单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法

单向可控硅的原理及测试可控硅的意思：可控的硅整流器，其整流输出电压是受控的，常与移相或过零触发电路配合，应用于交、直流调压电路。

可控硅是在晶体管基础上发展起来的一种集成式半导体器件。

单向可控硅的等效原理及测量电路见下图1：AKGP N P NKGGKGA图1 可控硅器件等效及测量电路单向可控硅为具有三个PN 结的四层结构，由最外层的P 层、N 层引出两个电极——阳极A 和阴极K ，由中间的P 层引出控制极G 。

电路符号好像为一只二极管，但好多一个引出电极——控制极或触发极G 。

SCR 或MCR 为英文缩写名称。

从控制原理上可等效为一只PNP 三极管与一只NPN 三极管的连接电路，两管的基极电流和集电极电流互为通路，具有强烈的正反反馈作用。

一旦从G 、K 回路输入NPN 管子的基极电流，由于正反馈作用，两管将迅即进入饱合导通状态。

可控硅导通之后，它的导通状态完全依靠管子本身的正反馈作用来维持，即使控制电流（电压）消失，可控硅仍处于导通状态。

控制信号U GK 的作用仅仅是触发可控硅使其导通，导通之后，控制信号便失去控制作用。

单向可控硅的导通需要两个条件： 1）、A 、K 之间加正向电压；2）、G 、K 之间输入一个正向触发电流信号，无论是直流或脉冲信号。

若欲使可控硅关断，也有两个关断条件： 1）、使正向导通电流值小于其工作维持电流值； 2）、使A 、K 之间电压反向。

可见，可控硅器件若用于直流电路，一旦为触发信号开通，并保持一定幅度的流通电流的话，则可控硅会一直保持开通状态。

除非将电源开断一次，才能使其关断。

若用于交流电路，则在其承受正向电压期间，若接受一个触发信号，则一直保持导通，直到电压过零点到来，因无流通电流而自行关断。

在承受反向电压期间，即使送入触发信号，可控硅也因A 、K 间电压反向，而保持于截止状态。

可控硅器件因工艺上的离散性，其触发电压、触发电流值与导通压降，很难有统一的标准。

可控硅器件控制本质上如同三极管一样，为电流控制器件。

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法可控硅的检测1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。

此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。

此时万用表指针应不动。

用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。

如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。

2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。

若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。

确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。

将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。

再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。

随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。

互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。

同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。

用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。

随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。

符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅管是地，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。

双向可控硅（TRIAC）在控制交流电源控制领域的运用非常广泛，如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角，从而达到控制供电电流的大小[1]。

如何用万用表测试单向可控硅2008-05-10 02:45可控硅又叫晶体闸流管，在强电和弱电领域都有极为广泛的应用。

其中在弱电领域中应用的可控硅功率比较小，外形像三极管，是电子爱好者常遇到的元件之一。

正确测试可控硅是电子爱好者必须具备的基本技能。

如何来测试可控硅呢?由于万用表是电子爱好者必配工具，这里介绍如何用万用表来测试单向可控硅。

单向可控硅的测试包括两个方面：一是极性的判定；二是触发特性的测试。

一、可控硅极性的判定单向可控硅是由三个PN结的半导体材料构成，其基本结构、符号及等效电路如图1所示。

可控硅有三个电极：阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。

从等效电路上看，阳极(A)与控制极(G)之间是两个反极性串联的PN结，控制极(G)与阴极(K)之间是一个PN结。

根据PN结的单向导电特性，将指针式万用表选择适当的电阻档，测试极间正反向电阻(相同两极，将表笔交换测出的两个电阻值)，对于正常的可控硅，G、K之间的正反向电阻相差很大；G、K分别与A之间的正反向电阻相差很小，其阻值都很大。

这种测试结果是唯一的，根据这种唯一性就可判定出可控硅的极性。

用万用表R×1K档测量可控硅极间的正反向电阻，选出正反向电阻相差很大的两个极，其中在所测阻值较小的那次测量中，黑表笔所接为控制极(G)，红表笔所接的为阴极(K)，剩下的一极就为阳极(A)。

