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利用磁环设计电感（choke）的简易步骤！开关电源中，电感的设计也是一个关键步骤，通常电感采用开气隙的铁氧体或者其它材质的磁环来制作。
而利用磁环设计的电感，由于其良好的软饱和特性在开关电源中应用广泛。
目前常见的磁环有，铁粉芯，Koolmu，High flux，mpp等材质，后三种是最近出现的。
特别Koolmu，是magnetics公司力推用来取代铁粉芯的产品。
现以koolmu为例子来设计一个电感第一步，选定磁芯：根据需要的电感量L，和通过电感的最大电流I，算出LI2，根据下图，利用对角曲线和垂直于X轴的直线的交点，找到合适的型号。
比如L=1mH,I=1A.则LI2=1，从曲线上看并无合适的型号，那么往大点取，可以取90u范围中的77314。
第二步，计算绕组匝数：找到77314的电感系数为65nH,那么1mH就需要124匝。
第三步，核算电感量：对于磁环构成的电感，有一个特点就是磁环的磁导率会随着直流励磁强度明显下降。
也就是一个已经设计好的电感，其电感量会随着通过电感的电流增大而减小。
上图为koolmu磁导率和直流励磁强度之间的曲线图。
其中DC magnetizing force=0.4piNI/le其中le为磁路长度，单位为cm。
比如77314的le=5.67cm 那么DCmf=27.5 oersteds那么核对上面的曲线，发现当通过1A电流时候，也就是最大励磁的时候，此时u为初始u值得70%，也就是此时实际电感为0.7mH.对于koolmu，最大励磁下u值在初始u值得的0.5~0.8的范围内都是比较合理的。
第四步，决定线径，当然这个根据电流来决定，而电流密度的选择和散热环境有很大关系。
当然，有时一次计算无法决定最佳设计，可以反复计算，找到最佳设计。
而更具体的设计方法，可以参考magnetics的官网资料。
环形电感的相关设计概念以及计算
参数说明：
1．峰值指的是每一个磁极顶点的磁感值，单位为kGs（千高斯），1kGs=0.1T（特斯拉）。
磁环有多少个磁极，就有多少个峰值，正峰代表N极，负峰代表S极。
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2．角度指的是每一个磁极顶点相对于本磁极起始零点的度数。
3．面积指的是每一个磁极的磁感波形与角度坐标之间所包围的面积，单位为T度，即：特斯拉×角度。
其物理意义表示为磁感对角度的积分。
总面积是所有磁极面积的代数和。
4．宽度指的是每一个磁极的起始零点与结束零点之间所占的度数。
5．半高宽指的是每一个磁极的二个50%峰值点之间所占的度数。
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6．夹角指的是每一个磁极的峰值角度相对于前一个磁极的峰值角度的度数。
7．08夹角指的是每一个磁极的二个80%峰值点的中点与前一磁极的相同点之间的度数。
8．最大值、最小值、平均值、标准偏差：按数学定义，在测试报告中对所有N极和S极分别计算；在软件极坐标界面中，不区分N极和S极，对所有磁极进行计算。
9．累计误差：对每一个参数，根据其最大值和最小值来计算，累计误差=100×（最大值-最小值）/最小值。
10．峰值极间误差：指相同极性的相邻磁极间峰值偏差的最大值。
磁性材料术语解释及计算公式磁性材料术语解释及计算公式起始磁导率µi初始磁导率是磁性材料的磁导率（B/H ）在磁化曲线始端的极限值，即µi =01µ× H B ?? ()0→?H式中µ0为真空磁导率（m H /7104-?π） ?H 为磁场强度的变化率（A/m ）B 为磁感应强度的变化率（T ）有效磁导率µe在闭合磁路中，如果漏磁可忽略，可以⽤有效磁导率来表⽰磁芯的性能。
