模拟电子技术试卷B答案
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一、填空题(1-20题。
每小题有3个选项,其中只有一个是正确的,请并将其代号填写在题中括号内,每小题1分,共20分。
)1.三端集成稳压器CXX7805的输出电压是()。
A 5vB 9vC 12v2. 测某电路中PNP三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是()。
A (E、C、B)B (C、B、E)C (B、C、E)3. 三极管的反向电流I CBO是由()组成的。
A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子4. 反映场效应管放大能力的一个重要参数是()。
A输入电压 B 击穿电压 C 跨导5. 引入并联负反馈,可使放大器的()。
A. 输出电压稳定B.反馈环内输入电阻增加C. 反馈环内输入电阻减小6.差分放大电路是为了()而设置的。
A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移7. LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()之间变化。
A、0~20B、20~200C、200~10008.通用型集成运放的输入级通常采用()电路。
A. 差分放大B. 基本共射极放大C.电流源9.交流负反馈是指()。
A. 只存在于阻容耦合电路中的负反馈B. 交流通路中的负反馈C.放大正弦信号时才有的负反馈10.共集电极放大电路的负反馈组态是()。
A、电压串联负反馈B、电流串联负反馈C、电压并联负反馈11. 典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数( )。
A.变大B.变小C.不变12.某滤波器的通带增益为0A ,当0f →时,增益趋向于零;当f →∝时,增益趋向于0A ;那么,该滤波器具有( )特性。
A. 高通B.低通C.带通13.实际上,乙类互补推挽功放电路中的交越失真就是( )。
A.幅频失真B.饱和失真C.截止失真14.桥式整流电路如图1.14所示,流过二极管的平均电流为( )mA 。
图1.14A. 4.5B. 9 D. 14.1415.在正弦振荡电路中,能产生等幅振荡的幅度条件是( )。
《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1.P型半导体掺入三价元素,多子是自由电子,少子是空穴。
2.PN结主要特性是具有单向导电性,即正导通,反向截止。
3.三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。
4.在模拟放大电路中,三极管一般工作在输出特性的放大区;在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区,此时也称它工作在开关状态。
5.幅度失真和相位失真统称为频率失真,它属于线性失真。
6.功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率,乙类功率放大电路的效率最高。
7.放大电路中为了稳定静态工作点,应引入a(a.直流负反馈,b.交流负反馈)。
8.三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。
9.分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用,其原理是构成电压串联负反馈。
10.集成运算放大器是直接耦合放大电路。
集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端,前者的极性与输出端同相;后者的极性同输出端反相。
11.根据MOS管导电沟道的类型,可分为PMOS和NMOS型。
二、单项选择题(每题2分,共20分,将答案填在下表中)1.常温下,硅二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V;锗二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V。
CA) 0.3,0.5,0.5,0.7 B) 0.5,0.7,0.3,0.5C) 0.5,0.7,0.1,0.2 D) 0.3,0.5,0.1,0.22.下图中的3种特性曲线,依次属于哪种场效应管?正确的说法是( D )A) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;N沟道结型3.在共射基本放大电路中,当β一定时,在一定范围内增大I E,电压放大倍数将(A)A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4.如图所示差分放大电路中,为提高抑制零点漂移的能力,试问采用下列( B )措施好。
模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。
5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。
6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V;若u i1=1500µV, u i2=500µV,则差模输入电压u id为µV,共模输入信号u ic为µV。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。
10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE的变化情况为()。
A.β增加,I CBO,与u BE减小 B. β与I CBO增加,u BE减小C.β与u BE减小,I CBO增加 D. β、I CBO与u BE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比K CMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术-题库1、半导体材料制作电子器件的原因是半导体材料具有热敏性、光敏性和掺杂性。
答案:正确2、本征半导体是纯净的半导体单晶答案:正确3、在T=0K时,本征半导体中有自由电子答案:错误4、在T>0或者有光照时,本征半导体产生本征激发答案:正确5、本征激发要释放能量答案:错误6、复合是本征激发的逆过程,复合要释放能量。
答案:正确7、在半导体内部,复合和本征激发同时存在。
答案:正确8.半导体中的载流子为空穴和()。
A、负离子B、自由电子C、价电子答案: B9、N型半导体是由本征半导体掺杂制成的,掺入的是三价的杂质。
答案:错误10、N型半导体的多数载流子是自由电子,所以N型半导体显示负电性。
答案:错误11、N型半导体的内部掺杂了()。
B、 Be元素答案: A12、P型半导体的内部掺杂了()。
A、 P元素B、 Be元素答案: B13、漂移是由于()在内电场的作用下形成的。
