LY-QF-E-021特性矩阵图
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二极管的模型
二极管是一种非线性器件,不能直接采用线性电路的分析方法分析二极管,但在工程计算中,往往可以根据二极管在电路中的工作状态和计算精度要求,建立二极管的线性模型,以替代电路中的二极管分析计算下面介绍几种常用的二极管模型。
1.理想二极管模型
图1--1a 用粗线表时理想二极管的特性,其中虚线为二极管的实际特性曲线,图1--1b为其符号。
显然,对于理想二极管,正向偏置时电压降为零(短路);反向偏置时反向电流为零(开路)。
在实际电路中,若二极管正向导通,其两端的正向电压元小于和它串联的其他电压,则可将二极管两端的正向电压作零电压处理(看成短路);若二极管反向截止,其反向电流远远小于和它并联的其他电流时,则可将二极管的反向电流作零电流处理(看成开路)。
即将二极管视为理想二极管来近似分析。
图1---1理想二极管特性
2.恒压降模型
当二极管的正向电压和它串联的其他电压相差不大时,用理想二极管计算会有比较大的误差,这时可以采用恒压将模型,如图1--2
所示。
其基本思想是,当二极管导通后,其二极管压降认为是恒定的,不随电流变化,。
不过,这只有当二极管的电流近似等于或大于1mA 时才正确。
该模型提供了较合理的近似,因而应用较广。
3.折线模型
为了更加精确的计算二极管的电路,将二极管的特性曲线用图1--3表示,所示的两段折线近似,即当二极管两端的电压小于
U时,
th
二极管截止,电流为零;当二极管两端的电压大于
U时,二极管导
th
通,导通后的特性曲线用一条斜线来近似,其斜率由电压与电流变化量的比值决定,斜率的倒数为二极管的等效电阻。
《矩阵分析与应用》专题报告――QR分解及应用学生姓名:卢楠、胡河群、朱浩2015年11月25日目录1 引言 (3)2 QR 分解 (4)2.1QR分解的性质 (4)2.2 QR 分解算法 (5)2.2.1 采用修正Gram-Schmidt法的QR分解 (5)2.2.2 Householder QR 分解 (6)2.2.3 采用Give ns旋转的QR分解 (8)3 QR分解在参数估计中的应用 (9)3.1 基于QR 分解的参数估计问题 (9)3. 2 基于Householder 变换的快速时变参数估计 (12)3. 3基于Give ns旋转的时变参数估计 (14)4 QR分解在通信系统中的应用 (16)4.1基于QR分解的稳健干扰对齐算法 (16)4.2 基于QR 分解的MIMO 置信传播检测器 (19)总结 (21)参考文献 (22)1 引言矩阵分解是指将一个矩阵表示为结构简单或具有特殊性质的若干矩阵之积或之和,大体上可以分为满秩分解、QR 分解和奇异值分解。
矩阵分解在矩阵分析中占有很重要的地位,常用来解决各种复杂的问题。
而QR分解是工程中应用最为广泛的一类矩阵分解。
QF分解是目前求一般矩阵全部特征值的最有效并广泛应用的方法,一般矩阵先经过正交相似变换成为Hessenberg 矩阵,然后再应用QF分解求特征值和特征向量。
它是将矩阵分解成一个正交矩阵Q与上三角矩阵R, 所以称为QR分解。
参数估计是在已知系统模型结构时,用系统的输入与输出数据计算系统模型参数的过程。
它在系统辨识和无线通信领域有着广泛的应用。
18 世纪末德国数学家C.F. 高斯首先提出参数估计的方法,他用最小二乘法计算天体运行的轨道。
20 世纪60 年代,随着电子计算机的普及,参数估计有了迅猛的发展。
参数估计有很多方法,如矩估计、极大似然法、一致最小方差无偏估计、最小风险估计、同变估计、最小二乘法、贝叶斯估计、极小极大熵法等。
其中最基本的是最小二乘法和极大似然法。
1.正向特性2.反向特性3.反向击穿特性4.温度对特性的影响1.2.3 半导体二极管的主要参数1.最大整流电流IF2.最大反向工作电压URM3.反向饱和电流IR4.二极管的直流电阻R5.最高工作频率fM1.2.4 半导体二极管的命名及分类1.半导体二极管的命名方法第2章半导体三极管及其放大电路本章重点内容�晶体三极管的放大原理、输入特性曲线、输出特性曲线�基本放大电路的工作原理及放大电路的三种基本偏置方式�利用估算法求静态工作点�微变等效电路及其分析方法�三种基本放大电路的性能、特点2.1 半导体三极管2.1.1 三极管的结构及分类1.三极管的内部结构及其在电路中的符号N PP2.输出特性曲线(1)放大区(2) 饱和区(3) 截止区2.1.4 三极管正常工作时的主要特点1.三极管工作于放大状态的条件及特点2.三极管工作于饱和状态的条件及特点3.三极管工作于截止状态时的条件及特点*2.1.5 特殊晶体管简介1.光电三极管2.1.6 三极管的主要参数1.电流放大系数2.反向饱和电流ICBO3.穿透电流ICEO4.集电极最大允许电流ICM5.集电极、发射极间的击穿电压UCEO。
6.集电极最大耗散功率PCM2.1.7 三极管的检测与代换1.国产三极管的命名方法简介2.三极管三个电极(管脚)的估测(aωωωωω2.4.2 放大电路的图解分析法1.用图解法确定静态工作点的步骤:(1)在i c 、u ce 平面坐标上作出晶体管的输出特性曲线。
(2)根据直流通路列出放大电路直流输出回路的电压方程式:U CE = V CC -I C ·R C(3)根据电压方程式,在输出特性曲线所在坐标平面上作直流负载线。
因为两点可决定一条直线,所以分别取(I C =0,U CE =V CC )和(U CE =0,I C =E C /R c )两点,这两点也就是横轴和纵轴的截距,连接两点,便得到直流负载线。
(4)根据直流通路中的输入回路方程求出I BQ 。
第10卷第1期1998年 3月黑龙江八一农垦大学学报J1of Heilongjiang August First Land Reclamation University10(1):45~48March1998轮式拖拉机行驶振动力学模型及振动方程建立王新忠 于清泉3 胡文义33 徐耀辉333(黑龙江八一农垦大学工程学院密山158308)摘要本文对轮式拖拉机在不平地面行驶过程中的振动进行了分析,并建立了轮式拖拉机的力学模型和振动方程,为评价拖拉机的平顺性和优选拖拉机的有关参数提供理论分析依据。
