霍尔效应法测量通电螺线管内部的磁场的数据处理及作图

实验11 利用霍尔效应测量螺线管磁场实验讲义用霍尔传感器测量通电螺线管内励磁电流与输出霍尔电压之间关系，证明霍尔电势差与螺线管内磁感应强度成正比；用通电长直通电螺线管轴线上磁感应强度的理论计算值作为标准值来校准或测定霍尔传感器的灵敏度，熟悉霍尔传感器的特性和应用；用该霍尔传感器测量通电螺线管内的磁感应强度与螺线管轴线位置刻度之间的关系，作磁感应强度与位置刻线的关系图，学会用霍尔元件测量磁感应强度的方法.【实验目的】1． 了解霍尔效应现象，掌握其测量磁场的原理。

2． 学会用霍尔效应测量长直通电螺线管轴向磁场分布的方法。

【实验原理】长直通电螺线管中心点磁感应强度理论值根据电磁学毕奥－萨伐尔)Savat Biot (-定律，通电长直螺线管轴线上中心点的磁感应强 度为:： 22M DL I N B +∙∙μ=中心 （1）螺线管轴线上两个端面上的磁感应强度为： 22M DL I N 21B 21B +∙∙μ∙==中心端面（2）式中，μ为磁介质的磁导率，真空中的磁导率()A /m T 10470∙⨯π=μ-，N 为螺线管的总匝数，M I 为螺线管的励磁电流，L 为螺线管的长度，D 为螺线管的平均直径。

【实验仪器】FB510型霍尔效应实验仪, FB510型霍尔效应组合测试仪【实验内容】1. 把FB510型霍尔效应实验仪与FB510型霍尔效应组合测试仪正确连接。

把励磁电流接到螺线管M I 输入端。

按下实验项目转换按钮，使测量功能指向螺线管磁场测量。

响应的指示灯亮。

2. 把测量探头调节到螺线管轴线中心，即刻度尺读数为cm 0.13处，调节恒流源2,使mA 00.4I S =，不按()S H V /V （即测H V ，依次调节励磁电流为,mA 1000~0I M ±=每次改变mA 100±,测量霍尔电压，并证明霍尔电势差与螺线管内磁感应强度成正比。

3. 放置测量探头于螺线管轴线中心，即cm 0.13刻度处，固定励磁电流mA 1000±，调节霍尔工作电流为：,mA 00.4~0I S ±=每次改变mA 50.0±，测量对应的霍尔电压H V ，证明霍尔电势差与霍尔电流成正比。

20112401075，陈史洁，化教6班实验八 用霍尔效应测量螺线管磁场用霍尔传感器测量通电螺线管内励磁电流与输出霍尔电压之间关系，证明霍尔电势差与螺线管内磁感应强度成正比；用通电长直通电螺线管轴线上磁感应强度的理论计算值作为标准值来校准或测定霍尔传感器的灵敏度，熟悉霍尔传感器的特性和应用；用该霍尔传感器测量通电螺线管内的磁感应强度与螺线管轴线位置刻度之间的关系，作磁感应强度与位置刻线的关系图，学会用霍尔元件测量磁感应强度的方法。

一、实验目的1．了解霍尔效应现象，掌握其测量磁场的原理。

2．学会用霍尔效应测量长直通电螺线管轴向磁场分布的方法。

二、实验原理图1所示的是长直螺线管的磁力线分布，有图可知，其内腔中部磁力线是平行于轴线的直线系，渐近两端口时，这些直线变为从两端口离散的曲线，说明其内部的磁场在很大一个范围内是近似均匀的，仅在靠近两端口处磁感应强度才显著下降，呈现明显的不均匀性。

根据电磁学毕奥－萨伐尔)Savat Biot (-定律，通电长直螺线管线上中心点的磁感应强度为: 22M DL I N B +••μ=中心 （1）理论计算可得，长直螺线管轴线上两个端面上的磁感应强度为内腔中部磁感应强度的1/2：22M DL I N 21B 21B +••μ•==中心端面 （2） 式中，μ为磁介质的磁导率，真空中的磁导率μ0=4π×10-7(T ·m/A)，N 为螺线管的总匝数，I M 为螺线管的励磁电流，L 为螺线管的长度，D 为螺线管的平均直径。

