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2024年电力电子学知识点总结____年电力电子学知识点总结一、概述电力电子学是研究电力系统中电能的调控、转换和控制的学科。
它涵盖了电力电子器件、电力电子电路、电力电子控制和电力电子系统等方面的内容。
随着电力系统结构的演进和新技术的引入，电力电子学的研究也在不断更新和发展。
二、电力电子器件1. 功率半导体器件功率半导体器件是电力电子学中最基础的组成部分。
在____年，功率半导体器件将会有以下几个重要的发展趋势：- 高性能：功率半导体器件的集成度、耐压能力和开关速度将不断提高，以满足电力系统的高效率和高可靠性要求。
- 宽功率范围：功率半导体器件将逐渐向高电压、大电流和高功率领域发展，以满足电力系统的不同应用需求。
- 高温工作：功率半导体器件的耐高温性能将会得到改善，以适应电力系统中高温环境的要求。
- 宽温度范围：功率半导体器件将在更宽的温度范围内工作，以适应不同地域和环境的应用需求。
2. 光电子器件光电子器件是电力电子学中新兴的领域，它将光学和电力电子学相结合，具有高速、高效和低功耗的特点。
在____年，光电子器件的发展将会有以下几个重要的趋势：- 高速调制：光电子器件的调制速度将会大幅提高，以满足高频率电力系统对数据传输和信号处理的需求。
- 高效能量转换：光电子器件将通过光电转换实现电能的高效转换和传输，以提高电力系统的能量利用率。
- 高密度集成：光电子器件将实现更高的集成度，以减小体积和重量，同时提高系统的可靠性。
三、电力电子电路1. 变换器和逆变器变换器和逆变器是电力电子学中常见的电路，用于实现电能的变换和控制。
在____年，变换器和逆变器的发展将会有以下几个重要的趋势：- 高效率：变换器和逆变器的能量转换效率将会提高，以减少能量的损耗和浪费。
- 多电平结构：变换器和逆变器将采用多电平结构来提高波形质量和降低电磁干扰。
- 高频率工作：变换器和逆变器将工作在更高的频率范围内，以提高系统的响应速度和减小体积。
集成电路分析期末复习总结集成电路分析集成工业的前后道技术：半导体（wafer）制造企业里面，前道主要是把mos管，三极管作到硅片上，后道主要是做金属互联。
集成电路发展：按规模划分，集成电路的发展已经历了哪几代？参考答案：按规模，集成电路的发展已经经历了：SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI及GSI。
它的发展遵循摩尔定律解释欧姆型接触和肖特基型接触。
参考答案：半导体表面制作了金属层后，根据金属的种类及半导体掺杂浓度的不同，可形成欧姆型接触或肖特基型接触。
如果掺杂浓度比较低，金属和半导体结合面形成肖特基型接触。
如果掺杂浓度足够高，金属和半导体结合面形成欧姆型接触。
、集成电路主要有哪些基本制造工艺。
参考答案：集成电路基本制造工艺包括：外延生长，掩模制造，光刻，刻蚀，掺杂，绝缘层形成，金属层形成等。
光刻工艺：光刻的作用是什么？列举两种常用曝光方式。
参考答案：光刻是集成电路加工过程中的重要工序，作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构。
曝光方式：接触式和非接触式25、简述光刻工艺步骤。
参考答案：涂光刻胶，曝光，显影，腐蚀，去光刻胶。
26、光刻胶正胶和负胶的区别是什么？参考答案：正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面，它一般适合做长条形状；负性光刻胶的未感光部分溶于显影液中，而感光部分显影后仍然留在基片表面，它一般适合做窗口结构，如接触孔、焊盘等。
常规双极型工艺需要几次光刻？每次光刻分别有什么作用？参考答案：需要六次光刻。
第一次光刻--N+隐埋层扩散孔光刻；第二次光刻--P+隔离扩散孔光刻第三次光刻--P型基区扩散孔光刻；第四次光刻--N+发射区扩散孔光刻；第五次光刻--引线接触孔光刻；第六次光刻--金属化内连线光刻掺杂工艺：掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。
参考答案：掺杂的目的是形成特定导电能力的材料区域，包括N型或P型半导体区域和绝缘层，以构成各种器件结构。
5.5电能的输送[学习目标定位] 1.理解输电线上电能的损失与哪些因素有关.2.理解减小电能损失的两个途径以及高压输电的原理.3.知道远距离输电的典型电路，并能利用变压器和电路的规律解决实际问题．1．电阻定律：在温度不变时，同种材料的导体，其电阻R与它的长度l成，与它的横截面积S成，导体电阻与构成它的材料有关，即R＝2．电功率P＝，热功率P＝3．理想变压器原、副线圈的三个关系：P原＝副，U1U2＝n1n2，I1I2＝n2n1.一、降低输电损耗的两个途径1．输电线上的功率损失ΔP＝，I为输电电流，r为输电线的电阻．2．降低输电损耗的两个途径(1)减小输电线的：在输电距离一定的情况下，为了减小，应当选用小的金属材料，还要尽可能增加导线的．(2)减小输电线中的：为减小输电损耗，同时又要保证向用户提供一定的电功率，就要输电电压．二、电网供电1．远距离输电基本原理在发电站内用升压，然后进行远距离输电，在用电区通过降到所需的电压．2．电网通过的输电线、变电站，将许多电厂和广大用户连接起来，形成全国性或地区性的．3．电网输电的优点(1)降低一次能源的，获得最大的经济效益．