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模拟电子技术根底课后答案(共10篇)模拟电子技术根底课后答案〔一〕: 模拟电子技术根底第三版课后习题答案网上有很多课后题答案网站,我知道一个天天learn网站,我之前在上面找过英语的答案,没找过模电的,因为我模电买的参考书,上网找太费力了,你还不如去买本参考书了,理科的东西只看是不行的模拟电子技术根底课后答案〔二〕: 求模拟电子技术作业答案,单项选择题:1.差分式放大电路由双端输入变为单端输入时,其空载差模电压增益〔〕A.增加一倍B.不变C.减少一半D.减少一倍2.表征场效应管放大能力的重要参数是( ).A.夹断电压VpB.开启电压ViC.低频互(跨)导gmD.饱和漏电流IDss3.桥式RC正弦波振荡器中的RC串并联网络的作用为〔〕.A.选频正反应B.选频负反应C.放大负反应D.稳幅正反应4.某传感器产生的是电压信号〔几乎不提供电流〕,经过放大后希望输出电压与信号成正比,放大电路应是〔〕电路.A.电流串联负反应B.电压串联负反应C.电流并联负反应D.电压并联负反应5.BJT的两个PN结均正偏或均反偏时,所对应的状态是〔〕A.截止或放大B.截止或饱和C.饱和或截止D.已损坏多项选择题:1.放大电路的三种组态中,只能放大电压或放大电流的是〔〕.A.共射组态B.共集组态C.共基组态D.02.直流稳压电源包括以下哪些电路〔〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔〕A.错误B.正确5.正弦振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的负反应放大电路.〔〕A.错误B.正确6.反相比例运算电路引入的是负反应,同相比例运算电路引入的是正反应.〔〕A.错误B.正确7.电流负反应可以稳定输出电流,电压反应可以稳定输出电压.( )A.错误B.正确2.直流稳压电源包括以下哪些电路〔BCD 〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔ABD 〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔CD 〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔AD 〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔A 〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔B 〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔A 〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔A 〕A.错误B.正确模拟电子技术根底课后答案〔三〕: 有没有《电工与电子技术根底》主编毕淑娥的课后练习答案我有不齐全的模拟电子技术根底课后答案〔四〕: 模拟电子技术根底题,1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在〔〕状态,但其两端电压必须〔〕,它的稳压值才有导通电流,否那么处于〔〕状态.A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,那么三个电极分别是〔〕,该管是〔〕型.A、〔B、C、E〕 B、〔C、B、E〕 C、〔E、C、B〕D、〔NPN〕E、〔PNP〕3、对功率放大器的要求主要是〔〕、〔〕.A、Uo高B、Po大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小很简单.1、B；C；F；2、C；D；3、B、E4、B、E；5、B、E〔重复了〕模拟电子技术根底课后答案〔五〕: 模拟电子技术晶体管放大电路问题来自课本,《模拟电子技术根底》第四版华成英童诗白主编1.第96页中图2.3.13〔d〕中1/h22〔即rce〕的电流方向如何请看97页式〔2.3.7b〕是不是可以判断.2.再看第103页图2.2.5〔a〕,如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,看是不是和1问的电流方向有点矛盾3.再看第194页图4.2.10〔b〕中rce1和rce2的电流方向,和上面的1/h22是一样吗如果一样,能推出第195页式(4.2.15)的结果吗1/h22 和rce1和rce2应该都是ce之间动态电阻.请问rce中的电流方向到底如何谢谢requis能答复得这么详细,不过对你的答复我有些疑问,以下为疑问和我的理解：1.