模拟电子技术期中试卷（二）
一、选择题。（每题3分，共36分）
1.在本征半导体中，电子浓度_______空穴浓度。
A.大于
B.小于
C.等于
D.不定
2.使用万用表直流电压挡,测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的
电位如图2所示,从而可判断出该晶体管工作在_____。
A.饱和状态.
B.放大状态
C.截止状态
D.倒置状态
3.共模抑制比
K是______之比.
GMR
A．差模输入信号与共模输入信号
B．输出量中差模成分与共模成分
C．差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)
D．交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)
4.差动放大电路的主要优点是。
A、稳定的放大性能
B、较高的输入电阻
C、能有效地抑制零点漂移
D、有稳定地静态工作点
5.稳压管的稳压区是工作在______。
A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区
6.二极管两端地反向偏置电压增高时，在达到______电压以前，通过
的电流很小。
A．击穿 B．最大 C．短路
7.如图所示电流放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻
R
_______。
i
A．R
1 B．（1+β）R
1
C．R
1
/ 1+β D．R
1
/ β
8.变容二极管在电路中使用时，其PN结是_______。
A．正向运用B．反向运用
9.当晶体管工作在放大区时，_______。
A．发射结和集电结均反偏；
B．发射结正偏，集电结反偏；
C．发射结和集电结均正偏。
10.在非线性失真中，饱和失真也称为（）
A．顶部失真B．底部失真C．双向失真11．简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起______形成PN结。
A．能够B．不能C．不一定
12.当二极管两端正向偏置电压大于______电压时，，二极管才能导通。
A．击穿B．饱和C．门槛
二、填空题。（每空2分，共12分）
1.写出下列正弦波电压信号的表达式：
A.峰—峰值10V，频率10kHz ( )
B.均方根值220V，频率50Hz ( )
C.峰—峰值100mV，周期1ms（）
D.峰—峰值0.25V，角频率1000rad/s( )
2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V，负载电阻
断开时，输出电压上升到 1.1V。则该放大电路的输出电阻R。为
（）。
3.共模信号是指大小相等，极性（）的信号。
三、两只处于放大状态的三极管，测得①、②、③脚对地电位分别为-8V、-3V、
-3.2V和3V、12V、3.7V，试判断管脚名称，并说明是PNP型管还是NPN 型管，是硅管还是锗管？（6分）
四、如图所示的电路中，已知ui=30sinωtV，二极管的正向压降可忽略不计，
试画出输出电压的波形。（5分）
i
u o
u
R
五、电路如图所示，已知V CC =V EE =15V.晶体管T 1,T 2的β＝100,r bb =200Ω
R C =R L =6k Ω,R E =7.2k Ω
1.估算T 1,T 2管的静态工作点I CQ ,V CEQ （5分）
2.计算A VD =V O /(V i1-V i2),R id ,R od （8分）
CC
v i1v
六、FET 恒流源电路如图，设已知管子的参数m g 、d r ，
试证明AB 两端的小信号电阻d m AB r R g R r )1(++=。（8分）
DD
SS
V -A L
R
七、图中R S 、R e 、R b1、R b2、、R C 、R L 、V CC 均已知；求：I C 、I B 、V CB （8分）
八、已知某放大电路电压增益的频率特性表达式为
)
10
1)(101(101005f j f j f j
A V ++=
(式中f 的单位为Hz) 求：1.该电路的上、下限频率；
2.中频电压增益的分贝数；
3.输出电压与输入电压在中频区的相位差。 （12分）
《模拟电子技术》期末考试卷 一、填空题（20 分） 1、二极管最主要的特性是 。 2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为 、 。 3、多级放大电路中，常见的级间的耦合方式有 、 、 。 4、负反馈放大电路中的四种组态为 、 、 、 。 5、正弦波振荡电路的振荡条件为 、 。 二、选择题（20分） 1、P 型半导体中的多数载流子是 ，N 型半导体中的多数载流子是 。A 、电子 B 、空穴 C 、正离子 2、杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体载流子的浓度。A 、大于 B 、小于 C 、等于 3、温度升高，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ，反向电流 。 A 、增大 B 、减小 C 、不变 4、如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的 约为 （ ）。 A ．1500 .80 C 5、RC 串并联网络在f=f 0=1/2 RC 时呈 。 A 、感性 B 、阻性 C 、容性 三、判断题（10分）（对的打“√”，错的打“×”） 1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度还是相等。（ ） 2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。（ ） 3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。( ) 4、负反馈越深，电路的性能越稳定。（ ） 5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（ ） 四、简答题：（ 25分） 1．写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝。 V 2 V 1
