下载文档原格式
《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
（1）信号是反映消息的物理量，电信号是指随时间而变化的电压或电流。
（2）模拟信号在时间和数值上均具有连续性，数字信号在时间和数值上均具有离散性。
（3）模拟电路是处理模拟信号的电路。
（4）构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。
1.2 （1）在设计电子系统时，应尽量可能做到哪几点？
答：必须满足功能和性能的指标要求；
在满足功能和性能指标要求的前提下，电路要尽量简单，所用元器件尽可能少；
考虑电磁兼容性；
系统的调试应简单方便，而且生产工艺应简单。
第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。
解：
2.13 求解电路的运算关系。
第三章
3.2
（1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，如磷等；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，如硼等。
（2）PN结加正向电压时，由扩散运动形成电流，其耗尽层变窄；加反向电压时，由漂移运动形成电流，其耗尽层变宽。
第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
（1）为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入电流串联负反馈。
（3）为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力，应引入电压串联负反馈。
第十章。
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子试题库及答案一、选择题1. 在模拟电子电路中，运算放大器的虚短特性指的是：A. 虚地B. 虚短C. 虚断D. 虚接答案：B2. 以下哪个不是模拟电路的特点？A. 线性B. 非线性C. 可处理模拟信号D. 数字信号处理答案：D二、填空题1. 理想运算放大器的输入电阻是_________。
答案：无穷大2. 模拟信号的频率范围通常比数字信号_________。
答案：宽三、简答题1. 简述模拟电子电路与数字电子电路的区别。
答案：模拟电子电路主要处理模拟信号，其特点是连续性、线性和可处理模拟信号。
而数字电子电路主要处理数字信号，其特点是离散性、非线性和数字信号处理能力。
2. 描述运算放大器的基本应用之一：放大器。
答案：运算放大器作为放大器使用时，其增益可以通过外部电阻来设置，具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点，广泛应用于信号放大。
四、计算题1. 给定一个理想运算放大器构成的反相放大器电路，输入电压为2V，反馈电阻Rf为10kΩ，求输出电压。
答案：根据反相放大器的增益公式，输出电压Vout = - (Rf/Rin) * Vin，其中Rin为输入电阻，理想运放的Rin为无穷大，因此Vout = -2V。
2. 如果一个非理想运算放大器的输入偏置电流为1μA，输入偏置电压为1mV，求该运放的输入偏置电阻值。
答案：输入偏置电阻值Rin可以通过输入偏置电压Vbias和输入偏置电流Ibias来计算，即Rin = Vbias / Ibias = 1mV / 1μA = 1kΩ。
五、分析题1. 分析以下电路图，并说明其工作原理。
[电路图略]答案：[根据电路图进行分析并给出答案，包括电路的组成部分、各部分的作用以及整个电路的工作原理。
]2. 给定一个差分放大器电路，输入信号为差分信号，分析其放大倍数。
[差分放大器电路图略]答案：[根据差分放大器的工作原理，分析其放大倍数的计算方法，并给出具体的计算步骤和结果。
]六、实验题1. 设计一个简单的低通滤波器电路，并说明其设计参数。
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
精心整理模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
456781．1A2．A3A4A5A1．12341．1值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U＝(6—0.7)V＝5.3V。
(b)令二极管断开，可得UP ＝6V、UN＝10V，UP<UN，所以二极管反向偏压而截止，U＝10V。
(c)令V1、V2均断开，UN1＝0V、UN2＝6V、UP＝10V，UP—UN1>Up—UN2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U＝0.7V。
2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出ui 、u、iD的波形。
解：输入电压ui 为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u＝0，而流过二极管的电流iD ＝ui／R，为半波正弦波，其最大值IDm＝10V／1kΩ＝10mA；当ui为负半周时，二极管反偏截止，iD ＝0，u＝ui为半波正弦波。
因此可画出电压u电流iD的波形如图(b)所示。
3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知UZ ＝5V，IZ＝5mA，电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关s断开和闭合时，电压表和电流表、读数分别为多大?解：当开关S断开，R2支路不通，IA2＝0，此时R1与稳压二极管V相串联，因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5V。
当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R2两端压降为故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R1、R2构成串联电路，电流表A1、A2的读数相同，即而电压表的读数，即R2两端压降为3.6V。
第2章半导体三极管及其基本应用2．1填空题12种载流子参与导电。
模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
（1）信号是反映消息的物理量，电信号是指随时间而变化的电压或电流。
（2）模拟信号在时间和数值上均具有连续性，数字信号在时间和数值上均具有离散性。
（3）模拟电路是处理模拟信号的电路。
