双向可控硅选型表要点

一、可控硅半导体结构及其工作原理：以单向可控硅为例晶闸管(Thyristor)又叫可控硅T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。

晶闸管的工作条件：1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受和种电压，晶闸管都处于关短状态。

2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。

3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。

4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。

晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。

图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。

因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。

设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。

当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。

常用单向、双向可控硅型号常用单、双向可控硅型号介绍1、常用单向可控硅：序号型号 V DRM[W] I T(RMS)[A]V GM[V]P GM[W]封装说明生产厂商数据手册001 2N65S - - - - TO-92 - - 002 2N6397 - - - - TO-220 微触发003 2N6399 - - - - TO-220 -004 2N6507 - - - - TO-220 - - 005 2N6508 - - - - TO-220 - - 006 2N6565 - - - - TO-92 微触发 - 007 2P4M - - - - TO-202 - - 008 4P1M - - - - TO-202 - - 009 BT148-600E 600 4 5 5 SOT82 - 010 CR03AM-8 - - - - TO-92 微触发 - 011 CR03AM-12 - - - - TO-92 微触发 - 012 EC103D - - - - TO-92 微触发013 MCR100-6 400 0.8 1.7 - TO-92 -014 MCR100-8 600 0.8 1.7 - TO-92 -015 MCR12LD 400 12 5 5 TO-220AB-016 MCR12LM 600 12 5 5 TO-220AB-017 MCR12LN 800 12 5 5 TO-220AB-018 MCR25N - - - - TO-202 - - 019 MCR72-3 100 8 5 5 TO-220AB-020 MCR72-6 400 8 5 5 TO-220AB-021 MCR72-8 600 8 5 5 TO-220AB-022 MCR8N - - - - TO-202 - - 023 S010L 100 1 1.5 0.3 TO-92 绝缘栅024 S0201L 200 1 1.5 0.3 TO-92 绝缘栅025 S040L 400 1 1.5 0.3 TO-92 绝缘栅026 S0401L 600 1 1.5 0.3 TO-92 绝缘栅025 S0315L - - - - TO-220 绝缘栅026 S0506LS3 6 50 1.5 0.5 TO-220AB绝缘栅027 S0508F2 50 8 1.5 0.5 TO-202AB-028 S0565J 50 65 3.0 50 TO-218X 绝缘栅029 S1012L - - - - TO-220 绝缘栅030 S1055M 50 55 1.5 40 TO-218AC-031 S1055W 50 55 1.5 40 TO-218AC大引脚022 S2003LS3 - - - - TO-220 绝缘栅033 S2006LS2 200 6 1.5 20 TO-220AB绝缘栅034 S2006LS3 200 6 1.5 40 TO-220AB绝缘栅035 S2008LS3 200 8 1.5 20 TO-220AB绝缘栅036 S2010LS2 200 10 1.5 20 TO-220AB绝缘栅037 S2020L 200 20 1.6 30 TO-220AB绝缘栅038 S2025L 200 25 1.5 35 TO-220AB绝缘栅039 S2035J 50 35 1.5 35 TO-218X 绝缘栅040 S2035K 50 35 1.5 35 TO-218X 绝缘栅041 S2040K 400 40 1.5 35 TO-220AB绝缘栅 - 042 S2055M 200 55 1.5 40 TO-218AC-043 S2055W 200 55 1.5 40 