A、少数载流子B、多数载流子C、正离子D、负离子答案: A14、PN结正向导通时电压所加的方向为( )A、 P正N负B、 P负N正答案: A15、当PN结加反向电压时,PN结()A、变宽B、变窄C、不变D、无法确定答案: A16、PN结外加正向电压时,扩散电路()漂移电流A、大于B、小于C、等于答案: A17、二极管的反向击穿时的电压被称为()A、击穿电压B、死区电压答案: A18、Si二极管的正向导通压降为()A、 0.6V~0.8V,工程上习惯取0.7答案: A19、二极管反向击穿后便不能正常使用。
答案:错误20、下列说法正确的是()。
A、 PN结正偏导通,反偏导通B、 PN结正偏截止,反偏导通C、 PN结正偏导通,反偏截止D、 PN结正偏截止,反偏截止答案: C21、在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而()。
A、增大B、不变C、减小D、不确定答案: A22、二极管两端电压大于()电压时,二极管才导通。
《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级:姓名总分:一、填空(每空1分,共15分)1. 二极管最主要的特性是(),它的两个主要参数是反映正向特性的()。
2. 三极管工作在三个区域的条件是:放大区(),饱和区()截止区()。
3. 场效应管从结构上分成()和()两大类型,它属于()控制型器件。
4. 集成运算放大器是一种采用()耦合方式的放大电路,最常见的问题是()。
5. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的()作用和对共模信号的()作用。
6. 小功率直流稳压电源由变压器、()、()、()四部分组成。
二、选择题(每空2分,共10分)1. 在图示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V,则()。
A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以()。
A. 减小温漂B.增大放大倍数C. 提高输入电路D. 减小噪声3. 欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入()负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联4. 欲实现Au=-100的放大电路,应选用()电路。
模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题(共80题,每题1分,共80分)1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案:C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案:C3、为了提高交流放大电路的带负载能力,应选用( )作为输出级。
A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案:C4、功率放大电路的转换效率是指( )。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案:B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时,获得的结果差异较大,这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案:B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。
A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案:A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。
A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案:D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。
稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案:A10、安装桥式整流电路时,若将其中一只二极管虚焊,则通电工作时可能产生的后果是( )。
A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案:B11、在固定偏置放大电路中,如果负载电阻增大,则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案:C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
大工23春《模拟电子技术》在线作业1-00001试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)1.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
<A>项.NPN型锗管<B>项.PNP型锗管<C>项.PNP型硅管<D>项.NPN型硅管<正确答案>:B2.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
<A>项.处于饱和状态<B>项.处于放大状态<C>项.处于截止状态<D>项.已损坏<正确答案>:B3.温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。
<A>项.增大<B>项.减小<C>项.不变<D>项.不确定<正确答案>:B4.关于BJT的结构特点说法错误的是()。
<A>项.基区很薄且掺杂浓度很低<B>项.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度<C>项.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度<D>项.集电区面积大于发射区面积<正确答案>:C5.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
<A>项.同相<B>项.反相<C>项.相差90°<D>项.不确定<正确答案>:A6.三级放大电路中,各级的放大倍数均为10,则电路将输入信号放大了()倍。
<A>项.10<B>项.30<C>项.100<D>项.1000<正确答案>:D。
模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是___________ 。
2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。
3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。