关键词 轮式拖拉机 振动方程 力学模型中图分类号 S219111 前言 轮式拖拉机行驶时的动态特性对轮式拖拉机的行驶平顺性有很大的影响,拖拉机的行驶平顺性是指拖拉机行驶时吸收所产生的各种冲击和振动的能力。
它对驾驶员的健康、行驶安全性、工作效率和经济性、拖拉机及零部件的寿命、牵引性能和作业质量均产生直接的影响。
另外,当代拖拉机产品亦有向轻型化、高速化和高功率化方向发展趋势,要求拖拉机零部件轻质量和高强度。
同时,又要求拖拉机具有振动小、噪音低、驾驶操纵舒适和可靠性好的使用性能。
这就使得对拖拉机工作过程中出现的振动和动载荷问题的研究成了突出的课题。
因此,降低拖拉机的振动,改善拖拉机行驶平顺性是当前拖拉机急需解决的问题之一。
2 轮式拖拉机行驶振动分析 轮式拖拉机行驶的动态振动特性取决于诱发拖拉机振动的激振力的性质和数值、拖拉机总体结构布置,悬架系统的结构特性等。
轮式拖拉机是由发动机、传动系、行走系、转向操纵系、驾驶室等一系列零件所组成的一个整体,也可以看作一个复杂的振动系统,在工作时受到各种动载荷的激励。
拖拉机在工作中受到的载荷主要包括发动机的传动系统往复运动和旋转运动零件引起的周期性交变载荷;地面高低不平及土壤阻力不同引起的随机载荷;遇障碍及过田埂时的冲击载荷等。
虽然诱发轮式拖拉机振动的激振力有多种,但主要是外部激振源,外部激振源主要由于地面不平而引起的随机振动,这种振动主要与地面的几何形状有关,还与轮式拖拉机的行驶速度、拖拉机的车轮直径和轮胎的弹性有关。
Preliminary datasheetEasyPIM ™ 模块 采用第七代沟槽栅/场终止IGBT7和第七代发射极控制二极管带有温度检测NTC 特性•电气特性-沟槽栅IGBT7-过载操作达175°C -低 V CEsat •机械特性-焊接技术-紧凑型设计-高功率密度-低热阻的三氧化二铝 Al 2O 3 衬底-2.5 kV 交流 1分钟 绝缘可选应用•空调•辅助逆变器•电机传动产品认证•根据 IEC 60747、60749 和 60068 标准的相关测试,符合工业应用的要求。
描述FP10R12W1T7EasyPIM ™ 模块内容描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1可选应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1产品认证 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1内容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2 1封装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 2IGBT, 逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3二极管,逆变器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4二极管,整流器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 5IGBT, 制动-斩波器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 6二极管,制动-斩波器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8 7负温度系数热敏电阻 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9 8特征参数图表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10 9电路拓扑图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 10封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17 11模块标签代码 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18免责声明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .191封装表 1绝缘参数特征参数代号标注或测试条件数值单位绝缘测试电压V ISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min 2.5kV 内部绝缘基本绝缘 (class 1, IEC 61140)Al2O3爬电距离d Creep端子至散热器11.5mm 爬电距离d Creep端子至端子 6.3mm 电气间隙d Clear端子至散热器10.0mm 电气间隙d Clear端子至端子 5.0mm 相对电痕指数CTI > 200相对温度指数 (电)RTI住房140°C 表 2特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值杂散电感,模块L sCE30nH 模块引线电阻,端子-芯片R AA'+CC'T H=25°C, 每个开关6mΩ模块引线电阻,端子-芯片R CC'+EE'T H=25°C, 每个开关8mΩ储存温度T stg-40125°C Mounting force per clamp F2050N 重量G24g注:The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.2IGBT, 逆变器表 3最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极-发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T H = 100 °C10A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms20A 栅极-发射极峰值电压V GES±20V表 4特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极-发射极饱和电压V