磁芯 磁环的磁导率及计算公式 s

磁导率计算公式
磁导率公式：μ=B/H。

磁导率是表征磁介质磁性的物理量，表示在空间或在磁芯空间中的线圈流过电流后，产生磁通的阻力或是其在磁场中导通磁力线的能力。

磁导率的测量是间接测量，测出磁心上绕组线圈的电感量，再用公式计算出磁芯材料的磁导率。

所以，磁导率的测试仪器就是电感测试仪。

在此强调指出，有些简易的电感测试仪器，测试频率不能调，而且测试电压也不能调。

有效磁导率μr0。

在用电感L形成闭合磁路中（漏磁可以忽略），磁心的有效磁导率为：
式中L——绕组的自感量（mH）；
W——绕组匝数；
磁心常数，是磁路长度Lm与磁心截面积Ae的比值（mm）。

2、饱和磁感应强度Bs。

随着磁心中磁场强度H的增加，磁感应强度出现饱和时的B值，称为饱和磁感应强度B。

3、剩余磁感应强度Br。

磁心从磁饱和状态去除磁场后，剩余的磁感应强度（或称残留磁通密度）。

4、矫顽力Hc0。

磁心从饱和状态去除磁场后，继续反向磁化，直至磁感应强度减小到零，此时的磁场强度称为矫顽力（或保磁力）。

5、温度系数aμ。

温度系数为温度在T1～T2范围内变化时，每变化1℃相应磁导率的相对变化量，即
式中μr1——温度为T1时的磁导率；
μr2——温度为T2时的磁导率。

扩展资料
相对磁导率，有时候被定义为符号μr，是特殊介质的磁导率和真空磁导率μ0的比值：
以相对磁导率的形式，磁化率为：
χm，一个无量纲的量，有时候被称为体积或大小磁化率，为了使其和χp(质量磁化率）和χM（摩尔或摩尔质量磁化率）区分开。

磁性材料术语解释及计算公式起始磁导率μi初始磁导率是磁性材料的磁导率（B/H ）在磁化曲线始端的极限值，即μi =01μ× H B ∆∆ ()0→∆H式中μ0为真空磁导率（m H /7104-⨯π） ∆H 为磁场强度的变化率（A/m ）∆B 为磁感应强度的变化率（T ）有效磁导率μe在闭合磁路中，如果漏磁可忽略，可以用有效磁导率来表示磁芯的性能。

e μ =AeLe N L 20⋅μ 式中 L 为装有磁芯的线圈的电感量（H ）N 为线圈匝数Le 为有效磁路长度（m ）Ae 为有效截面积 (m 2)饱和磁通密度Bs （T ）磁化到饱和状态的磁通密度。

见图1。

HcH图 1剩余磁通密度Br（T）从饱和状态去除磁场后，剩余的磁通密度。

见图1。

矫顽力Hc（A/m）从饱和状态去除磁场后，磁芯继续被反向磁场磁化，直至磁感应强度减为零，此时的磁场强度称为矫顽力。

见图1。

损耗因子tanδ损耗系数是磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗三者之和。

tanδ= tanδh + tanδe + tanδr式中tanδh为磁滞损耗系数tanδe为涡流损耗系数tanδr为剩余损耗系数相对损耗因子 tanδ/μi比损耗因子是损耗系数与与磁导率之比：tanδ/μi（适用于材料）tanδ/μe（适用于磁路中含有气隙的磁芯）品质因数 Q品质因数为损耗因子的倒数: Q = 1/ tan δ温度系数αμ( 1/K)温度系数为T1和T2范围内变化时,每变化1K 相应的磁导率的相对变化量:αμ=112μμ-μ.12T T 1- 式中μ1为温度为T1时的磁导率μ2为温度为T2时的磁导率 相对温度系数αμr(1/K)温度系数和磁导率之比，即αμr = 2112μμ-μ.12T T 1- 减落系数 DF在恒温条件下，完全退磁的磁芯的磁导率随时间的衰减变化，即 DF = 212121μ1T T log μμ⨯- (T2>T1) μ1为退磁后T1分钟的磁导率μ2为退磁后T2分钟的磁导率居里温度Tc （℃）在该温度时材料由铁磁性（或亚铁磁）转变为顺磁性，见图2。

