下载文档原格式
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bilateral Switch）是一种常用的电子器件，它具有双向导通的特性，可以在正向和反向的电压条件下控制电流的通断。
在本文中，我们将详细介绍双向可控硅的工作原理及其原理图。
一、工作原理双向可控硅由两个PN结组成，分别称为主PN结和辅助PN结。
主PN结的两个端子分别为主阳极（A1）和主阴极（A2），辅助PN结的两个端子分别为辅助阳极（G1）和辅助阴极（G2）。
当主PN结的A1端施加正向电压，A2端施加负向电压时，主PN结处于导通状态。
此时，主PN结的正向电流从A1流入，经过主PN结和辅助PN结，最终流入G2。
同时，主PN结的负向电流从G2流出，经过辅助PN结和主PN结，最终流出A2。
这样，双向可控硅就完成了正向导通。
当主PN结的A1端施加负向电压，A2端施加正向电压时，主PN结处于反向导通状态。
此时，主PN结的负向电流从A2流入，经过主PN结和辅助PN结，最终流入G1。
同时，主PN结的正向电流从G1流出，经过辅助PN结和主PN结，最终流出A1。
这样，双向可控硅就完成了反向导通。
二、原理图以下是一个双向可控硅的原理图示例：```A1 ───┐│┌┴┐│ │G1 ──┘ ││┌┴┐│ │G2 ──┘ ││A2 ───┘```在原理图中，A1和A2分别表示主阳极和主阴极的连接点，G1和G2分别表示辅助阳极和辅助阴极的连接点。
三、应用领域双向可控硅广泛应用于电力控制领域。
它可以用于交流电的调光、电机的控制、电源的开关等。
由于双向可控硅具有双向导通的特性，可以实现正向和反向电流的控制，因此在电力控制中具有重要的作用。
四、总结双向可控硅是一种常用的电子器件，具有双向导通的特性，可以在正向和反向的电压条件下控制电流的通断。
它由主PN结和辅助PN结组成，通过施加不同的电压，实现正向和反向导通。
双向可控硅在电力控制领域有广泛的应用，如交流电调光、电机控制等。
通过了解双向可控硅的工作原理和原理图，我们可以更好地理解和应用这一电子器件。
双向可控硅过零触发 51单片机双向可控硅过零触发器是一种电子器件，其用途是控制交流电的电流。
该器件可在双向传导状态下控制交流电源，因此广泛应用于电机控制、照明、电炉控制等领域。
在本文中，我们将介绍如何使用51单片机来控制双向可控硅过零触发器。
首先，我们需要了解一下双向可控硅（BTA）的工作原理。
BTA的结构简单，由四个主要结构组成：PNPN开关、控制电极、阴极和阳极。
当控制电极施加正脉冲时，PNPN开关关闭，电流流向阳极。
当控制电极施加负脉冲时，PNPN开关关闭，电流流向阴极。
通过控制电极施加不同的正、负脉冲，我们可以控制BTA在交流电源中的通断状态。
双向可控硅过零触发器由三个组成部分组成：BTA、电容和电阻。
电容和电阻串联在一起，形成一个RC电路，用于控制BTA的触发时间。
当交流电源的波形经过零点时，BTA 被触发工作，将电流带入负载。
同时，电容将电压快速充放电，准备下一个过零点的触发。
现在，让我们以一个简单的控制电机的例子来说明如何使用51单片机来控制双向可控硅过零触发器。
首先，我们需要定义一个端口来控制BTA。
我们可以使用P2端口的一个输出引脚，比如P2.1或P2.2。
然后，我们需要编写一个函数来控制BTA的触发。
该函数的基本思路如下：1. 将控制引脚设置为输出模式。
2. 将控制引脚输出低电平，等待一段时间。
7. 重复步骤1到步骤6，直到需要关闭BTA。
在该函数中，我们需要确定以下参数：控制引脚的端口和引脚号；低电平输出的时间和高电平输出的时间；循环次数和等待时间。
最后，我们需要将该函数与控制电机的程序结合起来。
在主程序中，我们需要使用中断函数来检测交流电源的过零点，并在每个过零点时调用BTA触发函数。
可以使用定时器中断或外部中断来检测过零点。
在本文中，我们提供了一种用51单片机控制双向可控硅过零触发器的方法。
当然，这仅是一种基本方法，还有很多可以改进的地方。
例如，可以使用更先进的控制算法来实现更高级的控制功能，或使用更高效的电机驱动方法来提高电机控制的效率。
双向可控硅参数表
双向可控硅的参数主要包括以下几项：
1.断态重复峰值电压（VDRM）：这是指双向可控硅在断态（或阻断状态）下能够承
受的最大反向电压。
2.反向重复峰值电压（VRRM）：这是指双向可控硅在反向工作状态下能够承受的最
大电压。