CE sat I C = 10 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.60TBD VT vj = 125 °C 1.74T vj = 175 °C 1.82栅极阈值电压V GEth I C = 0.22 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V0.157µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C0Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V 1.89nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.0066nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.0045mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 10 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 8.2 ΩT vj = 25 °C0.023µs T vj = 125 °C0.025T vj = 175 °C0.026上升时间(感性负载)t r I C = 10 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 8.2 ΩT vj = 25 °C0.014µs T vj = 125 °C0.017T vj = 175 °C0.019关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 10 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 8.2 ΩT vj = 25 °C0.124µs T vj = 125 °C0.157T vj = 175 °C0.176下降时间(感性负载)t f I C = 10 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 8.2 ΩT vj = 25 °C0.227µs T vj = 125 °C0.347T vj = 175 °C0.422开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 10 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 8.2 Ω, di/dt = 550A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C0.73mJ T vj = 125 °C0.94T vj = 175 °C 1.13关断损耗能量 (每脉冲)E off I C = 10 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 8.2 Ω, dv/dt =2700 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C0.623mJ T vj = 125 °C0.97T vj = 175 °C 1.17表 4特征值 (continued)特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj = 150 °C32At P≤ 7 µs,T vj = 175 °C30结-散热器热阻R thJH每个 IGBT 2.05K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.3二极管,逆变器表 5最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F10A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms20A I2t-值I2t V R = 0 V, t P = 10 ms T vj = 125 °C27.5A²sT vj = 175 °C24表 6特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 10 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.72TBD VT vj = 125 °C 1.59T vj = 175 °C 1.52反向恢复峰值电流I RM I F = 10 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 550A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C10.5A T vj = 125 °C15.3T vj = 175 °C17.5恢复电荷Q r I F = 10 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 550A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C0.97µC T vj = 125 °C 1.7T vj = 175 °C 2.2表 6特征值 (continued)特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值反向恢复损耗(每脉冲)E rec I F = 10 A, V R = 600 V,V GE = -15 V, -di F/dt = 550A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C0.24mJ T vj = 125 °C0.51T vj = 175 °C0.72结-散热器热阻R thJH每个二极管 