磁芯磁环的磁导率及计算公式洋通电子 nbs磁芯磁环的磁导率及计算公式?2011年02月20日测量单位由于历史的原因，在此手册中采用了CGS制单位，国际制（SI）和CGS制之间的转换可简化于下表2：表2单位转换表在CGS制自由空间磁导率的幅值为1且无量纲。

在SI制自由空间磁导率的幅值为4π×10-7亨/米3.3、电感对于每一个磁芯电感（L）可用所列的电感系数（AL）计算：(14)AL：对1000匝的电感系数 mHN：匝数所以：这里这里L是nH电感也可由相对磁导率确定，磁芯的有效参数见图 10:(15)Ae:有效磁芯面积 cm2:有效磁路长度 cmμ:相对磁导率（无量纲）对于环形功率磁芯，有效面积和磁芯截面积相同。

根据定义和安培定理，有效磁路长度是线圈的安匝数（NI）和从外径到外径穿过磁芯面积的平均磁场强度之比。

有效磁路长度可用安培定理和平均磁场强度给出的公式计算：(16)O.D. ：磁芯外径I.D. ：磁芯内径电感系数是用单层密绕线圈测量的。

磁通密度和测试频率保持与实际一样低，通常低于40高斯和10KHz或更低。

对于各种磁导率和材料，能用'正常磁导率对磁通密度关系'和'典型磁导率对频率关系'的图形来解释低电平测试的条件。

3.4、磁导率对于每一个磁芯尺寸的电感系数是建立在相对磁导率的增量上的。

在没有直流偏置和低磁通密度时，正常磁导率和增量磁导率是一样的。

增量磁导率随直流偏置一起减小的情况以及"增量磁导率对直流偏置"的曲线如图11所示。

由"增量磁导率对直流偏置" 曲线看到正常磁导率如同峰值磁导率B。

许多设计过程包括选择峰值工作磁通密度去帮助决定磁芯的尺寸。

磁材的饱和磁通密度限制了峰值工作磁通密度或被磁材的损耗所限制。

在选择磁材、工作磁通密度和决定磁芯的尺寸之后，法拉第定理（下面讨论）用于计算匝数N。

最后选择磁导率以满足电感的需要。

磁环选取计算公式磁环选取计算公式是指针对磁环材料的特性和使用环境的要求，通过计算得出磁环的相关参数，包括直径、厚度、磁场强度等，以确保磁环能够满足具体的应用需求。

在实际工程中，磁环选取计算公式常常具有非常重要的作用，能够有效提高磁环的使用效率和可靠性。

下面将介绍磁环选取计算公式的相关参考内容。

1. 磁环的直径计算公式如果已知磁环的材料特性、工作环境和使用条件等参数，我们可以通过以下公式来计算磁环的直径：D = 2 × [(H + Hc) × t] / μ0 × N其中，D表示磁环的直径，H表示工作环境的磁场强度，Hc表示磁环的居里温度，微软表示真空中的磁导率，N表示磁环的匝数，t表示磁环的厚度。

该公式可以帮助我们计算出磁环的直径。

2. 磁环的厚度计算公式在实际应用中，有时需要根据磁场强度的要求，选取更薄或更厚的磁环。

如果已知其他参数，可以通过以下公式来计算磁环的厚度：t = [(H + Hc) × D / (2 × μ0 × N)] - D其中，t表示磁环的厚度，其他参数与上公式类似。