4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。
5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。
6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,V,则这只三极管是( )。
A.NPN 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。
A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。
A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。
B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。
C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。
D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。
A.输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。
A.减小C,减小Ri B.减小C,增大RiC.增大C,减小Ri D.增大C,增大Ri6.如图所示复合管,已知V1的b1 = 30,V2的b2 = 50,则复合后的 b 约为( )。
模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空(20分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。
A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。
A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。
A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。
A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。
A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。
A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a .不用输出变压器b .不用输出端大电容c .效率高d .无交越失真 8.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。
a .正向导通区 b .反向截止区 c .反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点:( B )。
A. 开环差模增益A u d =∞,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0,差模输入电阻R i d =∞,输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0,差模输入电阻R id =∞,输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下,若引入反馈后( D ) ,则说明引入的是负反馈。
《模拟电子技术》试卷及答案(本题共5小题,每小题4分,共20 分)一、填空题1.多级放大电路常见的三种耦合方式中,若要求各级静态工作点互不影响,可选用耦合方式;若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号,可选用耦合方式;若要求能实现阻抗变换,使负载与输出级阻抗相匹配,可选用耦合方式。
2. 某放大电路中,晶体管三个电极的电流测出分别为:I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。
由此可知:电极1是极,电极2是极,电极3是极。
若已知I1电流方向流入晶体管,则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。
3. 硅二极管导通压降的典型值是V、锗二极管导通压降的典型值是V;NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管;PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同,其中饱和失真和截止失真属于失真;幅频失真和相频失真属于失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小,称为反馈;若反馈量使放大电路的净输入量增大,称为反馈。
放大电路通常采取反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件;串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态;开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。
(本题共10小题,每小题1分,共10分)二、判断正、误题1. 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
()3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时,才能称为具有放大作用。
()4. 发光二极管正常工作在正向导通区,其导通压降为0.7V。
()5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管,复合管的类型取决于第一个管子的类型。
()6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。
()7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。
()8. 放大交流信号,只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。
《电力电子技术》模拟试卷(B)一、是非题(是画√,非画X):每空1分,总计15分1、额定电流为100A的双向晶闸管与额定电流为50A两只反并联的普通晶闸管,两者的电流容量是相同的。
()2、对于门极可关断晶闸管,当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通,当门极加上足够的负触发脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。
()3、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流,称为该管的维持电流。