3.通态平均电流（IT）：这是指在通态工作状态下，双向可控硅能够承受的平均电流
值。
4.通态不承复浪涌电流（IrsM）：这是指在通态工作状态下，双向可控硅能够承受的
浪涌电流峰值。
5.额定结温（Tjm）：这是指双向可控硅的额定工作温度，一般在110°C左右。
6.贮存温度（Tstg）：这是指双向可控硅的贮存温度范围，一般在-55°C到150°C之
间。
7.门极触发电流（IGT）和门极触发电压（VGT）：这是指触发双向可控硅所需要的
最小电流和电压值。
8.断态重复峰值电压（VDRM）和反向重复峰值电压（VRRM）：这是指双向可控硅
在断态和反向工作状态下能够承受的最大电压峰值。
此外，还有通态峰值电压、维持电流等参数也是衡量双向可控硅性能的重要指标。
不同的型号和应用场合会有不同的参数要求，具体可查阅相关产品规格书或咨询专业人士。
双向可控硅控制电路引言：双向可控硅（Bidirectional Thyristor），简称BTT，是一种半导体器件，常用于交流电源的开关控制电路。
本文将介绍双向可控硅控制电路的工作原理、应用领域以及设计要点。
一、工作原理双向可控硅是一种四层或五层PNPN晶体管结构，具有双向导电特性。
它通过控制控制极和门极之间的电压，实现对电流的控制。
双向可控硅的工作原理与单向可控硅相似。
当控制极为正向，或门极和控制极间有正向的压力时，双向可控硅将变为正向导通的状态。
当控制极为反向，或门极和控制极间有反向的压力时，双向可控硅将变为反向导通的状态。
双向可控硅在交流电路中的应用较为广泛。
其常见的控制模式有两种：半波控制和全波控制。
在半波控制中，只有交流电的一个半周期通过可控硅；而在全波控制中，交流电的两个半周期均能通过可控硅。
二、应用领域1. 交流电调光双向可控硅在家庭照明和舞台灯光等场合中被广泛应用于交流电调光控制。
通过改变双向可控硅的导通时长和导通角，可以实现对灯光亮度的调整，满足不同场合的照明需求。
2. 交流电机调速由于典型的交流电机是不能直接调速的，因此需要通过双向可控硅控制电路来实现调速。
通过改变双向可控硅的导通和断开时间，可以控制交流电机的转速。
3. 交流电能控制双向可控硅在交流电能控制领域有着广泛应用。
通过双向可控硅控制电路，可以实现对交流电能的开关调节，提高电能的利用效率，并能够实现电网的防护和电能质量控制。
三、设计要点1. 选择适当的双向可控硅根据实际需求和控制要求，选择合适的双向可控硅，包括最大电流、最大电压和最大功率等参数。
2. 控制电路设计双向可控硅的控制电路通常由触发电路、门电流限制电路和保护电路等组成。
触发电路用于控制双向可控硅的导通和断开，门电流限制电路用于限制门极电流的大小，保护电路用于保护双向可控硅免受过流、过热和过压等不利因素的影响。
3. 热管理在设计双向可控硅控制电路时，需要考虑散热问题。
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bilateral Switching Thyristor，简称BST）是一种具有双向导通能力的半导体器件。
它在电力控制、电子调光、机电控制等领域有广泛的应用。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理及原理图。
一、工作原理双向可控硅由四个PN结组成，分别是两个P区和两个N区。
它具有两个控制极，即门极G和门极G'。
当G极和G'极之间施加正向电压时，双向可控硅处于导通状态；当G极和G'极之间施加反向电压时，双向可控硅处于关断状态。
在导通状态下，当正向电压施加在A极，负向电压施加在K极时，双向可控硅处于正向导通状态；当正向电压施加在K极，负向电压施加在A极时，双向可控硅处于反向导通状态。
换言之，双向可控硅可以实现双向导通。
双向可控硅的导通状态由控制极G和G'之间的电压决定。
当控制极G和G'之间的电压超过一定阈值时，双向可控硅将开始导通。
此时，只需保持控制极之间的电压在一定范围内，双向可控硅将向来保持导通状态。
二、原理图下面是一种常见的双向可控硅的原理图：```+-------+| |A--+ +--K| |G--+ +--G'| |+-------+```在上述原理图中，A极和K极分别表示双向可控硅的两个电极，G极和G'极分别表示双向可控硅的两个控制极。
三、应用示例1. 电力控制：双向可控硅可以用于电力控制领域，如电炉温控、电动机控制等。
通过控制控制极G和G'之间的电压，可以实现对电力的精确控制。
2. 电子调光：双向可控硅可以用于电子调光领域，如室内照明控制、舞台灯光控制等。