通过判定可控硅的极性同时也可定性判定出可控硅的好坏。

如果在测试中任何两极间的正反向电阻都相差很小，其阻值都很大，说明G、K之间存在开路故障；如果有两极间的正反向电阻都很小，并且趋近于零，则可控硅内部存在极间短路故障。

二、单向可控硅触发特性测试单向可控硅与二极管的相同之处在于都具有单向导电性，不同之处是可控硅的导通还要受控制极电压控制。

也就是说使可控硅导通必须具备两个条件：阳极(A)与阴极(K)之间应加正向电压，控制极(G)与阴极(K)之间也应加正向电压。

当可控硅导通以后，控制极就失去作用。

双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。

此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。

因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。

此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。

这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

　由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化　2,触发导通 在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。

在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA 段左移，IGT越大，特性左移越快。

TRIAC的特性什么是双向可控硅:IAC(TRI-ELECTRODE AC SWITCH)为三极交流开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅。

TRIAC为三端元件，其三端分别为T1 (第二端子或第二阳极)，T 2(第一端子或第一阳极)和G(控制极)亦为一闸极控制开关，与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通，其符号构造及外型，如图1所示。

因为它是双向元件，所以不管T1 ,T2的电压极性如何，若闸极有信号加入时，则T1 ,T2间呈导通状态；反之，加闸极触发信号，则T1 ,T2间有极高的阻抗。

单向/双向可控硅触发电路设计原理
1. 可以用直流触发可控硅装置。

 2. 电压有效值等于U等于开方{（电流有效值除以2派的值乘以SIN二倍电阻）加上(派减去电阻的差除以派）}。

 3. 电流等于电压除以（电压波形的非正弦波幅值半波整流的两倍值）。

 触摸式台灯的控制原理
 这种台灯的主要优点是没有开关，使用时通过人体触摸，完成开启、调光、关闭动作，给使用带来方便。

 一、电路设计原理
 人体感应的信号加在电源电路可控硅的触发极，使电路导通，并给负载——灯泡或灯管供电，使灯按弱光、中光、强光、关闭4个状态动作，达到调光的目的。

电路见图1，该电路的关键器件是采用CMOS工艺制造的集成电路BA210l。

 二、降压稳压电路
 由R3、VDl、VD4、C4组成。

输出9V直流电，供给BA2101，由③⑦脚引入。

 三、触发电路
 由触发电极M将人体的感应信号，经c3、R8、R7送至④脚的sP端，经处理后，由⑥脚输出触发信号，经cl、R1加至可控硅VS的G极，VS导通，电灯H点亮。

