2011年电子科技大学822控制工程考研试题答案

目　录2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2010年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2009年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2008年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2007年西安电子科技大学422电磁场与微波技术考研真题2006年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题（部分）2005年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2004年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a、b（a>b），球心距为c（c<a-b）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。

第一题用图二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。

已知在，区域内的电磁场为（1）确定A，B间的关系；（2）确定k；（3）求r=a及r=b面上的，。

三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。

四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。

五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb，工作波长λ，写出TE10波的导波波长λg。

（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a，外半径为b，画出截面上TEM波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z0公式。

西安电子科技大学《电路、信号与系统》真题2011年(总分：75.00，做题时间：90分钟)一、{{B}}{{/B}}(总题数：6，分数：24.00)1.T等于______。

∙ A.20s∙ B.40s∙ C.60s∙ D.120s（分数：4.00）A.B.C. √D.解析：[解析] [*]，f(k)的周期T为T1、T2、T3的最小公倍数，即为60s。

2.-τδ"(τ)dτ等于______。

∙ A.δ(t)+u(t)∙ B.δ(t)+δ'(t)∙ C.δ'(t)+2δ(t)+u(t)∙ D.δ'(t)（分数：4.00）A.B.C. √D.解析：[解析] [*]3.卷积积分(t+1)u(t+1)*δ'(t-2)等于______。

∙ A.δ(t-1)∙ B.u(t-1)∙ C.δ(t-3)∙ D.u(t-3)（分数：4.00）A.B. √C.D.解析：[解析] 原式=tu(t)*δ'(t-1)=[tu(t)]'*δ(t-1)=u(t)*δ(t-1)=u(t-1)。

4.______。

∙ A.1∙ B.0.5π∙ C.π∙ D.2π（分数：4.00）A.B. √C.D.解析：[解析] 根据傅里叶变换定义式，有F(jω)=[*]f(t)e-jωt dt，则：[*]根据常用傅里叶变换，可知Sa(t)[*]F(jω)=πG2(ω)。

所以：[*]5.因果信号f(k)F(z)的收敛域为______。

∙ A.|z|＞2∙ B.|z|＞1∙ C.|z|＜1∙ D.1<|z|＜2（分数：4.00）A. √B.C.D.解析：[解析] 离散系统因果信号收敛域为|z|＞a，非因果信号收敛域为|z|＜b，因为F(z)=[*]的极点为p1=-1，P2=2。

所以，当|z|＜1时，则f(k)为非因果信号；当1＜|z|＜2时，则f(k)为因果信号及非因果信号两部分；当|z|＞2时，则f(k)为因果信号。

电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案所有资料不重复。

淘宝网：/item.htm?id=9960243831电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期中考试“数字逻辑设计及应用”课程考试题期中卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2006年4月22日课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计一、填空题（每空1分，共15分）1、( 323 )10=( 101000011 ) 22、(0. 4375 )10=( 0.0111 ) 23、(1101．0011) 2 = ( 13.1875 )104、（FD．A）16 = ( 11110000.1010 ) 2= ( 360.50 )85、( 4531 )10 = ( 0100 0101 0011 0001 ) 8421BCD 。

目　录2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2010年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2009年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2008年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2007年西安电子科技大学422电磁场与微波技术考研真题2006年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题（部分）2005年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2004年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a、b（a>b），球心距为c（c<a-b）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。

第一题用图二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。

已知在，区域内的电磁场为（1）确定A，B间的关系；（2）确定k；（3）求r=a及r=b面上的，。

三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。

四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。

五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb，工作波长λ，写出TE10波的导波波长λg。

（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a，外半径为b，画出截面上TEM波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z0公式。

电子科技大学《电磁场与电磁波》考研真题2011年(总分：150.00，做题时间：90分钟)一、{{B}}填空题{{/B}}(总题数：13，分数：24.00)1.在静态电磁场问题中，两种介质分界面上法向分量连续的物理量分别是______和______。

（分数：2.00）填空项1:__________________ （正确答案：电流密度(J) 磁感应强度(B)）解析：2.导电介质中存在时谐电磁场时，其传导电流和位移电流的相位差为1。