通过控制控制极G和G'之间的电压，可以实现对灯光亮度的调节。
3. 机电控制：双向可控硅可以用于机电控制领域，如直流机电控制、交流机电控制等。
通过控制控制极G和G'之间的电压，可以实现对机电的启停和转速控制。
以上仅为双向可控硅的工作原理及原理图的简要介绍。
双向可控硅的原理及应用1. 介绍双向可控硅（Bidirectional Controlled Silicon）是一种常见的功率电子器件，具有双向导通能力和可控导通能力。
本文将介绍双向可控硅的原理及应用。
2. 原理双向可控硅由四个PN结组成，构成了一个双向控制的直流电压源。
其原理如下：•当T1和T4同时导通时，正向电流I1流过T1和T4；•当T2和T3同时导通时，反向电流I2在T2和T3之间流通。
双向可控硅的导通能力由控制电压决定。
当控制电压Vg的值为0时，双向可控硅不导通；当控制电压Vg大于一定阈值时，双向可控硅开始导通。
3. 应用3.1 交流电源控制双向可控硅广泛应用于交流电源控制领域。
通过控制双向可控硅的导通时机和导通角度，可以实现对交流电源的电压和电流进行调节。
其具体应用包括：•交流电压调速控制•交流电流调节控制•电能质量控制3.2 电机控制双向可控硅也可应用于电机控制领域。
通过控制双向可控硅的导通时机和导通角度，可以实现对电机转速和转向的控制。
其具体应用包括：•直流电机调速控制•步进电机驱动控制•交流电机变频调速控制3.3 光伏逆变控制双向可控硅在光伏逆变器中也起到了重要的作用。
逆变器将直流光伏电压转换为交流电压，并通过控制双向可控硅的导通时机和导通角度，调节交流电压的幅值和频率。
其应用包括：•光伏电站并网控制•光伏发电量调节控制•光伏电池储能控制4. 总结双向可控硅是一种重要的功率电子器件，具有双向导通能力和可控导通能力。
其原理简单，应用广泛。
在交流电源控制、电机控制和光伏逆变控制等领域都有重要的应用。
掌握双向可控硅的原理及应用，对于电力电子工程师和电气工程师来说是必不可少的技能。
通过对双向可控硅的理解和应用，可以实现各种电力系统的精确控制和优化运行，提高电力系统的效率和稳定性。
以上就是关于双向可控硅的原理及应用的介绍，希望本文对读者有所帮助。
备注：本文所述的原理和应用为基本概念，具体实现涉及复杂的电路设计和控制算法，需要进一步的学习和实践。
双向可控硅原理与应用双向可控硅（Bidirectional Controlled Silicon, BCR）是一种电子器件，也称为双向可控整流器。
它是在普通可控硅的基础上进行改进，具备双向导电特性。
双向可控硅可同时实现正向和反向的控制，对于交流电路的控制和变换具有重要的意义。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理和应用。
一、工作原理：双向可控硅是由两个普通可控硅组成的，其中一个被定义为正向控制侧（PCT）可控硅，另一个被定义为反向控制侧（NCT）可控硅。
正向控制侧可控硅和反向控制侧可控硅之间通过一个电感L连接。
当正向控制侧可控硅的阳极与交流电源相连时，其阴极通过反向控制侧可控硅的阳极来接地，形成一个旁路通路，使交流电流能够流过它，实现正向电流通路的导通控制。
同样的，当反向控制侧可控硅的阳极与交流电源相连时，其阴极通过正向控制侧可控硅的阳极来接地，形成另一个旁路通路，使交流电流能够流过它，实现反向电流通路的导通控制。
通过正向和反向控制侧可控硅的互相控制，可以实现双向电流的导通控制。
二、应用：1.双向开关控制：双向可控硅作为双向电流开关可以控制交流电路中的开关状态。
例如，在照明系统中，可以使用双向可控硅控制灯光的亮度和开关状态。
2.交流电源控制：双向可控硅可以用于交流电源的开关控制。
通过对双向可控硅的正向和反向控制，可以控制交流电源的输出电压和电流。
3.调光控制：双向可控硅可以实现交流电路的调光控制。
通过调节双向可控硅的导通角度，可以控制交流电路中的电流大小，从而实现灯光的调光效果。
4.电动机控制：双向可控硅可以用于交流电动机的控制。
通过对双向可控硅的正向和反向控制，可以控制交流电动机的转向和转速。
5.逆变器：双向可控硅可以用于逆变器的控制。
通过对双向可控硅的正向和反向控制，可以实现直流电源向交流电源的变换。
总结：双向可控硅是一种重要的电子器件，通过对其正向和反向控制，可以实现双向电流的导通控制。
它在交流电路的控制和变换中具有广泛的应用。