(2)减小断电的风险，调剂不同地区电力供需的平衡，保障供电的．(3)合理地调度电力，使电力的供应更加，质量更高.、远距离输电电路中的各种关系[问题设计]某发电站向远处送电的示意图如图2所示，其中各部分的物理量已在图上标注，在这个电路中包括三个回路．图2(1)结合闭合电路的知识，分别分析三个回路中各物理量之间的关系(发电机内阻、n1、n2、n3、n4线圈的电阻均忽略不计)．(2)每个变压器中的电流、电压、功率有什么关系？一、输电线上功率损失的计算例1三峡电站某机组输出的电功率为50万千瓦．(1)若输出的电压为20万伏，则输电线上的电流为多少？(2)某处与电站间每根输电线的电阻为10欧，则输电线上损失的功率为多少？它占输出功率的几分之几？(3)若将电压升高至50万伏，输电线上的电流为多少？输电线上损失的功率又为多少？它占输出功率的几分之几？二、远距离输电问题例2发电机的输出电压为220 V，输出功率为44 kW，输电导线的电阻为0.2 Ω，如果用原、副线圈匝数之比为1∶10的升压变压器升压，经输电线后，再用原、副线圈匝数比为10∶1的降压变压器降压供给用户，则：(1)画出全过程的线路示意图；(2)求用户得到的电压和功率；(3)若不经过变压而直接将电送到用户，求用户得到的电压和功率．1．关于减小远距离输电线上的功率损耗，下列说法正确的是( )A ．由功率P ＝U 2/R ，应降低输电电压，增大导线电阻B ．由P ＝IU ，应低电压小电流输电C ．由P ＝I 2R ，应减小导线电阻或减小输电电流D ．上述说法均不对2．如图1为远距离高压输电的示意图。
集成电子学(第四章)纳米CMOS器件中的栅工程栅电极层、栅介质层和Si衬底构成的MIS结构称为栅结构。
其中栅电极层的功函数、栅介质层的厚度、介电常数、介质层电荷及界面缺陷态度等因素直接决定着CMOS器件的特性。
栅电极层为重掺杂的多晶硅和硅化物的复合结构，栅介质为高质量的热氧化SiO2,其氧化层电荷和界面缺陷态密度均很低。
集成电子学一、CMOS器件中的MIS栅结构MIS结构――MOSFET器件的重要组成部分。
MIS ――(Metal Insulator Semiconductor,金属绝缘层-半导体) 栅电极通常由多晶硅-金属硅化物的复合结构构成。
栅介质与栅电极和Si 沟道之间的两个界面对于器件的性质起到着至关重要作用。
集成电子学栅介质、栅电极、Si沟道之间的两个界面厚度通常在几个埃的数量级，是栅电极、栅介质和Si沟道之间材料的过渡。
当界面层的厚度与栅介质层的厚度接近时，界面层将直接影响总的栅电容的大小，从而影响着MOSFET器件的性能。
这些界面层还可以加以利用以获得某些所需的作用。
栅介质层：热氧化硅(SiO2)――新型栅介质材料如氮化二氧化硅材料。
MIS结构中栅介层的厚度tox决定了单位面积栅电容，表面量子化效应和多晶硅耗尽效应(详见4.4 节)等的影响，使栅电容降低――等效的介质层厚度增加――等效电容厚度CET 。
集成电子学集成电子学当采用高介电常数介质等非二氧化硅材料时，通常采用等效氧化层厚度EOT表示栅介质层厚度tox CETinv对应于MOSFET 反型时的等效电容厚度，有CETinv=EOT+tqm+tdp CETacc对应于MOSFET积累时的等效电容厚度，有CETacc=EOT+tqm 集成电子学平带电压1、功函数―费米能级的电子逸出体外所需的能量。
2、电子亲和能―半导体中导带底的电子逸出体外所需的能量。
3、接触电势差―金属费米能级与半导体费米能级的差。
对MIS 结构，其金属和半导体之间的功函数差仅由金属和半导体决定。
MOS-Word复习第一篇：MOS-Word复习目录一、1.2.3.4.二、1.2.3.4.三、1.2.3.4.四、1.3.4.5.6.五、1.2.3.4.5.6.7.8.六、1.2.3.4.5.七、1.八、文档段落的高级设定......................................................................................2 段落设置..........................................................................................................2 制表位设置......................................................................................................2 主题..................................................................................................................2 新增样式与套用样式......................................................................................2 图片的高级设定..............................................................................................2 