第二次触摸，可改变触发脉冲前沿的到达时间，而使电灯亮度改变。

反复触摸，可按弱光、中光、强光和关闭四个动作状态循环，达到调节亮度的目的。

可控硅VS在动作中其导通角分别为120度、86度、17度。

单向可控硅的原理及测试单向可控硅（SCR）是一种半导体器件，用于控制交流电流。

它具有单向导电特性，即电流只能在一个方向上流动。

SCR由四个层组成，从P型材料到N型材料依次排列。

在P型材料和N型材料之间有两个PN接触，称为PN接触1和PN接触2、SCR的关键组成部分是PN接触1处的“栅源结”（Gate-Anode junction）。

SCR的原理是通过在栅源结上施加一个足够大的正向压力来激活器件。

这个压力通常通过外加一个短脉冲来实现。

一旦栅源结激活，它将形成一个低阻值通道，使得大量电流可以通过器件流动。

一旦电流开始流动，栅源结开始导电，SCR进入导通状态。

一旦SCR被激活，它会保持导通状态，直到通过器件的电流降低到零或到达特定的关闭电压。

测试SCR的一个常用方法是使用OHMMeter或DMM（数字万用表）测试器件的导通性。

在测试之前，确保电路电源已断开，并且SCR已从电路中移除。

对于一个正常的SCR测试，在DMM中选择二极管测试模式，并将其连接到测试器件的两个引脚。

如果DMM显示一个迅速下降到几百欧姆的电阻值（如0.1欧姆），那么这表明SCR是正常工作的。

这是因为SCR在导通状态下表现为一个非常低的电阻。

另一种测试方法是使用直流电源和电阻。

在这种情况下，通过在栅源结上施加足够的电压来激活SCR。

在SCR导通状态下，电流将通过其并且压降几乎为零。

对于一个正常的SCR，这个电流应该是稳定的。

如果电流随着时间的推移而增加，那么可能存在SCR失效的问题。

此外，还可以使用示波器来测试SCR的导通和关断状态。

将示波器连接到器件的引脚，并观察电压波形。

在SCR导通状态下，波形应该是近乎零的平坦线。

当SCR关断时，波形应该是一个或多个脉冲。

总结起来，单向可控硅的原理是通过在栅源结上施加足够的正向压力来激活器件，进而控制电流的流动。

测试SCR的方法主要包括使用OHMMeter或DMM测试器件的导通性、使用直流电源和电阻测试器件的电流稳定性以及使用示波器测试器件的导通和关断状态。

可控硅資料/及工作原理和測試方法BTA06-400BW 6A 400V 50mA TO-220AB BTA06-400C 6A 400V 25mA TO-220ABBTA06-400CW 6A 400V 35mA TO-220AB BTA06-400TW 6A 400V 5mA TO-220AB BTA06-400E 6A 400V 5~10mA TO-220AB BTA06-400D 6A 400V 1~5mA TO-220AB BTA06-400SAP 6A 400V 5~10mA TO-220 BTA06-600B 6A 600V 35~50mA TO-220AB BTA06-600BW 6A 600V 50mA TO-220AB BTA06-600C 6A 600V 25mA TO-220ABBTA06-600CW 6A 600V 35mA TO-220A BTA06-600SW 6A 600V 10mA TO-220AB BTA06-600TW 6A 600V 5mA TO-220AB BTA06-600E 6A 600V 5~10mA TO-220AB BTA06-600D 6A 600V 1~5mA TO-220AB BTA06-600SAP 6A 600V 5~10mA TO-220AB BTA06-700B 6A 700V 35~50mA TO-220AB BTA06-700BW 6A 700V 50mA TO-220ABBTA06-700C 6A 700V 25mA TO-220AB BTA06-700CW 6A 700V 35mA TO-220AB BTA06-700SW 6A 700V 10mA TO-220AB BTA06-700TW 6A 700V 5mA TO-220AB BTA06-700E 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTA06-700D 6A 700V 1~5mA TO-220AB BTA06-700SAP 6A 700V 5~10mA TO-220AB BTA06-800B 6A 800V 35~50mA TO-220AB BTA06-800BW 6A 800V 50mA TO-220AB BTA06-800C 6A 800V 25mA TO-220AB BTA06-800CW 6A 800V 35mA 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4A 600V 5~10mA TO-251 HBT134GI 4A 800V 5~10mA TO-251 HBT134HI 4A 600V 5~10mA TO-251 HBT134NE 4A 600V 10~25mA SOT-82 HBT134I 4A 600V 10~25mA TO-251HBT134CNE 4A 600V 5~10mA SOT-82 HBT134DNE 4A 600V 5~10mA SOT-82 HBT134GNE 4A 800V 5~10mA SOT-82 HBT134HNE 4A 800V 5~10mA SOT-82 HBT136AE 4A 600V 10mA TO-220AB HBT204I 4A 600V 10mA TO-251HBT204E 4A 600V 15mA TO-220ABHBT136AE 4A 600V 10~25mA TO-220AB HBT136AHE 4A 600V 5~10mA TO-220AB HBT136BE 6A 600V 10~25mA TO-220AB HBT137E 8A 600V 10~25mA TO-220AB HBT137DE 8A 600V 25mA TO-220AB HBT138E 8A 600V 10~25mA TO-220AB HBT152 20A 800V 32mA TO-220ABHBT169 0.8A 400V 200uA TO-92HBT169M 0.8A 400V 200uA SOT-8可控硅相当于可以控制的二极管，当控制极加一定的电压时，阴极和阳极就导通了。