首先1/h22e是个电阻量,它本身没有符号,流过它的电流方向要看它两端的电压方向,如果图中Uce真实方向如图中所示,电流确实向下.但是你注意第97页式2.3.6b和前一页图2.3.13〔c〕中的负载线,可以知道dic(即Ic)和duce(即Uce)这两者变化关系是相反的,即当Ic增加时Uce就会减小,也就是说Ic为正时Uce就为负,也就是说1/h22电流方向与Ic相反了.实际你可以从图2.3.13〔c〕中的负载线上直观的看到ic增大〔相当于dic为正〕,Q点上移,Uce减小,由ic-Uce曲线可知ic随Uce减小而减小.说明：Ic与rce电流相反.2.我2问中的图是103页图2.3.18,正常如果图中假设考虑rce的影响,放大倍数会出现形如Au=-(βrce//Rc//Rl)/rbe,试问：如果rce电流方向真的由上向下,Au式中的负号会出现吗同理3问中Au表达式中也有负号,用你说的电流方向是矛盾的.1问其实2．3．13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2．3．7a／b的解释.我们可以知道1／h22为晶体管ce结动态电阻,或称交流内阻.形象的说,如果ib＝0,那么模型中的h12ib为零,等效去掉受控恒流源的时候,ce结就成为一个大电阻,在UBE的作用下产生一个微小的ic值.所以我们可以知道了,1／h22中真实的电流方向是与ic一致的,即图中为向下.因为它本身就是ic的一局部.这点在97页的h参数方程中,ic＝h21eib+h22eUbe,下文中也有说到“第二项由UBE产生一个电流,因而h22e为电导〞.2问：没搞明白,你说的页码跟图号都不对头,“如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,〞也没找到,略过.3问：rce1与1／h22e是一样的,所以电流方向自然一样.而rce2,从图4．2．10b中,或公式4．2．15中,都可以看出,rce1/rce2/RL是并联关系,所以其真实方向也是一致的.不要被图4．2．10a迷惑,那是直流电路,标的也都是直流态的方向.4.2.15公式,表示在RL大到不可忽略rce1/rce2的情况下的Au,这个时候实际上镜流源的意义已经失去.镜流源是为了在实用电路的交流模型中剔除掉Rc 电阻,使实用电路的交流模型能够与图2．3．13d一致〔2．3．13d并非实用电路的交流模型,这点要搞清楚〕.所以实际上4．2．15公式的Au,是不具有实用价值的,因为rce在实际中是不可控参量.所以实际电路,都把RL【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔六〕: 关于PN结的问题《模拟电子技术根底》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能自由移动的负电荷,而N区带有不能自由移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N 指向P的内建电场,但是我想问为什么P区会带不能移动的负电荷,N区会带不能移动的正电荷,因为按我的理解,P区也就是P型半导体,它又叫空穴型半导体,所以它内部有可以移动的带正电的空穴,没有不能移动的负电荷,反之,N型半导体中也只有可以移动的自由电子,但到是有不能移动的正电荷,如果按照网上的一些解释,当P区和N区一接触的时候,那么P区的多子——空穴跑到N区,而N区的多子——自由电子跑到P区,效果应该就是一个复合的结果,也就是说,P区的空穴消失,共用电子对形成,共价键变得完整,而这时P区应该是显正电性,因为P型半导体中掺入的硼元素为最外层电子数3的五价元素,所以它应该显正电,N区也是显正电性.你说的pn结导电的意思就是通了外电压吧,没通外电压时p区的多子是空穴、通电后空穴会向n区运动,当然这个过程中存在离子复合、但并不是所有空穴都会复合模拟电子技术根底课后答案〔七〕: 某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应A．(A) 电压串联B．(B) 电压并联C．(C) 电流串联D．(D) 电流并联这是注册电气工程师考试的一道真题,按照一本参考书的理论解释所选答案绝非网上流传的答案,请高手帮助看看哪个才是正确答案,劳烦说明理由.1、要稳定电流,必须用电流反应.2、信号源内阻很大,可以把它视作一个恒流源,可以通过减小放大电路的输入电阻,以使得电路获得更大输入电流,应该使用并联反应.所以D是正确答案.这个题目你可以参考,童诗白的《模拟电子技术根底》第四版,P292页,写得非常清楚.前面的朋友答复的结果不准确.【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔八〕: 电路与模拟电子的简单问题求解判断〔1〕半导体三极管的集电极电流仅由多数载流子的扩散运动形成。