e µ =AeLe N L 20?µ 式中 L 为装有磁芯的线圈的电感量（H ）N 为线圈匝数Le 为有效磁路长度（m ）Ae 为有效截⾯积 (m 2)饱和磁通密度Bs （T ）磁化到饱和状态的磁通密度。
见图1。
HcH图 1剩余磁通密度Br（T）从饱和状态去除磁场后，剩余的磁通密度。
见图1。
矫顽⼒Hc（A/m）从饱和状态去除磁场后，磁芯继续被反向磁场磁化，直⾄磁感应强度减为零，此时的磁场强度称为矫顽⼒。
见图1。
损耗因⼦tanδ损耗系数是磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗三者之和。
tanδ= tanδh + tanδe + tanδr式中tanδh为磁滞损耗系数tanδe为涡流损耗系数tanδr为剩余损耗系数相对损耗因⼦ tanδ/µi⽐损耗因⼦是损耗系数与与磁导率之⽐：tanδ/µi（适⽤于材料）tanδ/µe（适⽤于磁路中含有⽓隙的磁芯）品质因数 Q品质因数为损耗因⼦的倒数: Q = 1/ tan δ温度系数αµ( 1/K)温度系数为T1和T2范围内变化时,每变化1K 相应的磁导率的相对变化量:αµ=112µµ-µ.12T T 1- 式中µ1为温度为T1时的磁导率µ2为温度为T2时的磁导率相对温度系数αµr(1/K)温度系数和磁导率之⽐，即αµr = 2112µµ-µ.12T T 1- 减落系数 DF在恒温条件下，完全退磁的磁芯的磁导率随时间的衰减变化，即 DF = 212 121µ1T T log µµ?- (T2>T1) µ1为退磁后T1分钟的磁导率µ2为退磁后T2分钟的磁导率居⾥温度Tc （℃）在该温度时材料由铁磁性（或亚铁磁）转变为顺磁性，见图2。
磁芯磁环的磁导率及计算公式洋通电子 nbs磁芯磁环的磁导率及计算公式?2011年02月20日测量单位由于历史的原因，在此手册中采用了CGS制单位，国际制（SI）和CGS制之间的转换可简化于下表2：表2单位转换表在CGS制自由空间磁导率的幅值为1且无量纲。
在SI制自由空间磁导率的幅值为4π×10-7亨/米3.3、电感对于每一个磁芯电感（L）可用所列的电感系数（AL）计算：(14)AL：对1000匝的电感系数 mHN：匝数所以：这里这里L是nH电感也可由相对磁导率确定，磁芯的有效参数见图 10:(15)Ae:有效磁芯面积 cm2:有效磁路长度 cmμ:相对磁导率（无量纲）对于环形功率磁芯，有效面积和磁芯截面积相同。
根据定义和安培定理，有效磁路长度是线圈的安匝数（NI）和从外径到外径穿过磁芯面积的平均磁场强度之比。
有效磁路长度可用安培定理和平均磁场强度给出的公式计算：(16)O.D. ：磁芯外径I.D. ：磁芯内径电感系数是用单层密绕线圈测量的。
磁通密度和测试频率保持与实际一样低，通常低于40高斯和10KHz或更低。
对于各种磁导率和材料，能用'正常磁导率对磁通密度关系'和'典型磁导率对频率关系'的图形来解释低电平测试的条件。
3.4、磁导率对于每一个磁芯尺寸的电感系数是建立在相对磁导率的增量上的。
在没有直流偏置和低磁通密度时，正常磁导率和增量磁导率是一样的。
增量磁导率随直流偏置一起减小的情况以及"增量磁导率对直流偏置"的曲线如图11所示。
由"增量磁导率对直流偏置" 曲线看到正常磁导率如同峰值磁导率B。
许多设计过程包括选择峰值工作磁通密度去帮助决定磁芯的尺寸。
磁材的饱和磁通密度限制了峰值工作磁通密度或被磁材的损耗所限制。
在选择磁材、工作磁通密度和决定磁芯的尺寸之后，法拉第定理（下面讨论）用于计算匝数N。
最后选择磁导率以满足电感的需要。
磁芯饱和电流计算公式磁芯饱和电流是指在给定的电磁铁结构中，磁芯达到饱和状态所需的电流值。
在磁芯饱和之前，外加的电流会使磁场强度线性增加，但当磁芯饱和后，进一步增加电流将不会使磁场强度继续增加。