双向可控硅参数简介双向可控硅（Bidirectional Controlled Silicon，也称为Triac）是一种常用的电子元件，广泛应用于电力控制、调光、电动机控制等领域。
它具有双向导通的特性，能够在交流电路中实现对电流的控制。
本文将详细介绍双向可控硅的参数，包括其结构、工作原理、主要参数及其意义等方面。
结构双向可控硅由两个PN结组成，通常采用四层结构。
其中，两个PN结分别被称为主触发极（MT1）和辅助触发极（MT2）。
双向可控硅的结构类似于双极型晶体管，但其内部结构更加复杂。
工作原理双向可控硅在交流电路中的工作原理如下：1.当MT2极接通正电压，MT1极接通负电压时，双向可控硅处于正向导通状态。
此时，只要在MT1和MT2之间施加足够的正向触发电压，双向可控硅就会导通。
导通后，MT1和MT2之间的电流可以流动。
2.当MT2极接通负电压，MT1极接通正电压时，双向可控硅处于反向导通状态。
此时，只要在MT1和MT2之间施加足够的反向触发电压，双向可控硅就会导通。
导通后，MT1和MT2之间的电流同样可以流动。
双向可控硅的导通状态由触发电压的极性和大小决定。
在正向导通状态下，触发电压应为正向电压；在反向导通状态下，触发电压应为反向电压。
主要参数及其意义最大额定电压（Vdrm）最大额定电压是指双向可控硅能够承受的最大电压。
当电压超过最大额定电压时，双向可控硅可能会被击穿，导致失效。
最大额定电流（It）最大额定电流是指双向可控硅能够承受的最大电流。
当电流超过最大额定电流时，双向可控硅可能会过载，导致失效。
阻断电压（Vrrm）阻断电压是指双向可控硅能够阻断的最大电压。
当电压超过阻断电压时，双向可控硅会进入阻断状态，电流无法通过。
触发电流（Igt）触发电流是指双向可控硅导通所需的最小电流。
只有当触发电流大于等于触发电流时，双向可控硅才能导通。
灵敏度（Vgt）灵敏度是指双向可控硅触发电流与触发电压之间的关系。
1. 可控硅的特性。
可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。
单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。
此时A1、A2间压降也约为1V。
双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。
只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
2. 单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。
如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
3. 双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
双向可控硅的原理接线
双向可控硅是一种电子器件，其主要原理是通过控制输入信号，实现对电流的控制。
接线方式如下：
1. 两个主电极Anode（A）和Cathode（K）分别连接到电路中的正极和负极。
2. 控制极Gate（G）通过电阻连接到电路中的控制信号源。
3. 将Gate极通过一个电阻连接到阳极Anode（A）处，将其与电流源连接。
4. Gate极也可以通过一个电容连接到压电晶体上，将压电晶体与正压端电源连接。
在使用双向可控硅时，当Gate（G）极处没有电压时，该器件处于关断状态，不导通电流。
当Gate（G）极施加一定的触发电压时，会引起双向可控硅的导通，形成正向电流。
在正向电流过程中，当被控硅中的电流降至零时，可以通过再次引入触发信号，使其继续导通，实现持续导电。
此时，Gate（G）极处的电压应保持在某个特定值，以维持正向电流，并具有足够高的电流。
与正向电流相反，负向电流时，Gate（G）极的引脚处于高电位，该器件处于关断状态，不导通电流。
当Gate（G）极施加一定的触发电压时，会引起双向可控硅的导通，形成负向电流。
与正向电流不同的是，在负向电流过程中，当被控硅中的电流降至零时，无法通过再次引入触发信号使其继续导通，因此，其负向电流通过的时间比正向电流短。
需要注意的是，双向可控硅的引脚和电路接线可能会根据具体的设备和应用而有所不同。
因此，在实际使用中，应根据器件的规格和相关应用要求进行正确的接线。