()4、晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门极断开和正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。
()5、在规定条件下,不论流过晶闸管的电流波形如何,也不论晶闸管的导通角是多大,只要通过管子的电流的有效值不超过该管额定电流的有效值,管子的发热就是允许的。
()6、无源逆变是将直流电变换为某一频率或可变频率的交流电供给负载使用。
()7、正弦波脉宽调制(SPWM)是指参考信号为正弦波的脉冲宽度调制方式。
()8、在SPWM调制方式的逆变器中,只要改变参考信号正弦波的幅值,就可以调节逆变器输出交流电压的大小。
()9在SPWM调制方式的逆变器中,只要改变载波信号的频率,就可以改变逆变器输出交流电压的频率()10、晶闸管整流电路中的续流二极管只是起到了及时关断晶闸管的作用,而不影响整流输出电压值及电流值。
()11、若加到晶闸管两端电压的上升率过大,就可能造成晶闸管误导通。
()12、斩波器的定频调宽工作方式,是指保持斩波器通断频率不变,通过改变电压脉冲的宽度来使输出电压平均值改变。
()13、电流型逆变器抑制过电流能力比电压型逆变器强,适用于经常要求起动、制动与反转拖动装置。
()14、三相桥式全控整流大电感负载电路工作于整流状态时,其触发延迟角 的最大移相范围为0°~90°。
()15、逆变器是一种将直流电能变换为交流电能的装置。
()二、选择题(将正确答案的序号填入空格内):每空1.5分,总计30分1、双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号。
专科《模拟电子技术》模拟题试卷一. (共60题,共150分.1.理想的功率放大电路应工作于.)状态.(2分.A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案: C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于.)处将产生顶部失真.(2分.A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案: A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是.)接法.(2分.A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案: B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时, 应采用的最佳滤波电路是.).(2分.A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案: C5.为了提高电压放大倍数, 希望放大电路的.)大一些.(2分.A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案: D6.当PN给外加反向电压时, 其内部的扩散电流将.)漂移电流。
此时, 耗尽层的宽度将.).(2分.A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案: C7.差动放大电路的特点是抑制.)信号, 放大.)信号.(2分.A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案: B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位.).(2分.A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案: A9.直流电源滤波的主要目的是: .).(2分.A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案: D10.电路如图所示。
若V1管正负极接反了, 则输出.). (2分.A.只有半周波形B.全波整流波形, 但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案: D11.双极型三极管是控制器件, 当其工作在放大区时发射结需要加偏置, 集电结需要加偏置。
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共10分)1. 模拟电路中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:D2. 在理想运算放大器中,输入阻抗是:A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案:B3. 晶体管的放大作用主要取决于其:A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案:C4. 以下哪种波形不是周期性波形?A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案:D5. 在运算放大器电路中,虚短是指:A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案:A二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 以下哪些是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案:ACD2. 运算放大器的典型应用包括:A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案:ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括:A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力?A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案:ABD5. 在模拟电路中,负反馈的作用包括:A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案:ABD三、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电路中,信号的放大是通过________来实现的。
答案:晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案:零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案:电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流(DC)到________赫兹。
答案:几十兆5. 在模拟电路设计中,________是用来减少信号失真的。
答案:负反馈四、简答题(每题5分,共20分)1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
