EPC增强型GaN

GAN SHANG169GANSHANGGUANCHAEPC 项目财务风险分析及控制对策——以C 公司为例文/杜薇我国经济发展速度不断加快，随之工程项目也在不断增加，要保证工程企业的可持续发展，就必须对工程项目财务风险控制引起重视。

我国的EPC 项目发展已有数年，在部分领域取得了一定成就，同时也在世界上拥有了相当的话语权。

然而，EPC 项目的发展有目共睹，在财务风险分析和控制上相对却比较滞后，这意味着EPC 项目不仅可以为企业带来高额的利润，同时也埋下了巨大的经济隐患。

为此，文章以C 公司作为典型案例，分析其EPC 项目风险情况，并针对性地提出解决方案。

一、 EPC 项目财务风险分类(一) 融资风险EPC 项目普遍表现出两大特点，一是项目持续周期长，二是项目需用资金数量大，同时项目利益相关者彼此之间有着错综复杂的关系，这对工程项目的开展会造成不同程度的影响，要保证EPC 项目的正常推进，就必须在项目融资上做好准备，选择更安全、更丰富的渠道来获取资金，为EPC 项目提供充分的资金支持，项目融资风险贯穿于整个融资阶段，需要引起公司的重视。

(二) 采购成本风险EPC 项目工程在采购原材料的时候主要涉及类型为钢筋水泥、机械设备等，这些材料的价格根据市场情况时常发生浮动，并不会长期保持在同一个稳定水平上，工程项目周期长、持续时间久，导致采购成本往往超出原定预算方案。

同时，一般情况下，公司和业主在签订合同的时候常采用的是固定成本方案，即便实际成本超出了合同约定的成本，公司也只能自己承担差价，不能将差价转移到业主方，造成经济效益受损。

(三) 资金流动风险资金流动风险主要可以分为两个板块，第一个板块是资金支付风险，第二个板块是应收账款风险。

EPC 项目因为自身周期跨越期限长，大部分款项都是预付账款，在这样漫长的建设期中，一旦合作方内部出现经营管理问题，或是供应的货物质量不过关，企业也必然要承担相应的经济损失。

同时，EPC 项目不可避免地面临着应收账款的潜在风险，在实际项目开展过程中，企业市场面临业主违约等风险，造成应收账款周转率降低的问题，无形中提升了企业的流动风险。

城市更新类项目采用 EPC模式的优势探究摘要：城市更新类项目是综合性的系统工程，采用EPC模式，可以实现设计和施工的高要求，有助于缩短建设周期，通过有效的管理，可以保证工程质量达标，本文主要探究城市更新类项目采用EPC模式的优势及相关问题。

关键词：城市更新类项目；采用EPC模式；优势城市更新是对城市社会生活有计划的改造和重建，城市更新项目涉及的面比较广，在拆除重建的基础上更新，EPC模式下，业主和总承包商需要签订总承包合同，合同中明确规定项目建设的各项条款，有利于协调并组织项目的开展，总承包商根据合同约定，承包工程建设项目的采购、设计、施工、试运行等全过程或若干阶段，可以实行小规模和渐进式的更新，树立“以人为本”的城市建设理念，可以增加设施功能，建成高品质配套的文化设施和公共服务设施，从而满足公众利益。

一、EPC模式的定义EPC模式是对工程总承包产业的总称，EPC模式指的是项目的设计，采购和施工，业主和总承包商签订合同，总承包商负责设计、采购和施工内容，总承包商承担成本控制的责任，总承包商和设备、设计分包商签订分包合同，如果总承包商的设计和施工能力比较强，可以自行进行设计和施工，包括总体策划、具体的设计、采购建筑材料、购进专业设备、施工安装，确保施工安装中采用专业技术，采用规泛化的流程进行施工操作，确保施工中各环节的落实到位。

城市更新项目涉及的领域包括电力、能源、交通、建筑等领域，EPC模式下，业主可以给总承包商较大的自由工作空间，施工建设过程中，业主要了解工程施工的进度，了解工程建设质量是否满足合同规定的标准要求，业主对总承包项目可以实行过程控制和事后监督，总承包商对设计、采购、施工过程负总责，对工程质量和分包人的履约行为负总责，因此总承包商是项目建设的第一责任人。