2、判断下图所示电路中是否引入了反馈，如果有反馈试判断反馈类型 ￥+ -+R S u o R L u i R F (b) R 1 R 2 R 4 R 5 R 3 u i + -+v cc -+ V 1 V 2 u o C 1 +- 3、 电路下图所示：请将图中左右两部分正确连接起来，使之能够产生正弦波振荡 五、计算题（25分） 1、电路如下图所示，试求出电路A U 、R i 、和R 0的表达式。
第四章 集成运算放大电路 自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 （1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A ．可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C ．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 B 。 A ．高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号 （3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C ．参数一致性好 （4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A ．减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻 （5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。 A ．共射放大电路 B . 共集放大电路 C ．共基放大电路 解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 （1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。(×) （2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。(√) （3）运放的共模抑制比c d CMR A A K (√) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。(√) （5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。(× )
习题 4.1 通用型集成运放一般由几部分电路组成，每一部分常采用哪种基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么？ 解：通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。 通常，输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数尽可能大。 对中间级的要求：放大倍数大，一切措施几乎都是为了增大放大倍数。 对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压尽可能大。 对偏置电路的要求：提供的静态电流稳定。 第五章放大电路的频率响应 自测题 一、选择正确答案填入空内。 （1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 A 。 A.输入电压幅值不变，改变频率 B.输入电压频率不变，改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 （2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 （3）当信号频率等于放大电路的f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的 B 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 A 。 A.3dB B.4dB C.5dB
电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟） （所有答案必须写在答题纸上） 一、填空题（40分，每空1分） 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是：且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在区和 区之间过渡时，要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是：且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理，即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组的脉冲（宽度按 规律变化）来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效波形，SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的可改变基波幅值；改变
第二章思考题与习题解答 2-1 判断正确(√)与错误(×)。 电路的静态是指： (1)输入交流信号的幅值不变时的电路状态。( ) (2)输入交流信号的频率不变时的电路状态。( ) (3)输入交流信号且幅值为零时的状态。( ) (4)输入端开路时的状态。( ) (5)输入直流信号时的状态。( ) 目的澄清静态的概念。 解(1) ×。因为这是动态概念。 (2) ×。理由与(1)相同。 (3) √。即当 i 0 U=时的状态，也就是正弦波过零点对应的状态就是静态。 (4) ×。输入端开路时不能保证 i 0 U=的条件，可能有干扰信号从输入端窜入，因此不 能保证静态。 (5) ×。这仍然是动态概念。 2-2 试判断图题2-2(a)～(i)所示各电路对交流正弦电压信号能不能进行正常放大，并说明理由。