附加电势差的消除应该说明，在产生霍尔效应的同时，因伴随着多种副效应（见附录），以致实验测得的电压并不等于真实的V H 值，而是包含着各种副效应引起的附加电压，因此必须设法消除。

根据副效应产生的机理可知，采用电流和磁场换向的对称测量法，基本上能够把副效应的影响从测量的结果中消除，具体的做法是Is 和B (即l M )的大小不变，并在设定电流和磁场的正、反方向后，依次测量由下列四组不同方向的Is 和B 组合的A 、A ′两点之间的电压V 1、 V 2、V 2、和V 4，即 +Is +B V 1 +Is -B V 2 -Is -B V 3 -Is +B V 4然后求上述四组数据V 1、V 2、V 3和V 4 绝对值的平均值，可得：44321V V V V V +++= （3） 通过对称测量法求得的V H ，虽然还存在个别无法消除的副效应，但其引入的误差甚小，可以略而不计。

实验三十 用霍尔元件测螺旋磁场【实验目的】1. 学习用霍尔效应测量磁场的原理和方法。

2. 学习用霍尔元件测绘长直螺线管的轴向磁场分布。

【实验仪器】TH —H 型霍尔效应实验组合仪。

【实验原理】 1. 霍尔效应霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转。

当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场H E 。

如图3-31-1所示的半导体试样，若在X 方向通以电流S I ，在Z 方向加磁场B ，则在Y 方向即试样'-A A 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。

电场的指向 取决于式样的导电类型。

对于图3-31-1(a)所示的N 型试样，霍尔元件逆Y 方向，图3-31-1(b)的P 型试样则沿Y 方向。

即有 )(0)()(0)(型型P Y E N Y E h h ⇒<⇒<*（注 （a ）载流子为电子)(型N （b ） 载流子为空穴)(型P ）显然，霍尔电场H E 是阻止载流电子继续向侧面偏移，当载流电子所受的横向电场力H eE 与洛伦兹力B v e 相等时，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡，故有B v e eE H =( 3-31-1)图 3-31-1 霍尔效应实验原理示意图式中，H E 为霍尔电场；v 是载流电子在电流方向上的平均漂流速度。

设试样的宽为b ，厚度d ，载流子浓度为n ，则bd v ne I S =( 3-31-2)由式（3-31-1）、式（3-31-2）可得dB I R d BI ne b E V S H S H H ===1( 3-31-3)即霍尔电压H V ('A A 、电极之间的电压)与B I S 乘积成正比与试样厚度d 成反比。

比例系数neR H 1=称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。

只要测出H V )V （以及知道)()Gs B A I S 、（和)(cm d ，可按下式计算)/(3C cm R H810⨯=BI dV R S H H ( 3-31-4)上式中的810是由于磁感应强度B 用电磁单位高斯)(Gs ，d 用厘米)(cm 单位，而其他各量均采用国际制单位引入。

华 南 师 范 大 学学院 普通物理 实验报告 年级 专业 实验日期 2011 年 月 姓名 教师评定 实验题目 用霍尔效应测量螺线管磁场用霍尔传感器测量通电螺线管内励磁电流与输出霍尔电压之间关系，证明霍尔电势差与螺线管内磁感应强度成正比；用通电长直通电螺线管轴线上磁感应强度的理论计算值作为标准值来校准或测定霍尔传感器的灵敏度，熟悉霍尔传感器的特性和应用；用该霍尔传感器测量通电螺线管内的磁感应强度与螺线管轴线位置刻度之间的关系，作磁感应强度与位置刻线的关系图，学会用霍尔元件测量磁感应强度的方法。

一、实验目的1．了解霍尔效应现象，掌握其测量磁场的原理。

2．学会用霍尔效应测量长直通电螺线管轴向磁场分布的方法。

二、实验原理图1所示的是长直螺线管的磁力线分布，有图可知，其内腔中部磁力线是平行于轴线的直线系，渐近两端口时，这些直线变为从两端口离散的曲线，说明其内部的磁场在很大一个范围内是近似均匀的，仅在靠近两端口处磁感应强度才显著下降，呈现明显的不均匀性。