∙型号VRRM（V）VDRM（V）IT（A）IGT（mA/uA) VGT(V) 封装形式MAC97A6 ≥400 ≥400 0.8 3--5 1 TO-92 SOT-8?MAC97A8 ≥600 ≥600 0.8 3--5 1 TO-92 SOT-8?BT131 ≥600 ≥600 1 3--5 0.8 TO-92BT134 ≥600 ≥600 2 3--6 1.8 TO-126BT136 ≥600 ≥600 4 3--6 1.8 TO-220BT137 ≥600 ≥600 8 10--15 1.8 TO-220BT138 ≥600 ≥600 12 12--15 1.8 TO-220BT139 ≥600 ≥600 16 12--15 1.8 TO-220BT151≥600 ≥600 8 1--12 0.8 TO-220如图:主要应用：通用电机控制，取暖和厨房用具，工业和家庭照明等产品。
可控硅/晶闸管特点:晶闸管是一种可控制的整流管，由门极向阴极送出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极。
正面K-G-A. 管脚排列：K-G-A特点: 玻璃钝化芯片、高灵敏的控制极触发电流，低通态压降用途: 应用于各种万能开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路∙BT169D ≥400 ≥400 0.8 5-120 0.8 TO-92BT169G ≥600 ≥600 0.8 5-120 0.8 TO-92BTB04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220BTA04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220BTA06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220BTB06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220BTA08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220BTB08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220BTA10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220BTB10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220BTA12 ≥600 ≥600 12 10--50 1.8 TO-220∙品名= 12A四象限双向可控硅(TRIACs)☆型号= BTA12-1000B◇电流= 12.0（A）◇电压= 1000（V）◇结温= 125（℃）◇封装形式= TO-220AB◇管脚排列= T1-T2-G 【主要用途】变频电路，调光、调温、调速电路，电扇、洗衣机、饮水机、微波炉、空调等家用电器的控制电路。
双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端：TRIode(取前三个字母)交流半导体开关：AC-semiconductor switch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”，或“TRIACs”中文译意“三端双向可控硅开关”。
由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。
另:双向：Bi-directional(取第一个字母)控制：Controlled (取第一个字母)整流器：Rectifier (取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成：“BCR”，中文译意：双向可控硅。
以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如：BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。
--------------双向：Bi-directional (取第一个字母)三端：Triode (取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅.代表型号如：PHILIPS 的 BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、、等。