二、EPC模式的优势相对于传统的承包模式，EPC模式具有自身的优势，可以解决设计、施工、采购相互脱节的矛盾，有利于各个工作环节的衔接，可以确保成本、质量控制符合工程承包合同的条款，通过明确责任主体，出现问题可以追究责任，在项目建设中可以发挥EPC模式的优势，确保项目建设质量符合标准要求，以下具体分析EPC模式的优势：1.有利于优化设计方案城市更新类项目建设中，设计方案是非常重要的工作环节，设计可以发挥主导作用，EPC模式下，要不断优化工程建设项目的设计方案，设计人员要精通设计方面的专业知识，在现场进行实际勘察，对各项基础资料进行分析整理，通过全面了解资料，对于项目的认识也会更加深入，设计人员可以综合考虑各种因素进行科学设计，可以保证设计方案的合理性和可行性，设计方案中涉及的工艺、技术必须符合标准要求，在方案设计时需要对设备选型、材料采购进行统筹考虑，规定施工周期，可以在设计方案中渗透强制性的规范，确保合理设计，合理预估工程投资预算。

PPP、EPC、BOT、EMC等的意义及应用开展光伏项目等大、小工程项目，根据投资商、施工单位等项目参与方在项目管理中的地位不同，可以分为多种模式，如PPP、DBB、EPC、BOT、BT、EMC、PPP 等等。

下表是几种常见的实施方式。

PPP模式：光伏扶贫项目大多数是以PPP模式开展的；EPC模式：普通光伏项目大多是以EPC模式开展，少量以DBB模式开展；BOT/BT模式：很多企业不具备长期持有项目的实力，但在项目开发、建设方面有优势。

因此在建设前找好托底方，以BT的模式开展。

EMC模式：大量“自发自用、余电上网”分布式项目，都是以EMC模式开展的。

上述几种模式，具体是如何开展？都有哪些优缺点？一、公共私营合作制即Public Private Partnership(公共私营合作制)。

指政府与私人组织之间，为了合作建设城市基础设施项目。

或是为了提供某种公共物品和服务，以特许权协议为基础，彼此之间形成一种伙伴式的合作关系，并通过签署合同来明确双方的权利和义务，以确保合作的顺利完成，最终使合作各方达到比预期单独行动更为有利的结果。

其典型的结构为：政府部门或地方政府通过政府采购形式与中标单位组成的特殊目的公司签定特许合同，由特殊目的公司负责筹资、建设及经营。

政府通常与提供贷款的金融机构达成一个直接协议，这个协议不是对项目进行担保的协议，而是一个向借贷机构承诺将按与特殊目的公司签定的合同支付有关费用的协定，这个协议使特殊目的公司能比较顺利地获得金融机构的贷款。