（分数：1.00）填空项1:__________________ （正确答案：90°）解析：3.静电场中引入标量位的条件是1；时变场中引入矢量位的条件是2。

（分数：2.00）填空项1:__________________ （正确答案：[*]）解析：4.对于一个已知的边值问题，有多种不同的方法可以用来求解。

要使所得的结果是正确的，求解时应该保持______和______不变。

（分数：2.00）填空项1:__________________ （正确答案：方程边界条件）解析：5.两块成60°的接地导体板，角形区域内有点电荷+q。

若用镜像法求解区域的电位分布，共有______个像电荷，其中电荷量为+q的像电荷有______个。

（分数：2.00）填空项1:__________________ （正确答案：5 2）解析：6.坡印亭定理是关于电磁能量的守恒定理，其中单位时间内体积V中减少的电磁能量为 1，单位时间内流出体积V的电磁能量为 2。

（分数：2.00）填空项1:__________________ （正确答案：[*]）解析：7.若平面电磁波在空气中的波长λ0=2m，则在理想介质(ε=4ε0，μ=μ0，σ=0)中传播时，其相位常数β= 1rad/m。

（分数：1.00）填空项1:__________________ （正确答案：2π）解析：______方向传播的______极化波。

西安电子科技大学《电路与电磁场》考研真题2011年(复试)(总分：99.98，做题时间：90分钟)一、 (总题数：1，分数：50.00)电磁场与电磁波部分（分数：50.00）(1).同轴线内、外导体的半径分别为a和b，并计算同轴线单位长度上的电容。

（分数：10.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：()解析：证明：设内、外导体单位长度带电分别为+ρl和-ρl，则同轴线内、外导体之间的电场为如果将同轴线内单位长度存储的能量记为W，而将从a到c单位长度的存储能记为W 1，即令，得，即以。

为半径的圆柱内静电能量是整个能量的一半。

又∵所以(2).已知无限大区域内，在x＜0区域内填充有磁导率为μ的均匀电介质，x＞0区域内为真空。

分界面上有电流I沿z轴方向，计算空间中的磁感应强度和磁场强度。

（分数：10.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：()解析：解：由磁场边界条件n·(B 2 -B 1 )=0知，在介质分界面上磁感应强度B相等，由安培环路定律得：πrH 1 +πrH 2 =I，其中B 1 =μH 1，B 2 =μ0 H 2所以(3).已知平面电磁波电场强度为：E=[(2+3j)·e x+4·e y+3·e z ]e j(1.8y-2.4z)，请写出电场的传播方向、极化方向，判断该电磁波是否为横电磁波?（分数：10.00）__________________________________________________________________________________________ 正确答案：()解析：解：∵电场强度可写为E=[(2+j3)e x +4e y +3e z ]e -j3k·r∴传播方向为∵∴该电磁波为横电磁波。

西安电子科技大学《信号、电路与系统》考研真题2011年(总分：75.00，做题时间：90分钟)一、{{B}}选择题{{/B}}(总题数：6，分数：24.00)1.如图所示电路，如1A电流源产生功率为50W，则元件N上电流I为______。

∙ A.3A∙ B.-3A∙ C.5A∙ D.-5A（分数：4.00）A.B. √C.D.解析：[解析] 求解电路如图所示，由题可得知电流源两端电压：[*]根据KVL定理，可得10Q电阻电压为：[*]则元件N上的电流为：I=4+1=-3A [*]2.如图所示电路，ab端等效电容C ab等于______。

∙ A.40μF∙ B.50μF∙ C.10μF∙ D.110μF（分数：4.00）A. √B.C.D.解析：[解析] 电容串并联的等效容值计算公式如下：C1串[*]；C1并[*]。

利用该特性对图示电路依次进行等效解析如下：20μF与20μF串联，得10μF；10μF与50μF并联，得60μF；60μF与30μF串联，得20μF；20μF与20μF并联，得40μF。

3.如图所示电路，负载阻抗Z L为多大时吸收最大功率?______∙ A.8-j4Ω∙ B.8+j4Ω∙ C.3-j4Ω∙ D.3+j4Ω（分数：4.00）A.B.C. √D.解析：[解析] 求戴维南等效。

开路电压：[*]短路电流[*]，所以：Z eq=3+j4Ω根据最大功率传输定理的阻抗匹配，匹配阻抗为等效阻抗的共轭，即Z L=(3+j4)*=3-j4时，Z L吸收最大功率。

4.如图所示电路，，则电压为______。

∙ A.6∠0°V∙ B.12∠0°V∙ C.24∠0°V∙ D.48∠0°V（分数：4.00）A.B.C. √D.解析：[解析] 求解电路如图所示，原边线圈电流为i2，副边线圈的电流i1，根据理想变压器的特性，可知[*]。

[*]在副边电路有[*]，原边电路等效电压为[*]。