可控硅元件的工作原理及基本特性1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示图1 可控硅等效图解图当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。

此时，如果从控制极G 输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。

因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。

此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。

这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1表1 可控硅导通和关断条件状态条件说明从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流任一条件即可2、基本伏安特性可控硅的基本伏安特性见图2图2 可控硅基本伏安特性（1）反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。

此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。

此时，可控硅会发生永久性反向击穿。

图3 阳极加反向电压（2）正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压图4 阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。

巧用万用表测量单双向可控硅万用表在电子电路设计领域中的用途非常广泛，不仅能够用来测试阴极阳极，还能对可控硅进行测量，在本篇文章当中，小编就将为大家介绍如何使用万用表来对单双向可控硅进行测量。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。

单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。

双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。

即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极(G)。

1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动(R乘以1挡)，可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。

若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。

且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。

若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。

再将旋钮拨至R乘以1或R乘以10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

2、性能的差别：将旋钮拨至R乘以1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低(或触发电流小)。

然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。

对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧(视可控硅电流大小、厂家不同而异)。

然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压(或电流)小。

可控硅的测试方法标准化管理处编码[BBX968T-XBB8968-NNJ668-MM9N]
可控硅的测试方法
双向可控硅的极性判断方法：T1（A1）为第一阳极，T2（A2）为第二阳极，G为控制极。

测试结果为：T2与其他2个脚均不导通，通常T2极和可控硅背部的散热片是导通的，其余的两个引脚则为T1极与G极，用指针万用表的R×1或R×10档测量这两个引脚；在正反测量阻值较小的那次中，红表笔接的为可控硅G极，黑表笔接的为T1极。

将黑表笔接T2极，红表笔接T1极，此时万用表指针应该不发生偏转，阻值为无穷大，再用短接线将T2极与G极瞬间短接，这样做的目的是给G极加上正向触发电压，T1(A1)、T2(A2)两极之间阻值由无穷大变为导通，随后断开T2极与G极之间的短接线，万用表指针仍然停留在原来偏转位置，即撤掉可控硅的触发电压后，可控硅仍然维持导通。

然后互换表笔接线，红表笔接T2极，黑表笔接T1极，同样的读数为无穷大，此时将T2极与G极瞬间短接，T1极与T2极之间的阻值将一样会维持导通，（除非T1与T2断开）
单向可控硅的三个引脚分别是阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）
用指针式万用表电阻档R×1或R×10档，找出正反电阻有差别的两极，这时候测得电阻阻值读数较小的那次中，黑表笔接的为该单向可控硅的控制极（G）极，红表笔接的为阴极（K）极，另外的一个脚即为阳极（A）极。

（如果三个脚之间的电阻值都很小，几乎接近0欧姆，那么这只管子已击穿损坏），如果阳极（A）接黑表笔，阴极（K）接红表笔，万用表指针产生偏转的话，同样的这只管子已损坏。

∙ 1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。

此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。

此时万用表指针应不动。

用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。

如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。

2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。

若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。

确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。

将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。

再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。

随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。

互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。

同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。

用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。

随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。

符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅管是地，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。

双向可控硅的设计及应用分析∙引言1958年，从美国通用电气公司研制成功第一个工业用可控硅开始，电能的变换和控制从旋转的变流机组、静止的离子变流器进入以电力半导体器件组成的变流器时代。

单向可控硅与双向可控硅的导通条件及特点公司标准化编码 [QQX96QT-XQQB89Q8-NQQJ6Q8-MQM9N]一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。

以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。

另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。

可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。

二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。

从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。

三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。

第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。

用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。

具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。

电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。

如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。

用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。

用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。

双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅的工作原理1、可控硅就是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它瞧作由一个PNP管与一个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时,BG1与BG2管均处于放大状态。

此时,如果从控制极G 输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。

因为BG2的集电极直接与B G1的基极相连,所以ib1=ic2。

此时,电流ic2再经BG1放大,于就是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。

这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱与导通。

由于BG1与BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅就是不可关断的。

由于可控硅只有导通与关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化2,触发导通在控制极G上加入正向电压时(见图5)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。

