数字逻辑3-3-2TTL、COMS门电路

TTL和CMOS门电路摘要：门电路是构成各种复杂数字电路的基本逻辑单元，TTL和CMOS门电路作为目前应用最广的两种门电路，掌握TTL和CMOS 门电路的逻辑功能和电气特性，对于正确使用数字集成电路是十分必要的。

本文对于TTL和CMOS门电路的初学者有一定的参考作用。

关键词：TTL门电路；CMOS门电路1.引言随着数字集成电路的问世和大规模集成电路工艺水平的不断提高，为数字电路的应用开拓了无限广阔的天地。

从制造工艺上可以将目前使用的数字集成电路分为双极型、单极型和混合型三种。

在数字集成电路发展的历史过程中，首先得到推广应用的是双极型的TTL 电路。

由于其体积小、重量轻、可靠性好，至今仍是最流行的集成电路系列之一。

CMOS集成电路出现于20世纪60年代后期，随着其制造工艺的不断进步，CMOS电路逐渐成为当前集成电路的主流产品。

本文将简要总结TTL和CMOS这两种目前使用最多的数字集成电路。

2.TTL门电路TTL门电路是以双极型三极管作为开关器件的集成电路。

在TTL 门电路的定型产品中有反相器（非门）、与门、或门、与非门、或非门、与或非门和异或门几种常见的类型。

尽管它们逻辑功能各异，但输入端、输出端的电路结构形式基本相同。

2.1 反相器2.1.1 反相器的电路结构与逻辑关系反相器是TTL集成门电路中电路结构最简单的一种。

图1给出了74系列TTL反相器的典型电路。

图1 TTL反相器典型电路图1所示电路由三部分组成：T1、R1和D1组成的输入级，T2、R2和R3组成的倒向级，T4、T5和R4组成的输出级。

反向器输入和输出之间是反向关系，即Y=A'。

2.1.2 反相器的外部特性及参数为了正确地解决门电路与门电路、门电路与其他电路的连接问题，必须了解门电路的输入特性、输出特性、负载特性、传输特性和噪声容限等问题。

2.1.2.1 电压传输特性如果把图1所示反相器电路输出电压随输入电压的变化用曲线描绘出来，就得到了图2所示的电压传输特性。

实验一TTL和CMOS集成门电路参数测试实验原理：TTL和CMOS集成门电路的工作原理不同。

TTL采用双晶体管作为开关，利用基极电流来控制集电极电流。

CMOS则通过P型和N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管（PMOS和NMOS）来实现逻辑门功能。