该公式可以帮助我们计算出磁环的厚度。

3. 磁环的容限计算公式在实际选配磁环时，有时需要考虑容限问题。

容限是指在一定范围内，磁环的实际参数与计算值之间允许存在的误差范围。

计算公式如下：Fd = 2 × [σ(H + Hc) × t] / μ0 × N其中，Fd表示容限的上限，σ表示磁环的短斜率，其他参数与前两个公式类似。

该公式可以帮助我们根据容限需求计算出磁环的参数。

4. 磁环的热稳定性计算公式在高温环境下使用磁环时，有时需要考虑热稳定性问题。

计算公式如下：ΔHc/ΔT = (αM/2) × (Hc/μm)其中，ΔHc/ΔT表示热稳定性的系数，αM表示磁环的热膨胀系数，μm表示磁环的平均磁导率。

该公式可以帮助我们选择合适的磁环材料，以提高磁环在高温环境下的稳定性。

磁环的选型及使用方法最近经常有不少客户问起磁环的选型及使用方法，说下关于一些电器及连接线的电磁干扰，导致通讯设备死机。

磁环的选型及使用方法的问题，为了解决上述的问题，尝试了隔离控制信号和隔离通讯信号，但都以失败告终。

最后采用磁环抑制信号线上的电磁干扰才最终解决了问题。

1、简介吸收磁环，又称铁氧体磁环，简称磁环。

它是电子电路中常用的抗干扰元件，对于高频噪声有很好的抑制作用，一般使用铁氧体材料（Mn－Zn）制成。

这种材料的特点是高频损耗非常大，具有很高的导磁率，最重要的参数为磁导率μ和饱和磁通密度Bs。

磁环较好地解决了电源线，信号线和连接器的高频干扰抑制问题，而且具有使用简单，方便，有效，占用空间不大等一系列优点，用铁氧体抗干扰磁心来抑制电磁干扰(EMI)是经济简便而有效的方法，已广泛应用于计算机等各种军用或民用电子设备。

2、磁环的选型及使用方法（1）关于匝数匝数越多，抑制低频干扰效果越好，抑制高频噪声作用较弱。

实际使用当中磁环匝数要根据干扰电流的频率特点来调整。

当干扰信号频带较宽时，可以在电缆上套两个磁环，每个磁环绕不同的匝数，这样可以同时一种高频干扰和低频干扰。

并不是阻抗越大，对干扰信号的抑制效果越好，因为实际磁环上存在寄生电容，这个寄生电容与电感并联，但遇到高频干扰信号时，这个寄生电容将磁环的电感短路，失去作用。

（2）计算物理部分（磁环酷似空心圆柱）：截面积：A = （OD-ID）*HT/2 (cm2)平均（有效）磁路长度：l = (OD-ID)*π*2 / 2 (cm)内部体积：V = A *l (cm3)电磁部分：电感：L = (μ*4π*N2*A*10-2) / l (μH)最大磁通量：B = E * 108 /（N*A)磁力：H = 4*π*N*I/l磁导率：µ = B/H变量解释：OD：磁环外径cmID：磁环内劲cmHT：磁环高度cmI：电流E：电压磁导率也有如下公式：µ=µo*µr（磁环磁导率）其中µo是真空中的磁导率4∏*10-7 H/m, µr= 47 H/m（磁环相对真空的磁导率）一般给的参数为电感系数AL，可以根据公式AL = L / N2来求出电感磁环使用方法：不同频率下磁环有不同的阻抗特性，一般低频是阻抗很小，高频时阻抗急剧升高。

磁环线圈的设计公式磁环线圈是一种常见的电磁场发生器。

它由一个绝缘材料制成，包裹着绕制的导线，形成一个环形结构。

该导线通电时会在磁环内部产生一个磁场。

磁环线圈广泛应用于电子设备、电力传输、电磁感应等领域。

在设计磁环线圈时，需要考虑导线的线圈布局、尺寸、导线材料等因素。

本文将介绍磁环线圈的设计公式。

1.磁感应强度公式：磁感应强度（B）是指磁场中单位面积上通过的磁力线数量。

在磁环线圈中，可以通过以下公式计算磁感应强度：B=(μ₀*N*I)/(2*r)其中，B是磁感应强度，μ₀是真空中的磁导率（约为4π×10^-7T·m/A），N是线圈匝数，I是线圈电流，r是磁环的半径。