TO-218X 大引脚 - 044 S2070W 200 70 2.0 50 TO-218X 大引脚045 S4002NH 400 2 - - TO-220 -046 S4003LS2 400 3 - - TO-220 绝缘栅047 S4003LS3 400 3 - - TO-220 绝缘栅 - 048 S4006L 400 6 1.5 20 TO-220AB绝缘栅049 S4006LS2 400 6 1.5 20 TO-220AB绝缘栅050 S4008L 400 8 1.5 20 TO-220AB绝缘栅051 S4008LS2 400 8 1.5 20 TO-220AB绝缘栅052 S4008LS3 400 8 1.5 20 TO-220 绝缘栅053 S4010L 400 10 1.5 20 TO-220AB绝缘栅054 S4010LS2 400 10 1.5 20 TO-220 绝缘栅055 S4015L 400 15 1.5 20 TO-220 绝缘栅056 S4020L 400 20 1.6 30 TO-220AB绝缘栅057 S4025L 400 25 1.6 35 TO-220 绝缘栅058 S4035J 400 35 1.8 35 TO-218AC绝缘栅059 S4035K 400 35 1.8 35 TO-218AC绝缘栅060 S4055M 400 55 1.8 40 TO-218AC- 061 S4055W 400 55 1.8 40 TO-218X 大引脚062 S4070W 400 70 1.8 50 TO-218X 大引脚063 S6006L 600 6 1.5 20 TO-220AB绝缘栅064 S6008L 600 8 1.5 20 TO-220Ab绝缘栅065 S6010L 600 10 1.5 20 TO-220AB绝缘栅066 S6015L 600 15 1.5 30 TO-220AB绝缘栅067 S6020L 600 20 1.5 30 TO-220AB绝缘栅068 S6025L 600 25 1.5 35 TO-220AB绝缘栅069 S6035J 600 35 1.5 35 TO-218X 绝缘栅070 S6055M 600 55 1.8 40 TO-218X 大引脚071 S6065W 600 55 1.8 40 TO-218X 绝缘栅072 S6065K 600 65 1.8 50 TO-218X 绝缘栅073 S6070W 600 70 2.0 50 TO-218X 大引脚074 S8025L 800 25 1.5 35 TO-220AB绝缘栅075 S8035K 800 35 1.5 35 TO-218AC绝缘栅076 S8055M 800 55 1.5 40 TO-218AC- 077 S8055W 800 55 1.5 40 TO-218X 大引脚078 S1625DH - - - - TO-220 - -079 S2008L 200 8 1.5 20 TO-220AB -080 S2010FS2 200 10 1.5 20 TO-220AB- 081 S2012R 200 12 1.5 20 TO-220 -082 S2016R 200 16 1.5 30 TO-220AB- 083 S2025R 200 25 1.5 35 TO-220AB- 084 S2040R 200 40 1.5 35 TO-220AB- 085 S2055R 200 55 1.5 40 TO-220 -086 S4008R 400 8 1.5 20 TO-220AB-087 S4012R 400 12 1.5 20 TO-220AB-088 S4016R 400 16 1.5 30 TO-220AB-089 S4025R 400 25 1.5 35 TO-220AB-090 S4040R 400 40 1.5 35 TO-220 -091 S4055R 400 55 1.5 40 TO-220AB-092 S4008R 400 8 1.5 20 TO-220AB- - 093 S4004F1 - - - - TO-220 - - 094 S4006FS2 - - - - TO-220 - - 095 S4008F2 400 8 1.5 20 TO-220 -096 S4010FS21 400 10 1.5 20 TO-220AB-097 S6006F1 600 6 1.5 20 TO-220AB-098 S6006FS2 600 6 1.5 20 TO-202 -099 S6008F1 600 8 1.5 20 TO-220AB-100 S6010FS2 600 10 1.5 20 TO-220AB-101 S6008R 600 8 1.5 20 TO-220 -102 S6012R 600 12 1.5 20 TO-220AB-103 S6016R 600 16 1.5 30 TO-220 -104 S6025R 600 25 1.5 35 TO-220AB-105 S6040R 600 40 1.5 35 TO-220AB-106 S6055R 600 55 1.5 40 