TTL电路的主要特点是速度快，但功耗相对较高；而CMOS电路功耗低，但速度较慢。

实验步骤：1.实验器材准备：TTL和CMOS集成门电路，功率源、万用表、数字逻辑分析仪等。

2.将TTL和CMOS集成门电路与电源连接，通过万用表测量电路的电压和电流。

3.测量功耗：通过电流表测量TTL和CMOS电路的输入功率和输出功率，计算功耗。

4.测量延迟时间：使用数字逻辑分析仪测量输入信号到输出信号之间的延迟时间，分别对比TTL和CMOS电路的延迟时间。

5.测量噪声容限：在输入信号上加入噪声，并测量输出信号的变化情况，分别对比TTL和CMOS电路的噪声容限。

实验结果和讨论：1.功耗比较：通过实验可以得到TTL电路的功耗相对较高，一般为几十毫瓦，而CMOS电路的功耗相对较低，一般为几毫瓦。

2.延迟时间比较：TTL电路的延迟时间一般在几纳秒至十几纳秒，而CMOS电路的延迟时间一般在几十纳秒至百纳秒。

3.噪声容限比较：TTL电路的噪声容限较小，输入信号受到的干扰较敏感；而CMOS电路的噪声容限较大，输入信号受到的干扰较不敏感。

实验结论：TTL和CMOS集成门电路在功耗、延迟时间和噪声容限方面有所不同。

TTL电路功耗较高，速度较快，但噪声容限较小；CMOS电路功耗较低，速度较慢，但噪声容限较大。

根据应用的具体要求选择适合的电路类型。

CMOS门电路测试及TTL与CMOS接口设计CMOS（互补金属氧化物半导体）和TTL（晶体管—晶体管逻辑）是常见的数字电路技术。

CMOS和TTL之间有一些重要的差异，测试CMOS门电路并设计TTL与CMOS接口是数字电路设计的重要部分。

在测试CMOS门电路之前，我们需要了解CMOS门电路的基础知识。

CMOS门电路由nMOS（负电压金属氧化物半导体）和pMOS（正电压金属氧化物半导体）晶体管组成。

CMOS电路具有低功耗、高噪声抵抗力和高抗干扰等特点。

CMOS门电路测试通常包括以下几个方面：1.静态测试：静态测试用于检查CMOS门电路的引脚连接是否正确，并验证电路的逻辑功能。

通常使用信号发生器提供输入信号，并使用示波器观察输出。

通过对输入信号和输出波形的分析，可以确定电路是否按预期工作。

2.动态测试：动态测试用于检查CMOS门电路的响应速度和功耗。

通常使用脉冲信号作为输入，并使用示波器观察输出脉冲的上升和下降时间。

此外，还可以使用功率分析仪测量电路的功耗，以评估电路的性能。

3.噪声测试：噪声测试用于评估CMOS门电路对噪声的抵抗力。

在此测试中，向输入引脚注入噪声信号，并观察输出的噪声水平。

较低的输出噪声水平表示电路具有较好的抗干扰能力。

设计TTL与CMOS接口时，我们需要考虑TTL和CMOS之间的电平差异和功耗差异。

TTL是一种双电源电平的技术，通常工作电压为5V。

而CMOS是一种单电源电平的技术，工作电压通常为3.3V或5V。

因此，在TTL与CMOS接口设计中，需要使用电平转换器将TTL的5V信号转换为CMOS可接受的3.3V或5V信号。

此外，TTL和CMOS的功耗差异也需要考虑。

由于CMOS具有较低的功耗，因此在TTL与CMOS接口设计中，可以考虑使用CMOS缓冲器或CMOS门电路作为信号转换器，以降低功耗。

在TTL与CMOS接口设计中，还需要考虑信号的传输速度和噪声抵抗能力。

由于CMOS具有较高的噪声抵抗力和较快的传输速度，因此在接口设计中，可以优先选择CMOS技术。

TTL和CMOS门电路⽹页收藏TTL和CMOS门的区别：1. TTL和带缓冲的TTL信号输出⾼电平>2.4V,输出低电平<0.4V。

在室温下，⼀般输出⾼电平是3.5V，输出低电平是0.2V。

最⼩输⼊⾼电平和低电平：输⼊⾼电平>=2.0V，输⼊低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。

2. CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电压，0逻辑电平接近于0V。

⽽且具有很宽的噪声容限。

3. 电平转换电路：因为TTL和COMS的⾼低电平的值不⼀样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是⽤两个电阻对电平分压，没有什么⾼深的东西。

4. OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为⾼低电平⽤。

否则它⼀般只作为开关⼤电压和⼤电流负载，所以⼜叫做驱动门电路。

5. TTL和COMS电路⽐较：1）TTL电路是电流控制器件，⽽coms电路是电压控制器件。

2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗⼤。

COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。

COMS电路本⾝的功耗与输⼊信号的脉冲频率有关，频率越⾼，集越热，这是正常现象。

3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输⼊太⼤的电流，内部的电流急剧增⼤，除⾮切断电源，电流⼀直在增⼤。

这种效应就是锁定效应。

当产⽣锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯⽚。

防御措施： 1）在输⼊端和输出端加钳位电路，使输⼊和输出不超过不超过规定电压。

2）芯⽚的电源输⼊端加去耦电路，防⽌VDD端出现瞬间的⾼压。

3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有⼤的电流也不让它进去。

4）当系统由⼏个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输⼊信号和负载的电源；关闭时，先关闭输⼊信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。