这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。
三象限的品种主要应用于电机电路、三相市电输入的电路、承受的瞬间浪涌电流高。
-------------------而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号，并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘。
组成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：四象限、绝缘型、双向可控硅：BTA06-600C、BTA08-600C、BTA10-600B、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600、、、等等；四象限、非绝缘、双向可控硅：BTB06-600C、BTB08-600C、BTB10-600B、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600、、、等等；ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。
单/双向可控硅的检测方法用万用表即可判断双向可控硅的好坏，但具体参数测不出来。
用万用表测量的方法如下。
T2极的确定：用万用表R*1档或R*100档，分别测量各管脚的反向电阻，其中若测得两管脚的正反向电阻都很小（约100欧姆左右），即为T1和G极，而剩下的一脚为T2极。
T1和G极的区分：将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极，万用表设置为R*1档，用两表笔（不分正负极）分别接触已确定的T2极和假设的T1极，并将接触T1的表笔同时接触假设的G极，在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表仍显示导通状态。
将表笔对换，用同样的方法进行测量，如果万用表仍然显示同样的结果，那么所假设的T1极和G极是正确的。
如果在保证不断开假设的T1极的情况下，断开假设的G极，万用表显示断开状态，说明假设的T1和G极相反了，从新假设再进行测量，结果一定正确。
如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。
这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。
1.硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1(T1)，第二阳极A2 (T2)、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。
单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K 间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。
双向可控硅MOS管是一种特殊的电子元件，其特性使其在多种应用中都非常有用。
它能在正向和反向条件下都表现出可控硅的特性，也就是说，它可以作为开关来控制电流的流动。
此外，由于其特殊的结构，它还具有较低的触发电压和电流，这使得它在需要精确控制的电路中特别有用。
双向可控硅MOS管有许多不同的品牌和型号可供选择，具体取决于您的应用需求。
例如，仙童公司的RFD12N06RLE就是一个例子，它是一个12N06型双向可控硅，封装为TO220。
此外，还有许多其他品牌和型号可供选择，如BTA12-600TWRG等。
在选择双向可控硅MOS管时，您需要考虑其工作电压、电流、频率等参数，以及其封装形式和价格等因素。
此外，您还需要确保所选的型号符合您的电路需求，并能够与您的其他元件兼容。
总的来说，双向可控硅MOS管是一种非常有用的电子元件，其特性使其在许多电路中都有广泛的应用。
常用双向可控硅参数双向可控硅（Bilateral Triode Thyristor，也常简称为BT、TRIAC）是一种电子器件，可以控制开关电流的方向。
它广泛应用于电力控制、交流电调光、电机调速和电炉控制等领域。
下面将介绍一些常用的双向可控硅参数。