图题2-2 目的 检查放大电路是否能正常放大。 分析 一个能正常工作的放大电路应该同时满足四个原则，缺一不可。这就是：①e 结正偏，c 结反偏。由直流电源CC V 与BB V 保证。②信号能输入。③信号能输出。④波形基本不失真。由合适的工作点保证。 检查一个电路，只要有一个原则不满足就不能正常放大。 解 图(a)不能正常放大。因为BB V 的极性接反了，使e 结反偏。 图(b)不能放大。原因是CC V 极性接反了，使c 结正偏。 图(c)不能放大。因为b R =0，使信号i U 通过短路线以及CC V 对地交流短路，加不到晶体管上，从而o U =0。 图(d)不能放大。因为e 结处于零偏置。 图(e)能正常工作。因为四个原则均满足。 图(f)不能放大。因为电容C 有隔直作用，使BB V 不能在b R 上产生偏置电流，即BQ I =0，
一、 选择题（本题共5小题，每小题2分，共10分） 1、下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 A B C D 2、硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A 0.1V B 0.3V C 0.5V D 0.7V 3、在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。 A. C B E I I I += B. B C I I β= C. B E I I )1(β+= D. B E I I β= 4、当三极管的发射结和集电结都正偏时，工作于（ ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 5、NPN 型三极管要实现放大作用，c 、b 、e 三个电极的电位必须符合：（ ） A. E B C U U U >> B. B E C U U U >> C. E B U U > D. B C U U > 二、填空题（（本题共5小题，每空2分，共20分） 1、在本征半导体中掺入 元素得N 型半导体，掺入 元素则得 P 型半导体。 2、二极管P 区接电源 极，N 区接电源 极，称正向偏置，二极 管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有 性。 3、三极管电流放大作用的条件是：发射结加 电压，集电结 加 电压。 4、三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。 5、工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安 时，集电极电流从1毫安变为2.2毫安，则该三极管的β约为 。 三、计算题（本题共5小题，共70分） 1、二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电 路的输出电压AB U 。（设二极管为硅管，导通压降为0.7V ） （15分） 2、已知三极管的发射极电流mA I E 24.3=，基极电流A I B μ40=，求集电极电流C I 的数值。 （10分）
《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β
数字电子技术模拟考试试 题及答案 Last revision on 21 December 2020
《数字电子技术》模拟试题 一、填空题（每题2分，共20分） 1、十六进制数97，对应的十进制数为 （1） 。 2、“至少有一个输入为0时，输出为 （2） ”描述的是与运算的规则。 3、 （3） 变量逻辑函数有16个最小项。 4、基本逻辑运算有: （4） 、 （5） 和 （6） 运算。 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 （7） 加器。 6、TTL 器件输入脚悬空相当于输入 （8） 电平。 7、RAM 的三组信号线包括： （9） 线、地址线和控制线。 8、采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 （10） 位。 二、单项选择题（每个3分，共15分） 1、图1的国标逻辑符号中 （11） 是异或门。 图1 2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 （12） 。 A ))((C B B A F ++= B ))((C B B A F ++= C ))((C B B A F ++= D ))((C B B A F ++= 3、下面逻辑式中，不正确的是_ （13）____。 A.C B A ABC ??= B. A AB A += C. ()A A B A += D. AB BA = 4、时序逻辑电路中必须有___（14）___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码器 5、有S1，S2两个状态，条件 （15） 可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同 B. 输出不同 C. 次态相同 D. 次态不同
1、证明：B A B A A +=+（4分） 2、某逻辑函数的真值表如表1所示，画出卡诺图。（6分） 表1 某逻辑函数的真值表 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 X 1 0 0 X 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 X 四、分析题（20分） 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝ ；CP0＝ 。 2）列出其驱动方程：（4分） J1＝ ；K1＝ ；J0＝ ；K0＝ 。 3）列出其输出方程：（1分） Z ＝ 4）求次态方程：（4分） =+11n Q ；=+10n Q 5）作状态表及状态图（9分） Z