《模拟电子技术》试题一、填空题(每空1分,共20分)1、如果按结构分类,二极管可分为型和型两种类型.2、BJT工作在截止区时,其发射结处于偏置,集电结处于偏置.3、电压射极输出器的输出电阻R0的值越好。
4、为消除乙类功放的交越失真,给BJT发射结加一定的偏压,使Q点上移,摆脱电压的影响。
这时,电路工作在状态。
5、互补对称功放采用类型的两个BJT组成推挽输出器,在输入交流信号作用下,两管工作,为使输出电压波形对称,要求两管的性能。
6、双端输出差动放大器在电路完全对称时,其共模增益为,共模抑制比为。
7、运算放大器的输出电阻越小,它带负载的能力,如果是恒压源,带负载的能力.8、深度负反馈是指,负反馈深度等于。
9、正弦波振荡器主要由电路、电路和电路三部分组成。
二、判断题(每小题1分,共10分)1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的,因而它的电阻率很高。
()2、集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。
()3、BJT的β值越大,放大能力越强,但在选用BJT时,并不是β值越大越好。
()4、集电极电阻R C的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化,实现电压放大。
因此, R C的值越大,输出电压越高。
( )5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区,则不论输入什么信号,都不会产生非线性失真。
()6、分压偏置电路的发射极电阻R e越大,工作点稳定性越好.但R e过大,会使BJT的V CE减小,影响放大器的正常工作。
()7、射极输出器的输入电流是I B,输出电流是I E,因此,具有较高的电流放大倍数。
()8、在OTL 功放电路中,输出耦合电容的主要作用是“隔直”,防止直流经负载短路.()9、在运放电路中,闭环增益A F是指电流放大倍数。
()10、只要满足AF=1,ϕa+ϕf=2nπ这两个条件,就可以产生正弦波振荡.三、选择题(每小题1分,共10分)1、PN结在外加正向电压的作用下,扩散电流()漂移电流。
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。
2、漂移电流是温度电流,它由少数载流子形成,其大小与温度有关,而与外加电压无关。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为0,等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为无穷,等效成断开;4、三极管是电流控制元件,场效应管是电压控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变小,发射结压降不变。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用电压并联负反馈,为了稳定交流输出电流采用串联负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/(1/A+F),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=fH –fL,1+AF称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为差模信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真,而采用甲乙类互补功率放大器。
13、OCL电路是双电源互补功率放大电路;OTL电路是单电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1,输入电阻大,输出电阻小等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制零点漂移,也称温度漂移,所以它广泛应用于集成电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅,未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为载波信号。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy,电路符号是。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在( B )状态,但其两端电压必须( C ),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于( F )状态。
试卷总分:100 得分:98一、单选题(共20 道试题,共40 分)1.通用型集成运放的输入级多采用()。
A.共基接法B.共集接法C.共射接法D.差分接法正确答案:D2.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(),此时应该减小偏置电阻。
A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.阶跃失真正确答案:B3.集成运放的互补输出级采用()。
A.共基接法B.共集接法C.共射接法D.差分接法正确答案:B4.为了使放大器带负载能力强,一般引入()负反馈。
A.电压B.电流C.串联D.并联正确答案:A5.振荡器的输出信号最初由()而来的。
A.基本放大器B.选频网络C.输入电流D.干扰或噪声信号正确答案:D6.为了减小输出电阻,应在放大电路中引入()。
A.电流负反馈B.电压负反馈C.直流负反馈D.交流负反馈正确答案:B7.测量脉冲电压(例如尖脉冲)的峰值应使用()。
A.交流毫伏表B.直流电压表C.示波器D.滤波器正确答案:C8.共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路()能力。
A.放大差模抑制共模B.输入电阻高C.输出电阻低D.输出电阻高正确答案:A9.稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须大于它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于截至状态。
A.正偏B.反偏C.大于D.小于正确答案:B10.一个平衡PN结,用导线将P区和N区连起来,而导线中()。
A.有微弱电流B.无电流C.有瞬间微弱电流D.有强电流正确答案:B11.LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()之间变化。
A.0~20B.20~200C.200~1000。
专升本《模拟电子技术》一、(共48题,共150分)1. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。
(2分)A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.晶体管结电容不确定性标准答案:C2. 稳压二极管的有效工作区是( )。