采用这种融资形式的实质是：政府通过给予私营公司长期的特许经营权和收益权来换取基础设施加快建设及有效运营。

PPP模式的内涵主要包括以下四个方面：第一，PPP是一种新型的项目融资模式。

第二、PPP融资模式可以使民营资本更多地参与到项目中，以提高效率，降低风险。

第三、PPP模式可以在一定程度上保证民营资本“有利可图”。

第四、PPP模式在减轻政府初期建设投资负担和风险的前提下，提高基础设施建设的服务质量。

Design of precharge drive circuit for GaN HEMTGAO Sheng-wei1，2，3，DUAN Yao-wen 1，LIU Xiao-ming 1，LI Long-nv 1，DONG Chen-ming 3（1.Tianjin Key Laboratory of Advanced Electrical Engineering and Energy Technology ，Tiangong University ，Tianjin 300387，China ；2.Postdoctoral Research Station of School of Mechanical Engineering ，Tiangong University,Tianjin 300387，China ；3.Tianjin JinWo Energy Technology Co.，Ltd.，Tianjin 300387，China ）Abstract ：Because the traditional drive circuit is difficult to give full play to the high-frequency advantages of GaN HEMT袁a drive circuit suitable for this device is designed in order to improve the working frequency of the circuit and make full use of GaN HEMT characteristics.By comparing the parasitic parameters and working characteristics of GaN HEMT devices and Si MOSFET devices袁the advantages of GaN HEMT and the requirements for drive cir鄄cuits are obtained.Simulation with LTspice software proves that the drive circuit has the characteristics of low dissipation袁high speed and high/low level clamping.Finally袁Boost circuit is built to verify the effectiveness of the precharge drive circuit.The results show that under the operating conditions of 500kHz frequency and 75V output voltage袁the loss of the drive circuit is 45.8%lower than that of the resonant drive circuit.GaN HEMT de鄄vices can be turned on and off in 9ns and 15ns袁respectively.And the switching speed can be increased by 11ns and 24ns袁respectively袁compared with the switch speed under the independent pullar-irrigation driving con鄄dition袁which can achieve the high-frequency characteristics of GaN HEMT.The circuit also has a high/low levelclamping function袁which greatly improves the working reliability.Key words ：GaN HEMT ；drive circuit ；precharge ；clamp摘要：由于传统驱动电路难以发挥新型器件GaN HEMT 的高频优势，为了提高电路工作频率，充分利用GaNHEMT 特性，设计了一种适用于该器件的驱动电路。

第三代半导体氮化镓GaN行业剖析5G、快充、UVC助力潮起一、第三代半导体 GaN：射频、电源、光电子广泛运用第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体。

第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP），以及三元化合物半导体材料，如铝砷化镓（GaAsAl）、磷砷化镓（GaAsP）等。

还有一些固溶体半导体材料，如锗硅（Ge-Si）、砷化镓-磷化镓（GaAs-GaP）等；玻璃半导体（又称非晶态半导体）材料，如非晶硅、玻璃态氧化物半导体等；有机半导体材料，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（禁带宽度 Eg>2.3eV）的半导体材料。

与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。

1.2 GaN 优势明显，5G 时代拥有丰富的应用场景氮化镓（GaN）是极其稳定的化合物，又是坚硬和高熔点材料，熔点为1700℃。

GaN 具有出色的击穿能力、更高的电子密度和电子速度以及更高的工作温度。

GaN 的能隙很宽，为 3.4eV，且具有低导通损耗、高电流密度等优势。

氮化镓通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。

具体而言，微波射频方向包含了5G 通信、雷达预警、卫星通讯等应用；电力电子方向包括了智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等应用；光电子方向包括了 LED、激光器、光电探测器等应用。

二、射频应用分析2.1 GaN 在高温、高频、大功率射频应用中独具优势自 20 年前出现首批商业产品以来，GaN 已成为射频功率应用中 LDMOS 和 GaAs 的重要竞争对手，其性能和可靠性不断提高且成本不断降低。

目前在射频 GaN 市场上占主导地位的 GaN-on-SiC 突破了 4G LTE 无线基础设施市场，并有望在 5G 的 Sub-6GHz 实施方案的 RRH（Remote Radio Head）中进行部署。

核心网从EPC向NGC的演进作者：徐大伟何力毅周新荣来源：《移动通信》2018年第01期【摘要】新业务对5G网络建设和运营提出了新的要求，因此结合业务愿景，分析EPC核心网架构存在的局限和NGC网络关键技术选择，给出NGC网络阶段部署计划和三级DC网络组织，通过云化的网络架构演进，实现敏捷部署、弹性伸缩、智能开放的5G核心网架构。

【关键词】EPC；NGC；NFV；网络切片；数据中心Core Network Evolution from EPC to NGCXU Dawei， HE Liyi， ZHOU Xinrong（China Information Technology Designing & Consulting Institute Co.， Ltd.， Shanghai 200050， China）[Abstract] New services pose new requirements to the construction and operation of 5G networks. According to the service prospect， the limitation of EPC network architecture and the key technology selection of NGC network were analyzed. The staged deployment plan and tertiary DC network structure for NGC network were presented. By using cloud-based network architecture evolution， the 5G NGC network architecture with fast deployment， flexile scalability and intelligent capability can be implemented.[Key words]evolved packet core； next generation core； network function virtualization；network slicing； data center1 引言未来5G将会催生4k/8k、VR/AR、全息通信、V2X、网联无人机、远程医疗、智慧产业、万物互联等应用，推动社会发生深刻变革，使社会各个领域更加高效运转，提升用户体验与生活质量。