根据电磁学毕奥－萨伐尔)Savat Biot (-定律，通电长直螺线管线上中心点的磁感应强度为: 22M DL I N B +••μ=中心 （1）理论计算可得，长直螺线管轴线上两个端面上的磁感应强度为内腔中部磁感应强度的1/2：22M D L I N 21B 21B +••μ•==中心端面 （2）式中，μ为磁介质的磁导率，真空中的磁导率μ0=4π×10-7(T·m/A)，N 为螺线管的总匝数，I M 为螺线管的励磁电流，L 为螺线管的长度，D 为螺线管的平均直径。

附加电势差的消除应该说明，在产生霍尔效应的同时，因伴随着多种副效应（见附录），以致实验测得的电压并不等于真实的V H 值，而是包含着各种副效应引起的附加电压，因此必须设法消除。

根据副效应产生的机理可知，采用电流和磁场换向的对称测量法，基本上能够把副效应的影响从测量的结果中消除，具体的做法是Is 和B (即l M )的大小不变，并在设定电流和磁场的正、反方向后，依次测量由下列四组不同方向的Is 和B 组合的A 、A′两点之间的电压V 1、 V 2、V 2、和V 4，即+Is +B V 1 +Is -B V 2 -Is -B V 3 -Is +B V 4然后求上述四组数据V 1、V 2、V 3和V 4 绝对值的平均值，可得：44321V V V V V +++= （3） 通过对称测量法求得的V H ，虽然还存在个别无法消除的副效应，但其引入的误差甚小，可以略而不计。

霍尔效应测磁场霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。

1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象，故称霍尔效应。

后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器，但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。

随着半导体材料和制造工艺的发展，人们又利用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到实用和发展，现在广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。

在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。

近年来，霍尔效应实验不断有新发现。

1980年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统的输运特性，在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应，这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。

目前对量子霍尔效应正在进行深入研究，并取得了重要应用，例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。

在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中，霍尔效应及其元件是不可缺少的，利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。

【实验目的】1．霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2．测绘霍尔元件的V H—Is，了解霍尔电势差V H与霍尔元件工作电流Is、磁感应强度B之间的关系。

3．学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。

4．学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。

【实验原理】霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。

当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。

如图13-1所示，磁场B位于Z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流Is（称为工作电流），假设载流子为电子（N型半导体材料），它沿着与电流Is相反的X负向运动。

由于洛仑兹力f L作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转，并使B侧形成电子积累，而相对的A侧形成正电荷积累。

霍尔效应测量通电螺线管的磁场一、 实验目的1. 了解霍尔效应及其规律。

2. 了解和熟悉集成霍尔传感器的特性和应用。

3. 测定集成霍尔传感器的灵敏度。

4. 测量通电螺线管内的磁场分布。

二、 实验仪器ICH-1新型螺线管磁场测定仪。

ICH-1新型螺线管磁场测定仪的测量范围为-67〜+67111T,灵敏度为31.3±1.3V/T,由SS95A 型集 成霍尔传感器探测棒、螺线管、直流恒流电源（0〜0.5A ）、直流稳压电源（2.4〜2.6 V 和4.8〜5.2 V 两档）、 数字电压表（19.999 V 和1999.9mV 两档）、双刀换向开关和单刀换向开关各一个、导线若干组成。

三、 实验原理1. 霍尔效应1879年，美国物理学家E ・H •霍尔在实验中发现， 当有电流沿着垂直于磁场的方向通过导体或半导体 时，在垂直于电流和磁场方向，导体或半导体的两侧 之间会出现横向电势差，这种现象称为霍尔效应。

在 与电流及磁场垂直方向上产生的电势差称为霍尔电 势差（如图1所示）。

实验表明C/H =(心)IB = K n IB d其中，是产生的霍尔电势差，是由半导体本身电子迁移率决定的物理常数称为霍尔系数，B 为磁 感应强度，/为流过霍尔元件的电流强度，K H 称为霍尔元件的灵敏度。