一、填空题： 1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和 变流技术 。 2、举例说明一个电力电子技术的应用实例 变频器、 调光台灯等 。 3、电力电子承担电能的变换或控制任务，主要为①交流变直流（AC —DC ）、②直流变交流（DC —AC ）、③直流变直流（DC —DC ）、④交流变交流（AC —AC ）四种。 4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在 开关状态，但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装 散热器 。 5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大，电力电子器件总是工作在开关状态，其损耗包括 三个方面：通态损耗、断态损耗和 开关损耗 。 6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 中较 小 标值作为该器件的额电电压。选用时，额定电压要留有一定的裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。 7、只有当阳极电流小于 维持 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。导通：正向电压、触发电流 （移相触发方式） 8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路可能会出现 失控 现象，为了避免单相桥式 半控整流电路的失控，可以在加入 续流二极管 来防止失控。 9、整流电路中，变压器的漏抗会产生换相重叠角，使整流输出的直流电压平均值 降低 。 10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为 触发角 。 ☆从晶闸管导通到关断称为导通角。 ☆单相全控带电阻性负载触发角为180度 ☆三相全控带阻感性负载触发角为90度 11、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 2√2U1 。（电源相电压为U1） 三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 。（电源相电压为U 2） 12、四种换流方式分别为 器件换流 、电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 。 13、强迫换流需要设置附加的换流电路，给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。 14、直流—直流变流电路，包括 直接直流变流电路 电路和 间接直流变流电路 。（是否有交流环节） 15、直流斩波电路只能实现直流 电压大小 或者极性反转的作用。 ☆6种斩波电路：电压大小变换：降压斩波电路（buck 变换器)、升压斩波电路、 Cuk 斩波电路、Sepic 斩波电路、Zeta 斩波电路 升压斩波电路输出电压的计算公式 U= 1E β=1- ɑ 。 降压斩波电路输出电压计算公式： U=ɑE ɑ=占空比，E=电源电压 ☆直流斩波电路的三种控制方式是PWM 、 频率调制型 、 混合型 。 16、交流电力控制电路包括 交流调压电路 ，即在没半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制，调节输出电压有效值的电路， 调功电路 即以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断，改变通态周期数和断态周期数的比，调节输出功率平均值的电路， 交流电力电子开关即控制串入电路中晶闸管根据需要接通或断开的电路。
2018—2019电子技术基础期中试题 姓名总分 一、填空题（每空1分，共20分） 1．P型半导体又称为____________型半导体，它由本征半导体掺入____________价元素形成，其多数载流子是____________，少数载流子是____________。 2．在室温附近，温度升高，杂质半导体中__________的浓度将明显增加。3．在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是____________作用下产生的，漂移运动是____________作用下产生的。 4．按照二极管的材料分，可分为_________二极管和锗二极管两种。5．稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的___________区。6．三极管具有电流放大作用的外部条件是：发射结____________偏置，集电结____________偏置。 7．基本放大电路的非线性失真包括____________失真和____________失真。 8．图1所示电路，二极管VD1、VD2为理想元件，则U AB 为_______伏。图1图2 9．电路图如图2，已知R B = 240kΩ，R C = 3kΩ，晶体管β= 20，V CC = 12V。 现在该电路中的晶体管损坏，换上一个β= 40的新管子，若要保持原来的静态电流I C不变，且忽略U BE，应把R B调整为____________kΩ。10．在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图3所示。已量出I1= -1.2mA，I2 = -0.03mA，I3 = 1.23mA。由此可知： (1) 电极①是__________极，电极②是__________极，电极③是 __________极。 (2) 此晶体管的电流放大系数β约为__________。 (3) 此晶体管的类型是__________型（PNP或NPN）。 I1 I2 I3 二、选择题（每小题2分，共20分） 11．PN结加正向电压时，其空间电荷区会( ) A．不变B．变窄 C．变宽D．不定 12．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于( ) A．本征半导体B．温度 ① ② ③ 第 1 页，共 4 页