TO-220 -107 T106M1 - - - - TO-202 - - 108 TP237 - - - - TO-220 - - 109 TYN108 - - - - TO-220 - - 110 TYN616 - - - - TO-220 - - 111 TYN716 - - - - TO-220 - - 112 X0205 - - - - TO-92 微触发 - 113 X02029 - - - - TO-92 微触发 - 114 X0402MF - - - - TO-202 无头115 X0203MF - - - - TO-202 无头 - 116 X0405MF - - - - TO-202 - -2、常用双向可控硅：序号型号 V DRM[W] I T(RMS)[A]V GM[V]P GM[W]封装说明生产厂商数据手册001 BT136 600 4 5 5 TO-220 -002 BT137 600 8 5 5 TO-220 -003 BT138 600 12 5 5 TO-220 -004 BT139 600 16 5 5 TO-220 -005 BTA20 800 20 - - TO-220 -006 MCA12m 600 16 5 5 TO-220 - MOTOROLA007 MCA12N 600 16 5 5 TO-220 - MOTOROLA008 MCA15 400 15 10 20 TO-220 - MOTOROLA009 MCA15A6 600 15 10 20 TO-220AB- -010 MCA15A8 800 15 10 20 TO-220AB- -011 MCA15A10 600 15 10 20 TO-220AB- -012 MCA16CM 600 16 - 20 TO-220AB- -013 MCA16CN 800 16 - 20 TO-220AB- -014 MCA8D 400 8 - 16 TO-220AB- -015 MCA8M 600 8 - 16 TO-220AB- -016 MCA8N 800 8 - 16 TO-220AB- -017 MCA9D 400 8 - 16 TO-220AB- -018 MCA9M 600 8 - 16 TO-220AB- -019 MCA9N 800 8 - 16 TO-220AB- -序号型号 V DRM[W] I T(RMS)[A]I GT[mA]P GM[W]封装说明生产厂商数据手册001 Q201E3 200 1 10 0.2 TO-92 - -002 Q401E3 400 1 10 0.2 TO-92 - -003 Q2004L3 200 4 10 0.3 TO-220AB- -004 Q4004L3 400 4 10 0.3 TO-220AB- -005 Q6004L3 600 4 10 0.3 TO-220AB- -006 Q2004L4 200 4 25 0.3 TO-220AB- -007 Q4004L4 400 4 25 0.3 TO-220AB- -008 Q6004L4 600 4 25 0.3 TO-220AB- -009 Q2004F31 200 4 10 0.3 TO-202AB- -010 Q4004F31 400 4 10 0.3 TO-202AB- -011 Q6004F31 600 4 10 0.3 TO-202AB- -012 Q2004F41 200 4 25 0.3 TO-202AB- -013 Q4004F41 400 4 25 0.3 TO-202AB- -014 Q4006L4 400 6 25 0.5 TO-220AB- -015 Q4008L4 400 8 25 0.5 TO-220AB- -016 Q6008L5 600 8 25 0.5 TO-220AB- -017 Q2008R4 200 8 25 0.5 TO-220AB- -018 Q4008R4 400 8 25 0.5 TO-220AB- - 019 Q6008R5 600 8 50 0.5 TO-220AB- - 020 Q2010L5 200 10 50 0.5 TO-220AB- - 021 Q4010L5 400 10 50 0.5 TO-220AB- - 022 Q6010L5 600 10 50 0.5 TO-220AB- - 023 Q2010R5 200 10 50 0.5 TO-220AB- - 024 Q4010R5 400 10 50 0.5 TO-220AB- - 026 Q6010R5 600 10 50 0.5 TO-220AB- - 027 Q2015L5 200 15 50 0.5 TO-220AB- - 028 Q4015L5 400 15 50 0.5 TO-220AB- - 029 Q6015L5 600 15 50 0.5 TO-220AB- - 030 Q2015R5 200 15 50 0.5 TO-220AB- - 031 Q4015R5 400 15 50 0.5 TO-220AB- - 032 Q6015R5 600 15 50 0.5 TO-220AB- -。