2. 霍尔传感器虽然从理论上讲霍尔元件在无磁场作用（即5 = 0）时，霍尔电势差等于零（0）=0）,但实际实 验中用数字电压表测量时并不为零，这是由于半导体材料结晶不均匀及各电极不对称等加工工艺以及附 加效应的影响，产生了附加电势差，该电势差称为剩余电压。

本实验采用SS95A 型集成霍尔传感器，其霍尔元件结构见图2。

该传感器是一种高灵敏度集成霍尔 传感器，由霍尔元件、放大器和薄膜电阻剩余电压补偿组成。

测量时输出信号大，并且剩余电压的影响 已被消除。

集成霍尔传感器有三根引线，分别是:“？+”、W 其中“叮'和“7”构成电流输入端，和构成电压输出端。

霍尔效应和测量螺旋管内轴线磁场简介：当电流垂直于外磁场方向通过导体时，在垂直于电流和磁场方向的导体两侧会产生电势差，这个现象是美国物理学家霍尔于1879年发现的，后被称作为霍尔效应，目前霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用半导体的霍尔效应制成的器件已广泛的应用于磁场的测量，非电量电测，自动控制和信息处理等方面。

一、实验目的（1）了解霍尔效应测磁场的工作原理；（2）学会测量磁感强度B ，半导体的电导率 和载流子浓度n ； （3）用通电螺旋管中心点的磁感强度计算集成霍尔传感器的灵敏度； （4）测定通电螺旋管轴线上的磁感强度的分布； （5）测定地球磁场的磁感强度。

二、实验仪器1、霍尔效应实验组合仪（励磁恒流源M I ，样品工作恒流源S I ，数字电压表，数字电流表）；2、电路控制和电磁铁及霍尔元件装置（霍尔元件，电磁铁，换向开关）；3、通电螺旋管磁场测定仪（95A 集成霍尔传感器、螺旋管、电源和数字电表组合仪）。

霍尔元件 电磁铁换向开关三、实验原理 1、霍尔效应如图所示，正电荷q 在霍尔片内自左向右运动，速度为v ，当外加磁场B 以图示方向垂直穿过霍尔片时，电荷q 受到洛仑兹力向上运动，随着电荷的迁移，霍尔片的上下两面积聚了等量的正负分布电荷，形成了静电场，上下两面有电势差，这一电势差被称为霍尔电压，根据匀强电场场强与电势的关系可得2H U E a= 当分布电荷稳定时，电荷分别受到洛仑兹力和电场力的作用并处于平衡态。

F qvBF qE vB E F F=⎧⎪=⇒=⎨⎪=⎩洛电洛电 通过霍尔片的电流密度2I J nev ad ==，所以12I v ne ad=，n 为参与导电的载流子浓度122HHI E vB B I adU B U ne d E a ⎧==⎪⎪⇒=⎨⎪=⎪⎩令1H R ne =为霍尔系数，则H H IU R B d=。

（霍尔系数代表材料的属性） 若令1H H R K ned d==为霍尔灵敏度，则H H U K BI =。

霍尔效应及磁场的测定近年来，在科研和生产实践中，霍尔传感器被广泛应用于磁场的测量，它的测量灵敏度高，体积小，易于在磁场中移动和定位。

本实验利用霍尔传感器测量通电螺线管内直流电流与霍尔传感器输出电压之间的关系，证明霍尔电势差与螺线管内的磁感应强度成正比，从而掌握霍尔效应的物理规律；用通电螺线管中心点磁场强度的理论计算值作为标准值来校准霍尔元件的灵敏度；用霍尔元件测螺线管内部的磁场沿轴线的分布。