模拟电子技术基础第三版课后答案王远【篇一：模电资料】术基础是高等院校电气、信息类（包括原自动化、电气类、电子类）专业知识平台重要核心课程，是学生在电子技术入门阶段的专业基础课。
课程涉及模拟信号的产生、传输及处理等方面的内容，工程实践性很强。
课程任务是使学生获得适应信息时代电子技术的基本理论、基本知识及基本分析方法。
旨在培养学生综合应用能力、创新能力和电子电路计算机分析、设计能力。
课程学习完成能为学生以后深入学习电子技术及其在专业中的应用打好两方面的基础；其一是正确使用电子电路特别是集成电路的基础；其二是为将来进一步学习设计集成电路专用芯片打好基础。
《模拟电子技术基础》是电气电子类各专业的一门重要的技术基础课。
其作用与任务是使学生获得低频电子线路方面的基本理论，基本知识和基本技能。
本课程在介绍半导体器件的基础上，重点要求掌握放大器的各种基本单元电路、放大器中的负反馈、运算放大器及其应用、直流电源等低频电子线路电路的工作原理、分析方法和设计方法，使学生具有一定的实践技能和应用能力。
培养学生分析问题、解决问题的能力和创新思维能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。
教学大纲一、课程名称模拟电子技术基础analog electronics二、学时与学分本课程学时：60 学时(课内) 本课程学分： 3.5 学分三、授课对象电类本科生、专科生四、先修课程电路理论、电路测试与实验技术五、教学目的《模拟电子技术基础》是电子类等专业入门性质的课程，是实践性很强的技术基础课。
课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析问题和解决问题的能力。
通过本课程的学习，使学生具备应用电子技术的能力，为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打好基础。
六、主要内容、基本要求及学时分配第一章绪论主要内容基本要求学时数 2第二章半导体二极管及其基本电路主要内容基本要求学时数 4第三章半导体三极管及放大电路基础主要内容基本要求学时数18第四章场效应管放大电路主要内容基本要求学时数 4第五章功率放大电路主要内容基本要求学时数 4第六章集成电路运算放大器主要内容基本要求学时数 6第七章反馈放大电路主要内容基本要求学时数8第八章信号的运算与处理电路主要内容基本要求【篇二：模拟电子技术课程标准】t>电子与信息工程系（院）课程教学标准课程名称模拟电子技术课程类型理论＋实践授课对象三年制大专学生课程学分 4 总学时722009 年12 月《模拟电子技术》教学标准课程名称：模拟电子技术课时：72适用专业：应用电子技术、电子信息工程技术、通信技术、汽车电子技术1．课程定位模拟电子技术是电类专业的一门重要岗位能力课程，是培养生产一线高级技术应用型人才硬件能力的基本入门课程，是十分强调应用实践的工程性质的课程，对人才培养有着至关重要的作用。
习题 1-1 欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理 想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题 1-2 假设一个二极管在 50℃时的反向电流为 10μ A ， 试问它在 20℃和 80℃时的反向电流大约分别为多大？已知 温度每升高 10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在 20℃时的反向电流约为： 2 310 A 1.25 A 在80℃时的反向电流约为： 2310 A 80 A习题 1-3 某二极管的伏安特性如图 (a)所示： ① 如在二极管两端通过 1k? 的电阻加上 1.5V 的电压，如图(b) ，此时二极管的电流 I 和电压 U 各为多少？ ② 如将图 (b)中的 1.5V 电压改为 3V ，则二极管的电流和电压各为多少？ 解：根据图解法求解 ①电源电压为 1.5V 时 1.5 U II 0.8A, U 0.7V② 电源电压为 3V 时 3 U II 2.2A, U 0.8V 可见，当二极管正向导通后，如电源1.5V 1k? (b)电压增大，则二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
习题1-4 已知在下图中，u I = 10sinω t (V)，R L=1k?，试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压u O的波形，并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z、动态电阻r Z以及温度系数α U，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数α U的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