三象限双向可控硅型号
（实用版）
目录
1.三象限双向可控硅简介
2.三象限双向可控硅的型号
3.选型时的注意事项
正文
三象限双向可控硅是一种半导体器件，具有电压和电流的双向控制特性。

它可以在正、反两个方向上导通和截止，因此被广泛应用于交流电路和逆变器等电子设备中。

在选型时，我们需要关注以下几个方面：首先，了解三象限双向可控硅的型号。

常见的三象限双向可控硅型号有：
1.2N3055
2.2N3056
3.2N3058
4.2N3060
5.2N3065
这些型号在电流和电压等级上有所不同，需要根据实际应用需求进行选择。

其次，在选型时要注意以下几个方面：
1.确定工作电压：根据电路中的电压范围，选择合适的三象限双向可控硅型号，以确保其在正常工作范围内。

2.确定工作电流：根据电路中的电流需求，选择合适的三象限双向可控硅型号，以确保其在正常工作范围内。

3.注意温度参数：三象限双向可控硅在不同温度下的性能参数会有所变化，因此在选型时要注意工作环境温度，并根据温度范围选择合适的型号。

4.了解器件的动态响应特性：三象限双向可控硅的动态响应特性直接影响到其在电路中的开关速度和性能，因此在选型时要了解器件的相关参数，如开关速度、电流放大系数等。

3. 双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。 检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。
2．区分G极和T1极
(1)找出T2极之后，首先假定剩下两脚中某一脚为Tl极，另一脚为G极。
(2)把黑表笔接T1极，红表笔接T2极，电阻为无穷大。接着用红表笔尖把T2与G短路，给G 极加上负触发信号，电阻值应为十欧左右(参见图4(a))，证明管子已经导通，导通方向为T1一T2。再将红表笔尖与G极脱开(但仍接T2)，若电阻值保持不变，证明管子在触发之后能维持导通状态(见图4(b))。
如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。
1.硅分单向可控硅、双向可控硅。

双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端：TRIode(取前三个字母)交流半导体开关：AC-semiconductor switch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”，或“TRIACs”中文译意“三端双向可控硅开关”。

由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。

另:双向：Bi-directional(取第一个字母)控制：Controlled (取第一个字母)整流器：Rectifier (取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成：“BCR”，中文译意：双向可控硅。

以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如：BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM 等等。

--------------双向：Bi-directional (取第一个字母)三端：Triode (取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅.代表型号如：PHILIPS 的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、、等。

这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。

三象限的品种主要应用于电机电路、三相市电输入的电路、承受的瞬间浪涌电流高。

-------------------而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号，并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘。

组成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：四象限、绝缘型、双向可控硅：BTA06-600C、BTA08-600C、BTA10-600B、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600、、、等等；四象限、非绝缘、双向可控硅：BTB06-600C、BTB08-600C、BTB10-600B、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600、、、等等；ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。

双向可控硅百科名片双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。

其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。

产品命名双向可控硅为什么称为“TRIAC”?双向可控硅三端：TRIode(取前三个字母)交流半导体开关：ACsemiconductorswitch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”中文译意“三端双向可控硅开关”。

由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。

双向：Bi-directional(取第一个字母)控制：Controlled(取第一个字母)整流器：Rectifier(取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成:“BCR”中文译意:双向可控硅。

以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM 等等。

双向：Bi-directional(取第一个字母)三端：Triode(取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名，典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅。

代表型号如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-6 00E、BT139-600E、等等。

这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；双向可控硅Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。

而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：四象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41 -600B等等；四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41 -600B等等；ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。

通态均方根电流为16A
触发电流分档序号：B：IGT1～IGT3 50mA Max C：IGT1～IGT3 25mA Max
2

产品外形尺寸图 TO-220AB封装外形图
双向可控硅 BTA16、BTB16系列产品规格书
尺寸数据表(单位：mm）：
符号
A
B
C
D
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符号 Tcase Tstg
Tj VDWM VRWM VDRM VRRM IT(RMS)
ITSM
I2t di/dt
IGM PG（AV）
最小值 -40 -40 -40
数值 最大值 125 150 125 480 480 600 600 16
160 168 144
50
4
1
单位 ℃ ℃ ℃ V V A
A A2S A/uS
120
25
50
50
100
1.3
mA
mA V V V/uS
热阻
名称 热阻（结至壳温的最大值） 型号说明
符号 Rth(j-c)
BT A 16
数值 1.2/2.1
单位 ℃/W
可控硅产品
A：绝缘材料 B：非绝缘材料
600 B
阻断电压≥600V Semiwill Electronics Technology Limited

