第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列____________ 物质而形成的。
A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是 ________________ 。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是A、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是A、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是A、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是A、U A=3.5V , U B=3.5V , D 截止；B、发射结正偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结反偏;6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是A、一12V ;C、+6V ;B、一6V ;D、7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是A、运用它的反向特性；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域; 锗管使用在反向击穿区；D、都使用正向区8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是A、用万用表的B、用万用表的C、用万用表的D、用万用表的R X 100R X 10KR X 100R X 10 ,或R X 1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转;的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；或R X 1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转;黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；A 、D 1、D 2 导通;B 、D 1、D 2 截止;B 、 U A =3.5V , U B =1.0V , D 截止；C 、 U A =1.0V , U B =3.5V ,D 导通； D 、 U A =1.0V ,U B =1.0V , D 截止。
10、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法是 _________________________ 。
A 、 稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负 极；B 、 稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正 极；C 、 稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位，负极接电源 的低电位。
D 、 稳压管是反向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的低电位，负极接电源 的高电位。
11、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时，会引起输出电压的变化，贝U 下列四种变化中正确的是 _______________________________ 。
A 、 U I — U O — |W — |R — U R — U O J ； B 、 U i U O |W I R U R U O J ； C 、 U l fT U O J T |W J T |R fT U R fT U O J ； D 、 U 1 fT U O J T |W J T |R J T U R J T U 0 J 。
12、对于三极管放大作用来说，下列说法中最确切的是 _________________________ A 、三极管具有电压放大作用； B 、三极管具有功率放大作用； C 、三极管具有电流放大作用；D 、三极管具有能量放大作用。
13、对于二极管来说，下列说法中错误的是 ________________________ 。
A 、二极管具有单向导电性； B 、二极管同样具有放大作用; C 、二极管具有箝位功能；D 、二极管具有开关等功能。
14、对于三极管的输入特性，下列说法正确的是 A 、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与 B 、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与 C 、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与 D 、 三极管的输入特性是指三极管的基极电流与15、 下图中两只二极管的导通状态是 __________________Ube 之间的关系; Uce 之间的关系; lc 之间的关系； le 之间的关系；C 、D 1导通、D 2截止; D 、D i 截止、D 2导通。
16、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 __________________ A 、U AO =15V ； B 、U AO =12V ； C 、U AO = -15V ；D 、U AO = -12V 。
17、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 __________________ A 、U AO =15V ； B 、U AO =12V ； C 、U AO = -12V ；D 、U AO = 0V 。
18、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 _________________ A 、U AO =6V ； B 、U AO = - 6V ； C 、U AO = -12V ；D 、U AO =12V 。
19、金属导体的电阻率随温度升高而 ，半导体的导电能力随温度的升高而 _。
A 、升高/升高；B 、降低/降低；C 、升高/降低；D 、降低/ 升高20、下列是 PN 结两端的电位值，使 PN 结导通的是 ______________________ A 、 P 端接+5V , N 端通过一电阻接+7V ； B 、 N 端接+2V , P 端通过一电阻接+7V ； C 、P 端接一3V , N 端通过一电阻接+7V ； D 、P 端接+1V , N 端通过一电阻接+6V 。
21、电路如图所示，R=1K Q,设二管导通时的管压降为0.5V ，则电压表的读数是A 、0.5V ；B 、15V ；C 、3V ；D 、以上答案都不对。
关于输出信号 U 。
波形的说法，正确的是 __________________23、对于3AG11C 三极管的型号，下列说法正确的是 ______________________________ A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管； B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管； C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管;22、如图所示，设输入信号 U i 为正弦波，幅值为1V ,二极管导通时正向电压降为0.6V ,A 、 输出电压值的范围介于B 、 输出电压值的范围介于C 、 输出电压值的范围介于D 、 输出电压值的范围介于-0.6V — +0.6V 之间; -0V — +0.6V 之间； -0.6V — 0V 之间； 0V — 1V 之间。
24、 对于3DD80C 三极管的型号，下列说法正确的是 _________________ 。
A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管；B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管；C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管;25、 对于3DG12C 三极管的型号，下列说法正确的是 _____________________ 。
A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管；B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管；C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管26、 对于3AD30B 三极管的型号，下列说法正确的是 _____________________ 。
A 、锗管PNP 型高频小功率晶体管； B 、锗管PNP 型低频大功率晶体管； C 、硅管NPN 型高频小功率晶体管；D 、硅管NPN 型低频大功率晶体管27、场效应管属于 控制型器晶体三极管则属于控制器件。
A 、电压/电流；B 、电流/电压；C 、电压/电压；D 、电流/电流28、电路其如图所示， D 为理想二极管，则U 0为。
A 、3V ；B 、6V ；C 、-3V ；D 、-6V 。
29、电路如下图所示，已知Rb=10K Q, Rc=1K Q, Ec=10V ,晶体管的 3 =50,Ube=0.7V ，当 Ui=OV 时， 三极管处于 。
A 、截止状态；B 、放大状态；C 、饱和状态；D 、击穿状态。
、判断下列说法是否正确，用“ V ”和“ X ”表示判断结果填入空内。
(1 )在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 (2 )因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
()(3 ) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
()(4 )处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
()(5 )结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压, 大的特点。
()(6 )若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
P 型半导体。
()才能保证其R GS、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 U D = 0.7V 。
四、已知稳压管的稳压值 U Z = 6V ，稳定电流的最小值I zmin = 5mA 。
求下图所示电路中 和U O2各为多少伏。
U OIKJV［必(b)II五、作图分析题1、电路如图所示，已知u i = 10sin故（v），试画出U i与U O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
■0% /?n 叫2、电路如图（a）所示，其输入电压U I1和U I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D = 0.7V。
试画出输出电压U o的波形，并标出幅值。
Ilb)。