磁芯饱和电流是设计电磁器件时的重要参数之一，可以用来确定电磁铁的承受能力或者反推出电磁铁的尺寸和材料。
1.长圆柱形磁芯对于长圆柱形磁芯，可以使用下述公式计算饱和电流:Is=(Bd*Hc)/(4*π*L)其中，Is表示磁芯饱和电流的密度，Bd表示磁芯的饱和磁感应强度，Hc表示磁芯材料的临界磁场强度，L表示磁芯长度。
2.长方形磁芯对于长方形磁芯，可以使用下述公式计算饱和电流:Is=(2*B*H)/(L+0.8*W)其中，Is表示磁芯饱和电流，B表示磁感应强度，H表示磁场强度，L和W表示磁芯的长度和宽度。
3.E形磁芯对于E形磁芯，可以使用下述公式计算饱和电流:Is = (Bd * D * (lh + lg)) / (2 * L)其中，Is表示磁芯饱和电流，Bd表示磁芯的饱和磁感应强度，D表示磁芯的有效截面面积，lh表示磁芯中心腿的长度，lg表示磁芯两侧腿的长度，L表示磁芯的长度。
需要注意的是，这些公式仅适用于简化了非线性磁滞和温度变化的情况。
在实际应用中，磁芯饱和电流的计算通常需要结合具体的磁芯材料和工作温度条件来进行。
此外，有一些通用的方法可以用于近似地估计磁芯饱和电流。
例如，可以通过在磁芯上施加不同的电流，从而测量磁感应强度-磁场强度曲线，并从中找出磁芯饱和电流所对应的点。
此外，也可以使用有限元分析方法来模拟磁芯的磁场分布，从而得出磁芯的饱和电流。
总之，磁芯饱和电流是设计电磁器件时一个重要的参数。
使用适当的计算公式和方法，可以帮助工程师们准确地预测磁芯的饱和电流，从而设计出性能更好的电磁器件。
电磁学相关计算公式电磁学相关计算公式1．磁通量与磁通密度相关公式：Ф= B * S⑴Ф ----- 磁通(韦伯)B ----- 磁通密度(韦伯每平方米或高斯) 1韦伯每平方米=104高斯S ----- 磁路的截面积(平方米)B = H * μ⑵μ ----- 磁导率(无单位也叫无量纲)H ----- 磁场强度(伏特每米)H = I*N / l ⑶I ----- 电流强度(安培)N ----- 线圈匝数(圈T)l ----- 磁路长路(米)2．电感中反感应电动势与电流以及磁通之间相关关系式：E L=⊿Ф/ ⊿t * N⑷E L= ⊿i / ⊿t * L⑸⊿Ф ----- 磁通变化量(韦伯)⊿i ----- 电流变化量(安培)⊿t ----- 时间变化量(秒)N ----- 线圈匝数(圈T)L ------- 电感的电感量(亨)由上面两个公式可以推出下面的公式：⊿Ф/ ⊿t * N = ⊿i / ⊿t * L 变形可得：N = ⊿i * L/⊿Ф再由Ф= B * S可得下式:N = ⊿i * L / ( B * S )⑹且由⑸式直接变形可得：⊿i= E L * ⊿t / L⑺联合⑴⑵⑶⑷同时可以推出如下算式:L =(μ* S )/ l * N2⑻这说明在磁芯一定的情况下电感量与匝数的平方成正比(影响电感量的因素)3．电感中能量与电流的关系：Q L = 1/2 * I2 * L ⑼Q L -------- 电感中储存的能量(焦耳)I -------- 电感中的电流(安培)L ------- 电感的电感量(亨)4．根据能量守恒定律及影响电感量的因素和联合⑺⑻⑼式可以得出初次级匝数比与占空比的关系式：N1/N2 = (E1*D)/(E2*(1-D)) ⑽N1 -------- 初级线圈的匝数(圈) E1 -------- 初级输入电压(伏特)N2 -------- 次级电感的匝数(圈) E2 -------- 次级输出电压(伏特)。
磁环选取计算公式磁环选取是指在电机、变压器等设备中设计合适的磁环尺寸以获得所需的磁性能。
磁环选取的主要目的是保证设备的高效率、稳定性和可靠性。
本文将介绍磁环选取的一般步骤和计算公式。
磁环选取的一般步骤如下：1.确定材料：选择适合应用的磁环材料，通常使用的材料有铁氧体、钕铁硼等。
