第2章 无限大均匀各向同性介质中的光波场II
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绪论单元测试1.电磁场的发展经历了()个阶段。
A:3B:2C:1D:4答案:A2.()测定了电荷量。
A:库伦B:安培C:杜菲D:富兰克林答案:A3.力线可以交叉。
()A:对B:错答案:B4.奥斯特发现了电流的磁效应。
()A:对B:错答案:A5.麦克斯韦证明了电磁波的存在。
()A:对B:错答案:B第一章测试1.梯度是最大的方向导数。
()A:错B:对答案:B2.闭合面内的通量就是面内包含的场的总和。
()A:对B:错答案:B3.矢量场_的散度恒为零。
()A:散度B:通量C漩度D:梯度答案:C4.如果矢量场的任意闭合回路的环流恒为零,称该矢量场为无旋场,又称为O()A:保守场B:散度场C:流量场D:环流场答案:A5.在有界区域,矢量场不但与该区域中的散度和旋度有关,还与区域边界上矢量场的切向分量和法向分量有关。
()A:错B:对答案:B第二章测试1.基于电磁学三大定律,麦克斯韦提出的两个基本假设是()。
A:有旋磁场B:有旋电场C:位移电流D:位移磁流答案:BC2.高斯定理表明,空间任一点电场强度的散度与该处电荷密度有关,静电荷是静电场的通量源。
而对电场强度求旋度可知静电场是无旋场。
()A:错B:对答案:B3.磁感应强度的单位是特斯拉,可由已知电流分布通过积分计算。
()A:对B:错答案:A4.电位移矢量穿过任一闭合曲面的通量为该闭合曲面内自由电荷的代数和。
()A:对B:错答案:A5.感应电流的磁通总是对原磁通的变化起到引导作用。
()A:对B:错答案:B第三章测试1.()为静态场边值问题的各种求解方法提供了理论依据。
A:电荷守恒定律B:镜像法C:唯一性定理D:亥姆霍兹方程答案:C2.点电荷与无限大电介质平面的镜像电荷有()个。
A:2B:1C:0D:3答案:A3.静电场能量来源于建立电荷系统的过程中电荷提供的能量。
()A:对B:错答案:B4.穿过回路的磁通量与回路中电流的比值称为电感。
()A:错B:对答案:B5.恒定电场中,导体表面不是等位面。
第二章静电场重点和难点电场强度及电场线等概念容易接受,重点讲解如何由物理学中积分形式的静电场方程导出微分形式的静电场方程,即散度方程和旋度方程,并强调微分形式的场方程描述的是静电场的微分特性或称为点特性。
利用亥姆霍兹定理,直接导出真空中电场强度与电荷之间的关系。
通过书中列举的4个例子,总结归纳出根据电荷分布计算电场强度的三种方法。
至于媒质的介电特性,应着重说明均匀和非均匀、线性与非线性、各向同性与各向异性等概念。
讲解介质中静电场方程时,应强调电通密度仅与自由电荷有关。
介绍边界条件时,应说明仅可依据积分形式的静电场方程,由于边界上场量不连续,因而微分形式的场方程不成立。
关于静电场的能量与力,应总结出计算能量的三种方法,指出电场能量不符合迭加原理。
介绍利用虚位移的概念计算电场力,常电荷系统和常电位系统,以及广义力和广义坐标等概念。
至于电容和部分电容一节可以从简。
重要公式真空中静电场方程:E d S q积分形式: E d l 0S l微分形式:E E 0已知电荷分布求解电场强度:1,E(r)( r ) ;1( r) ( r ) d V4 0V | r r|(r)( r r)2,E(r) d VV 4 0| r r|33,E d S q高斯定律S介质中静电场方程:积分形式:D d S q E d l0S l微分形式:D E0线性均匀各向同性介质中静电场方程:积分形式:E d S qE d l 0S l微分形式:E E0静电场边界条件:1,E1 t E 2 t。
对于两种各向同性的线性介质,则D1t D2 t122,D2 n D 1n s 。
在两种介质形成的边界上,则D1 n D2 n对于两种各向同性的线性介质,则1 E1 n 2E2 n3,介质与导体的边界条件:e n E0 ;e n D S若导体周围是各向同性的线性介质,则E n S;Sn 静电场的能量:1 Q21孤立带电体的能量: W e Q2 C2离散带电体的能量: W e n1i Q i i 12分布电荷的能量:W e11S d S1V 2d V l d lS 2l 21静电场的能量密度:w e D E212对于各向同性的线性介质,则w e E2电场力:库仑定律: Fq q2err4常电荷系统: Fd W eq 常数d ldW e常电位系统: F常数d l题解2-1 若真空中相距为d的两个电荷q1及q2的电量分别为q点电荷q 位于q1及q2的连线上时,系统处于平衡状态,试求及 4 q ,当q的大小及位置。