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实验8 霍尔效应法测量磁场A4

实验8 霍尔效应法测量磁场A4
实验8 霍尔效应法测量磁场A4

实验八 霍尔效应法测量磁场

【实验目的】

1.了解霍尔器件的工作特性。 2.掌握霍尔器件测量磁场的工作原理。 3.用霍尔器件测量长直螺线管的磁场分布。 4.考查一对共轴线圈的磁耦合度。 【实验仪器】

长直螺线管、亥姆霍兹线圈、霍尔效应测磁仪、霍尔传感器等。 【实验原理】

1.霍尔器件测量磁场的原理

图1 霍尔效应原理

如图1所示,有-N 型半导体材料制成的霍尔传感器,长为L ,宽为b ,厚为d ,其四个侧面各焊有一个电极1、2、3、4。将其放在如图所示的垂直磁场中,沿3、4两个侧面通以电流I ,则电子将沿负I 方向以速度运动,此电子将受到垂直方向磁场B 的洛仑兹力m e F ev B =?作用,造成电子在半导体薄片的1测积累过量的负电荷,2侧积累过量的正电荷。因此在薄片中产生了由2侧指向1侧的电场H E ,该电场对电子的作用力H H F eE =,与m e F ev B =?反向,当两种力相平衡时,便出现稳定状态,1、2两侧面将建立起稳定的电压H U ,此种效应为霍尔效应,由此而产生的电压叫霍尔电压H U ,1、2端输出的霍尔电压可由数显电压表测量并显示出来。

I

如果半导体中电流I 是稳定而均匀的,可以推导出H U 满足:

H H H IB

U R K IB d

=?

=?, 式中,H R 为霍耳系数,通常定义/H H K R d =,H K 称为灵敏度。

由H R 和H K 的定义可知,对于一给定的霍耳传感器,H R 和H K 有唯一确定的值,在电流I 不变的情况下,与B 有一一对应关系。

2.误差分析及改进措施

由于系统误差中影响最大的是不等势电势差,下面介绍一种方法可直接消除不等势电势差的影响,不用多次改变B 、I 方向。如图2所示,将图2中电极2引线处焊上两个电极引线5、6,并在5、6间连接一可变电阻,其滑动端作为另一引出线2,将线路完全接通后,可以调节滑动触头2,使数字电压表所测

电压为零,这样就消除了1、2两引线间的不等势电势差,而且还可以测出不等势电势差的大小。本霍尔效应测磁仪的霍尔电压测量部分就采用了这种电路,使得整个实验过程变得较为容易操作,不过实验前要首先进行霍尔输出电压的调零,以消除霍尔器件的“不等位电势”。

在测量过程中,如果操作不当,使霍尔元件与螺线管磁场不垂直,或霍尔元件中电流与磁场不垂直,也会引入系统误差。

3.载流长直螺线管中的磁场

从电磁学中我们知道,螺线管是绕在圆柱面上的螺旋型线圈。对于密绕的螺线管来说,可以近似地看成是一系列园线圈并排起来组成的。如果其半径为R 、总长度为L ,单位长度的匝数为n ,并取螺线管的轴线为x 轴,其中心点O 为坐标原点,则

(1)对于无限长螺线管L →∞或L R >>的有限长螺线管,其轴线上的磁场是一个均匀磁场,且等于:

00B NI μ=

图2

式中0μ——真空磁导率;N ——单位长度的线圈匝数;I ——线圈的励磁电流。

(2)对于半无限长螺线管的一端或有限长螺线管两端口的磁场为:

101

2

B NI μ=

即端口处磁感应强度为中部磁感应强度的一半,两者情况如图3所示。

4.亥姆霍兹线圈及其耦合度

两个匝数相等、间距等于其半径,并通以同向、等值电流的共轴线圈,叫亥姆霍兹线圈,如图4所示。

下面,我们来研究亥姆霍兹线圈两圆心间轴线上的磁场。设图4中每个线圈为N 匝,两线圈间距为a ,取线圈轴线上距两线圈等距离的点O 为原点,轴线为x 轴,则在两线圈圆心1O 和2O 之间轴上任意一点P (其

0B 01B 图4

坐标为x )到两线圈圆心的距离分别是2a x ??+ ???和2

a x ??

- ???,两线圈在点产生的磁感应强度的大小分别是

和:

2013

2

2

21

2

2NR I

B a R x μ=

?

????++??

???????

,

2023

2

2

21

2

2NR I

B a R x μ=

?

????+-??

???????

因1B 、2B 的方向相同,都在x 轴的正方向,所以点P 的总磁场为:

20123322222

211222NR I B B B a a R x R x μ????

??

??

=+=?+??????????????+++-???? ? ?????????????????

在点O 处,因0x =且a R =,所以:

3

2

004()0.7165NI

B O B R μ??=?≈ ???

在1O 和2O 点的B 大小相等:

01203/21

1()()0.677222NI B O B O B R μ??

==

?+≈ ????