可控硅电路选型分析首先，可控硅的特性是选型的重要考虑因素之一、可控硅的主要特性包括触发电流、工作电压、电流传导能力、温度特性等。

触发电流是指可控硅正常导通所需的最低电流，该数值越小，控制电路的复杂性和成本也相应越低。

工作电压指的是可控硅能够承受的最大电压，选择合适的工作电压能够提高可控硅的稳定性和寿命。

电流传导能力是指可控硅正常导通时能够承受的最大电流，需根据具体需要选择合适的数值以确保电路的安全性和可靠性。

温度特性指的是可控硅导通特性随温度变化的情况，不同型号的可控硅在不同温度下工作时的性能可能会有所不同，需要根据具体工作条件选择合适的可控硅。

其次，根据电路要求选择合适的可控硅。

在选型过程中，需要根据电路的功率要求、触发方式、选通方式等因素来确定合适的可控硅。

功率要求是指电路需要承受的最大功率，根据该数值选择合适的可控硅功率等级。

触发方式是指可控硅导通的触发方式，常见的触发方式有正半周触发和双向触发等，根据具体的触发方式选择合适的可控硅。

选通方式是指可控硅在断电后是否需要外部干预才能继续导通，如果需要外部干预，则选择需要外界干预才能导通的可控硅。

最后，成本也是一个重要的选型因素。

不同型号的可控硅价格可能会有所不同，因此需要根据不同项目的经济实际情况来选择成本合适的可控硅。

此外，还需考虑可控硅的使用寿命、可靠性等方面的因素，以确保选型的可控硅符合项目的要求和预期寿命。

综上所述，可控硅的选型需要综合考虑其特性、电路要求和成本等因素。

选取合适的可控硅能够提高电路的性能和稳定性，降低电路的复杂性和成本，达到预期的电路效果。

在选型过程中，需要充分了解和评估可控硅的特性，并结合具体的电路要求和成本，做出最合适的选择。

仪元公司可提供 SS 水冷系列和 SF 风冷系列以及各类非标及组件散热器 为元件配套
使用
根据元件通态额定平均电流推荐配置的标准型散热器型号见下表
元件通态额定平均电流
100A-200A 300A 400A 500A-600A 800A 1000A
推荐散热器型号
水冷
风冷
SS11
SF12
SS12
SF13 SF13 SF14
SS12 SS13
SF15
SS13
SF16
SS14
SF17
1000A-3000A
SS14
其中 SF 系列风冷散热器是指在强迫风冷(风速 6m/s)条件下的推荐配置 用户在使用
时应根据实际散热条件并考虑可靠性要求进行选择 对于 1000A 以上元件一般不推荐使用
风冷散热器 若使用风冷散热器 则元件额定电流需降额使用
m 平整度小于或等于 30 m 安装时元件台面与散热器台面应保持清洁干净无 油污等脏物 3 安装时要保证元件台面与散热器的台面完全平行 同心 安装过程中 要求通过元 件中心线施加压力以使压力均匀分布在整个接触区域 用户手工安装时 建议使用 扭矩扳手 对所有紧固螺母交替均匀用力 压力的大小要达到数据表中的要求 4 在重复使用水冷散热器时 应特别注意检查其台面是否光洁 平整 水腔内是否有 水垢和堵塞 尤其注意台面是否出现下陷情况 若出现了上述情况应予以更换
器直流输入电压为 Ud 功率因数为 cos 则
VDRM/RRM= 1.5-2 Ud / 2cos 2 元件的额定通态电流 IT AV
考虑到元件在较高频率下工作时 其开关损耗非常显著
元件的额定通态电流应按实
际流过其有效值 I 的 2-3 倍来考虑 即

双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端：TRIode(取前三个字母)交流半导体开关：AC-semiconductor switch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”，或“TRIACs”中文译意“三端双向可控硅开关”。

由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。

另:双向：Bi-directional(取第一个字母)控制：Controlled (取第一个字母)整流器：Rectifier (取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成：“BCR”，中文译意：双向可控硅。

以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如：BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。

--------------双向：Bi-directional (取第一个字母)三端：Triode (取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅.代表型号如：PHILIPS 的 BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、、等。

这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。

三象限的品种主要应用于电机电路、三相市电输入的电路、承受的瞬间浪涌电流高。

-------------------而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号，并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘。

组成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：四象限、绝缘型、双向可控硅：BTA06-600C、BTA08-600C、BTA10-600B、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600、、、等等；四象限、非绝缘、双向可控硅：BTB06-600C、BTB08-600C、BTB10-600B、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600、、、等等；ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。