(2分)A.正向导通区B.反向击穿区C.反向截止区D.死区标准答案:B3. 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为( )。
(2分)A.放大状态B.微导通状态C.截止状态D.饱和状态标准答案:D4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。
(2分)A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容D.不易制作大阻值的电阻标准答案:C5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的( )。
(2分)A.抑制共模信号能力增强B.差模放大倍数数值增大C.差模输入电阻增大D.差模输出电阻增大标准答案:A6. 半导体中PN结的形成主要是由于()生产的。
(2分)A.N区自由电子向P区的扩散运动B.N区自由电子向P区的漂移运动C.P区自由电子向N区的扩散运动D.P区自由电子向N区的漂移运动标准答案:A7. 理想的功率放大电路应工作于( )状态。
(2分)A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补标准答案:C8. NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。
(2分)A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区标准答案:A9. 当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时,应采用的最佳滤波电路是( )。
(2分)A.低通B.高通C.带通D.带阻标准答案:C10. 差动放大电路的特点是抑制( )信号,放大( )信号。
(2分)A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模标准答案:B11. 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
(2分) ( ) 标准答案:正确12. 未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。
1、填空题(0.5分×20=10分)
(1)N型半导体中有 2 种载流子,其中自由电子是多子。
(2)共集电极放大电路的信号是从基极输入,从发射极输出,输入与输出的相位关系是同相关系。
(3)场效应晶体管可以分为两大类:分别是结型(FJFET)和绝缘栅型(IGFET)。
(4)集成运算放大器的输入极一般采用差分放大电路电路,输出级一般采用功率放大电路电路。
(5)使输入电阻增大的是串联负反馈,使输出电阻减小的是电压负反馈。
(6)根据通带和阻带所处的频率区域不同,一般将滤波器分成4类,分别是高通
,低通,带通和带阻。
(7)正弦波自激振荡的幅度平衡条件和相位平衡条件分别是AF=1 和ψA+ψF=2nπ,n=0,±1,…。
(8)乙类功率放大电路容易产生的失真称为交越(非线性)失真。
(9)直流稳压电路中,滤波电路的作用是将脉动的直流电压变换为平滑的直流电压。
(10)单相桥式整流电路的输出直流电压和变压器副边电压的有效值之间的关系是0.9 ,每个二极管的最高反向电压和变压器副边电压的有效值之间的关系为 1.414 。
2、选择题(3分×5=15分)
(1)某放大电路在负载开路时的输出电压为6V,当接入2K欧姆的负载后,其输出电压为4V,这表明该放大电路的输出电阻是(C )
A.10K B. 2K C. 1K D.0.5K
(2)电路如图1所示,若不慎将旁路电容Ce断开,则(C )
A.不仅影响静态工作点,而且影响电压增益
B. 只影响静态工作点,但不影响电压增益
C. 不影响静态工作点,只影响电压增益
D. 不影响静态工作点,页不影响电压增益
图1 共射放大电路
(3)在互补对称功率放大电路中,引起交越失真的原因是(D )
A.输入信号过大 B. 晶体管β值太大 C. 电源电压太高 D.晶体管输入特性的非线性
(4)双端输出的差分放大电路能抑制零点漂移的主要原因是(B )
A.电压增益高 B. 电路的结构和参数对称性好
C. 输入电阻大
D. 采用双电源
(5)负反馈所能抑制的干扰和噪声是(B)
A.输入信号中所包含的干扰和噪声 B. 反馈闭环内的干扰和噪声
C. 反馈闭环外的干扰和噪声
D.输出信号中的干扰和噪声
3、运算放大器分析与设计(10分×2=20分)
(1)由理想运算放大器组成的电路如图2所示,u1和u2为两路输入信号,uo为输出信号,试写出该电路输出uo与两输入信号之差(u1-u2)的关系表达式。
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图2
(10分)
(2)利用理想运放,试设计满足以下两种函数关系的运算电路。
①i o u u =
②321432i i i o u u u u -+=
(5分)
(5分)
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4、功率放大电路分析(10分)
功率放大电路如图3所示,已知Ucc=9V ,-Vcc=-9V ,RL=8欧姆,管子的饱和压降Uces=1V ,试求改电路的最大输出功率、最高效率和最大管耗。
图3
om cc ces U V U =- 2
42om om L
U P W R ==(5分)
2 5.7cc om
v L
V U P W R π==
470%5.7
o v P P η=
==(3分) 0.4 1.6Tm om P P W ==(2分)
5、负反馈电路分析(5+5=10分)
放大电路如图4所示,试判别反馈的极性和组态,若是负反馈,请按深度负反馈估算其电压增益。
图4
(a ) 电流串联负反馈(5分)
i f
U U = e 11e R R o f c f U U R R R R =-++ 1e 1e
(R )R c f o uf i R R R U A U R ++=
=- (b )正反馈(5分)
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6、某共射极放大电路的幅频特性如图5所示,试写出其上限截止频率,下限截止频率并计算其中频电压放大倍数。
(5分)
图5
20L z f H = 6
210H f H z
=⨯ 20lg 40u A = 100u
A = (5分)
7、放大电路分析(20分)
放大电路如图6所示,硅三极管的β=50,试解答: (1) 静态工作点
(2) 画出简化的H 参数微变等效电路 (3) 计算输入电阻和输出电阻 (4) 计算电压增益
图6
8、技能题(10分)
试设计一能求出某电路输入电阻和输出电阻的试验。
要求:
(1)列出试验器材;
(2)画出原理电路;
(3)描述试验步骤;
(4)设计试验表格并说明数据处理过程。
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