电子技术基础项目1
- 格式:doc
- 大小:46.00 KB
- 文档页数:3
实用标准电子技术基础教案§1-1 半导体的基础知识目的与要求1. 了解半导体的导电本质,2. 理解N型半导体和P型半导体的概念3. 掌握PN结的单向导电性重点与难点重点1.N型半导体和P型半导体2. PN结的单向导电性难点1.半导体的导电本质2.PN结的形成教学方法讲授法,列举法,启发法教具二极管,三角尺小结半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。
载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。
在半导体中,如果载流子浓度分布不均匀,因为浓度差,载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动,这种运动称为扩散运动。
多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态,外加反向电压时处于截止状态。
布置作业1.什么叫N型半导体和P型半导体第一章常用半导体器件§1-1 半导体的基础知识自然界中的物质,按其导电能力可分为三大类:导体、半导体和绝缘体。
半导体的特点:①热敏性②光敏性③掺杂性导体和绝缘体的导电原理:了解简介。
一、半导体的导电特性半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,如硅(Si)、锗(Ge)。
硅和锗是4价元素,原子的最外层轨道上有4个价电子。
1.热激发产生自由电子和空穴每个原子周围有四个相邻的原子,原子之间通过共价键紧密结合在一起。
两个相邻原子共用一对电子。
室温下,由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子,同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。
失去价电子的原子成为正离子,就好象空穴带正电荷一样。
在电子技术中,将空穴看成带正电荷的载流子。
2.空穴的运动(与自由电子的运动不同)有了空穴,邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴,这样空穴便转移到邻近共价键中。
新的空穴又会被邻近的价电子填补。
带负电荷的价电子依次填补空穴的运动,从效果上看,相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。
3.结论(1)半导体中存在两种载流子,一种是带负电的自由电子,另一种是带正电的空穴,它们都可以运载电荷形成电流。
《电子技术基础》课程标准适用专业:物联网工程技术1.课程定位和设计思路1.1课程定位《电子技术基础》课程是物联网工程技术专业职业教育课程模块,是一门培养专业能力的基础课程。
其主要功能是使学生了解电路的基本知识以及模拟电子电路和数字电子电路的基本工作原理和分析方法,掌握元器件的识别和基本工具、仪器仪表的使用,为学习后续专业课程和今后从事有关的电子技术的实际工作打下基础。
本课程后续课程主要为《单片机原理及应用》、《无线传感网络及应用》等。
1.2设计思路本课程是物联网工程技术专业的专业课基础课,是三门课并成一门课,内容多、概念多、电路种类多、电路与参数符号多,时间又少,因此教学中更需突出重点。
电路部分,重点是直流电路和正弦交流电路;模拟电路部分,重点是半导体三极管和共发射极放大电路;数字电路部分,重点是组合逻辑电路、触发器和时序逻辑电路。
对于实际的集成电路芯片,应着重芯片的逻辑功能和使用。
本课程立足于职业能力培养,根据电子技术的学习规律,采用项目为教学情境来组织和实施教学,打破以知识传授为主要特征的传统学科课程模式,将完成工作任务必需的相关理论知识构建于项目情境之中,学生在完成具体项目的过程中学会必备的理论知识和职业技能。
依据上述课程目标定位,本课程从工作任务、知识要求与技能要求三个维度对课程内容进行规划与设计,本课程共划分为电路定理分析验证、助听器电路的设计与制作、线性直流稳压电源的制作与调试、表决器的制作与调试、数字电压表的制作与调试等五个工作任务,知识与技能内容则依据工作任务完成的需要进行确定。
分析过程中尤其注意了整个内容的完整性,以及知识与技能的相关性。
在对知识与技能的描述上也力求详细与准确。
技能及其学习要求采取了“能做…………”的形式进行描述,知识及其学习要求则采取了“能描述…………”和“能理解…………”的形式进行描述,即区分了两个学习层次,“描述”指学生能熟练识记知识点,“理解”指学生把握知识点的内涵及及其关系。
电子技术基础1复习题一、电压放大1、放大电路如图所示,已知三极管β=50,U BEQ=0.7V,r bb’=200Ω。