材料的选择应考虑其磁导率、饱和磁强度和矫顽力等指标。
2.磁环尺寸初步估算：根据设备的特定要求，初步估算磁环的外径、内直径和高度等尺寸。
可以参考类似设备的经验数据或者使用一些简化的计算公式。
3.磁环截面积计算：根据设备的工作条件和需求，计算磁环的横截面积。
一般来说，磁环的横截面积越大，磁能就越大，但也会增加材料的成本和重量。
4.磁环回路长度计算：计算磁环内部的磁通回路长度。
根据设备的特点，选择合适的磁环形状（如环形、矩形等），并测量长度。
5. 磁通密度计算：根据设备的磁场要求，计算磁环的磁通密度。
磁通密度是指通过单位截面积的磁通量，通常用特斯拉（Tesla）或高斯（Gauss）表示。
6.磁场计算：根据磁通密度和磁环形状，计算磁场分布情况。
可以使用有限元软件或者磁场计算公式进行计算。
7.磁环材料选择：根据设备的特定要求，选择合适的磁环材料。
考虑到材料的性能和成本等因素，进行综合评估。
8.磁环尺寸优化：根据初步估算结果和磁环材料的选择，对磁环的尺寸进行优化。
优化的目标是尽可能满足设备的性能要求，同时尽量减小材料的成本和体积。
对于磁环选取中的磁通密度和磁通回路长度的计算，可以使用以下公式进行估算：磁通密度（B）=磁通量（Φ）/磁环横截面积（A）磁通回路长度（l）=磁环的周长其中，磁通量可以通过磁感应强度（B）和磁环横截面积（A）的乘积计算得到。
磁环选取的计算公式较为复杂，需要通过实际应用经验和一定的工程计算方法进行估算。
一些专业软件工具也可以辅助磁环选取的计算工作。
在进行磁环选取时，还需要考虑磁环的接口设计、焊接和组装工艺等方面的因素，以保证磁环的性能和可靠性。
磁芯电感的计算公式阻抗(ohm) = 2 * 3.14159 * F(工作频率) * 电感量(mH)，设定需用360ohm 阻抗，因此：电感量(mH)= 阻抗(ohm) ÷ (2*3.14159) ÷ F (工作频率) = 360 ÷ (2*3.14159) ÷ 7.06 = 8.116mH据此可以算出绕线圈数：圈数= [电感量* { ( 18*圈直径(吋)) + ( 40 * 圈长(吋))}] ÷圈直径(吋)圈数= [8.116 * {(18*2.047) + (40*3.74)}] ÷ 2.047 = 19 圈空心电感计算公式：L(mH)=(0.08D.D.N.N)/(3D+9W+10H)D------线圈直径N------线圈匝数d-----线径H----线圈高度W----线圈宽度单位分别为毫米和mH。
空心线圈电感量计算公式:l=(0.01*D*N*N)/(L/D+0.44)线圈电感量l单位: 微亨线圈直径D单位: cm线圈匝数N单位: 匝线圈长度L单位: cm频率电感电容计算公式:l=25330.3/[(f0*f0)*c]工作频率: f0 单位:MHZ本题f0=125KHZ=0.125谐振电容: c 单位:PF本题建义c=500...1000pf 可自行先决定,或由Q值决定谐振电感: l 单位: 微亨线圈电感的计算公式1.针对环行CORE，有以下公式可利用: (IRON)L=N2．AL L= 电感值（H)H-DC=0.4πNI / l N= 线圈匝数(圈)AL= 感应系数H-DC=直流磁化力I= 通过电流(A)l= 磁路长度（cm)l及AL值大小，可参照Microl对照表。
例如: 以T50-52材，线圈5圈半，其L值为T50-52(表示OD为0.5英吋)，经查表其AL值约为33nHL=33．(5.5)2=998.25nH≈1μH当流过10A电流时，其L值变化可由l=3.74(查表)H-DC=0.4πNI / l = 0.4×3.14×5.5×10 / 3.74= 18.47 （查表后）即可了解L值下降程度(μi%)2.介绍一个经验公式：L=(k*μ0*μs*N2*S)/l 其中μ0 为真空磁导率=4π*10(-7)。
