANG Yong -kui.Study on the avionics full -duplex switched ethernet standards[J].Aeronautic Standardization &Quality ,2008,2(1):25-28.[4]Bassoon K ,Troshynski T.Switched ethernet testing for avionics applications[J].IEEE A&E Systems Magazine ,2004(5):31-35.[5]任向隆,马捷中,翟正军.基于FPGA 的AFDX 端系统协议栈虚链路层的研究与实现[J].计算机测量与控制,2010,18(1):157-160.REN Xiang -long ,MA Jie -zhong ,ZHAI Zheng -jun.Research and implementation of VL layer in AFDX End system stack based on FPGA[J].Computer Measurement &Control ,2010,18(1):157-160.[6]武华,马捷中,翟正军.AFDX 端系统通信端口的设计与实现[J].测控技术,2009,28(3):56-59.WU Hua ,MA Jie -zhong ,ZHAI Zheng -jun.Design and implementation of communication port in AFDX end -system[J].Measurement &Control Technology ,2009,28(3):56-59.始下雨时,只要在光路中出现一滴雨滴,仪器即可捕捉到,并发出报警信号。