2.磁场能量公式：磁场能量（Wm）是指磁场中存储的能量。

在磁环线圈中，可以通过以下公式计算磁场能量：Wm=(1/2)*(B^2)*V其中，Wm是磁场能量，B是磁感应强度，V是线圈的体积。

3.电感公式：电感（L）是指导线通电时产生的磁感应强度与电流之间的比例关系。

在磁环线圈中，可以通过以下公式计算电感：L=(μ₀*N^2*A)/l其中，L是电感，A是线圈的横截面积，l是线圈的长度。

此公式适用于磁环线圈的半径相对于长度较小的情况。

4.电场能量公式：电场能量（We）是指线圈中存储的电场能量。

在磁环线圈中，可以通过以下公式计算电场能量：We=(1/2)*(C*V^2)其中，We是电场能量，C是线圈的电容，V是线圈的电压。

5.自感公式：自感（Ls）是指线圈通过自感电动势与导线中电流之间的比例关系。

在磁环线圈中，可以通过以下公式计算自感：Ls=(μ₀*N^2*A)/(l+L+0.25*π*d)其中，Ls是自感，d是磁环内外直径差值。

6.有效长度公式：有效长度（Le）是指电感元件的有效长度。

在磁环线圈中，可以通过以下公式计算有效长度：Le=l+L+0.25*π*d其中，Le是有效长度，l是线圈的长度，L是电感。

以上公式是磁环线圈的设计中常用的公式，根据实际情况进行选择和应用。

磁环的选型及使⽤⽅法吸收磁环，⼜称铁氧体磁环，简称磁环。

它是电⼦电路中常⽤的抗⼲扰元件，对于⾼频噪声有很好的抑制作⽤，⼀般使⽤铁氧体材料（Mn－Zn）制成。

这种材料的特点是⾼频损耗⾮常⼤，具有很⾼的导磁率，最重要的参数为磁导率µ和饱和磁通密度Bs。

 磁环较好地解决了电源线，信号线和连接器的⾼频⼲扰抑制问题，⽽且具有使⽤简单，⽅便，有效，占⽤空间不⼤等⼀系列优点，⽤铁氧体抗⼲扰磁⼼来抑制电磁⼲扰（EMI）是经济简便⽽有效的⽅法，已⼴泛应⽤于计算机等各种军⽤或民⽤电⼦设备。