模拟电子技术基础简明教程第三版课后练习题含答案第一章电子元件选择题1.在下列元器件中，最早被发明的是（）。
A. 电容器B. 电感器C. 晶体管D. 电阻器答案：B2.电子元器件中的电容器，按其结构可分为（）。
A. 稳电容和电解电容B. 变电容和稳电容C. 活电容和稳电容D. 电解电容和金属电容答案：D3.直流电阻通常用（）表示。
A. RB. LC. CD. F答案：A填空题1.何为有源元件？有什么作用？答：具有放大作用的电子元器件称为有源元件。
有源元件可以实现信号的放大、变化、增强等功能。
2.何为稳压电源？答：稳压电源是一种能输出稳定电压的电源。
稳压电源可以在电压波动或负载变化时，自动调节输出电压，保证稳定不变。
3.何为金属电阻？答：金属电阻是应用金属材料制成的电子元器件。
金属电阻通过电阻值大小表示电流经过它时所受到的阻力。
计算题1.某稳压电源额定输出电压为12V，输出电流为5A，直流输入电压为220V，输入电流为2A。
求稳压电源的效率。
（效率定义为输出电功率与输入电功率之比）答：输入电功率为220×2=440W，输出电功率为12×5=60W。
稳压电源的效率为60/440×100%=13.6%。
2.已知电路中串联的两个电阻R1=100Ω，R2=200Ω，电源电压为12V，求电路中的电流大小和总电阻。
（请使用以下两个公式：电阻的串联公式：R=R1+R2；串联电路中电流大小公式：I=U/R）答：总电阻为R=100+200=300Ω，电流大小为I=12/300=0.04A。
简答题1.稳定电源的分类及其优缺点答：稳定电源按照控制方式可以分为线性稳压电源和开关稳压电源两种。
线性稳压电源的优点是输出电压稳定，调节范围大，输出纹波较小；缺点是效率比较低，对大功率应用场合不适用。
开关稳压电源的优点是效率高、体积小，适用于大功率应用场合；缺点是输出纹波较高。
2.金属电阻与电位器的区别答：金属电阻与电位器都是电阻器的一种，但二者的区别在于应用场合和阻值调节的方式。
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b (a)交流通路R e i U +--oU R (b)交流通路i U +--oU R 1(c)交流通路i U '+-21i i N U U N '=23L N R R ⎛⎫'= ⎪NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。
定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↓，↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ 基本不变，r be ↑，基本不变u Ai U +--oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ω2i U oU +_(b)图P2-7解：①直流负载线方程为：()153CE CC C c e C u V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ω2i U oU ++图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻。
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=benasda习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 μA26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.2 2.84.5 3.5D m GS i g mSu ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R bR e i U +o U R i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=L R '=定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ 基本不变u Ai U +oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)：直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。
模拟电子技术基础第三版习题答案第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础第三版课后答案王远【篇一：模电资料】术基础是高等院校电气、信息类（包括原自动化、电气类、电子类）专业知识平台重要核心课程，是学生在电子技术入门阶段的专业基础课。