（4）构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。
1.2 （1）在设计电子系统时，应尽量可能做到哪几点？
答：必须满足功能和性能的指标要求；
在满足功能和性能指标要求的前提下，电路要尽量简单，所用元器件尽可能少；
考虑电磁兼容性；
系统的调试应简单方便，而且生产工艺应简单。
第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。
解：
2.13 求解电路的运算关系。
第三章
3.2
（1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，如磷等；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，如硼等。
（2）PN结加正向电压时，由扩散运动形成电流，其耗尽层变窄；加反向电压时，由漂移运动形成电流，其耗尽层变宽。
第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
（1）为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入电流串联负反馈。
（3）为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力，应引入电压串联负反馈。
第十章。
一、选择题：（共10题，每题1分。
合计10分）第一章：1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。
A. 变宽B. 变窄C. 基本不变3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。
A. 增大B. 不变C. 减小5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。
A. 不变B. 左移C. 右移6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。
A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿第二章：1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。
A. 共射电路B. 共集接法C. 共基接法2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。
A. 共射电路B. 共集电路C. 共源电路3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。
A. 共射B.共集C. 共基4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。
A. 1B. 86C. 905. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。
A. DS u > GS u -)(th GS UB. DS u <GS u -)(th GS UC. DS u =GS u -)(th GS U6. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在可变电阻区。
A. DS u > GS u -)(th GS UB. DS u <GS u -)(th GS UC. DS u =GS u -)(th GS U第三章：1. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ ）。
A. 便于设计B. 放大交流信号C. 不易制作大容量电容2. 选用差分放大电路的原因是（ ）。
A. 克服温漂B. 提高输入电阻C. 稳定放大倍数3. 差分放大电路的共模信号是两个输入端的信号的（ ）。
A. 差B. 和C. 平均值第四章：1. 通用型集成运放适用于放大（ ）。
A. 高频信号B. 低频信号C. 任何频率信号2. 集成运放制造工艺使得同类半导体管的（ ）。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C. 参数一致性好3. 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级采用（ ）。
A.共射放大电路B.共集放大电路C.共基放大电路第六章：1. 欲减小电路从信号源索取的电路，增强带负载能力，应在放大电路中引入（ ）负反馈。
A. 电压并联B. 电压串联C. 电流并联D. 电流串联2. 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（ ）负反馈。
A. 电压并联B. 电压串联C. 电流并联D. 电流串联3. 欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ ）负反馈。
A. 电压并联B. 电压串联C. 电流并联D. 电流串联第八章：1. 在正弦波振荡电路中，当信号频率f =0f 时，RC 串并联网络呈（ ）。
A. 容性B. 阻性C. 感性2. 在正弦波振荡电路中，为了使反馈信号能够取代输入信号，电路中必须（ ）。
A. 开环B. 引入正反馈C. 引入负反馈3. 已知下图所示方框图输出的波形如图所示，则电路2为（ ）。
−→−01U −→−02UA. 正弦波振荡电路B. 同相输入的过零比较器C. 反相输入的积分运算电路第九章：1.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大（ ）。
A.交流功率B.直流功率C.平均功率2.功率放大电路与电压放大电路，电流放大电路的共同点是（ ）。
A.都使输出电压大于输入电压B.都使输出电流大于输入电流C.都使输出功率大于信号源提供的输入功率3.功率放大电路与电压放大电路的区别是（ ）。
A.前者比后者电源电压高B.前者比后者电压放大倍数数值大C.前者比后者效率高第十章：1. 整流的目的是（ ）。
A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波2. 直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ）。
1电路2电路A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉3. 直流稳压电源中的滤波电路应选用（ ）。
A. 高通滤波电路B. 低通滤波电路C. 带通滤波电路4. 在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（ ）。