磁环的选择我们平时在电⼦设备的电源线或信号线⼀端或者两端看到的磁环就是共模扼流圈。

共模扼流圈能够对共模⼲扰电流形成较⼤的阻抗，⽽对差模信号没有影响（⼯作信号为差模信号），因此使⽤简单⽽不⽤考虑信号失真问题。

并且共模扼流圈不需要接地，可以直接加到电缆上。

将整束电缆穿过⼀个铁氧体磁环就构成了⼀个共模扼流圈，根据需要，也可以将电缆在磁环上⾯绕⼏匝。

匝数越多，对频率较低的⼲扰抑制效果越好，⽽对频率较⾼的噪声抑制作⽤较弱。

在实际⼯程中，要根据⼲扰电流的频率特点来调整磁环的匝数。

通常当⼲扰信号的频带较宽时，可在电缆上套两个磁环，每个磁环绕不同的匝数，这样可以同时抑制⾼频⼲扰和低频⼲扰。

从共模扼流圈作⽤的机理上看，其阻抗越⼤，对⼲扰抑制效果越明显。

⽽共模扼流圈的阻抗来⾃共模电感lcm=jwlcm，从公式中不难看出，对于⼀定频率的噪声，磁环的电感越⼤越好。

但实际情况并⾮如此，因为实际的磁环上还有寄⽣电容，它的存在⽅式是与电感并联。

当遇到⾼频⼲扰信号时，电容的容抗较⼩，将磁环的电感短路，从⽽使共模扼流圈失去作⽤。

根据⼲扰信号的频率特点可以选⽤镍锌铁氧体或锰锌铁氧体，前者的⾼频特性优于后者。

锰锌铁氧体的磁导率在⼏千---上万，⽽镍锌铁氧体为⼏百---上千。

铁氧体的磁导率越⾼，其低频时的阻抗越⼤，⾼频时的阻抗越⼩。

所以，在抑制⾼频⼲扰时，宜选⽤镍锌铁氧体；反之则⽤锰锌铁氧体。

磁环磁导率的计算
铁氧体磁环磁导率的测算：
1、测量磁环的外径D，内径d，环的高度H，单位mm。

2、用漆包线穿绕10~20圈，绕紧点，不要太松，测量其电感量L，单位为uH，
电感量大点测算误差小，电感量小测算误差就会大，请根据实际需要确定穿绕的
圈数N。

3、将以上数据代入下式计算出大约的磁导率u0
u0=2500*L*(D+d)/((D-d)*H*N*N)
例如：13X7X5的磁环，绕20圈，测得电感量23uH，代入上式计算
u0=2500*23*(13+7)/((13-7)*5*20*20)=1150000/12000=95.8 测算结果与磁导率100的规格最接近，确定该磁环的u0是100，注意一般u0标
称误差有+-10%。

对于没有参数的磁环可以首先根据外观特征初步判断是哪种材料，再测算磁导
率，就可以确定该磁环的主要规格了。

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阻抗 (ohm) = 2 * 3.14159 * F( 工作频率 ) * 电感量 (mH) ，设定需用 360ohm 阻抗，因此：+ 7.06 电感量(mH)= 阻抗(ohm) +(2*3.14159) -F (工作频率)=360 +(2*3.14159)= 8.116mH据此可以算出绕线圈数：圈数 = [电感量* { ( 18*圈直径(吋)) + ( 40 * 圈长(吋))}] +圈直径 (吋)圈数 = [8.116 * {(18*2.047) + (40*3.74)}] +2.047 = 19 圈空心电感计算公式空心电感计算公式： L(mH)=(0.08D.D.N.N)/(3D+9W+10H)D --- 线圈直径N --- 线圈匝数H --- 线圈高度W --- 线圈宽度单位分别为毫米和mH 。

空心线圈电感量计算公式l=(0.01*D*N*N)/(L/D+0.44)线圈电感量 l 单位 : 微亨线圈直径 D 单位 : cm线圈匝数 N 单位 : 匝线圈长度 L 单位 : cm频率电感电容计算公式l=25330.3/[（f0*f0）*c]工作频率 : f0 单位 :MHZ 本题 f0=125KHZ=0.125谐振电容：c单位:PF本题建义c=500...1000pf 可自行先决定，或由Q值决定谐振电感 : l 单位: 微亨线圈电感的计算公式1. 针对环行 CORE ，有以下公式可利用 : (IRON)L=N2 ．AL L= 电感值（ H）H-DC=0.4 nil /I N= 线圈匝数（圈）AL= 感应系数H-DC= 直流磁化力 I= 通过电流 (A)I= 磁路长度( cm)l及AL值大小，可参照 Microl对照表。

例如: 以 T50-52 材，线圈 5圈半，其 L 值为 T50-52（表示 OD 为 0.5 英吋），经查表其AL 值约为 33nHL=33 . （5.5）2=998.25nH 勺田当流过 10A 电流时，其 L 值变化可由 l=3.74（查表）H-DC=0.4 nil / l = 0.4 X3.14 X5.5 X10 / 3.74 = 18.47 （查表后）即可了解L值下降程度（山％）2 .介绍一个经验公式L=（k* Q* Q*N2*S）/I其中询为真空磁导率=4 n i0（-7）。