【实验目的与要求】1.了解霍尔传感器的工作原理，学习测定霍尔传感器灵敏度的方法；2.掌握用霍尔传感器测量螺线管内磁感应强度沿轴线方向的分布。

【实验原理】一、霍尔效应图8-1 霍尔效应原理图把矩形的金属或半导体薄片放在磁感应强度为的磁场中，薄片平面垂直于磁场方B 向。

如图8-1所示，在横向方向通以电流I ，那么就会在纵向方向的两端面间出现电位差，这种现象称为霍尔效应，两端的电压差称为霍尔电压，其正负性取决于载流子的类型。

(图8-1载流子为带负电的电子，是N 型半导体或金属)，这一金属或半导体薄片称为霍尔元件。

假设霍尔元件由N 型半导体制成，当霍尔元件上通有电流时，自由电子运动的方向与电流I 的流向相反的。

由于洛伦兹力的作用，电子向一侧偏转，在半导B v e F m ⨯-=体薄片的横向两端面间形成电场，称为霍尔电场，对应的电势差称为霍尔电压U H 。

H E 电子在霍尔电场中所受的电场力为，当电场力与磁场力达到平衡时，有H E H H E e F -=()()0=⨯-+-B v e E e HBv E H ⨯-=若只考虑大小，不考虑方向有图8-2 SS95A型集成霍尔传感器结构图虽然从理论上讲霍尔元件在无磁场作用(B=0)时，U H=0，但是实际情况用数字电压表测量并不为零，这是由于半导体材料结晶不均匀、各电极不对称等引起附加电势差，该U HO称为剩余电压。

随着科技的发展，新的集成化(IC)器件不断被研制成功，本实SS95A型集成霍尔传感器(结构示意图如图8-2所示)是一种高灵敏度传感器，它由霍尔元件、放大器和薄膜电阻剩余电压补偿器组成。

霍尔效应测磁管磁场强度物理实验霍尔效应测量通电螺线管内部磁场〖实验⽬的〗1.了解霍尔效应现象，掌握其测量磁场的原理。

2.学会⽤霍尔效应测量长直通电螺线管轴向磁场分布的⽅法。

〖实验原理〗1.霍尔效应霍尔元件作⽤如图所⽰。

若电流I流过厚度为d的半导体薄⽚，且磁场B垂直作⽤于该半导体，则电⼦流⽅向由于洛伦兹⼒作⽤⽽发⽣改变，该现象称为“霍尔效应”，在薄⽚两个横向⾯a和b之间与电流I，磁场B垂直⽅向产⽣的电势差称为“霍尔电势差”。

霍尔电势差是这样产⽣的：当电流I H通过霍尔元件(假设为P型)时，空⽳有⼀定的漂移速度v，垂直磁场对运动电荷产⽣洛伦兹⼒F B=q（v*B ）（1）式中q为电⼦电荷，洛伦兹⼒是电荷产⽣横向的偏转，由于样品有边界，所以偏转的载流⼦将在边界累积起来，产⽣⼀个横向电场E，直到电场对载流⼦的作⽤⼒F E=qE与磁场作⽤的洛仑兹⼒相抵消为⽌，即q(v*B)=qE (2)这时电荷在样品中流动时不再偏转，霍尔电势差就是由这个电场建⽴起来的。

如果是N型样品，则横向电场与前者相反，所以N型样品和P型样品的霍尔电势差有不同的符号，据此可以判断霍尔元件的导电类型。

设P型样品的载流⼦浓度为P，宽度为w,厚度为d，通过样品电流I H=Pqvwd，则空⽳速度，v=I H/Pqvwd,代⼊(2)式有E=|v*B|=I H B/Pqvwd （3）上式两边各乘以w,便得到U H=Ew=I H B/Pqd=R H I H B/d (4) 其中，R H=1/Pq为霍尔系数，在应⽤中⼀般写成U H=K H I H B (5) ⽐例系数K H=R H/d=1/Pdq称为“霍尔元件灵敏度”，单位为mV/(mA·T)。

⼀般要求K H愈⼤越好。

K H与载流⼦浓度P成反⽐，半导体内载流⼦浓度远⽐⾦属载流⼦浓度⼩，所以都⽤半导体材料作为霍尔元件，K H与材料⽚厚度d成反⽐，因此霍尔元件都很薄，⼀般只有0.2mm厚。

由式（5）可以看出，知道了霍尔⽚的灵敏度K H，只要分别测出霍尔电流I H及霍尔电势差U H就可以算出磁场B的⼤⼩，这就是霍尔效应测量磁场的原理。

演示实验二螺线管内的磁场的测量84系别:11 学号:PB07210265 姓名:桑若昕实验目的1、测量通电螺线管线圈内的磁感应强度，讨论通电螺线管线圈内部I、L、x和B之间关系；2、计算出真空中的磁导率。