2.45K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.4二极管,整流器表 7最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1600V 最大正向均方根电流(每芯片)I FRMSM T H = 100 °C25A 最大整流器输出均方根电流I RMSM T H = 100 °C25A 正向浪涌电流I FSM t P = 10 ms T vj = 25 °C300AT vj = 150 °C245I2t-值I2t t P = 10 ms T vj = 25 °C450A²sT vj = 150 °C300表 8特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 10 A T vj = 150 °C0.80V 反向电流I r T vj = 150 °C, V R = 1600 V1mA 结-散热器热阻R thJH每个二极管 1.54K/W 允许开关的温度范围T vj, op-40150°C5IGBT, 制动-斩波器表 9最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位集电极-发射极电压V CES T vj = 25 °C1200V 连续集电极直流电流I CDC T vj max = 175 °C T H = 100 °C10A 集电极重复峰值电流I CRM t P = 1 ms20A 栅极-发射极峰值电压V GES±20V表 10特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值集电极-发射极饱和电压V CE sat I C = 10 A, V GE = 15 V T vj = 25 °C 1.60TBD VT vj = 125 °C 1.74T vj = 175 °C 1.82栅极阈值电压V GEth I C = 0.22 mA, V CE = V GE, T vj = 25 °C 5.15 5.80 6.45V 栅极电荷Q G V GE = ±15 V, V CE = 600 V0.157µC 内部栅极电阻R Gint T vj = 25 °C0Ω输入电容C ies f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V 1.89nF 反向传输电容C res f = 100 kHz, T vj = 25 °C, V CE = 25 V, V GE = 0 V0.0066nF 集电极-发射极截止电流I CES V CE = 1200 V, V GE = 0 V T vj = 25 °C0.0045mA 栅极-发射极漏电流I GES V CE = 0 V, V GE = 20 V, T vj = 25 °C100nA开通延迟时间(感性负载)t don I C = 10 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 8.2 ΩT vj = 25 °C0.023µs T vj = 125 °C0.025T vj = 175 °C0.026上升时间(感性负载)t r I C = 10 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Gon = 8.2 ΩT vj = 25 °C0.014µs T vj = 125 °C0.017T vj = 175 °C0.019关断延迟时间(感性负载)t doff I C = 10 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 8.2 ΩT vj = 25 °C0.124µs T vj = 125 °C0.157T vj = 175 °C0.176下降时间(感性负载)t f I C = 10 A, V CE = 600 V,V GE = ±15 V, R Goff = 8.2 ΩT vj = 25 °C0.227µs T vj = 125 °C0.347T vj = 175 °C0.422表 10特征值 (continued)特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值开通损耗能量 (每脉冲)E on I C = 10 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Gon = 8.2 Ω, di/dt = 550A/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C0.73mJ T vj = 125 °C0.94T vj = 175 °C 1.13关断损耗能量 (每脉冲)E off I C = 10 A, V CE = 600 V,Lσ = 35 nH, V GE = ±15 V,R Goff = 8.2 Ω, dv/dt =2700 V/µs (T vj = 175 °C)T vj = 25 °C0.623mJ T vj = 125 °C0.97T vj = 175 °C 1.17短路数据I SC V GE≤ 15 V, V CC = 800 V,V CEmax=V CES-L sCE*di/dt t P≤ 8 µs,T vj = 150 °C32At P≤ 7 µs,T vj = 175 °C30结-散热器热阻R thJH每个 IGBT 2.05K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.6二极管,制动-斩波器表 11最大标定值特征参数代号标注或测试条件数值单位反向重复峰值电压V RRM T vj = 25 °C1200V 连续正向直流电流I F10A 正向重复峰值电流I FRM t P = 1 ms20A I2t-值I2t V R = 0 V, t P = 10 ms T vj = 125 °C27.5A²sT vj = 175 °C24表 12特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值正向电压V F I F = 10 A, V GE = 