磁性材料术语解释及计算公式起始磁导率“i初始磁导率是磁性材料的磁导率（B/H）在磁化曲线始端的极限值，即式中“o为真空磁导率（4TTX\0~7 H/m）△H为磁场强度的变化率（A/m）△B为磁感应强度的变化率（T）有效磁导率“e在闭合磁路中，如果漏磁可忽略，可以用有效磁导率来表示磁芯的性能0式中L为装有磁芯的线圈的电感量（H）N为线圈匝数Le为有效磁路长度5）Ae为有效截面积（卅）饱和磁通密度Bs （T）磁化到饱和状态的磁通密度。

见图1。

・ 1a 1 =—x ——(AH T O)图1剩余磁通密度Br (T)从饱和状态去除磁场后，剩余的磁通密度。

见图1。

矫顽力He (A/m)从饱和状态去除磁场后，磁芯继续被反向磁场磁化，直至磁感应强度减为零，此时的磁场强度称为矫顽力。

见图1。

损耗因子tan5损耗系数是磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗三者之和。

tan^= tan d h + t an del tan dr式中tan o i.为磁滞损耗系数tan o e为涡流损耗系数tan d r为剩余损耗系数相对损耗因子t an6//I i比损耗因子是损耗系数与与磁导率之比：tano /i (it用于材料)tano/zze (适用于磁路中含有气隙的磁芯)品质因数Q品质因数为损耗因子的倒数：Q = 1/ tan5温度系数a“( 1/K)温度系数为T1和T2范围内变化时，每变化1K 相应的磁导率的相对变化量: a 口 =卩2_卩1 1Pl T 2 _T ] 式中“1为温度为T1时的磁导率“2为温度为T2时的磁导率相对温度系数a “r(l/K)温度系数和磁导率之比，即在恒温条件下，完全退磁的磁芯的磁导率随时间的衰减变化，即DF =x 丄(T2>T1)“1为退磁后T1分钟的磁导率“2为退磁后T2分钟的磁导率居里温度Tc (°C)在该温度时材料由铁磁性(或亚铁磁)转变为顺磁性，见图2。