在可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

TRIAC的特性什么就是双向可控硅:IAC(TRI-ELECTRODE AC SWITCH)为三极交流开关,亦称为双向晶闸管或双向可控硅。

TRI AC为三端元件,其三端分别为T1(第二端子或第二阳极),T 2(第一端子或第一阳极)与G(控制极)亦为一闸极控制开关,与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通,其符号构造及外型,如图1所示。

因为它就是双向元件,所以不管T1 ,T2的电压极性如何,若闸极有信号加入时,则T1 ,T2间呈导通状态;反之,加闸极触发信号,则T1 ,T2间有极高的阻抗。

可控硅管脚的引脚图例与测量
可控硅在电路的作用十分重要。

本文将为大家介绍可控硅管教引脚图的典型图例，与能够对可控硅进行测量的方法。

感兴趣的朋友快来看一看吧。

 
 图1可控硅管脚引脚定义图
 可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。

单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。

双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成（见图1）。

即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。

 1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G 极（对双向可控硅）。

若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。

且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。

若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。

再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

 2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K 极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。

然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。

） 对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控。

双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。

此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。

因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。

此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2i b2。

这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化2,触发导通在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IG T。

在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA 段左移，IGT越大，特性左移越快。

TRIAC的特性什么是双向可控硅:IAC(TRI-ELECTRODE AC SWITCH)为三极交流开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅。

TRIA C为三端元件，其三端分别为T1(第二端子或第二阳极)，T 2(第一端子或第一阳极)和G(控制极)亦为一闸极控制开关，与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通，其符号构造及外型，如图1所示。

因为它是双向元件，所以不管T1 ,T2的电压极性如何，若闸极有信号加入时，则T1 ,T2间呈导通状态；反之，加闸极触发信号，则T1 ,T2间有极高的阻抗。

单向可控硅、双向可控硅如何进行极性判别？
本文介绍单、双向可控硅如何进行极性判别，判别好坏与导通性能。

希望能对大家有所帮助。

 单向可控硅的检测
 1．极性判别
 单向可控硅有三个极，即控制极G、阳极A与阴极K，其符号与基本检测方法如图所示。

单向可控硅的G、K极间为一个PN结。

根据PN结单向导通的特性，可很快判断其三个电极。

把万用表置于Rx100挡，轮流测量各极间的正、反向电阻，总有～次测得的阻值较小(约1kQ)，这时黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的是阳极A。

 2．判别好坏与导通性能
 当测量B与A、K与A之间阻值均为无限大或均为小阻值时，说明可控硅已损坏。

当用万用表(Rx1挡)黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K时(这时无阻值)，把G极与A极短接后(利用万用表内电源正极瞬时给G极一个触发电压)，可控硅便处于导通状态，若即便是G极与A极脱离后，阳极A与阴极K仍处于导通状态，则说明可控硅良好，否则说明其已损坏。

以上单向可控硅是MCR100型号，用MF47F型万用表测试。

 双向可控硅的检测
 双向可控硅也有三个极，巳Ij控制饭G与第一阳极T1、第二阳极T2。

实际上T1与T2是可互换使用的。

双向可控硅的符号基本检测方法如上图所示。

 1．极性判别。

单向可控硅与双向可控硅结构电原理图及测试方法可控硅的检测1.单向可控硅的检测万用表选用电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极G，红笔接的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。

此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。

此时万用表指针应不动。

用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。

如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。

2.双向可控硅的检测用万用表电阻R×1档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。

若一组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。

确定A、G极后，再仔细测量A1、G极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。

将黑表笔接已确定了的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。

再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约为10欧姆左右。

随后断开A2、G极短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。

互换红黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。

同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。

用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负向的触发电压，A1、A2间阻值也是10欧姆左右。

随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持10欧姆左右。

符合以上规律，说明被测双向可控硅管未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅管是地，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。

双向可控硅（TRIAC）在控制交流电源控制领域的运用非常广泛，如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角，从而达到控制供电电流的大小[1]。

双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bidirectional Controlled Silicon, BCR）是一种常用的半导体器件，具有双向导通特性，可以实现双向的电流控制。