电子技术模拟试题及其参考答案2 一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内 (本大题共13小题，总计28分) 1、(本小题2分) 已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（）。 (a) 发射极(b)集电极(c) 基极 2、(本小题2分) 晶体管的开关作用是( )。 (a) 饱合时集—射极接通，截止时集—射极断开 (b) 饱合时集—射极断开，截止时集—射极接通 (c) 饱合和截止时集—射极均断开 3、(本小题2分) 由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为( )。 (a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门 A 4、(本小题2分) T形电阻网络D/A 转换器是由（）组成。 (a) T形电阻网络和集成运算放大器 (b) T形电阻网络和触发器 (c) T形电阻网络和振荡器 5、(本小题2分) 电路如图所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压u O =（）。 (a) －2V (b) 0V (c) 6V (d) 12V
在 运 算 放 大 器 电 路 中， 引 入 深 度 负 反 馈 的 目 的 之 一 是 使 运 放 ( )。 (a) 工 作 在 线 性 区 ， 降 低 稳 定 性 (b) 工 作 在 非 线 性 区 ， 提 高 稳 定 性 (c) 工 作 在 线 性 区 ， 提 高 稳 定 性 7、(本小题2分) 一 个 正 弦 波 振 荡 器 的 反 馈 系 数 F =∠? 1 5 180 ，若 该 振 荡 器 能 够 维 持 稳 定 振 荡，则 开 环 电 压 放 大 倍 数 A u 必 须 等 于 （ ） 。 (a) 15360∠? (b) 15 0∠? (c) 5180 ∠-? 8、(本小题2分) 整 流 电 路 如 图1 所 示，输 入 电 压u U t =2sin ω，输 出 电 压 u O 的 波 形 是 图2中( )。 图1 2U －图2 t t + - u O 9、(本小题2分) 若 晶 闸 管 的 控 制 电 流 由 大 变 小， 则 正 向 转 折 电 压 （ ）。 (a) 由 大 变 小 (b) 由 小 变 大 (c) 保 持 不 变 10、(本小题2分) 晶 闸 管 导 通 后， 其 正 向 压 降 约 等 于 （ ）。 (a) 零 (b) 0.3 V (c) 1 V 左 右 11、(本小题2分) 某 数/模 转 换 器 的 输 入 为 8 位 二 进 制 数 字 信 号（D 7 ~ D 0)，输 出 为 0~25.5V 的 模 拟 电 压。若 数 字 信 号 的 最 低 位 是“1” 其 余 各 位 是“0”， 则 输 出 的 模 拟 电 压 为( )。 (a) 0.1V (b) 0.01V (c) 0.001V
习题 题2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。 图P2-1 题2-1解(a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求； (b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）； (c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）； (d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）； (e) 有放大作用； (f) 无放大作用，输入信号的负半轴不能加到放大电路中去； (g) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0； (h) 无放大作用，电容Cb使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极；本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 题2-2 已知图P2-2(a)中：R b=510kΩ，R c=10kΩ，R L=1.5kΩ，V CC＝10V。三极管的输出特性如图(b)所示。 ①试用图解法求出电路的静态工作点，并分析这个工作点选得是否合适； ②在V CC和三极管不变的情况下，为了把三极管的静态集电极电压U CEQ提高到5V左右，可以改变哪些参数？如何改法？ ③在V CC和三极管不变的情况下，为了使I CQ=2mA，U CEQ=2V，应改变哪些参数？改成什么数值？
（a ） 题2-2解：① 先由估算法算出I BQ C C B E Q BQ b 100.7 mA 0.02mA 20μA 510 V U I R --= ≈ ≈= 然后，由式 C c C CC CE i R i V u 1010-=-=， 在输出特性曲线上画出直流负载线，其与横、 纵两个坐标轴的交点分别未（10V ，0）和（0，1mA ），直流负载线与i B =20uA 的一条输出 特性曲线的交点Q1即为静态工作点。 由Q1可得，U CEQ ≈0.5V ，I CQ =0.95mA 。可见，Q1点靠近饱和区，位置不太合适，容易产生饱和失真。 ② 在V CC 和三极管不变的情况下，为了把三极管的静态集电极电压U CEQ 提高到5V 左右，可以改变的参数只有R b 和（或）R c ，有以下几种方法： 1）同时减小R b 和R c ，如图中Q2点；2）R b 不变，减小R c ，如图中Q ’2点；3）Rc 不变，增大Rb ，如图中Q ’’2点；4）同时增大Rb 和Rc ，静态工作点在图中Q ’’2点以下。 ③ 在V CC 和三极管不变的情况下，为了使I CQ =2mA ，U CEQ =2V ，可以改变的参数只有R b 和（或）Rc 。将i C =I CQ =2mA ，u CE =U CEQ =2V 的一点与横坐标轴上u CE =10V 的一点相连即可得到此时的直流负载线，此时集电极电阻为CC CEQ c CQ 102 k Ω4k Ω2 V U R I --= = =， 由图可见，Q3点处I BQ =40uA ，则CC BEQ b BQ 100.7 k Ω250k Ω0.04 V U R I --= = ≈ ，因此，需要减小 Rb 和Rc 为：Rc ＝4k Ω，Rb ＝250k Ω。 i C u CE /V 图 P2-2 （b ）