a //r = 减落系数DFGT电阻率p(Q.m)具有单位截面积和单位长度的磁性材料的电阻。

磁芯的绕制和读数计算公式磁芯是一种用于储存和处理信息的重要元件，广泛应用于计算机、通信设备、电力系统等领域。

磁芯的绕制和读数计算公式是研究磁芯工作原理和性能的重要基础，本文将从磁芯的基本原理、绕制过程和读数计算公式等方面进行介绍。

一、磁芯的基本原理。

磁芯是由硅钢片或氧化铁粉等材料制成的磁性材料，具有良好的磁导性能。

在磁芯中，磁通量可以通过磁性材料的磁导率来传输，从而实现信息的存储和处理。

磁芯的基本原理可以用以下公式表示：B = μH。

其中，B表示磁感应强度，单位为特斯拉(T)；μ表示磁导率，单位为亨利/米(H/m)；H表示磁场强度，单位为安培/米(A/m)。

根据这个公式，我们可以看出磁芯的磁感应强度与磁场强度和磁导率之间存在一定的关系，这为磁芯的绕制和读数提供了基本原理。

二、磁芯的绕制过程。

磁芯的绕制是将绝缘铜线或铝线缠绕在磁芯上，形成磁芯的绕组。

在绕制过程中，需要考虑磁芯的尺寸、绕组的匝数、绕组的方式等因素。

磁芯的绕制过程可以用以下公式表示：N = (L × 10^4) / (A × B)。

其中，N表示绕组的匝数；L表示绕组长度，单位为米(m)；A表示绕组的横截面积，单位为平方米(m^2)；B表示磁感应强度，单位为特斯拉(T)。

根据这个公式，我们可以计算出磁芯绕组的匝数，从而确定磁芯的性能和特性。

三、磁芯的读数计算公式。

磁芯的读数是指在磁芯中读取信息的过程，通常采用磁阻效应或磁感应强度的变化来实现。

磁芯的读数计算公式可以用以下公式表示：V = B × A × N × f。

其中，V表示输出的电压信号，单位为伏特(V)；B表示磁感应强度，单位为特斯拉(T)；A表示绕组的横截面积，单位为平方米(m^2)；N表示绕组的匝数；f表示磁芯的频率，单位为赫兹(Hz)。

根据这个公式，我们可以计算出磁芯的输出电压信号，从而实现信息的读取和处理。

四、磁芯的应用和发展。

磁导率和自感系数磁导率μ在各向同性的均匀磁介质中，B与H成正比关系：B=μHμ称为磁介质的磁导率μ=B/H，磁介质的磁导率μ=μ0（1+χm）磁介质的相对磁导率μr =（1+χm）是磁化曲线上任意一点上B和H的比值。

磁导率实际上代表了磁性材料被磁化的容易程度。

在磁化的不同阶段，材料的磁导率也不同，磁导率在最高点称为最大磁导率。

在磁化起始点的磁导率称为初始磁导率，简称初导。

磁导率是软磁材料的另一个非常重要的指标。

相对初始磁导率μi定义为在SI中,磁导率的单位亨[利]每米（H/m），常用T/（A/m），T/（A/cm），但一般用相对磁导率μr来表示。

1（H/m）=T/（A/m)=100T/（A/cm)，在有些资料上用特/奥（斯特）（T/Oe）或高斯/奥（斯特）（Gs/Oe），高斯与奥斯特都是以前的物理量。

1T=10000Gs，1A/m=4πe-3 Oe ，磁导率为1Gs/Oe 的磁介质的相对磁导率为1。

相对磁导率μr是无量纲量。

铁芯损耗角Ψ要使磁性材料有磁感应强度B时，必须要有磁场强度H。

对于交流电，磁感应强度B与磁场强度H并不同步，磁感应强度B总是落后于磁场强度H，落后的角度就是铁芯损耗角。

磁导率和损耗角不是一个常量可以通过铁芯磁化特性曲线查到。

在电流互感器正常工作范围内，磁感应强度B越大，铁芯损耗角越大。

电流互感器额定电流，额定电流比额定电流本意为在此电流下可以长期工作而不会损坏，额定的输入输出电流分别称额定一次电流、额定二次电流，额定一次电流与额定二次电流比值称额定电流比，用Kn表示。

对用户而言通常关心的是额定电流，在微型电流互感器额定电流标称为如：5A/2.5mA 表示额定一次电流5A、额定二次电流2.5mA ，额定电流比为2000 。

额定电流是设计微型电流互感器的主要依据。

电流互感器比差比差也称比值差：比差就是二次电流与实际一次电流按额定电流比折算成的理论二次电流的差值，并用与后者的百分数表示，对于未经过补偿的微型电流互感器的比差均为负值。