三种逻辑电路的介绍与比较摘要：本文主要介绍CMOS逻辑，TTL逻辑和二极管逻辑。

先对三种逻辑电路进行介绍，然后对三种逻辑电路进行比较。

正文：一：首先介绍的是最早使用的ＴＴＬ逻辑电路。

TTL全称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。

TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。

最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L 系列，74LS,74AS,74ALS等系列。

但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。

TTL 门电路有74（商用）和54（军用）两个系列，每个系列又有若干个子系列。

TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑“1”，0V等价于逻辑“0”，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。

（１）７４系列以内部结构可以分为：（ａ）标准型：结构跟构成的材料最简单，相对的特性也是不理想，所以此类型已经被淘汰多时。

无英文简写，范例：7400。

（ｂ）早期的低功率型与高速型：低功率型，（英文Low Power简写“L”），耗电低，但速度慢。

范例：74L00。

高速型，（英文High Speed简写“H”），速度较快，输出较强，但耗电高。

范例：74H00。

由于S 型耗电与H 型相近，但速度极快。

LS 型的耗电与L 型相近，但速度却快很多，甚至比H 型还快。

因此L 型与H 型很快就退出市场。

（ｃ）肖特基（Schottky）：除了电阻器一样是做控流跟偏压用途，萧特基型最主要是采用萧特基二极管跟萧特基晶体管，改善切换速度。

在市面上跟教育单位非常普及，特性也很不错，常常被用来搭配Intel 8051使用。

详解TTL电路和CMOS电路目前应用最广泛的数字电路是TTL电路和CMOS电路。

TTL—Transistor-Transistor Logic 三极管－三极管逻辑MOS—Metal-Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体晶体管CMOS—Complementary Metal-Oxide Semiconductor互补型金属氧化物半导体晶体管1、TTL电路TTL电路以双极型晶体管（三极管）为开关元件，所以又称双极型集成电路。

双极型数字集成电路是利用电子和空穴两种不同极性的载流子进行电传导的器件。

它具有速度高（开关速度快）、驱动能力强等优点，但其功耗较大，集成度相对较低。

根据应用领域的不同，它分为54系列和74系列，前者为军品，一般工业设备和消费类电子产品多用后者。

74系列数字集成电路是国际上通用的标准电路。

其品种分为六大类：74（标准）、74S（肖特基）、74LS××（低功耗肖特基）、74AS ××（先进肖特基）、74ALS××（先进低功耗肖特基）、74F××（高速）、其逻辑功能完全相同。

2、CMOS电路CMOS电路是由绝缘场效应晶体管组成，由于只有一种载流子，因而是一种单极型晶体管集成电路。

它的主要优点是输入阻抗高、功耗低、抗干扰能力强且适合大规模集成。

特别是其主导产品CMOS集成电路有着特殊的优点，如静态功耗几乎为零，输出逻辑电平可为VDD或VSS，上升和下降时间处于同数量级等，因而CMOS集成电路产品已成为集成电路的主流之一。

其品种包括4000系列的CMOS电路以及74系列的高速CMOS电路。

其中74系列的高速CMOS电路又分为三大类：HC为CMOS工作电平；HCT为TTL工作电平（它可与74LS系列互换使用）；HCU适用于无缓冲级的CMOS电路。

74系列高速CMOS电路的逻辑功能和引脚排列与相应的74LS系列的品种相同，工作速度也相当高，功耗大为降低。

TTL与CMOS数字集成电路数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。

就制造工艺来说，当前使用最普遍的是TTL 和CMOS数字集成电路。

一、TTL集成电路是晶体管-晶体管逻辑集成电路（Transistor-Transistor Logic)的简称，采用双极型工艺制造，双极型数字集成电路，具有高速度和品种多等特点。

主要有54/74系列标准TTL、高速型TTL（H-TTL）、低功耗型TTL（L-TTL）、肖特基型TTL（S-TTL）、低功耗肖特基型TTL（LS-TTL）五等几个系列。

从上世纪六十年代开发成功第一代产品以来，现在已经有以下几代产品：第一代TTL包括SN54/74系列，其中54系列工作温度为-55℃～+125℃，74系列工作温度为0℃～+75℃ ，低功耗系列简称LTTL，高速系列简称HTTL。