设置图片格式：..............................................................................................2 剪贴画..............................................................................................................2 艺术字..............................................................................................................2 水印..................................................................................................................2 表格..................................................................................................................2 表格属性..........................................................................................................2 建立公式..........................................................................................................2 排序..................................................................................................................2 表格自动套用格式..........................................................................................2 编辑长文档......................................................................................................3 插入脚注和尾注..............................................................................................3 插入分隔符......................................................................................................3 插入分栏..........................................................................................................3 插入页眉和页脚..............................................................................................3 插入索引和目录..............................................................................................3 审阅文档..........................................................................................................3 插入修订与批注..............................................................................................3 交叉引用..........................................................................................................3 文档权限..........................................................................................................3 保护文档..........................................................................................................3 版本..................................................................................................................4 视图..................................................................................................................4 为文档添加摘要..............................................................................................4 自动更正选项..................................................................................................4 图表应用..........................................................................................................4 插入图表、图示..............................................................................................4 修改图表..........................................................................................................4 将数据导入图表..............................................................................................4 插入Excel工作表..........................................................................................4 插入PPT演示文稿.........................................................................................4 建议窗体..........................................................................................................4 视图—工具栏—窗体......................................................................................4 快捷键.. (4)Word复习一、文档段落的高级设定1.段落设置A.将光标定位到页面最后一个段落中，右击（或格式—段落）—段落—换行和分布—与下段同页B.首行缩进：格式—段落 2.制表位设置选择文本，格式—制表位，确定制表位的个数与位置，对齐方式和是否需要前导符3.主题格式—主题，选择一种主题单击确定即可应用于整篇文档注意：是否需要设置“背景图像4.新增样式与套用样式A.格式—样式和格式—新样式B.选择文本—鼠标单击指定样式，套用“样式和格式”窗格中的样式C.管理样式和格式：在页面右下角中，选择“显示”下拉框中的“自定义”，将样式复制到normal模板或指定文档中二、图片的高级设定1.设置图片格式：裁剪图片、图像控制和图片与文字的环绕A.裁剪图片：双击图片—图片—裁剪，可将图片进行上下左右裁剪B.图像控制：双击图片—图片—图像控制，可对图片设置颜色、亮色和对比度C.图片与文字的环绕：双击图片—版式，环绕方式和水平对齐方式，区分“四周型”和“紧密型”区别D.了解如何按不同的形状裁剪图片2.剪贴画插入—图片—剪贴画，在搜索文字下的文本框中，输入关键字可以搜索指定名称的剪贴画3.艺术字插入—图片—艺术字4.水印格式—背景—水印，水印类型：文字水印和图片水印三、表格1.表格属性表格—表格属性，设置表格“对齐方式”和行高列宽2.建立公式将光标放置结果单元格中，表格—公式注意：公式的三要素：=，函数，参数3.排序选中整张表，表格—排序，根据题目要求选择排序关键字和排序规则4.表格自动套用格式选中整张表，表格—表格自动套用格式四、编辑长文档1.插入脚注和尾注A.插入—引用—脚注和尾注区别：脚注是页面结尾处；尾注是文档结束处B.删除脚注或尾注：不是删除脚注处的文字，而是删除脚注在正文中的标记C.删除脚注或尾注分割线：视图—普通视图，选择视图—“查看脚注区“或”查看尾注区“，在打开对话框中的下拉列表中选择“脚注/尾注分隔符”，选中删掉2.插入书签A.插入—书签B.定位书签：法一：编辑—定位法二：插入—书签，选择定位C.显示书签的隐藏标记：工具—选项—显示，勾选“书签”前的复选框3.插入分隔符将光标定位到欲插入分隔符的位置，插入—分隔符4.插入分栏选中文本，格式—分栏5.插入页眉和页脚视图—页眉和页脚 6.插入索引和目录A.插入—引用—索引和目录B.目录的制作：法一：将标题运用样式法二：利用多级符号法三：进入大纲视图，改变大纲级别C.索引的制作：标记索引项，再生成索引目录（可选择页码对齐方式，前导符和格式）五、审阅文档1.插入修订与批注A.工具—修订，对文档所做的修改做标记B.插入—批注，相当于备注信息注意：“修订”工具栏中“显示”—“选项”中对修订和批注的属性设置2.交叉引用插入—引用—交互引用解释：文档中的一个位置去引用其他位置的内容，类似超链接。