双向可控硅（bidirectional controlled silicon, BCR）调压电路是一种常见的电子调压电路，它能够实现直流电压的调节和控制。

在设计双向可控硅调压电路时，选择合适的元器件对于电路的性能和稳定性至关重要。

本文将针对双向可控硅调压电路元器件的选择进行详细讨论。

一、双向可控硅双向可控硅是一种半导体器件，具有双向触发功能，能够进行正、负向的电压调节。

它的主要特点包括触发电压低、响应速度快、耐绝缘能力强等。

在双向可控硅调压电路中，合适的双向可控硅能够有效提高电路的稳定性和可靠性。

二、双向可控硅调压电路元器件的选择1. 双向可控硅在选择双向可控硅时，需要考虑其额定电压和电流、触发电压、耐压能力等参数。

一般来说，选择额定电压和电流略大于实际需要的数值，以确保电路能够正常工作并具有一定的过载能力。

2. 电容器电容器在双向可控硅调压电路中起着滤波和稳压的作用。

选择电容器时，需要考虑其电压等级、容量、频率响应等参数。

合适的电容器能够减小电路的波纹电压和干扰，提高电路的稳定性。

3. 电感电感也是双向可控硅调压电路中常用的元器件之一，主要用于滤波和能量存储。

选择电感时，需要考虑其电流、电感值、耐压能力等参数。

合适的电感能够减小电路的电磁干扰和输出波纹，并提高电路的效率。

4. 整流二极管整流二极管用于将交流电转换为直流电，并起着保护电路的作用。

在选择整流二极管时，需要考虑其额定电压、电流、反向漏电流等参数。

合适的整流二极管能够有效减小功率损耗和提高电路的效率。

5. 电阻电阻用于限流和分压，是双向可控硅调压电路中不可或缺的元器件。

在选择电阻时，需要考虑其阻值、功率、稳定性等参数。

合适的电阻能够确保电路的稳定性和安全性。

6. 负载负载是双向可控硅调压电路中直接影响输出性能的元器件，包括电机、灯泡、电炉等。

在选择负载时，需要考虑其功率、阻抗、响应速度等参数。

合适的负载能够确保电路的输出稳定并能够适应不同的工作环境。

双向可控硅的几大基本要素解析导读：目前，双向可控硅已被广泛应用于工业、交通、家用电器等领域，可实现交流调压、电机调速、交流开关、路灯自动开启与关闭、温度控制、台灯调光、舞台调光等多种功能，它还被用于固态继电器和固态接触器电路中。

那么，今天我们就为大家介绍有关双向可控硅的几大基本要点。

一、简单介绍什么是双向可控硅呢？双向可控硅TRIAC（Triode ACSemiconductor Switch）为三端双向可控硅开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅。

TRIAC为三端元件，其三端分别为T1 （第二端子或第二阳极），T 2（第一端子或第一阳极）和G（控制极）亦为一闸极控制开关，与SCR最大的不同点在于TRIAC无论于正向或反向电压时皆可导通，其符号构造及外型，如图1所示。

因为它是双向元件，所以不管T1 ,T2的电压极性如何，若闸极有信号加入时，则T1 ,T2间呈导通状态；反之，加闸极触发信号，则T1 ,T2间有极高的阻抗。

二、双向可控硅的特性及用途1. 双向可控硅替的主要优点体现在：（1）大功率双向可控硅为无触点式开关，无火花、寿命长、体积小、无噪音；（2）接触器工作时，其控制回路需要消耗一定的电能，而可控硅为弱电控制，控制回路耗电微乎其微；（3）接触器控制电路中，操作者接触的器件电压都较高，不安全，而大功率双向可控硅控制电路中操作者只接触5~15V的直流低压电源，非常安全；（4）大功率双向可控硅为弱电控制强电，弱电电路更新方便，较容易设计出满足各种要求的控制电路。

2. 双向可控硅替在电路中的主要用途：双向可控硅最基本的用途就是可控整流。

大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。

如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。

在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug,VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。

而只有在触发脉冲Ug 到来时，负载RL上才有电压UL输出（波形图上阴影部分）。

一、单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极A与阴极B间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。