A. 输出电压约为2U DB. 变为半波整流C. 整流管将因电流过大而烧坏5. 型号为W78L09的三端稳压器，其输出电压为（ ），输出电流为（ ）。
A. +9V ，0.1AB. +9V ，0.5AC. －9V ，0.1AD. －9V ，0.5A6. 型号为W79M09的三端稳压器，其输出电压为（ ），输出电流为（ ）。
A. +9V ，0.1AB. +9V ，0.5AC. －9V ，0.1AD. －9V ，0.5A二、填空题（合计27分）第一章：1. PN 结的结电容是 电容和 电容之和。
2. 使晶体管工作在放大状态的外部条件是 。
3. 从输出特性曲线可以看出，晶体管有三个工作区域，即 、 和 。
4. 某电路中一只NPN 型晶体管三个极的直流电位分别为U B ＝1V ，U E ＝0.3V ，U C ＝0.7V ，则该管子工作在 工作状态。
5. 某电路中一只NPN 型晶体管三个极的直流电位分别为U B ＝－1V ，U E ＝－1.7V ，U C ＝0V ，则该管子工作在 工作状态。
6. 某电路中一只NPN 型晶体管三个极的直流电位分别为U B ＝0V ，U E ＝0V ，U C ＝15V ，则该管子工作在 工作状态。
第二章：1. 对于放大电路的最基本要求，一是 ，二是 。
2. 对于直流通路，电容视为 ；对于交流通路，无内阻的直流电源视为 。
（填“开路”或“短路”）3. 晶体管共射h 参数等效模型只能用于放大电路 动态小信号参数的分析。
（填“低频”或“高频”）第三章：1. 多级放大电路有四种常见的耦合方式，即 、 、 和 。
2. 直接耦合放大电路的优点是 。
3. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
第四章：1. 集成运放的第一级中通常采用电流源作为有源负载，其目的是为了 。
2. 集成运放的输出级通常采用be U 倍增电路。
其目的是为了 。
3. 若将集成运放理想化，则差模输入信号id r = ，o r = 。
第五章：1. 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
2. 放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
3. 对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，oU 与i U 相位关系是 。
4. 对于单管共射放大电路，当f ＝ f H 时，oU 与i U 相位关系是 。
5. 放大电路的级数越多，频带越 。
（填“宽”或“窄”）6. 为了改善单管放大电路的低频特性，需 下限频率。
（填“降低”或“增大”）第六章：1. 为了稳定放大倍数，应引入 负反馈。
2. 为了增大放大电路的输入电阻，应引入 负反馈。
3. 为了增大放大电路的输出电阻，应引入 负反馈。
第七章：1. 欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用 运算电路。
2. 欲将方波电压转换成尖顶波电压，应选用 运算电路。
3. 欲将三角波电压转换成方波电压，应选用 运算电路。
第八章：1. 正弦波振荡电路的起振条件为 。
2. 正弦波振荡电路的四个组成部分分别为 、 、 和 。
3. 正弦波振荡的平衡条件为 。
第九章：1. 目前使用最广泛的互补功率放大电路是 和 。
2. 功率放大电路的转换效率是指 与 之比。
3. 在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有 。
第十章：1. 单相半波整流电路输出电压的脉动系数S= 。
2. 在直流电源中，当变压器副边电压有效值2U =20V 时，单相半波整流电路的输出电压平均值)AV (o U ≈ V ，若负载电阻L R =20Ω，则负载电流平均值)AV (o I ≈ A 。
3. 单相桥式整流电路输出电压的脉动系数S= 。
三、作图题（合计4分）第二章：1. 要求保留原来的共射接法。
2. 要求保留原来的共射接法。
设电容1C 对交流信号可视为短路。
3. 要求保留原来的共射接法。
四、综合计算题第二章：（16分）1. 电路如下图所示，晶体管的β＝100，b b'r＝100Ω，U BE＝0.7V，分别计算R L＝∞和R L ＝5kΩ时的Q点、A u、R i和R o。
要求分别画出该电路的直流通路和交流等效电路。
2. 电路如下图所示，晶体管的β=100，U BE＝0.7V，b b'r＝100Ω。
(1) 求电路的Q点、A u、R i和R o。
（2）若电容C e开路，求电路的A u、R i和R o。
要求分别画出电路的直流通路和交流等效电路。
3. 电路如图所示，晶体管的β＝60，U BE＝0.7V，b b'r＝100Ω。
（1）求解Q点、A u、R i和R o。
要求分别画出电路的直流通路和交流等效电路。
(2) 设U s＝10mV（有效值），则U i＝?,U o＝? 若C3开路，则U i＝?,U o＝？第三章：（5分）1.下图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为100，U BE ＝0.7V ，b b 'r ＝100Ω。
试计算T 1管和T 2管的发射极静态电流I EQ ，以及动态参数A d 、R i 和R o 。
要求画出电路的交流等效电路。
2.下图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为80，U BE ＝0.7V ，b b 'r ＝100Ω。
试计算R w 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I EQ ，以及动态参数A d 、R i 和R o 。
要求画出电路的交流等效电路。
3.下图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为100，U BE ＝0.7V ，Ωk 2be ＝r 。
T 1管和T 2管的发射极静态电流均为0.5mA。
（1）R e的值应为多少？T1管和T2管的管压降U CEQ分别等于多少？（2）计算A u、R i和R o的数值（设共模输出电压可忽略不计）第五章：（4分）A 的表达式。
1. 已知某共射放大电路的波特图如下图所示，试写出u2. 已知某电路的幅频特性如下图所示，试问：（1）该电路的耦合方式；（2）该电路由几级放大电路组成；（3）当f ＝104 Hz时，附加相移为多少？当f ＝105 Hz时，附加相移又约为多少？A 的表达式，并近似估算该电路的上限频率f H。
（4）试写出uA 的表达式。
3. 已知某共射放大电路的波特图如下图所示，试写出u第六章：（8分）1．判断下图中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈，如果电路引入了交流负反馈，判断引入了哪种组态。