组合磁芯计算公式磁芯是电子设备中常用的一种元件，它主要用于存储和传输磁能量。

在实际应用中，我们经常会遇到需要计算磁芯参数的情况，比如计算磁感应强度、磁通量等。

在这篇文章中，我们将重点介绍组合磁芯的计算公式，帮助读者更好地理解和应用磁芯元件。

首先，我们需要了解组合磁芯的基本结构。

组合磁芯是由多个磁芯组合而成的，它可以通过改变磁芯的数量、形状和排列方式来满足不同的电磁场要求。

在实际应用中，组合磁芯常常用于变压器、电感器等电子设备中，它可以提高磁路的磁导率，从而提高磁场的传输效率。

接下来，我们将介绍组合磁芯的计算公式。

在实际应用中，我们常常需要计算组合磁芯的磁感应强度、磁通量等参数。

下面是一些常用的组合磁芯计算公式：1. 组合磁芯的磁感应强度计算公式。

组合磁芯的磁感应强度可以通过以下公式计算：B = μ0 (H + NI)。

其中，B表示磁感应强度，μ0表示真空中的磁导率，H表示磁场强度，N表示磁芯的匝数，I表示电流。

2. 组合磁芯的磁通量计算公式。

组合磁芯的磁通量可以通过以下公式计算：Φ = B A。

其中，Φ表示磁通量，B表示磁感应强度，A表示磁路的横截面积。

3. 组合磁芯的能量存储计算公式。

组合磁芯的能量存储可以通过以下公式计算：W = 0.5 L I^2。

其中，W表示能量存储，L表示电感，I表示电流。

以上是一些常用的组合磁芯计算公式，通过这些公式我们可以计算出组合磁芯的各种参数，从而更好地设计和应用电子设备。

除了上述公式，我们还需要注意一些与磁芯相关的其他因素，比如磁芯的损耗、饱和磁感应强度等。

在实际应用中，这些因素都会对磁芯的性能产生影响，因此在计算磁芯参数时需要综合考虑这些因素。

总之，组合磁芯是电子设备中常用的一种元件，它可以通过改变磁芯的数量、形状和排列方式来满足不同的电磁场要求。

在实际应用中，我们可以通过一些常用的组合磁芯计算公式来计算磁芯的各种参数，从而更好地理解和应用磁芯元件。

希望本文能够帮助读者更好地理解和应用组合磁芯。

磁芯电感的计算公式=2 *3、14159 * F(工作频率)* 电感量(mH)，设定需用360ohm 阻抗，因此：电感量(mH) = 阻抗 (ohm)(2*3、14159)F (工作频率)=360 (2*3、14159)7、06 =8、116mH据此可以算出绕线圈数：圈数 =[电感量* { (18*圈直径(吋))+ (40 * 圈长(吋))}] 圈直径 (吋)圈数 =[8、116 * {(18*2、047)+ (40*3、74)}]2、047 =19 圈空心电感计算公式：L(mH)=(0、08D、D、N、N)/(3D+9W+10H)D------线圈直径N------线圈匝数d-----线径H----线圈高度W----线圈宽度单位分别为毫米和mH。

空心线圈电感量计算公式: l=(0、01*D*N*N)/(L/D+0、44) 线圈电感量 l单位: 微亨线圈直径 D单位: cm线圈匝数 N 单位: 匝线圈长度 L单位: cm频率电感电容计算公式: l=25330、3/[(f0*f0)*c] 工作频率: f0 单位:MHZ 本题f0=125KHZ=0、125谐振电容: c 单位:PF 本题建义c=500、、、1000pf 可自行先决定,或由Q值决定谐振电感: l 单位: 微亨线圈电感的计算公式1、针对环行CORE，有以下公式可利用: (IRON)L=N2．AL L= 电感值（H)H-DC=0、4πNI / l N= 线圈匝数(圈)AL= 感应系数H-DC=直流磁化力 I= 通过电流(A)l= 磁路长度（cm)l及AL值大小，可参照Microl对照表。

例如: 以T50-52材，线圈5圈半，其L值为T50-52(表示OD为0、5英吋)，经查表其AL值约为33nHL=33．(5、5)2=998、25nH≈1μH当流过10A电流时，其L值变化可由l=3、74(查表)H-DC=0、4πNI / l = 0、43、145、510 /3、74 =18、47 （查表后）即可了解L值下降程度(μi%)2、介绍一个经验公式：L=(k*μ0*μs*N2*S)/l 其中μ0 为真空磁导率=4π*10(-7)。