以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。

另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。

可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。

二、单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。

从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。

三、单向可控硅的性能检测可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。

第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。

用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。

具体方法是：用R×1k或R×10k 挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。

电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。

如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。

用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。

用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。

反向阻值应很大，但不能为无穷大。

一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。

又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。

在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。

它只有导通和关断两种状态。

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。

可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。

可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。

可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。

1、可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。

见图1。

它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。

2、工作原理 可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。

此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。

因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。

此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。

这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

可控硅型号与参数表平板型晶闸管型号与参数Type VDR M IT(A V) tq tg t fM VTMIGT VGTIDR MIH Tj m ITS M I2tdv/dt di/dt Rth jc 外形VRR M@85℃ @100℃ @ITM (ma x) (ma x) IRR M (ma x) @10ms @10m s (mi n) @ fM (ma x)30V/μS(max)(mi n)(V) (A) (μS) (μS) KH Z (V/A) (mA ) (V) (mA ) (mA ) ℃ (KA ) (KA2S) (V/μS) (A/μS)(℃/W)KG50-19KA7 600-1200 50 ≤12 ≤2.520 3.1/150 150 1.8 ≤15 20-150 115 0.94 5 500 100 0.11KA1KG50-19KT18 600-1200 50 ≤12 ≤2.520 3.1/150 150 1.8 ≤15 20-150 115 0.94 5 500 1000.11 KT18 KG100-30KA2 600-1200 100 ≤12 ≤2.520 3.1/300 150 2 ≤20 20-200 115 1.9 18 500 100 0.08 KA2 KG100-30KT1 600-1200 100 ≤12 ≤2.520 3.1/300 150 2 ≤20 20-200 115 1.9 18 500 100 0.08 KT1 KG200-35KA3600-1600 200 ≤18 ≤3 10 3.0 /600 200 2 ≤25 20-300 115 2.4 29 500 200 0.05 KA3 KG200-35KT19 600-1600200 ≤18 ≤3 10 3.0 /600 200 2 ≤25 20-300 115 2.4 29 500 2000.05 KT19 KG300600300 ≤18 ≤10 3.0 200 2 ≤20-113.6 65 500 200 0.0KA4-40KA4 -1600 3 /900 30 350 5 4KG300-40KT5600-1600 300 ≤18 ≤3 10 3.0 /900 200 2 ≤30 20-350 115 3.6 65 500 200 0.04 KT5 KG500-45KA5600-1200 500 ≤18 ≤3 10 3.0/1500 200 2.5 ≤40 20-350 115 6 180 800 200 0.026 KA5 KG500-45KT6600-1600 500 ≤18 ≤3 10 3.0 /1500 200 2.5 ≤40 20-350 115 6 180 800 200 0.026 KT6 KG800-50KT7600-1400 800 ≤18 ≤3 10 3.0 /2400 250 2.5 ≤50 20-350 115 9.6 460 800 300 0.022 KT7 KG1000-55KT7600-1400 1000 ≤18 ≤3 10 3.0/3000 250 2.5 ≤60 20-350 115 12 720 1000 300 0.02 KT7 KG1200-55KT14 600-1200 1200 ≤18 ≤3 10 3.0 /3000 250 2.5 ≤60 20-350 115 14 1000 1000 3000.015 KT14KK5A —100A 螺栓型 快速晶闸管TypeVDR M IT(A V) Tq VTM IGT VGTIDR M IH Tjm ITSM I 2t dv/d t di/d t Rthj c 外形VRR MIRR M推荐@85℃@100℃ @ITM (max ) (max ) (max ) @10m s @10ms (min ) (min ) (max )散热器30V/μS (max) (V) (A) (μS) (V/A) (mA) (V) (mA ) (mA) ℃ (A) (KA2S) (V/μS) (A/μS) (℃/W) 型号KK5-KL6 500- 5 ≤20 2.4 /15 70 2 ≤5 60 100 90 0.04 200 2.5 K L6SZ141600 KK10-KL10500-1600 10 ≤202.4/301002 ≤8 100 100 180 0.18 200 501KL10 SZ16KK20-KL10500-1600 20 ≤202.4/601002 ≤8 100 100 360 0.72 200 501KL10 SZ16KK50-KL12500-1600 50 ≤20 2.4/150 2002 ≤16 100 115 940 5 200 50 0.4KL12 SL17KK100-KL20500-1800100 ≤30 3.0 /300 200 2.5 ≤20 100 115 1900 18 500 100 0.2KL20 SL18KG5A —50A 螺栓型 高频晶闸管Typ e VDR M IT(A V) tq tg t fM VTM IGT VGT IDR M IH Tj m ITS M I2tdv/dt di/dt Rth jc 外形 推荐 VRR M@85℃ @100℃ @ITM (ma x) (ma x) IRR M (max) @10ms @10m s (mi n)@ fM (max) 散热器30V/μS (max ) (min)型号(V) (A) (μS) (μS) KH Z (V/A ) (mA ) (V) (mA ) (mA ) ℃ (A) (KA2S)(V/μS) (A/μS)(℃/W) KG5-KL6 600-1200 5 ≤12 ≤2.510 3.0 /15 70 2 ≤5 60 ## 90 0.04 300 50 2.5 K L6SZ14 KG10-KL10 600-1200 10 ≤12 ≤2.510 3.0 /30 100 2 ≤8 100 ## 180 0.18 300 50 1KL10 SZ16KG20-KL12 600-120020 ≤12 ≤2.520 3.0 /60 100 2 ≤8 100 ## 360 0.72 300 60 0.4KL12 SL17KG3 0-KL1 2600-12030≤12≤2.5103.0/901502≤16100##540 1.53001000.4KL12SL17KG3 5-KL1 6600-12035≤12≤2.5203.0/1001502.5≤20100##600 1.8500800.2KL16SL18KG5 0-KL1 2600-12050≤12≤2.583.2/1501502.5≤20100##90045001500.4KL12SL17快速晶闸管快速晶闸管额定通态平均电流20A-2500A，断态及反向重复峰值电压100V-220V。