Telecom Power Technology设计应用技术 2023年４月25日第40卷第８期·　４９　·Telecom Power TechnologyＡｐｒ．　２５，　２０２３，　Ｖｏｌ．４０　Ｎｏ．８　高　莹：GaN 与Si 器件 在DC/DC 变换器中的性能分析云计算、人工智能、机器学习以及多用户游戏等先进计算应用对功率转换器的要求日益增高，而硅基功率转换器不能满足日益增长的功率需求。

因此，面向 48 V 功率转换应用，氮化镓器件也可提高其效率、缩小尺寸并降低系统成本。

未来，随着GaN 功率器件的技术不断突破，氮化镓功率电子器件的市场将由以下5大应用牵引：目前渗透率较大的（小型）电源设备、无线电源、渗透率中等的数据存储中心、未来有较大市场可能的新能源汽车以及（汽车）激光雷达等[2]。

2　DC/DC 变换器实验设计与验证2.1　拓扑选择与损耗分析实验基于LLC 电路作为DC/DC 变换器的主功率电路（如图1所示），并且与对比实验使用完全相同的控制器件与相关回路。

图1中，Q 1～Q 4为全桥LLC 电路的原边功率管，SR 1～SR 4为副边整流功率管，L r 、C r 为谐振器件[3]。

SR 3SR 4U OSR 1SR 2L rL mn∶1∶1C rQ 2Q 3Q 1U inQ 4图1　LLC 电路拓扑的主电路假设变换器的工作状态相同，仅有功率器件不同，可以忽略其他部分的损耗差异，则变换器的损耗差异主要包括导通损耗与开关损耗。

下面对功率器件损耗进行定性分析。

（1）导通损耗。

Q 1～Q 4、SR 1～SR 4在导通期间，流经功率器件的电流包含直流负载电流和纹波电流2部分内容，则损耗为 P =(I L +I acrms )R dson D （1）式中：D 为变换器的占空比；I L 为电感电流；I acrms 为纹波电流。

（2）开关损耗。

原始应用Si-MOSFET 功率器件的LLC 谐振变换，当开关频率与谐振频率相等，电路工作在谐振频率点时，可以消除功率器件的反向恢复损耗，即原边开关管工作在零电压开关（Zero Voltage Switch ，ZVS ）模式，同时整流电路因为工作在断续条件而实现零电流模式。

新能源汽车功率半导体第三代化合物半导体SiC及GaN应用分析SiC主要用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。

SiC器件相对于Si器件的优势之处在于，降低能量损耗、更易实现小型化和更耐高温。

SiC适合高压领域，GaN更适用于低压及高频领域。

SiC是第三代半导体材料的代表。

以硅而言，目前SiMOSFET应用多在1000V以下，约在600~900V之间，若超过1000V，其芯片尺寸会很大，切换损耗、寄生电容也会上升。

SiC器件相对于Si器件的优势之处在于，降低能量损耗、更易实现小型化和更耐高温。

SiC 功率器件的损耗是Si器件的50%左右。

SiC主要用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。

SiC的开关损耗数据来源：公开资料整理英飞凌和科锐占据了全球SiC市场的70%。

罗姆公司在本田的Clarity上搭载了SiC 功率器件，Clarity是世界首次用FullSiC驱动的燃料电动车，由于具有高温下动作和低损耗等特点，可以缩小用于冷却的散热片，扩大内部空间。

2017年全球SiC功率半导体市场总额达3.99亿美元。

预计到2023年市场总额将达16.44亿美元，年复合增长率26.6%。

从应用来看，混合动力和纯电动汽车的增长率最高，达81.4%。

从产品来看，SiCJFETs的增长率最高，达38.9%。

其次为全SiC功率模块，增长率达31.7%。

政策支持力度大幅提升，推动第三代半导体产业弯道超车。

国家和各地方政府持续推出政策和产业扶持基金支持第三代半导体发展。

2018年7月国内首个《第三代半导体电力电子技术路线图》正式发布，提出了中国第三代半导体电力电子技术的发展路径及产业建设。

福建省更是投入500亿，成立专门的安芯基金来建设第三代半导体产业集群。

GaN应用场景增多，迎来发展机遇。

由于GaN的禁带宽度较大，利用GaN可以获得更大带宽、更大放大器增益、尺寸更小的半导体器件。

GaN。

器件可以分为射频器件和电力电子器件。