2012~2013年第二学期《电子技术》期中考试试卷 总分：100分时量：60分钟 班级：姓名：学号： 一、填空题（37×1分=37分） 1、能够将变成的电路称为整流电路，能够将变成比较平滑的的电路称为滤波电路。 2、PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极；PN 结反偏时，P区接电源的极，N区接电源的极。 3、硅二极管的正向压降约为V，锗二极管的正向压降约为V。 4、利用半导体二极管的特性，将变成的过程称做整流。 5、交流电经过变成脉动直流电后，仍有变化，滤波电路能够脉动直流电中的成分。 6、半导体三极管有两个PN结，即结和结；有三个电极，即极、 极和极，分别用、、和表示。 7、晶体管有型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。 8、半导体三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即区、区和区。 9、放大电路设置静态工作点的目的是。 10、在纯净的硅晶体中掺入三价元素，就成为型半导体，它的多数载流子量是，少数载流子是。 二、选择题（6×4分=21分） 1、在纯净半导体硅中，掺入微量的（）价元素就成了N型半导体。 A. 三价 B. 四价 C. 五价 2、性能良好的二极管正向电阻（）反向电阻。A. 大于 B. 等于 C. 小于 D. 不确定 3、稳压二级管的稳压性能是利用二极管的（）特性实现的。 A. 单向导电 B.反向击穿 C.正向导通 D.反向截止 4、整流的目的是（）。 A. 将高频变为低频 B. 将低频变为高频 C. 将正弦波变为方波 D. 将交流变为直流 5、整流电路后面接入滤波电路的目的是（）。 A. 去除直流电中的脉动成份 B. 将高频变成低频 C. 将正弦交流信号变成矩形脉冲 D. 将直流电变成交流电 6、三极管的发射结正偏、集电路反偏时，三极管处于（）。 A. 放大状态 B. 饱和状态 C.截止状态 三、判断题（5×2分=10分） 1、PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止。（） 2、在P型半导体中，多数载流子是电子。（） 3、二极管加反向电压不一琯是导通状态。（） 4、稳压二极管是工作在反向击穿状态。（） 5、单相半波整流电路的特点是：电路简单、成本低，输出电压高、脉动小。（） 四、综合题（14分+15分=29分） 1、试画出单相半波整流的电路图，并说明它的整流过程。 2、请画出共射放大电路的原理图，并写出静态工作点的计算公式。（I BQ、I CQ、V CEQ）
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1
电子技术模拟卷 一．选择： 1. (1分)P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ C ）。 (A) 带正电 (B) 带负电 (C) 不带电 2.(1分)三极管工作在放大区时，其各结之间的偏置为（ A ）。 (A) 发射结正偏，集电结反偏 (B) 发射结反偏，集电结正偏 (C) 发射结正偏，集电结正偏 (D) 发射结反偏，集电结反偏 3（1分）.运算放大器工作在饱和区时，其输出电压o u 为（A ）。 (A) 当-+>u u 时，o(sat)o U u += (B) 当-+>u u 时，o(sat)o U u -= (C) 当-+ >u u 时，V 0o =u (D) 当-+模拟电子技术基础 第二章练习题
注意：答案仅供参考！ 一、填空题 1. 半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。 2. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。 3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大 ；若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小 。 4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。 5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。 6.静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。 7.对于下图所示电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω，V BE =0.7V ，V CE （sat ）=0.3V,当β=50，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.1mA ，管压降V CEQ = 3.2V ；若换上一个当β=80，静态电流I BQ = 22μ A ，I CQ = 1.46mA ，管压降V CEQ = 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。 8.对于下图所示电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =0.7V ，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = 282.5 k Ω ，R C = 4 k Ω 。
9.对于下图所示电路，已知V CC =12V，R b1 =27 kΩ，R c =2 kΩ,R e =1 kΩ,V BE =0.7V, 现要求静态电流I CQ =3mA，则R b2 = 12 kΩ。 10.已知图示的放大电路中的三级管β=40，V BE=0.7V，稳压管的稳定电压V Z=6V， 则静态电流I BQ = 0.275mA ，I CQ = 11mA ，管压降V CEQ = 3V 。 11. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β增 大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。 12.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是饱和失真，失真的主要原因是由于 夏天室温升高后，三级管的 I CBO 、 V BE 和β三个参数的变化，引起工 作点上移；输出波形幅度增大，则是因为β参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。