双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端：TRIode(取前三个字母)交流半导体开关：AC-semiconductor switch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”，或“TRIACs”中文译意“三端双向可控硅开关”。

由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。

另:双向：Bi-directional(取第一个字母)控制：Controlled (取第一个字母)整流器：Rectifier (取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成：“BCR”，中文译意：双向可控硅。

以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如：BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM 等等。

--------------双向：Bi-directional (取第一个字母)三端：Triode (取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅.代表型号如：PHILIPS 的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、、等。

这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。

三象限的品种主要应用于电机电路、三相市电输入的电路、承受的瞬间浪涌电流高。

-------------------而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号，并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘。

组成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：四象限、绝缘型、双向可控硅：BTA06-600C、BTA08-600C、BTA10-600B、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600、、、等等；四象限、非绝缘、双向可控硅：BTB06-600C、BTB08-600C、BTB10-600B、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600、、、等等；ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。

双向可控硅参数表
双向可控硅的参数主要包括以下几项：
1.断态重复峰值电压（VDRM）：这是指双向可控硅在断态（或阻断状态）下能够承
受的最大反向电压。

2.反向重复峰值电压（VRRM）：这是指双向可控硅在反向工作状态下能够承受的最
大电压。

3.通态平均电流（IT）：这是指在通态工作状态下，双向可控硅能够承受的平均电流
值。

4.通态不承复浪涌电流（IrsM）：这是指在通态工作状态下，双向可控硅能够承受的
浪涌电流峰值。

5.额定结温（Tjm）：这是指双向可控硅的额定工作温度，一般在110°C左右。

6.贮存温度（Tstg）：这是指双向可控硅的贮存温度范围，一般在-55°C到150°C之
间。

7.门极触发电流（IGT）和门极触发电压（VGT）：这是指触发双向可控硅所需要的
最小电流和电压值。

8.断态重复峰值电压（VDRM）和反向重复峰值电压（VRRM）：这是指双向可控硅
在断态和反向工作状态下能够承受的最大电压峰值。

此外，还有通态峰值电压、维持电流等参数也是衡量双向可控硅性能的重要指标。

不同的型号和应用场合会有不同的参数要求，具体可查阅相关产品规格书或咨询专业人士。