第二代TTL包括肖特基箝位系列（STTL)和低功耗肖特基系列（LSTTL）。

第三代为采用等平面工艺制造的先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL（ALSTTL）。

由于LSTTL和ALSTTL的电路延时功耗积较小，STTL和ASTTL速度很快，因此获得了广泛的应用。

TTL电路使用TTL管，也就是PN结。

功耗较大，驱动能力强，一般工作电压+5V。

TTL逻辑电平信号规定，+5V等价于逻辑“1”，0V等价于逻辑“0”(采用二进制来表示数据时)。

数字电路中，由TTL电子元器件组成电路分析时使用电平这一概念。

电平是个电压范围，规定输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。

在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。

最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。

实际情况下电平对应电压：1.标准TTL输入高电平问最小2V，输出高电平最小2.4V,典型值3.4V,输入低电平最大答0.8V，输出低电平最大0.4V，典型值0.2V。

数字电路cmos型和ttl型门电路介绍及使用一、CMOS门电路CMOS 门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。

由于MOS管在电路中是一压控元件，基于这一特点，输入端信号易受外界干扰，所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。

在使用时应采用以下方法：1、与门和与非门电路：由于与门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平，输出信号就为低电平，只有全部为高电平时，输出端才为高电平。

而与非门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平，输出信号就是高电平，只有当输入信号全部为高电平时，输出信号才是低电平。

所以某输入端输入电平为高电平时，对电路的逻辑功能并无影响，即其它使用的输入端与输出端之间仍具有与或者与非逻辑功能。

这样对于CMOS与门、与非门电路的多余输入端就应采用高电平，即可通过限流电阻（500Ω）接电源。

2、或门、或非门电路：或门电路的逻辑功能是输入信号只要有高电平输出信号就为高电平，只有输入信号全部为低电平时，输出信号才为低电平。

而或非门电路的逻辑功能是输入信号只要有高电平，输出信号就是低电平，只有当输入信号全部是低电平时输出信号才是高电平。

这样当或门或者或非门电路某输入端的输入信号为低电平时并不影响门电路的逻辑功能。

所以或门和或非门电路多余输入端的处理方法应是将多余输入端接低电平，即通过限流电阻（500Ω）接地。

二、TTL门电路TTL门电路一般由晶体三极管电路构成。

根据TTL电路的输入伏安特性可知，当输入电压小于阐值电压UTH，即输入低电平时输入电流比较大，一般在几百微安左右。

当输入电压大于阈值电压UTH时，输入高电平时输入电流比较小，一般在几十微安左右。

由于输入电流的存在，如果TT L门电路输入端串接有电阻，则会影响输入电压。

其输入阻抗特性为：当输入电阻较低时，输入电压很小，随外接电阻的增加，输入电平增大，当输入电阻大于IKΩ时，输入电平就变为阈值电压UTH即为高电平，这样即使输入端不接高电平，输入电压也为高电平，影响了低电平的输入。