在本文中，我们将详细介绍双向可控硅的工作原理及原理图。

一、双向可控硅的工作原理双向可控硅是由PNPN结构组成的，其工作原理主要基于PN结的正向和反向特性。

下面我们将分别介绍其正向和反向工作原理。

1. 正向工作原理当双向可控硅的阳极施加正向电压，而阴极接地时，PNPN结构中的P1区域与阳极形成正向偏置，N1区域与阴极形成反向偏置。

此时，P1N1结构处于正向截止状态，无法导通。

当双向可控硅的阳极施加正向电压，而阴极施加负向电压时，PNPN结构中的P1区域与阳极形成正向偏置，N1区域与阴极形成正向偏置。

此时，P1N1结构处于正向导通状态，双向可控硅导通。

2. 反向工作原理当双向可控硅的阳极施加负向电压，而阴极接地时，PNPN结构中的P2区域与阳极形成反向偏置，N2区域与阴极形成正向偏置。

此时，P2N2结构处于反向截止状态，无法导通。

当双向可控硅的阳极施加负向电压，而阴极施加正向电压时，PNPN结构中的P2区域与阳极形成反向偏置，N2区域与阴极形成反向偏置。

此时，P2N2结构处于反向导通状态，双向可控硅导通。

通过控制双向可控硅的阳极电压和阴极电压的正负情况，可以实现其双向导通和截止的控制。

二、双向可控硅的原理图下图为双向可控硅的原理图示意图：```+---------------------+| || || P1N1P2N2 || || |+---------------------+| |阳极阴极```在原理图中，P1和N1构成为了一个PN结，P2和N2构成为了另一个PN结。

两个PN结串联形成为了PNPN结构，即双向可控硅。

阳极和阴极分别连接到PNPN结的两端。

通过控制阳极和阴极的电压，可以实现对双向可控硅的导通和截止控制。

单向可控硅和双向可控硅的区别及应⽤电路讲解可控硅⼜叫晶闸管，是⼀种常⽤的半导体器件，是⼀种能像闸门⼀样控制电流的⼤⼩元器件。

因此，可控硅也具有开关控制电压调整和整流等功能。

可控硅的种类较多，强电电路中采⽤的可控硅主要有单向可控硅和双向可控硅两种。

(1)单向可控硅⽤符号:单向可控硅缩写为SCR，引脚符号是K、G、A，其中G极为门极，也是控制极，A极为阳极，k极为阴极。

⼯作状态: 单向可控硅若⽤于直流电路，⼀旦触发信号开通，并保持⼀定幅度的流通电流的话，可控硅会⼀直保持开通状态。

除⾮将电源关断⼀次，才能使其关断。

若⽤于交流电路，则在其承受正向电压期间，若接受⼀个触发信号，则⼀直保持导通，直到电压过零到来，因⽆流通电流⽽关断。

在承受反向电压期间，即使送⼊触发信号，可控硅也同A、k之间电压反向，⽽保持截⽌状态。

单向可控硅应⽤电路1例下图:上图，单向可控硅直流电路，触摸控制灯开、关(2)双向可控硅⽤符号图:双向可控硅为3CTsI，双向可控硅引脚符号是T1、T2(或A1A2)、G，其中G为门极，另外两个端⼦因为可以双向单通，所以不区分为阴极和阳极(单向可控硅分阴极和阳极)，都是主端⼦，⽤T1、T2表⽰。

双向可控硅其特点是: 当G极和T2极相对于T1的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。

反之，当G极和T2相对于T1的电压为负时，T2为阴极，T1变为阳极。

双向可控硅由正反向特性曲线具有相对称性，所以它可以在任何⼀个⽅向导通。

单向双向可控硅两种符号表⽰图:双向可控硅应⽤电路⼀例下图:上图，双向可控硅电源插座控制灯开、关以上讲述单、双向可控硅的区别之处在于: 单向可控硅有阴极和阳极之分，双向可控硅因两个端⼦都双向导通，则没有阴极和阳极之分，双向具有正反向对称牲，它可在任何⼀个⽅向导通。