电路中各参数标示图中。
(1)试估算电路的静态工作点I CQ、U CEQ;(3)求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R O;(4)若信号源内阻R S=600Ω,求源电压放大倍数A us。
(5)若去掉旁路电容,则A u、R i和R O如何变化?2、放大电路如图所示,已知三极管β=50,U BEQ=0.7V,r bb’=200Ω。
电路中各参数标示图中。
(1)估算静态工作点I CQ、U CEQ;(2)估算电压放大倍数A u;(3)求输入电阻和输出电阻;(4)若C E断开,电压放大倍数将有何变化?CC o二、功放1、OTL功率放大器如图所示,试回答:(1)静态时,A点的电位应是多少?(2)若两管子的饱和压降均为2V,计算最大不失真输出功率P omax和效率η;(3)分析VD1、VD2的作用。
2、OCL功率放大器如图所示,试回答:(1)静态时,A点电位是多少?(2)若两管子的饱和压降均为3V,计算最大不失真输出功率P omax和效率η;(3)说明图中VD1、VD2的作用。
ccu Su ou o-+o三、运算电路1、运算电路如下图所示,(1)A1组成何种运算电路,有何特点?(2)当u i=1V,计算输出电压u o1值和u o值。
2、运算电路如下图所示,(1)A1、A2分别组成何种运算电路?(2)当u i1=0.1V,u i2=2V,试计算输出电压u o1值和u o 值。
四、深度负反馈的近似计算1、负反馈放大电路如下图所示,试:(1)判断反馈类型,说明该负反馈稳定输出电压还是稳定输出电流?分析其反馈类型对电路输入电阻、输出电阻的影响;(2)估算在深度负反馈条件下,闭环电压放大倍数A uf。
(3)指出运放的反相输入端是否为虚地端。
2、1、(14分)负反馈放大电路如下图所示,试:(1)判断反馈类型,说明该负反馈稳定输出电压还是稳定输出电流?分析此反馈类型对电路输入电阻、输出电阻的影响;(2)估算在深度负反馈条件下,闭环电压放大倍数A uf。
《电子技术基础(一)》期终考试试题 (A 卷)适用专业:题号 一 二 三 四 五 六 总分 积分人 分数一、名词解释:(每小题2分,共10分)1、半导体三极管2、射极输出器3、电压传输特性4、整流电路5、稳压管二、填空题(每空档0.5分,共20分)1、二极管的类型按材料分有 和 两类。
2、2CW 是 材料的 二极管。
3、三极管有 、 和放大三种工作状态。
4、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物质。
5、在放大电路中,静态工作点过高易出现 ,静态工作点过低易出现 。
6、三极管实现电流放大的外部条件是: , 。
7、对于一个放大电路来说,一般希望其输入电阻要 些,以减轻信号 源的负担,输出电阻要 些,以提高带负载的能力。
8、功放电路中,为了不失真地输出最大功率,功放管常采用 放大,功放电路是 电路。
9、放大电路级与级之间的连接方式有: 、 和直接耦合。
10、电压负反馈是稳定,反馈信号与成正比。
11、解决零点漂移最有效的办法是采用。
12、非线性比较器有和两种。
13、减法运算电路利用可以进行减法运算。
14、和运放工作在电压传输特性的非线性区,即。
15、差分放大电路中的差模输入信号表示加在两个输入端的信号电压、。
16、OTL电路中的输出电容代替OCL电路中的。
17、深度电压负反馈运放工作在电压传输特性的。
18、单相桥式整流电路中,若变压器二次侧电压U2=100V,则负载两端电压为V;若接入滤波电容,则负载两端电压为V。
19、常用的滤波电路有、和π形滤波。
20、桥式整流二极管中,若某个二极管虚焊,则输出只有。
21、常用的小功率直流稳压电源由电源变压器、、和稳压电路四部分组成。
22、W78M05输出电压为,输出电流为。
三、判断题(正确的打“√”,错误的打“×”)(每题1分,共12分)1、三极管的发射结正偏时,它必处于放大状态。
()2、如果输入信号本身已是一个失真的正弦波,引入负反馈后不能改善失真波形。