课程涉及模拟信号的产生、传输及处理等方面的内容，工程实践性很强。
课程任务是使学生获得适应信息时代电子技术的基本理论、基本知识及基本分析方法。
旨在培养学生综合应用能力、创新能力和电子电路计算机分析、设计能力。
课程学习完成能为学生以后深入学习电子技术及其在专业中的应用打好两方面的基础；其一是正确使用电子电路特别是集成电路的基础；其二是为将来进一步学习设计集成电路专用芯片打好基础。
《模拟电子技术基础》是电气电子类各专业的一门重要的技术基础课。
其作用与任务是使学生获得低频电子线路方面的基本理论，基本知识和基本技能。
本课程在介绍半导体器件的基础上，重点要求掌握放大器的各种基本单元电路、放大器中的负反馈、运算放大器及其应用、直流电源等低频电子线路电路的工作原理、分析方法和设计方法，使学生具有一定的实践技能和应用能力。
培养学生分析问题、解决问题的能力和创新思维能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。
教学大纲一、课程名称模拟电子技术基础 analog electronics二、学时与学分本课程学时： 60学时(课内) 本课程学分： 3.5学分三、授课对象电类本科生、专科生四、先修课程电路理论、电路测试与实验技术五、教学目的《模拟电子技术基础》是电子类等专业入门性质的课程，是实践性很强的技术基础课。
课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析问题和解决问题的能力。
通过本课程的学习，使学生具备应用电子技术的能力，为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打好基础。
六、主要内容、基本要求及学时分配第一章绪论主要内容基本要求学时数 2第二章半导体二极管及其基本电路主要内容基本要求学时数 4第三章半导体三极管及放大电路基础主要内容基本要求学时数 18第四章场效应管放大电路主要内容基本要求学时数 4第五章功率放大电路主要内容基本要求学时数 4第六章集成电路运算放大器主要内容基本要求学时数 6第七章反馈放大电路主要内容基本要求学时数 8第八章信号的运算与处理电路主要内容基本要求【篇二：模拟电子技术课程标准】t>电子与信息工程系（院）课程教学标准课程名称模拟电子技术课程类型理论＋实践授课对象三年制大专学生课程学分 4 总学时722009年 12 月《模拟电子技术》教学标准课程名称：模拟电子技术课时：72适用专业：应用电子技术、电子信息工程技术、通信技术、汽车电子技术 1．课程定位模拟电子技术是电类专业的一门重要岗位能力课程，是培养生产一线高级技术应用型人才硬件能力的基本入门课程，是十分强调应用实践的工程性质的课程，对人才培养有着至关重要的作用。
模拟电子技术基础第二章双极型晶体三极管和基本放大电路习题解答本章习题：2-4、2-7、2-8、2-10、2-12、2-14、2-172-17、2-19、2-24、2-25作者：孟梦 童瑞川 徐昌洪w.k hd a w.c o 课后答案网2-4：在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所列，确定它们各为哪个电极，晶体管是NPN型还是PNP型？�解题思路：晶体管工作在放大区时发射结正偏、集电结反偏。
�ebcUUU>>NPN PNPcbeUUU>>⎩⎨⎧=VVBEU7.03.0锗管硅管⎩⎨⎧−−=VVUBE7.03.0锗管硅管w.khdaw.co课后答案网A 管:首先，根据x ，y 差值为0.3判断出z 为c 极，又由c 极电压最小，判断出管子为PNP 型，则e 极电压比b 极要高，故x 为e 极,y 为b 极B 管首先，根据x ，z 差值为0.3判断出y 为c 极，又由c 极电压最高，判断出管子为NPN 型，则b 极电压比e 极要高，故x 为b 极,z 为e 极VU V U V U z y x 6,7.11,12===V U V U V U z y x 5.5,1,2.5−=−=−=w.k hd a w.c o 课后答案网2-7 根据放大电路的组成原则判断电路能否正常放大？如果不能，指出其中的错误，并加以改正。
�放大电路的组成原则：�（1）要有合适的静态工作点，晶体管工作在放大区,发射结正偏、集电结反偏。
�（2）输入信号能加到基极，输出信号能够取得出来。
w.k hd a w.c o 课后答案网a)�由图可知为PNP 型�则需�电路中b 、c 两极电压为正值，e 极接地，不满足发射结正偏、集电结反偏条件。
�应该把V CC 接负电压。
cb e U U U >>w.k hd a w.c o 课后答案网b)b极对地电位为0，无基极偏置电流。
应该将b极经一电阻接VCC。