专业班级____________ 考生姓名：____________ 学号_______ 一．选择（20分、2分/题） 1．变压器降压使用时，能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2．三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的 ________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角 3．电气控制线路原理图中，触头的位置是处于______a___。 A、未通电状态 B、通电状态 C、根据情况确定状 态 4．为保证机床操作者的安全，机床照明灯的电压应选 ____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下 5．关于提高功率因数的说法，正确的是（ c ） A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数
B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数 C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6．乙类互补对称式功放电路，其输出波形的交越失真是指（ c ）。 A．频率失真 B、相位失真 C、波形过零时出现的失真 D、幅度失真 7．稳压管的动态电阻（ b ）稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8．运算放大器电路如图所示，该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 －＋∞ + u O u i 9．单稳态触发器的输出状态有（ a） A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10．一个8选1多路选择器，输入地址有 c 。 A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题（70分） 1．已知图5所示电路中U S1=24V，U S2 ＝6V，R 1 =12Ω，R 2 ＝6 Ω,R 3=2Ω，试用戴维宁定理求流过电阻R 3 中的电流I 3 。(10分) a I
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联
《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断（10分） 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（） 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（） 3、PN结具有单向导电特性。（） 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（） 5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（） 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。（） 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。（） 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。（） 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。（） 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。（） 二、选择（10分） 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下，可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通，反偏截止 B、正偏截止，反偏导通 C、正偏导通，反偏导通 D、正偏截止，反偏截止 4、既能放大电压，也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大，表明电路（）。 A、放大倍数越稳定； B、交流放大倍数越大； C、抑制温漂能力越强； D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中，已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形，设二极管为理想二极管。（每题10分，共20分）
第二章基本放大电路 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在基本共射放大电路中，负载电阻R L减小时，输出电阻R O将[ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。 A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ] A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真 以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ] A．差分放大电路B．共基电路 C．共射电路D．共集电路 晶体三极管的关系式i E=f(u EB)|u CB代表三极管的 A.共射极输入特性 B.共射极输出特性 C.共基极输入特性 D.共基极输出特性 对于图所示的复合管，穿透电流为（设I CEO1、I CEO2分别表示T1、T2管的穿透电流） A.I CEO= I CEO2I CEO B.I CEO=I CEO1+I CEO2 C.I CEO=（1+2）I CEO1+I CEO2 D.I CEO=I CEO1 图[ ] 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正