title电子技术实验基础(一:电路分析)(电子科技大学)中国大学mooc答案100分最新版content实验1-1 常用电子测量仪器的使用——数字示波器的使用数字示波器的使用单元测试题1、如图所示示波器的面板旋钮中,标出哪个按键是垂直通道的菜单按键A:AB:BC:CD:D答案: A2、如图所示示波器的面板旋钮中,标出哪个旋钮是水平通道的位移旋钮A:AB:BC:CD:D答案: C3、若被测试的信号是交直流叠加信号,示波器的垂直耦合方式应该选择哪一挡A:AC耦合B:DC耦合C:接低耦合D:AC、DC均可答案: DC耦合4、如图所示示波器的探头,测试信号时,探头应该与测试端应如何连接A:探勾接信号端钮,黑色鳄鱼夹接地B: 探勾接地,黑色鳄鱼夹接信号端钮C: 可以任意连接D:以上均不正确答案: 探勾接信号端钮,黑色鳄鱼夹接地5、如下图所示第四个菜单栏中,如果测量时发现该菜单栏显示不是电压1X,而是电压10X,应该调节哪个按键或旋钮使其为电压1XA:旁边的按键切换选择B:VARIABLE旋钮C:AUTOSETD:关机重启答案: VARIABLE旋钮6、下图是所示是示波器探头的手柄阻抗拨动开关细节图,若手柄放在1X端,垂直菜单栏中第四栏应怎么调节?若手柄放在10X端,又该怎样调节?A:电压1X、电压10XB:电压10X、电压1XC:电压1X、电压1XD:任意选择不影响结果答案: 电压1X、电压10X7、如图所示示波器的显示屏上,哪个标示的是通道1的零基线位置A:AB:BC:CD:D答案: C实验1-2 常用电子测量仪器的使用——函数发生器和晶体管毫伏表的使用函数发生器和晶体管毫伏表单元测验1、信号源输出周期信号时频率显示如图所示,当前输出信号的频率是多少?A:1HzB:10HzC:1KHzD:10KHz答案: 1KHz2、信号源给后级网络提供正弦信号,如果信号源幅度显示窗口显示如图所示,表明现在后级网络得到的信号电压大小是?A:不确定B:电压峰值是111mVC:电压峰峰值是111mVD:电压有效值是答案: 不确定3、下列说法正确的是?A: 数字万用表可以测量函数发生器输出信号中的直流分量B: 函数发生器只用“输出幅度调节”旋钮进行幅度调节C:函数发生器可用“直流偏移”旋钮输出直流电压信号D:函数发生器输出信号电压的最大值和最小值之间相差60dB答案: 数字万用表可以测量函数发生器输出信号中的直流分量4、列说法正确的是?A:毫伏表是用来测量包括直流电压在内的电压值的仪表B:使用毫伏表测量正弦信号的有效值时需要考虑正弦信号的频率C:毫伏表和万用表作为交流电压表都可以测量正弦信号的有效值,在没有毫伏表时,可以临时用万用表替代D:三角波信号和方波信号不能送入毫伏表测量答案: 使用毫伏表测量正弦信号的有效值时需要考虑正弦信号的频率5、某个正弦交流信号的有效值是0.8V,毫伏表应选择哪一档进行测量?A:10VB:3VC:1VD:300mV答案: 1V实验2 正弦稳态时RLC元件电压电流相位关系的测试正弦稳态时RLC元件电压电流相位关系的测试1、采用课程实验方案测量电感元件的电压电流相位关系时,为了获得近似90°的电压、电流波形相位差,信号源的频率应:A:适当增大信号源的频率;B:适当减小信号源的频率;C:调节信号源的频率不会影响相位差的测试;D:以上措施都不会改善测量结果答案: 适当增大信号源的频率;2、采用课程实验方案测量电容元件的电压电流相位关系时,示波器测量波形如图所示,下面哪种说法正确:A:CH1通道为取样电阻的电压信号, CH2通道为信号源信号;B:CH1通道为信号源信号, CH2通道为取样电阻的电压信号;C:CH2通道为电容元件的电压信号, CH1通道为取样电阻的电压信号;D:无法判断答案: CH1通道为信号源信号, CH2通道为取样电阻的电压信号;3、测量示波器相位差时显示的两路波形如图所示,为了能正确测量,应适当调节面板中哪个旋钮:A:A;B:B;C:C;D:D答案: A;4、测量示波器相位差时显示的两路波形如图所示,为了减小读数误差,需要适当应适当调节面板中哪个旋钮 :A:A;B:B;C:C;D:D答案: D5、采用课程实验方案正确测量元件的电压电流相位关系时,示波器测量波形如图所示,由此可以判断当前测试的是哪种元件:A:电感;B:电容;C:电阻;D:无法判断答案: 电阻;实验3 一阶RC电路频率特性研究一阶RC电路频率特性研究1、关于一阶RC低通滤波器的截止频率fc,如下描述中哪一项是正确的?A:电阻保持不变,减小电容值, fc降低B:电阻保持不变,增大电容值, fc降低C:截止频率处的输出电压是最大输出电压的50%D:低通滤波器的带宽是fc ~∞答案: 电阻保持不变,增大电容值, fc降低2、根据一阶RC低通滤波器的相频特性公式,随着频率从低到高,相位差的正确变化规律是:A:从0°~ -90°B:从0°~90°C:从-45°~+45°D:从0°~-180°答案: 从0°~ -90°3、测试低通滤波器的幅频特性曲线时,此处假设截止频率是大于500Hz的,如下哪种说法不正确:A: 测试过程中保持电路的输入信号幅度一致B:在大于20Hz的较低频率处找到最大输出电压后,再以此为参照开始测试C: 以输入电压为参照,调节频率至输出电压下降3dB就是截止频率D:在各个频率点测试时,应当保证测试输出电压的毫伏表的指针偏转超过刻度线的⅓答案: 以输入电压为参照,调节频率至输出电压下降3dB就是截止频率。