。 1O 和2O 点之间其它各点的值介于1()B O 和()B O 之间,可见在亥姆霍兹线圈轴线上,O 点的磁场最强,O

和1O 之间的B 相对变化量不大于6%,磁场均匀性较好。在生产和科研中,当所需磁场不太强时,常用这种方法来产生较均匀的磁场。

从以上叙述来看,当两共轴线圈之间的间距等于线圈的半径时,将构成亥姆霍兹线圈,从而可以得到场强不太强的均匀磁场,但当这一对共轴线圈的间距不等于半径时,其轴线上的磁场分布将随着距离的改变而改变,可呈现出如图5的a 、b 、c 所示的欠耦合、耦合,过耦合状态,两线圈的磁场耦合度可以通过霍尔器件来测量。

5. 仪器介绍

霍尔效应测磁实验仪是利用n 型锗(Ge )霍尔器件作为测磁传感器的物理实验仪器,它由以下几部分组成:霍尔测磁传感器,使用四芯屏蔽式耦合电缆,霍尔效应测磁仪以数显形式提供0~800mA 的励磁电流、0~10mA 的霍尔片工作电流及显示被测量的霍尔电势(后有换档开关)。长直螺线管:L=30cm ,N =4×9T/cm ,R =1.7cm 。共轴线圈对:D =17.2cm ,N =320匝(每个)。

【实验内容】

1.测量螺线管轴线上的磁场

(1)将霍尔测磁传感器电流调至额定值,调整不等位电势,将霍尔输出电压校正至0伏,然后将螺线管电流调至600mA 。根据探杆上的刻度,将霍尔器件插入到螺线管中心位置(定为坐标原点),此时mV 表上读数即为该点磁感应的霍尔电压值(若探杆插入后,霍尔电压出现负值,可对调螺线管两端的电源极性,以改变螺线管内磁场的方向),将探杆在螺线管中缓慢前移,从探杆上的刻度读出霍尔元件在螺线管中的位置,同时读出相应各点的霍尔电压值,记入表1中。计算磁感应强度B ,已知mV

17.7(mA T)H K =?,

5mA I =。

表1

图5

a a

b c

理论值:

长直螺线管中心处的磁感应强度7113

0410T m A 49100m 0.6A=2.7110T B NI μπ----==????????。 (2)作出~B x 关系曲线图,验证螺线管端口磁场为中部磁场的1/2。

B (T ^)

L(cm)

管口处指示长度约为16cm ,由图线可知,当L =16cm 时,磁场强度约为中部强度的一半。

2.考查一对共轴线圈的耦合度

(1)将两个共轴线圈串联相接,换下步骤1中的螺线管,调节共轴线圈中的电流为600mA (接线时务必保持两个共轴线圈的磁场方向一致)。

(2)改变共轴线圈间距a ,使8.6cm a R ==,将霍尔器件放置在线圈的中心间距/2a 处(定为坐标原点),记录探杆移动位置x 所对应的霍尔电压值,填入表2中。

(3)改变共轴线圈间距a ,记录a R >、a R <两种情况下探杆移动位置x 所对应的霍尔电压值H U ,填入表2中。

表2

(4)作出以上共轴线圈在三种耦合状态下的~B x 的关系曲线图,并判断构成亥姆霍兹线圈的条件。

B

L (cm)

由图线可知,当8.6cm a =,线圈中点处与两线圈圆心处的磁感应强度近似相等,满足亥姆霍兹线圈耦合,其他条件下为非耦合状态。

3.考察霍尔电压与霍尔器件工作电流的关系。

对于给定的霍尔器件,H K 是一个定值,如果给定磁感应强度B 值,则霍尔电压H U 是霍尔器件工作电流I 的函数,即H H U K IB =?。

(1)将螺线管电流调至600mA ,并使霍尔器件固定在螺线管中的某一位置,改变霍尔器件工作电流从1~5mA ,记录相应的霍尔电压值,填入自制表格内。

(2)作出~H U I 的关系曲线图。

U (m V )

I (mA)

由图线可知,线性拟合度较好,该亥姆霍兹线圈的耦合度较高。 【思考题】

1.为什么要用半导体材料制作霍尔元件?怎样提高霍尔元件的灵敏度H K ? 答:金属的电子浓度n 很大,由1

H R ne

=

,1H K ne d =?可知,金属不适于制作霍尔元件,应使用电子浓

度较小的材料,故半导体是一种较为理想的选择。 由H K 的定义式可知,降低电子浓度(电导率),缩短霍尔元件的厚度d 可以提高灵敏度。 2.怎样消除地磁场对本实验的影响?

答:可采用在多个对立方向组进行测量后取平均值的方式,使不同方向上地磁场的影响相互抵消。 3.螺线管磁场B 与霍尔元件是否垂直对实验结果的影响如何?如何消除?

答:不垂直时会使测量值偏小。将探头多方向指向测定,找到读数最大的方向,则此时即为相互垂直的方向。

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