最新半导体器件基础测试题

第1章半导体基础 测试题 班级 学号 姓名第一题 单项选择题（每题2分）1．要形成N 型半导体，可以在本征半导体中加入（ ）。

（A ）电子 （B ）空穴 （C ）三价硼元素 （D ）五价磷元素2．场效应管是（ ）控制器件。

（A ）电流 （B ）电压 （C ）电磁 （D ）电场3．要形成P 型半导体，可以在本征半导体中加入（ ）。

（A ）电子 （B ）空穴 （C ）五价磷元素 （D ）三价硼元素4．某三极管的I E =1mA ，I B =20μA ，则I C =（ ）。

（A ）0.98 mA （B ）1.02 mA （C ）0.8 mA （D ）1.2 mA5．在杂质半导体中，少数载流子浓度主要取决于（ ）。

（A ）掺杂工艺 （B ）杂质浓度 （C ）温度 （D ）晶体缺陷6．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。

（A ）杂质浓度 （B ）温度 （C ）掺杂工艺 （D ）电压7．二极管的电流方程是（ ）。

（A ）u S e I （B ）T U u S e I / （C ）)1(/-T U u S e I （D ）)1(/T U u S e I -8．半导体中的载流子为（ ）。

（A ）电子 （B ）空穴 （C ）正离子 （D ）电子和空穴9．PN 结外加正向电压时，其空间电荷区将（ ）。

（A ）变窄 （B ）基本不变 （C ）变宽 （D ）视掺杂浓度而定10．当绝对温度零度时，本征半导体的导电能力（ ）。

（A ）相同金属 （B ）相同绝缘体 （C ）相同室温下的半导体 （D ）视制作材料而定11．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）。

（A ）稳压二极管与负载电阻串联 （B ）稳压二极管与负载电阻并联。

（C ）限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联 （D ）以上都可以12．与双极型晶体管相比，场效应管不具有的特点是（ ）。

（A ）放大作用大 （B ）输入阻抗高 （C ）抗辐射能力强 （D ）功耗小13．下列对场效应管的描述中，不正确的是（ ）。

半导体基础知识单选题100道及答案解析1. 半导体材料的导电能力介于（）之间。

A. 导体和绝缘体B. 金属和非金属C. 正电荷和负电荷D. 电子和空穴答案：A解析：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。

2. 常见的半导体材料有（）。

A. 硅、锗B. 铜、铝C. 铁、镍D. 金、银答案：A解析：硅和锗是常见的半导体材料。

3. 在纯净的半导体中掺入微量的杂质，其导电能力（）。

A. 不变B. 减弱C. 增强D. 不确定答案：C解析：掺入杂质会增加载流子浓度，从而增强导电能力。

4. 半导体中的载流子包括（）。

A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 质子和中子答案：C解析：半导体中的载流子有电子和空穴。

5. P 型半导体中的多数载流子是（）。

A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：B解析：P 型半导体中多数载流子是空穴。

6. N 型半导体中的多数载流子是（）。

A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：A解析：N 型半导体中多数载流子是电子。

7. 当半导体两端加上电压时，会形成（）。

A. 电流B. 电阻C. 电容D. 电感答案：A解析：电压作用下，半导体中有电流通过。

8. 半导体的电阻率随温度升高而（）。

A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B解析：温度升高，载流子浓度增加，电阻率减小。

9. 二极管的主要特性是（）。

A. 单向导电性B. 放大作用C. 滤波作用D. 储能作用答案：A解析：二极管具有单向导电性。

10. 三极管的三个电极分别是（）。

A. 基极、发射极、集电极B. 正极、负极、地极C. 源极、漏极、栅极D. 阳极、阴极、控制极答案：A解析：三极管的三个电极是基极、发射极、集电极。

11. 场效应管是（）控制器件。

A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。

12. 集成电路的基本制造工艺是（）。

A. 光刻B. 蚀刻C. 扩散D. 以上都是答案：D解析：光刻、蚀刻、扩散都是集成电路制造的基本工艺。

第八章 半导体器件 一、单项选择题1、当 温 度 升 高 时，半 导 体 的 导 电 能 力 将（ ）。

(a) 增 强 (b) 减 弱 (c) 不 变2、电 路 如 图 所 示， 输 入信 号u i = 6sin ωt V 时， 二 极 管D 承 受 的 最 高 反 向 电 压 为（ ）。