第一章 PN 结雪崩击穿与结终端技术一、 理想PN 结（平行平面结）特性平衡 形成耗尽层，扩散电流等于漂移电流，无电流。
正偏 耗尽层减薄，扩散电流大于漂移电流，电流大。
反偏 耗尽层增厚，扩散电流小于漂移电流，电流小。
反向饱和电流 00n p p n s n pqD n qD p I A L L ⎛⎫=+ ⎪ ⎪⎝⎭伏安特性 001qV n p p n kTn pqD n qD p I A e L L ⎛⎫⎛⎫=+- ⎪ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 二、理想PN 结的雪崩击穿PN 结反偏后，继续加大反偏电压，反向电流突然增加，PN 结击穿。
1、 碰撞电离a) 随着电场的增强，载流子在受到光学声子散射的间隔间（两次碰撞之间）由电场加速会积累足够的动能去产生二次“电子-空穴对”b) 二次载流子继续产生下一代载流子。
c) 载流子的这种繁殖（雪崩倍增），导致PN 结反向电流大于原生电流，引起器件的击穿。
2、 电离系数用电离系数来表征雪崩击穿过程，电离系数定义为，一个电子或空穴在每厘米距离内产生的电子-空穴对的数目。
电子电离率 ()e x p/n n n a A B E =- 空穴电离率 ()e x p/p p p a A B E =- 采用Fulops （富罗普斯）近似，电离系数有如下表示： （1/cm ） 其中E 以[V/cm]为单位 3、 雪崩倍增因子二次载流子以上载流子电流密度与原生载流子电流密度之比称为雪崩倍增因子。
()()0dp xpp J MJ =()()0dn xn n J M J =4、 击穿条件二、 平行平面结击穿电压V BR 、耗尽层X D 、临界击穿电E M表达式。
3571.810E α-=⨯01d X dx α=⎰PIN、突变结、线性缓变结三种平行平面结的击穿电压各取决那些工艺参数？四、平面结（实际平面工艺制作的PN结）的击穿电压。
有选择掺杂窗口中间近似于平行平面，但是边、角之处近似于圆柱面及球面。
圆柱面及球面存在曲率，导致表面电场比体内高，因此平面结击穿电压比平行平面结击穿电压低。
平面结击穿电压由平行平面结、圆柱面结及球面结中最低的一个击穿电压决定。
1、平行平面结击穿电压V BR：PIN结、突变结、线性缓变结表达式如上表所示。
2、圆柱面结及球面结归一化击穿电压：圆柱面结球面结()()()()()()()686277723613237712ln1222.143BR CYBR PBR SPBR PVVVVηηηηηηηη-⎡⎤=+∙+-⎢⎥⎣⎦⎡⎤=+-+⎢⎥⎣⎦其中 ()B R P V代表完全同样掺杂浓度条件下，平行平面结的击穿电压。
/j Mr W η= 常被称为归一化曲率半径，M W 是平行平面结在击穿时的耗尽层厚度。
jr 是圆柱面结及球面结的半径（结深）。
五、PIN 穿通二极管的击穿电压1、PIN 二极管的击穿电压（平行平面结）56/7()0.9210BR PIN DV X =⨯2、PIN 穿通二极管（当I 层厚度小于PIN 二极管耗尽层厚度，即为PIN 穿通二极管）穿通击穿电压()(2)PT D D BR PIN MMV X X V X X =-其中：D X ：为PIN 穿通二极管I 层的宽度MX : 为理想PIN 二极管I 层的宽度3、 平面结穿通二极管击穿电压画出平面结穿通二极管击穿电压剖面图、版图示意图。
平面结穿通二极管的边缘也包含圆柱面结和球面结。
当外加电压超过穿通电压时，平行平面结的耗尽区不可能扩展，但柱面、球面部分耗尽区边界仍会继续扩展。
1）.平行平面结穿通击穿电压()2B D TP D BR PIN SM qN X V X V X ε⎛⎫== ⎪⎝⎭其中:56/7()0.9210BR PIN DV X =⨯TP V ：为漂移区的穿通电压 DX ：为实际PIN 二极管I 层的宽度M X : 为理想PIN 二极管I 层的宽度 BN ：为漂移区的掺杂度2）.圆柱面结和球面结的击穿电压:六、结终端技术对于有一定耐压要求的器件，不但材料参数、结构参数等要选择得在给定电压下不发生体击穿，而且还要采取一些特殊结构，使表面最大电场减小，使表面击穿电压符合要求。
这些特殊结构称为结终端技术。
1、 扩散保护环结构原理：采用深结扩散以增大半径r j ,提高结边缘的击穿电压。
（使 归一化曲率半径 /j Mr W η= 趋向于1，则: r j ≈W M ）若r j 接近10µm, 通常平面工艺中难以实现。
()()()()()()()()()()1212176171671122226ln 131ln 12311C Y C Y PT BR C Y BR PIN SP SP PT BR SP BR PIN C Y SP C Y SP V F V F V V F V F V F A B F B A F B A B F B A B ---=-⎧=-⎧⎪⎪≥ ⎪⎪⎪⎪⎨⎨⎡⎤≈-=-⎣⎦⎪⎪⎪⎪⎡⎤=∙-=--⎪⎪⎩⎣⎦⎩柱面部分，当B 2时球面部分()()222ln 0.251D J D J AB B B A X R B R R ⎧=--⎪⎨= =⎪⎩其中，，2、 场板（一) 结构：（二) 工作原理：当场板长度远大于下面氧化层和耗尽层厚度，由于场板带负电荷，N 衬底接地。
电场方向由N 衬底指向场板，场板下面N 衬底表面电子被耗尽。
1)场板内部的击穿电压为氧化层击穿电压与耗尽层击穿电压之和。