TTL和CMOS电路特点及区别TTL（Transistor-Transistor Logic）是由双极性晶体管构成的数字逻辑电路家族。

TTL电路的运行电压通常为5V，它们能够提供高电平的输出电压为 2.4-5V，低电平的输出电压为0-0.6V。

TTL电路有较高的功耗，因为电流在工作状态下一直流过晶体管，即使没有输入时也会有静态功耗。

TTL电路具有较高的工作速度，典型的延迟时间为10-15纳秒。

此外，TTL电路对于噪声有着较大的容忍度，可以在较恶劣的环境下工作。

1.电压要求：TTL电路的工作电压通常为5V，而CMOS电路的工作电压范围更灵活，可以从3V到15V不等。

2.功耗：TTL电路的功耗较高，因为在工作状态下电流一直流过晶体管。

相反，CMOS电路的功耗较低，因为只在切换时有电流流过晶体管。

3.速度：TTL电路具有较高的工作速度，典型的延迟时间为10-15纳秒。

而CMOS电路的工作速度较慢，典型的延迟时间为100纳秒到数微秒。

4.噪声容忍度：TTL电路对噪声有着较大的容忍度，在较恶劣的环境下仍能正常工作。

然而，CMOS电路对噪声比TTL电路更敏感，可能需要额外的噪声抑制措施。

5.抗干扰性能：CMOS电路具有较好的抗干扰性能，可以减少电源电压的波动对电路的影响。

而TTL电路可能对电源电压波动较为敏感。

总的来说，TTL电路适用于要求快速操作和较高噪声容忍度的应用，如计算机和信号传输系统。

而CMOS电路适用于要求较低功耗和较好抗干扰性能的应用，如移动设备和电池供电的应用。

在实际应用中，需要根据具体的需求来选择适合的电路家族。

CMOS逻辑门电路1. 什么是CMOS逻辑门电路？CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）逻辑门电路是一种常用的数字电路设计技术。

它由两种类型的晶体管组成：N型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOS）和P型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOS）。

CMOS逻辑门电路采用了这两种晶体管的互补特性，能够实现低功耗、高噪声容限和高抗干扰性能。

2. CMOS逻辑门电路的基本原理CMOS逻辑门电路是通过控制晶体管的导通与截止状态来实现不同逻辑功能的。

当输入信号为高电平时，PMOS导通，NMOS截止；当输入信号为低电平时，PMOS截止，NMOS导通。

通过合理地设计和连接这些晶体管，可以实现与门、或门、非门等基本逻辑功能。

3. CMOS逻辑门电路的基本结构3.1 NMOS与PMOS晶体管NMOS和PMOS晶体管是构成CMOS逻辑门电路的基本元件。

NMOS由一个N型沟道和控制栅极组成，PMOS由一个P型沟道和控制栅极组成。

NMOS的导通与截止由栅极电压控制，当栅极电压高于阈值电压时，NMOS导通；PMOS的导通与截止也由栅极电压控制，但是当栅极电压低于阈值电压时，PMOS导通。

3.2 CMOS逻辑门的实现CMOS逻辑门由一组串联或并联的NMOS和PMOS晶体管组成。

以下是几种常见的CMOS逻辑门实现方式：•与门（AND Gate）：将多个输入信号分别通过NMOS与PMOS晶体管连接，在输出端通过串联的NMOS和PMOS晶体管实现与运算。

•或门（OR Gate）：将多个输入信号分别通过NMOS与PMOS晶体管连接，在输出端通过并联的NMOS和PMOS晶体管实现或运算。

•非门（NOT Gate）：将输入信号通过一个NMOS晶体管接入输出端，并在输出端再接入一个PMOS晶体管，实现非运算。

4. CMOS逻辑门电路的特点4.1 高抗干扰性CMOS逻辑门电路采用了互补型结构，输入信号只需驱动其中一种晶体管，另一种晶体管处于截止状态，因此输入信号的干扰对输出信号的影响较小。

CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后，所开发出的第⼆种⼴泛应⽤的数字集成器件，从发展趋势来看，由于制造⼯艺的改进，CMOS电路的性能有可能超越TTL⽽成为占主导地位的逻辑器件。

CMOS电路的⼯作速度可与TTL 相⽐较，⽽它的功耗和抗⼲扰能⼒则远优于TTL。

此外，⼏乎所有的超⼤规模存储器件，以及PLD器件都采⽤CMOS艺制造，且费⽤较低。

早期⽣产的CMOS门电路为4000系列，随后发展为4000B系列。

当前与TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可与TTL器件交换使⽤。

下⾯⾸先讨论CMOS反相器，然后介绍其他CMO逻辑门电路。

MOS管结构图MOS管主要参数：1.开启电压V T·开启电压（⼜称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，V T约为3～6V；·通过⼯艺上的改进，可以使MOS管的V T值降到2～3V。

2. 直流输⼊电阻R GS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之⽐·这⼀特性有时以流过栅极的栅流表⽰·MOS管的R GS可以很容易地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BV DS·在V GS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使I D开始剧增时的V DS称为漏源击穿电压BV DS·I D剧增的原因有下列两个⽅⾯：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加V DS会使漏区的耗尽层⼀直扩展到源区，使沟道长度为零，即产⽣漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流⼦，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产⽣⼤的I D 4. 栅源击穿电压BV GS·在增加栅源电压过程中，使栅极电流I G由零开始剧增时的V GS，称为栅源击穿电压BV GS。