(a) 3 V (b) 6 V (c) 9 V5k Ωu O3、整 流 电 路 如 图 所 示，已 知输 出电 压 平 均 值 U O 是18 V ， 则 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 U 2 是（ ）。

(a) 40 V(b) 20 V (c) 15 V(d) 12.7 Vu O+-4、在电 感 电 容 滤 波 电 路 中，欲使滤波 效 果 好， 则 要 求（ ）。

(a) 电 感 大 (b) 电 感 小 (c) 电 感 为 任 意 值5、已 知 某 晶 体 管 的 I CEO 为 200μA ， 当 基 极 电 流 为 20μA 时， 集 电 极 电 流 为1mA ，则 该 管 的 I CBO 约 等 于 （ ）。

(a) 8 mA (b) 10 mA (c) 5μA (d) 20μA 6、二 极 管 接 在 电 路 中， 若 测 得 a 、b 两 端 电 位 如 图 所 示，则 二 极 管 工 作 状 态 为（ ）。

(a) 导 通 (b) 截 止 (c) 击 穿-6.3V D7、整 流 电 路 如 图 所 示，输 出电 流 平 均 值I O mA =50，则 流 过 二 极 管的 电 流 平 均 值I D 是（ ）。

(a)I D =50 mA(b)I D =25 mA(c)I D=12.5 mA~u O8、整 流 滤 波 电 路 如 图 所 示， 二 极 管 的 导 通 角 （ ）。

(a) 等 于180︒(b) 小 于 180︒(c) 大 于 180︒～Du O+-9、电 路 如 图 1 所 示， 二 极 管 D 为 理 想 元 件，U u =3V,i =6sin ωt V ， 则 输 出 电 压 u O 的 波 形 为 图2 中（ ）。

半导体器件基础测试题第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。

A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。

2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。

A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。

3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。

A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。

A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。

A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。

A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。

7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。

A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。

8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。

A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。

A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。

半导体基础知识习题一、填空题1．半导体是一种导电能力介于________与__________之间的物质，最常用的半导体材料有__________和___________。

2．N型半导体中多数载流子是_________，P型半导体中多数载流子是_________。

3．PN结的正向接法为：P区接电源______极，N区接电源______极。

4．PN结具有____________性能，即加正向电压时，PN结_______；加反向电压时，PN结_________。

二、判断题( )1．半导体的导电能力随外界温度、光照或掺入杂质不同而显著变化。

( )2．P型半导体中多数载流子是空穴且带正电。

( )3．在半导体内部，只有电子能传导电流。

三、选择题1．半导体内的载流子是（）。

A．空穴B．自由电子C．自由电子与空穴2.半导体少数载流子产生的原因是（）。

A．外电场B．掺杂C．热激发3．PN结最大的特点具有（）。

A．不导电性 B．单向导电性 C．双向导电性4．煤气报警器中使用的半导体器件是利用了半导体的（）。

A．光敏特性B．气敏特性C．热敏特性5．当温度升高时，半导体电阻将（）。

A．增大B．减少C．不变四、问答题1．半导体材料有那些特性？2．Ｐ型半导体与Ｎ型半导体中的多数载流子各是什么？参考答案半导体基础知识一、填空题1．导体，绝缘体，硅，锗2．电子，空穴3．正，负4．单向导电，导通，截止二、判断题1．（√）2．（√）3．（×）三、选择题1．(C) 2．(B) 3．（B） 4．（B ） 5．(B)四、问答题1．答：半导体物质的重要特性是：（1）导电能力介于导体和绝缘体之间；（2）在温度低到绝对零度且没有外界的能量激发时，相当于绝缘体。