()1130.75834010 5.3410ox B B BR FP V t N N -=⋅+⋅当N B 及t ox 较大时，击穿电压与tox 为线性关系，而且N B 增加，击穿电压反而增加。
2）场板边缘的击穿电压相当于一个结深为3t ox 的圆柱体或球体的击穿电压()()()()628/76/7712ln 122BR cy BR pV V ηηηη-⎡⎤=++-⎢⎥⎣⎦圆柱体()()()2/326/7313/72.143BR sp BR pV V ηηηη⎡⎤=+-+⎢⎥⎣⎦ 球体其中：3/ox M t W η=T ox 减小、η减小、击穿电压变低，N B 增加、V (BR)P 下降、击穿电压下降。
当 1730.1,10o x B t m N c m μ-<<时击穿发生在场板边缘，当 1631,10ox B t m N cmμ->> 时击穿发生在场板内部。
3、场限环将主结表面承受的电场由N 个场限环来分担，以提高主结表面击穿电压。
N=V BR /V i,i+1-1 （V BR ：主结击穿电压； N ：场限环个数；V i,i+1为两场限环耐压值） 场限环耐压性能计算用 d i 表示相邻环之间的间距，V i,i+1 表示相邻环之间的电压，则:其中d i 和 r i 的单位为µm ， V i,i+1 的单位为V ， r i 代表掺杂区在表面的曲率半径 。
()()0.1252,10.8750.875161616165.19 5.193.87ln 120ln 1110101010B B i i i i i B i B N N V r r r N r N +⎛⎫⎛⎫⎛⎫⎛⎫⎛⎫ ⎪⎪ ⎪=+++- ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭⎝⎭⎝⎭⎝⎭10.8752165.1910B i i i iN d r r r -⎡⎤⎛⎫=+∙- ⎪⎢⎥⎝⎭⎣⎦第二章 可集成功率器件一、 双极型晶体管1、击穿电压：33241660 1.110g C CB E N BV -⎛⎫⎛⎫=⨯⨯ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭该式表明集电结击穿电压与集电极掺杂浓度N C 有关()()110001/1NN CE CB FCB BV BV BV αβ=⋅-=+ （硅：N=3）该式表明F α或β不宜过大。
集电结势垒区宽度：M CJS jCR XX XX =---∆JSX: 外延层厚度 JCX ：集电结结深R X ：掩埋层上返厚度 ∆：留有一定余量由此可见：击穿电压与外延层厚度和掺杂浓度N C 有关（纵向），同时也与物理层设计尺寸L BC 、L CS 有关（横向），必要时需加场板和场限环。
2、工作电流：I E =K E ×L E L E : 发射极有效周长→物理层设计。
3、导通电阻R ON :多元胞结构、网络结构→物理层设计。
4、工作频率：减小面积，降低寄生电容C D 、C T →物理层设计。
5、画出双极型晶体管的剖面图、版图示意图。
二、 达林顿双极型晶体管()121212122121be be bbV V R I R I ββββββββ=++-+-提高了晶体管的放大系数。
画出达林顿双极型晶体管等效电路图、剖面图、版图示意图。
三、 横向双扩散MOS 晶体管(LDNMOS 、LDPMOS)1、剖面图结构：2、工作电压：沟道长度 L=X jp -X jn+当V GS <V T 时，LDMOS 截止， I DC =0 BV DS =V PT +V PL22m axm ax 68A A PTs D N N q V L N ε-⎛⎫=+⎪ ⎪⎝⎭22dD PL SqN L V ε-=N Amax : 衬底杂质浓度 N D -: 漂移区杂质浓度 Ld: 漂移区长度由此可见:加上漂移区提高了BV DS当G STV V ≥时，LDMOS 导通。
高压LDMOS3、工作电流：()212D S P G ST D S D S W I K V V V V L ⎛⎫⎡⎤=-- ⎪⎢⎥⎝⎭⎣⎦当工艺参数、电路参数确定后，由沟道宽度W 决定→物理层设计。
4、 导通电阻R ON :R ON =沟道电阻R on +漂移区扩展电阻R S沟道电阻:漂移区扩展电阻: 1212ln ln D D s L r L r R W r r ρπ⎡⎤⎛⎫⎛⎫--=+⎢⎥ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭⎣⎦与物理层设计有关 5、工作频率：减小面积，降低寄生电容C D 、C T →物理层设计。
6、画出可集成LDNMOS 、LDPMOS 单元的版图四、纵向双扩散MOS 晶体管（VDNMOS 、VDPMOS ）1、剖面图结构：（分立器件）()1on SG S T R R V V β=+-2、工作电压： 沟道长度 L=X jp -X jn+当V GS <V T 时，VDMOS 截止， I DC =0 击穿电压与N-层掺杂浓度N D 、厚度W 有关2D B R SqN WV ε=N D : 纵向漂移区杂质浓度 W: 纵向漂移区宽度由此可见:纵向漂移区提高了BV DS当G STV V ≥时，VDMOS 导通。
3、工作电流：()212D S P G ST D S D S W I K V V V V L ⎛⎫⎡⎤=-- ⎪⎢⎥⎝⎭⎣⎦当工艺参数、电路参数确定后，由沟道宽度W 决定→物理层设计。