1.最大电压（VDRM）：最大电压是指在双向可控硅的关闭状态下，能够承受的最大正向电压。
通常使用的双向可控硅最大电压为200V、400V和600V等。
2.最大反向电压（VRDM）：最大反向电压是指在双向可控硅的关闭状态下，能够承受的最大反向电压。
通常使用的双向可控硅最大反向电压为200V、400V和600V等。
3.电流承受能力（ITAV）：电流承受能力是指在一定的温度和工作条件下，双向可控硅能够承受的最大电流。
常用的双向可控硅电流承受能力为10A、20A和40A等。
4.最大触发电流（IGT）：最大触发电流是指在双向可控硅的控制端（G）施加触发脉冲时，能够使双向可控硅从关断状态变为导通状态的最小电流。
常用的双向可控硅最大触发电流为10mA、30mA和50mA等。
5.触发电压（VGT）：触发电压是指在控制端（G）施加正向电压时，能够使双向可控硅从关断状态变为导通状态的最小电压。
常用的双向可控硅触发电压为0.2V、1.5V和3V等。
6.阻断电流（IH）：阻断电流是指在双向可控硅关闭状态下，通过双向可控硅的最小电流。
常用的双向可控硅阻断电流为0.5mA、1mA和5mA 等。
7.触发时间（tGT）：触发时间是指双向可控硅从施加触发脉冲到完全导通所需要的时间。
常用的双向可控硅触发时间为1微秒、10微秒和100微秒等。
8.关断时间（tGD）：关断时间是指双向可控硅从导通状态到关闭状态所需要的时间。
常用的双向可控硅关断时间为10微秒、100微秒和1毫秒等。
9. 热阻（Rth）：热阻是指双向可控硅在工作过程中由芯片到外壳之间的热阻。
常用的双向可控硅热阻为1°C/W、2°C/W和3°C/W等。
双向可控硅参数双向可控硅（Bilateral Thyristor，BTR）是一种特殊的可控硅器件，能够同时进行正向和反向的控制。
其主要参数包括：1. 电压参数（Voltage parameters）：包括最大正向电压（VDRM）、最大反向电压（VRDM）、正向导通电压降（VF）和反向封锁电压（VRRM）等。
VDRM表示器件在正向导通状态下能够承受的最大电压，VRDM表示器件在反向封锁状态下能够承受的最大电压，VF表示器件正向导通时的电压降，VRRM表示器件反向封锁时的电压。
2. 电流参数（Current parameters）：包括最大正向电流（IDRM）、最大反向电流（IRDM）、稳态导通电流（ID）和稳态反向电流（IR）等。
IDRM表示器件在正向导通状态下能够承受的最大电流，IRDM表示器件在反向封锁状态下能够承受的最大电流，ID表示器件正向导通时的稳态电流，IR表示器件反向封锁时的稳态电流。
3. 触发参数（Trigger parameters）：包括正向触发电流（ITM）、反向触发电流（IRM）和触发延迟时间（tq）等。
ITM表示器件正向触发所需的最小电流，IRM表示器件反向触发所需的最小电流，tq表示触发延迟时间，即从触发信号传入到器件开始导通的时间。
4. 动态参数（Dynamic parameters）：包括反向恢复时间（tRR）、正向导通状态下的导通损耗（PD）和反向封锁状态下的封锁损耗（PR）等。
tRR表示器件从导通状态恢复到反向封锁状态所需的时间，PD表示器件在正向导通状态下的导通损耗，PR表示器件在反向封锁状态下的封锁损耗。
这些参数对于设计和选择双向可控硅器件的应用具有重要的参考价值，可以根据具体的应用需求进行选择和优化。
双向可控硅BTA12-600B温控电路图
在严寒冬天，红外取暖器成为家庭的取暖设备，其发热管大多为三到四支组成，每支发热管由一开关控制，通过选择开关来控温，控温极不均匀，本电路可使用所有发热管同时使用，可实现无级调节。
工作原理：电路如上图所示，IC（555）接成低频振荡器，调节RP可改变C3的充放电时间常数，IC的③脚输出脉冲占空比随之改变，即改变了可控硅的导通与关闭时间比，从而控制了发热管RL上得到的平均功率，达到温控目的。
当RP调到最上端时，IC输出脉冲占空比约为“0”，RL上得到的功率最小；当RP调到最下端时，IC输出脉冲占空比约为“1”，RL上得到最大功率。
因此，调节RP可使IC输出脉冲占空比在“0”和“1”之间连续变化，RL上得到的便是在最大和最小之间连续变化的平均功率，LED亮度相应变化作为平均功率大小指示。
此温控器还可用于其他阻性发热器具作为功率调节器，且不会产生电磁场干扰。
可控硅功率大小选择视发热管功率而定，一般1KW~1.5KW的取暖器可选用
BTA12-600B的双向可控硅，加一片散热片为好。