实验设备①螺线管线圈；②大电流电源；③磁场强度计；④探针（霍耳元件）；⑤导线和有机玻璃支架等。

实验原理按照Biot-Savart 定律可以推出在螺线管内任意一点P 的磁感应强度B为：⎰--=-+=2/2/212/32220)cos(cos2])([2LLnIlxRIndlRBββμμ式中221)2/(2/cosLxRLx+++=β222)2/(2/cosLxRLx-+-=β螺线管的长为L，x 为螺线管中点到P点的距离。

I为通过螺线管的电流。

n为螺线管单位长度的匝数。

图1通电螺线管磁场分布实验内容1、按上图装好仪器设备，将螺线管接到电流源上，将霍耳元件（探针）接到磁强计上，并将探针头放在螺线管的中央a点处。

选择磁强计的测量范围为20mT，利用磁强计的”Compensation”钮调零。

图2. 实验设备接线图2、实验测量：（螺线管总圈数N=30 ）（1）测量螺线管内电流I变化时a点的磁感应强度B。

将螺线管的b点放在12.5cm处，c点放在27.5cm 处，此时线圈长L为15cm。

调节电流源从0开始每次增加2A，记录B，但要注意每次测量时都要将电流源打到0点，将磁强计重新调零。

（2）以a点为中点，改变b、c点的距离，使线圈长L分别为8、10、15、20、25、30、35、40cm，分别纪录B，注意每次测量时都要将电流源打到0点，将磁强计重新调零。

（3）如果探针没有处在螺线管的轴心位置，对实验结果有否影响？用实验测量结果回答，说明原因。

（4）自行设计利用该设备来测量当地的地磁场，如果不成功则分析出原因。

如果成功写出数据和结论。

数据处理与作图(注:由于一开始接口是反接的,电流与磁感强度均为负,故这里取绝对值):12345131.改变bc的长度L,得出B与I的关系图:L=8cm时,B= 0.30536I+ 0.01364(mT),拟合系数R= 0.99982L=10cm时,B= 0.26323I+ 0.00682(mT),拟合系数R= 0.99948L=15cm时, B= 0.208I+ 0.05091(mT),拟合系数R= 0.99925L=20cm时,B= 0.16691I+ 0.01455(mT),拟合系数R= 0.99914L=25cm时,B= 0.1345I -0.02773(mT),拟合系数R= 0.99831L=30cm时,B= 0.1205I+ 0.005(mT),拟合系数R= 0.99534L=35cm时,B= 0.091I+ 0.00455(mT),拟合系数R= 0.99501L=40cm时,B= 0.08773I+ 0.00909(mT),拟合系数R= 0.99141由图可知,B和I基本呈线性关系,且B虽I的增大而增大,对于相同的I值,L越小,B越大.2.测量探针在螺线管的不同位置,B与x的关系图:其中b点在10cm处,c点在30cm处,I=10A,横坐标x为探针的位置.B会随着x越来越靠近中心20cm处而增大,而在最接近中心时又有一定的回落.3. 真空中的磁导率的计算.代入L=40cm时的数据,经化简得标准值为,还是有一定误差的.4.测量当地的地磁场.我们采用的方法是把正负接口反接,然后得出的值的绝对值和正常接法的绝对值做差,两者存在差原因即使因为反接后线圈产生的磁场反向,而地磁场不变向,所以就会造成两者绝对值的差异,其值大约是地磁场的两倍.取差值的平均值:得出地磁场的大小约为:而地球表面的地磁场强度,在赤道约为,在两极约为,由于没有绕360度多点取值，侧出来的是该点某一特定方向的磁感应强度，所以还是存在一定误差的.思考题1．如果探针没有处于螺线管的轴心位置，对实验结果是否影响？答：实验结果以及公式分析，探针在平行于管方向上没有处于轴心位置会对实验结果造成影响，在一定范围内，越靠近中心，磁感应强度越大。