5. 低频跨导g m·在V DS为某⼀固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之⽐称为跨导·g m反映了栅源电压对漏极电流的控制能⼒·是表征MOS管放⼤能⼒的⼀个重要参数·⼀般在⼗分之⼏⾄⼏mA/V的范围内6. 导通电阻R ON·导通电阻R ON说明了V DS对I D的影响，是漏极特性某⼀点切线的斜率的倒数·在饱和区，I D⼏乎不随V DS改变，R ON的数值很⼤，⼀般在⼏⼗千欧到⼏百千欧之间·由于在数字电路中，MOS管导通时经常⼯作在V DS=0的状态下，所以这时的导通电阻R ON可⽤原点的R ON来近似·对⼀般的MOS管⽽⾔，R ON的数值在⼏百欧以内7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容C GS 、栅漏电容C GD和漏源电容CDS·C GS和C GD约为1～3pF·C DS约在0.1～1pF之间8. 低频噪声系数NF·噪声是由管⼦内部载流⼦运动的不规则性所引起的·由于它的存在，就使⼀个放⼤器即便在没有信号输⼈时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的⼤⼩通常⽤噪声系数NF来表⽰，它的单位为分贝（dB）·这个数值越⼩，代表管⼦所产⽣的噪声越⼩·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为⼏个分贝，它⽐双极性三极管的要⼩⼀、CMOS反相器由本书模拟部分已知，MOSFET有P沟道和N沟道两种，每种中⼜有耗尽型和增强型两类。

TTL和CMOS集成门电路的逻辑功能分析方法TTL集成门电路的逻辑功能分析方法：TTL电路常见的集成门电路有与门（AND）、或门（OR）、非门（NOT）、异或门（XOR）等。

逻辑功能分析的目的是确定输入和输出之间的关系，并确定电路的真值表。

以下是TTL集成门电路的逻辑功能分析步骤：1.确定电路的输入和输出端口：根据电路图或芯片手册，确定电路的输入和输出端口。

2.绘制真值表：根据电路的输入和输出端口，绘制真值表。

真值表列出了所有可能的输入组合以及对应的输出结果。

3.逐个输入组合进行分析：对每个输入组合，根据电路图和逻辑门的真值表，分析输出的结果。

可以使用布尔代数或卡诺图等方法进行分析。

4.验证和检查：通过验证输出结果是否与真值表中的结果一致来检查逻辑分析的正确性。

CMOS集成门电路的逻辑功能分析方法：CMOS电路由nMOS和pMOS晶体管组成，具有低功耗、高噪声免疫度和高集成度等优点。

类似于TTL电路，CMOS电路也可以实现与门、或门、非门和异或门等逻辑功能。

逻辑功能分析的步骤如下：1.确定电路的输入和输出端口：根据电路图或芯片手册，确定电路的输入和输出端口。

2.绘制真值表：根据电路的输入和输出端口，绘制真值表。

真值表列出了所有可能的输入组合以及对应的输出结果。

3.根据CMOS电路特性进行逻辑分析：CMOS电路具有与非门和与非门的组合，通过nMOS和pMOS晶体管的开关状态来实现逻辑运算。

根据这些特性，分析电路的逻辑功能。

4.验证和检查：通过验证输出结果是否与真值表中的结果一致来检查逻辑分析的正确性。

需要注意的是，在实际分析中，可以使用计算机辅助设计（CAD）工具来进行逻辑功能分析。

这些工具可以自动绘制真值表、生成逻辑图、模拟电路和验证结果。

总结：TTL和CMOS集成门电路的逻辑功能分析方法包括确定电路的输入和输出端口，绘制真值表，逻辑分析和验证结果。

逻辑功能分析是设计和实现数字逻辑电路的重要步骤，可以帮助工程师理解电路的逻辑关系，并确保设计的正确性。