第1章检测题(共100分,120分钟)一、填空题:(每空0.5分,共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN 结形成。
5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
二、判断正误:(每小题1分,共10分)1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
(错)2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
(对)3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。
《电子技术基础》项目1练习
一、填空题:
1、按物质导电性能的不同,物质可分为、和三类。
2、不含杂质的纯净半导体称为半导体,主要靠电子导电的半导体称为型半导体或型半导体;主要靠空穴导电的半导体称为型半导体或
型半导体。
3、当N型半导体和P型半导体紧密结合在一起时,在其交界处形成一个特殊的带电薄层,称为。
4、在PN结两端加电压,如果使P区接电源极,N区接电源极,称为正向偏置;如果将P区接电源极,N区接电源极,称为反向偏置。
5、PN结加偏压时导通,加偏压时截止,这就是PN结的性。
6、二极管具有性,正是因为内部有一个。
7、二极管正向导通时,管的正向压降为0.2~0.3V,管的正向压降为0.6~0.8V。
8、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量,若两次读数都为∞,则此二极管,若两次读数都接近于0,则此二极管,若一次读数很大,一次读数很小,则此二极管。
9、加在二极管两端电压与流过它的电流两者不成比例关系,因此具有特性,其伏安特性曲线可分为四个不同的工作区:区、区、区和区。
10、加在二极管两端的反向电压超过U R时,二极管将被,流过二极管的正向电流长时间超过I F时,二极管将被。
11、稳压二极管一般工作在状态,所以稳压二极管的工作范围一般应位于其伏安特性曲的区。
其两端的电压称为_______。
12、变容二极管工作在时结电容显著,其电容量的大小与有关。
二、选择题:
1、在N型半导体中()
A、只有自由电子
B、只有空穴
C、有空穴也有自由电子
D、以上答案都不对
2、空穴和电子数目相等且数量极少的半导体是()。
A.纯净半导体B. 杂质半导体 C. P型半导体 D . N型半导体
3、PN结的基本特性是( )
A . 放大
B . 稳压
C . 单向导电性
D . 伏安特性
4、当反向电压增大到一定数值时,二极管反向电流突然增大这种现象称为( )
A. 正向稳压
B. 正向死区 C . 反向截止D. 反向击穿
5、需要工作在正向电压下的特殊二极管是( )
A . 稳压二极管
B . 光电二极管
C . 发光二极管 C 变容二极管
6、稳压值为6V的稳压二极管,温度升高,稳压值:()
A.略有上升 B.略有降低 C.基本不变 D.根据情况而变
7、光电二极管当受到光照时电流将( )
A 不变
B 增大
C 减小
D 都有可能
8、当锗晶体二极管加上0.3V正向电压时,该管状态为()
A、导通
B、截止
C、放大
D、饱和
三、判断题:
1、所有二极管和稳压二极管正常工作时,都必须将管子正极接电源正极,负极接电源负极。
()
2、所有二极管都不能正常工作在击穿区。
()
3、加在稳压二极管上的反向电压不允许超过击穿电压。
()
4、普通二极管可作为稳压管使用。
()
5、在某些场合,可将硅稳压管加正向偏压,取得0.7V左右的稳压值。
()
6、光敏二极管和稳压二极管一样,也是在反向电压下工作的。
()
7、本征半导体中存在两种载流子:自由电子和空穴,且二者数量几乎相等。
()
8、二极管击穿后一定损坏。
()
9、二极管的反向饱和电流是衡量二极管质量优劣的重要参数,其值越小,二极管质量越好。
()
10、二极管加正向电压一定导通,加反向电压一定截止。
()
11、理想二极管正向电压为0,正向电阻为0,反向电流为0,反向电阻为∞。
()
四、简答分析题:
1、二极管电路如图所示,试判断图中二极管是导通还是截止,并求出A、O两端间的电压uAO(设二极管的正向电压降和反向电流均可忽略)。
(a)(b)
2、分析如图各硅稳压管组成的电路是否可稳压,若可稳压,稳压值是多少?(设U Z=6V)
U0
(a) (b)
(c) (d)
3、将稳压值分别为6V和8V的两只稳压管串联,你能得到几种稳压值?试画图说明。
五、实验题:
1、请叙述判断二极管极性和质量优劣的方法。
2、二极管伏安特性曲线的测试:
(1)写出实验所需的仪器,仪表及主要元器件
(2)请画出实验所用的电路图
(3)以硅材料为例画出二极管伏安特性曲线。