0 V T vj = 25 °C 1.72TBD VT vj = 125 °C 1.59T vj = 175 °C 1.52表 12特征值 (continued)特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值反向恢复峰值电流I RM I F = 10 A, V R = 600 V,-di F/dt = 550 A/µs(T vj = 175 °C)T vj = 25 °C10.5A T vj = 125 °C15.3T vj = 175 °C17.5恢复电荷Q r I F = 10 A, V R = 600 V,-di F/dt = 550 A/µs(T vj = 175 °C)T vj = 25 °C0.97µC T vj = 125 °C 1.7T vj = 175 °C 2.2反向恢复损耗(每脉冲)E rec I F = 10 A, V R = 600 V,-di F/dt = 550 A/µs(T vj = 175 °C)T vj = 25 °C0.24mJ T vj = 125 °C0.51T vj = 175 °C0.72结-散热器热阻R thJH每个二极管 2.45K/W 允许开关的温度范围T vj op-40175°C注:T vj op > 150°C is allowed for operation at overload conditions. For detailed specifications, please refer to AN 2018-14.7负温度系数热敏电阻表 13特征值特征参数代号标注或测试条件数值单位最小值典型值最大值额定电阻值R25T NTC = 25 °C5kΩR100偏差ΔR/R T NTC = 100 °C, R100 = 493 Ω-55%耗散功率P25T NTC = 25 °C20mW B-值B25/50R2 = R25 exp[B25/50(1/T2-1/(298,15 K))]3375K B-值B25/80R2 = R25 exp[B25/80(1/T2-1/(298,15 K))]3411K B-值B25/100R2 = R25 exp[B25/100(1/T2-1/(298,15 K))]3433K 注:根据应用手册标定7 负温度系数热敏电阻9电路拓扑图图 210封装尺寸图 311 模块标签代码11模块标签代码图 4商标所有参照产品或服务名称和商标均为其各自所有者的财产。
分析第二级放大电路(无密勒电容),其电路图如下所示(左边为二级放大电路,右边为偏置电路将V N 、V N21点标出,便于直流特性分析):其中,蓝色框内是偏置电路电流镜的一部分,为二级放大提供偏置电流,绿色框内是二级放大电路,分析时将M21看做MOSFET 电阻。
分析放大器的直流特性: 偏置电路电流源()()0120101010101112B O X N TH N WI C V V V L μλ⎡⎤=-+⎣⎦MOS 管M21电流()()212(21)212121212121112D O X N TH N WI C V V V L μλ⎡⎤=-+⎣⎦()()()()()()()()21212121(21)01010121212121(21)010101/1/1/1/1N D BN N D BN W L V I I W L V W L V I I W L V λλλλ+=++∴=+M21管电流源的输出电阻为021(21)1D r I λ=由上面的比值公式可知,减小()()()()21212121010101/1/1N B N W L V I W L V λλ++的值可以减小I D (21),使输出电阻增大。
将M 21和M 20一起分析:NMOS 管是输入管,PMOS 管是电流源,作为负载使用,列直流方程求解放大器的工作点。
M 21和M 20都工作在饱和区,那么:()()()()212(21)010112121202(20)(21)20202020201121||12D O X in TH out D D O X D D Bias TH D D out WI C V V V L WI I C V V V V V L μλμλ⎡⎤=-+⎣⎦⎡⎤==--+-⎡⎤⎣⎦⎣⎦两个方程联立求解,可求出放大器的偏置电流和输出直流电平。
当漏极电流发生变化(21)D I ∆时,MOS 管只能通过调整漏源电压来适应电流的变化,设相应的漏源电压变化为D S V ∆,那么:()21(21)(21)(21)(21)(21)21(21)11D S D S D D D D S V V I I I V λλ++∆+∆=+由于1(21)1DS V λ<<,得到:(21)21(21)(21)21(21)(21)21(21)2111D D S D S D S D D S I V V V I V λλλλ∆∆∆=≈∆=+则电流源M 21负载上产生的输出电压的变化量为:(21)(21)(21)0(21)21(21)1D DS D D D V V I r I I λ∆=∆=∆=∆从上面的推导可以看到,使用电流源负载的共源放大器,当偏置电流发生变化的时候,其输出直流电平的变化幅度较大。
特性矩阵图
制定部门:制造部制定日期:年月日
产品名称车载CD用柔性电路板
产品
编号
规格/型号顾客名称
序号产品特性描述公
差
过程(工序)编号
IQC进
料检
贴合压合电测冲切全检包装
1 产品挠折区弯折≥10
万次
☆☆★☆★☆☆
2 耐电压测试:
500v/1min,线路区不被
击穿
★☆★☆★☆☆
3 耐折性:产品挠折区对
折,负载5kgf,电阻变
化率<5%
±5% ☆☆☆☆☆☆☆
4 绝缘电阻>500MΩ★☆☆☆☆☆☆
5 线宽线距,依图纸要求
孔径尺寸,依图纸要求
厚度尺寸,依图纸要求
★☆☆☆★☆☆
6 电镀结合力,无剥离★☆☆☆☆☆☆
7 耐药品性,不可有发层
变色
★☆☆☆☆☆☆
备注1.“★”表示产品与安全有关的特殊特性符号;
“☆”表示产品与安全无关的特殊特性符号。
2.“C”表示用于夹紧的操作特性;
“L”表示用于定位的操作特性;
“X”表示由此操作导致或改变的特性应符合过程流程图表格;
“Y”表示既用于夹紧的操作特性又用于定位的操作特性。
核准审查制表
(L Y-QF-E-021,A)。