（3）掺杂性和热激发性。

2．答：P型半导体中多数载流子为空穴。

N型半导体中多数载流子为自由电子。

3．答：当P型半导体和N型半导体结合在一起时，在其交界面两侧，由于电子和空穴的浓度相差悬殊，所以在N区中的多数载流子电子向P区扩散；同时，P区的多数载流子也要向N区扩散，当电子和空穴相遇时，将发生复合而消失，于是，在交界面两侧形成一个由不能移动的正负离子所组成的空间电荷区，也就是PN结。

半导体集成电路练习题一、基础知识类1. 填空题1.1 半导体材料主要包括________、________和________。

1.2 PN结的正向特性是指________，反向特性是指________。

1.3 MOS晶体管的三个工作区分别是________、________和________。

2. 判断题2.1 半导体集成电路的导电性能介于导体和绝缘体之间。

（）2.2 N型半导体中的自由电子浓度高于P型半导体。

（）2.3 CMOS电路具有静态功耗低的特点。

（）二、数字电路类1. 选择题1.1 TTL与非门电路中，当输入端全部为高电平时，输出为（）。

A. 高电平B. 低电平C. 不确定D. 无法判断A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门A. PMOS管导通时，NMOS管截止B. PMOS管截止时，NMOS管导通C. PMOS管和NMOS管同时导通D. PMOS管和NMOS管同时截止2. 填空题2.1 数字电路中的逻辑门主要有________、________、________和________等。

2.2 半加器是由________和________组成的。

2.3 全加器的三个输入端分别是________、________和________。

三、模拟电路类1. 选择题A. 非反相比例运算放大器B. 反相比例运算放大器C. 电压跟随器D. 差分放大器1.2 在运算放大器电路中，虚短是指________。

（）A. 输入端短路B. 输出端短路C. 输入端与地之间短路D. 输入端与输出端之间短路A. 低通滤波器允许低频信号通过，抑制高频信号B. 高通滤波器允许低频信号通过，抑制高频信号C. 带通滤波器允许一定频率范围的信号通过D. 带阻滤波器允许一定频率范围的信号通过2. 填空题2.1 模拟信号的特点是________、________和________。

2.2 运算放大器的主要参数有________、________和________。

第一章半导体的基础知识一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为、和三大类。

2、电子技术的核心是半导体，它的三个特性是：、、3、半导体中存在着两种载流子，其中带正电的载流子叫做，带负电的载流子叫做；N型半导体中多数载流子是，P型半导体中的多数载流子是。

4、PN结具有性能，即：加电压时PN结导通，加电压时PN结截止。

5、二极管的主要特性是具有。

二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电流会，这时二极管处于状态。

6、晶体二极管的伏安特性可简单理解为正向，反向的特性。

导通后，硅管的管压降约为，锗管约为。

7、整流电路将交流电变为直流电，滤波电路将直流电变为的直流电。

8、整流电路按整流相数，可分为与两种；按被整流后输出电压（或电流）的波形分，又可分为与两种。

9、把脉动直流电变成比较平滑直流电的过程称为。

10、电容滤波电路中的电容具有对交流电的阻抗，对直流电的阻抗的特性，整流后的脉动直流电中的交流分量由电容，只剩下直流分量加到负载的两端。

二、选择题1、稳压管（）A、是二极管B、不是二极管C、是特殊二极管2、稳压管电路如图1—1所示，稳压管的稳压值为（）A、6.3VB、0.7VC、7VD、14V3、稳压管稳压电路如图1—2所示，其中U Z1=7V、U Z2=3V，该电路输出电压为（）A、0.7VB、1.4VC、3VD、7V4、NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、掺入杂质元素不同C、P区和N区的位置不同5、三极管的I CEO大，说明其（）A、工作电流大B、击穿电压高C、寿命长D、热稳定性差6、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V,m则（）A、1为e 2为b 3为cB、1为e 2为c 3为bC、1为b 2为e 3为cD、1为b 2为c 3为e7、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（ ）A 、i cB 、U CEC 、I bD 、i E8、P 型半导体中空穴多于自由电子，则P 型半导体呈现的电性为（ ）。